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1. 发明申请

WO2016132029A1 PROCÉDÉ DE STABILISATION D'UN SUBSTRAT ET MACHINE POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCÉDÉ 审中-公开
标题翻译：用于稳定基板和实现其的机器的方法
公开(公告)号：WO2016132029A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/FR2016/000027
申请日：2016-02-17
申请人： ION BEAM SERVICES
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent , SPIEGEL, Yoham
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： F26B25/06 , H01L21/2236 , H01L21/67207
摘要： La présente invention concerne un procédé de traitement d'un substrat 23 qui comprend une étape de dopage immédiatement suivie d'une étape de stabilisation. Le procédé est remarquable en ce que cette étape de stabilisation consiste à immerger le substrat dans un gaz appartenant à l'ensemble comprenant l'oxygène, la vapeur d'eau, l'air humide, la vapeur de peroxyde d'hydrogène, l'ozone et l'ammoniaque. L'invention vise encore une machine de traitement d'un substrat selon le procédé ci-dessus qui comporte un orifice d'introduction du gaz.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理衬底（23）的方法，其包括紧随其后的稳定步骤的掺杂步骤。该方法的特征在于，所述稳定步骤包括将基底浸入属于包括氧，水蒸气，潮湿空气，过氧化氢蒸气，臭氧和氨的组的气体中。本发明还涉及一种根据上述方法处理基底并包括气体入口的机器。

2. 发明申请

WO2013093238A1 SUPPORT COMPORTANT UN PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE 审中-公开
标题翻译：支持包括静电基板支架
公开(公告)号：WO2013093238A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/FR2012/000530
申请日：2012-12-19
申请人： ION BEAM SERVICES
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/48 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： La présente invention concerne un support qui comporte : - une table polarisée électriquement conductrice, - un porte-substrat 20 isolant électrostatique prenant la forme d'un cylindre pourvu d'un épaulement 21, la face inférieure de ce porte- substrat 20 venant en regard de cette table polarisée et sa face supérieure 22 présentant un plan d'appui prévu pour recevoir un substrat, - une bride de serrage électriquement conductrice pour brider ledit épaulement 21 sur la table polarisée, De plus, ce support comprend au moins un élément 201-202-203 électriquement conducteur pour raccorder le plan d'appui à l'épaulement 21.
摘要翻译：本发明涉及一种支撑体，其包括：导电极化台; 设置有台肩21的圆柱形的静电绝缘基板保持件20，基板保持件20的面向偏振台的下表面和其上表面22具有用于接收基板的支撑平面; 以及用于将肩部21夹持到偏振台的导电夹具。此外，支撑件包括用于将支撑平面连接到肩部21的至少一个导电元件201-202-203。

3. 发明申请

WO2013050670A1 MODULE DE COMMANDE POUR IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于离子注入模式的离子植入物的控制模块
公开(公告)号：WO2013050670A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/FR2012/000391
申请日：2012-10-03
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , G01R19/00
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972
摘要： La présente invention concerne un module de commande pour implanteur ionique comportant une alimentation, cette alimentation comprenant : - un générateur électrique HT dont le pôle positif est raccordé à la masse, - un premier interrupteur SW1 dont le premier pôle est raccordé au pôle négatif du générateur HT et dont le second pôle est raccordé à la borne de sortie S de cette alimentation, - un deuxième interrupteur SW2 dont le premier pôle est raccordé à la borne de sortie S et dont le second pôle est relié à une borne de neutralisation N. De plus, ce module de commande comprend un circuit de mesure du courant AMP qui s'écoule entre le second pôle du second interrupteur SW2 et la borne de neutralisation N. L'invention vise également un implanteur ionique muni de ce module de commande.
摘要翻译：本发明涉及一种用于离子注入机的控制模块，包括电源，所述电源包括：发电机（HT），其正极连接到地面; 第一开关（SW1），其第一极连接到发电机（HT）的负极，其第二极连接到所述电源的输出端子; 以及第二开关（SW2），其第一极连接到输出端子（S），其第二极端连接到中性端子（N）。此外，所述控制模块包括用于测量在第二开关（SW2）的第二极与中性端子（N）之间流动的电流的电路（AMP）。本发明还涉及一种设置有所述控制模块的离子注入机。

