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1. 发明申请

WO2012168575A3 PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION MACHINE FOR LOW-PRESSURE PROCESS 审中-公开
标题翻译：用于低压过程的等离子浸入式离子植入机
公开(公告)号：WO2012168575A3
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/FR2012000227
申请日：2012-06-07
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA FRANK , ROUX LAURENT
发明人： TORREGROSA FRANK , ROUX LAURENT
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/32174 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706
摘要： The present invention relates to an ion implantation tool comprising: a chamber ENV that is connected to a pumping device VAC; a negatively biased HV substrate holder PPS that is located in this chamber ENV; a device AP for providing a plasma, taking the form of a cylindroidal body that extends between an initial section and an end section, this device comprising a main chamber PR provided with an ionization cell BC1, ANT1, the main chamber PR being equipped with an orifice ING for supplying gas, and the final section CL of said main chamber being provided with reducing means for causing loss of charge with reference to the body AP. In addition, the device AP for supplying plasma also comprises an auxiliary chamber AUX placed beyond the final section, this auxiliary chamber opening into the chamber ENV at said end section.
摘要翻译：离子注入工具本发明涉及离子注入工具，其包括：连接到抽吸装置VAC的室ENV; 位于该室ENV中的负偏压HV衬底保持器PPS; 用于提供等离子体的装置AP，采取在初始部分和端部部分之间延伸的圆柱体的形式，该装置包括设置有电离单元BC1，ANT1的主室PR，主室PR配备有用于供应气体的孔口ING，并且所述主室的最后部分CL设置有减少装置，用于引起相对于身体AP的损失。此外，用于供应等离子体的装置AP还包括放置在最后部分之外的辅助室AUX，该辅助室在所述端部部分处打开到室ENV中。

2. 发明申请

WO2012168575A2 MACHINE D'IMPLANTATION IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA POUR PROCÉDÉ BASSE PRESSION 审中-公开
标题翻译：用于低压过程的等离子浸入式离子植入机
公开(公告)号：WO2012168575A2
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/FR2012/000227
申请日：2012-06-07
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/32174 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706
摘要： La présente invention concerne une machine