4. 发明申请

WO2004086844A2 SUBSTRAT MULTICOUCHES IMPLANTE A FAIBLE DOSE 审中-公开
标题翻译：多层底层植入低剂量
公开(公告)号：WO2004086844A2
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/FR2004/000739
申请日：2004-03-25
申请人： ION BEAM SERVICES , ROUX, Laurent , VIDAL, Bernard , PERROCHEAU, Jacques , FAIK, Hasnaa
发明人： ROUX, Laurent , VIDAL, Bernard , PERROCHEAU, Jacques , FAIK, Hasnaa
IPC分类号： C23C14/58 , C23C16/56 , G02B5/08 , G21K1/06
CPC分类号： G02B5/0833 , B82Y10/00 , C23C14/5806 , C23C14/5833 , C23C16/56 , G21K1/062
摘要： L’invention présente un substrat (1) pourvu d’un empilement de couches déposées (11, 12, 21, 22, …, 71, 72). L’une au Moines de ces couches présente dans une zone de réglage une concentration de défauts ponctuels crées comprise entre 3.10 20 /cm 3 et 3.10 23 /cm 3 . Avantageusement, l’empilement comporte une superposition de couples chacun formé d’une couche impaire (11, 21, 71) et une couche paire (12, 22, 72) se distinguant par leurs compositions. L’invention vise également un procédé de préparation de ce substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种具有一叠沉积层（11,12,21,22，，71,72）的基片（1）。根据本发明，上述层中的至少一个包括在调节区域中在3.10 20 / cm 3至3.10 23 / cm 3之间的浓度的产生的点缺陷。层叠层优选地包括一叠层，每对由奇数层（11,21,71）和具有不同组成的均匀层（12,22,72）组成。本发明还涉及制备所述基材的方法。

5. 发明申请

WO2013057390A1 PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：在离子注入模式下控制离子植入物的方法
公开(公告)号：WO2013057390A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/FR2012/000392
申请日：2012-10-04
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706 , H01L21/2236
摘要： La présente invention concerne un procédé de commande d'un im¬ planteur ionique comportant une alimentation plasma (AP) et une ali¬ mentation substrat (PS), cette alimentation substrat comprenant : • - un générateur électrique (HT), • - un premier interrupteur (SW1) raccordé entre le générateur et la borne de sortie de cette alimentation substrat, • - un deuxième interrupteur (SW2) raccordé entre la borne de sortie et une borne de neutralisation, procédé comportant une phase d'implantation (A-D) et une phase de neutralisation (E-H). Ce procédé comporte de plus une phase de relaxation (C-F) qui che¬ vauche la phase d'implantation et la phase de neutralisation, phase de relaxation durant laquelle l'alimentation plasma est inactivée. En outre, la phase de neutralisation comprend une étape préliminaire (E-F) pour fermer le deuxième interrupteur, cette étape préliminaire étant suivie par une étape d'annulation (F-G) pour activer l'alimenta¬ tion plasma (AP). Figure à publier : figure 4.
摘要翻译：本发明涉及一种控制包括等离子体电源（AP）和衬底电源（PS）的离子注入机的方法，所述衬底电源包括： - 发电机（HT）。 - 连接在发电机和所述基板电源的输出端之间的第一开关（SW1）。 - 连接在输出端子和中和端子之间的第二开关（SW2），包括注入阶段（A-D）和中和阶段（E-H）的方法。该方法还包括与注入阶段和中和阶段重叠的弛豫阶段（C-F），其中等离子体电源被钝化的弛豫阶段。此外，中和阶段包括关闭第二开关的预备步骤（E-F），所述预备步骤之后是消除步骤（F-G）以激活等离子体电源（AP）。图可公布：图4。

6. 发明申请

WO2011151540A1 DISPOSITIF DE MESURE DE DOSE POUR L'IMPLANTATION IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于等离子体离子植入的剂量测量装置
公开(公告)号：WO2011151540A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/FR2011/000323
申请日：2011-06-01
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： G01T1/02 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/31703
摘要： La présente invention concerne un dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma, dispositif comportant un module d'estimation du courant d'implantation CUR, un détecteur d'électrons secondaires DSE et un circuit de contrôle CC pour estimer le courant ionique par différentiation du courant d'implantation et du courant issu du détecteur d'électrons secondaires. De plus, le détecteur DSE d'électrons secondaires énergétiques comporte un collecteur supportant exclusivement trois électrodes isolées les unes des autres : - une première électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter d'un signe prédéterminé, cette électrode étant munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une deuxième électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter du signe opposé, cette électrode étant aussi munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une électrode de sélection cette électrode étant également munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体浸没离子注入的剂量测量装置，所述装置包括用于估计注入电流（CUR）的模块，用于通过分化估计离子电流的二次电子检测器（DSE）和控制电路（CC）的注入电流和由二次电子检测器产生的电流。此外，用于能量二次电子（DSE）的检测器包括仅具有彼此绝缘的三个电极的集电器，即：用于排斥具有预定符号的被拒绝电荷的第一排斥电极，所述电极设置在至少一个电子通道的开口; 用于排斥具有相反符号的要被拒绝的电荷的第二排斥电极，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口; 和选择电极，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口。

7. 发明申请

WO2007144514A1 MÉTHODE ET APPAREIL DE CARACTÉRISATION OPTIQUE DU DOPAGE D'UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于光学表征基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2007144514A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/FR2007/000992
申请日：2007-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： G01N21/95 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/55 , G01N2021/215
摘要： L'invention concerne une méthode de caractérisation optique comprenant une étape d'évaluation du dopage d'un substrat (SUB) au moyen d'un faisceau réfléchi Issu d'une source lumineuse, cette méthode étant mise en oeuvre avec un appareil comportant : - cette source lumineuse (LAS) pour produire un faisceau Incident (I) selon un axe d'Incidence, - un premier détecteur (DET1 DET1 ) pour mesurer la puissance de ce faisceau réfléchi (R) selon un axe de réflexion, - les axes d'incidence et de réflexion se croisant en un point de mesure et formant un angle de mesure (2Θ) non nul, - un polariseur (POL) disposé sur le trajet du faisceau Incident (I); De plus, la source lumineuse (LAS) est monochromatique. L'invention vise également un implanteur Ionique équipé de cet appareil.
摘要翻译：本发明涉及一种光学表征方法，其包括借助于来自光源的反射光束来评估衬底（SUB）的掺杂的步骤，该方法使用以下装置进行： - 该光源（LAS ），用于沿着入射轴产生入射光束（I）; - 用于沿着反射轴测量该反射光束（R）的功率的第一检测器（DET1），入射轴线和测量点处的反射轴线，并且产生非零测量角度（2T）; 以及 - 放置在入射光束（I）的路径中的偏振器（POL）。此外，光源（LAS）是单色的。本发明还涉及配备有该装置的离子注入机。

8. 发明申请

WO2006003322A3 ION IMPLANTER OPERATING IN PULSED PLASMA MODE 审中-公开
标题翻译：离子注入器在脉冲等离子体模式下的运行
公开(公告)号：WO2006003322A3
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/FR2005001468
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA FRANK , MATHIEU GILLES , ROUX LAURENT
发明人： TORREGROSA FRANK , MATHIEU GILLES , ROUX LAURENT
IPC分类号： C23C14/48 , C23C8/36 , C23C16/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C8/36 , C23C14/48 , H01J37/32706
摘要： The invention relates to an ion implanter (IMP) comprising a pulsed plasma source (SPL), a substrate support plate (PPS) and a power supply (ALT) for said plate. The inventive implanter also comprises a capacitor C which is connected directly to the earth (E) and which is mounted downstream of the plate power supply (ALT). The invention also relates to a method of using said implanter.
摘要翻译：本发明涉及包括用于所述板的脉冲等离子体源（SPL），衬底支撑板（PPS）和电源（ALT）的离子注入机（IMP）。本发明的注入器还包括直接连接到地（E）并安装在板电源（ALT）下游的电容器C. 本发明还涉及一种使用所述注入机的方法。

9. 发明申请

WO2014083246A1 IMPLANTEUR IONIQUE POURVU D'UNE PLURALITÉ DE CORPS DE SOURCE PLASMA 审中-公开
标题翻译：离子植物提供多种等离子体源体
公开(公告)号：WO2014083246A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/FR2013/000308
申请日：2013-11-25
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365
摘要： L'invention concerne un implanteur ionique qui comporte une enceinte ENV dans laquelle est agencée un porte-substrat PPS connecté à une alimentation substrat ALT par l'intermédiaire d'un passage électrique haute tension PET, cette enceinte ENV étant pourvue de moyens de pompage PP, PS, cette enceinte ENV comportant encore au moins deux corps de source CS1, CS2 cylindriques dépourvus de tout obstacle et disposés face au porte-substrat. Cet implanteur est remarquable en ce qu'il comporte au moins une bobine de confinement BCI1 -BCS1, BCI2-BCS2 par corps de source CS1, CS2.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机，其包括外壳ENV，其包含通过高压电通道PET连接到基板供应ALT的基板载体PPS，所述外壳ENV设置有泵送装置PP，PS，并且还包括至少两个圆柱形，无障碍物源体CS1，CS2布置成面向衬底载体。所述注入机的特征在于它包括每个源体CS1，CS2至少一个容纳线圈BCI1-BCS1，BCI2-BCS2。

10. 发明申请

WO2011151541A3 DETECTOR FOR ENERGETIC SECONDARY ELECTRONS 审中-公开
标题翻译：能量二次电子探测器
公开(公告)号：WO2011151541A3
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/FR2011000324
申请日：2011-06-01
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA FRANK , ROUX LAURENT
发明人： TORREGROSA FRANK , ROUX LAURENT
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32 , H01J47/00
CPC分类号： G01T1/28 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J47/001 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/24485
摘要： The invention relates to a detector for energetic secondary electrons, comprising a collector P bearing only three electrodes insulated from one another and polarised with reference to the collector, namely: a first repelling electrode A1 for repelling the charges to be rejected having a pre-determined sign, said negatively polarised electrode being provided with at least one opening for the passage of electrons; a second repelling electrode A2 for repelling the charges to be rejected having the opposite sign, said positively polarised electrode also being provided with at least one opening for the passage of electrons; and a selection electrode A3, said electrode also being provided with at least one opening for the passage of electrons. The openings in the electrodes are aligned on a conduction cylinder (D). In addition, the selection electrode A3 is polarised negatively. The invention also relates to a method for detecting secondary electrons using said detector.
摘要翻译：本发明涉及一种用于能量二次电子的检测器，其包括：收集器P，其仅具有彼此绝缘并相对于集电极极化的三个电极，即：用于排斥具有预定的待排除电荷的第一排斥电极A1 所述负极极化电极具有用于电子通过的至少一个开口; 用于排斥具有相反符号的被拒绝电荷的第二排斥电极A2，所述正极化电极还设置有用于电子通过的至少一个开口; 和选择电极A3，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口。电极中的开口在导电圆柱体（D）上对准。此外，选择电极A3被负极化。本发明还涉及使用所述检测器检测二次电子的方法。

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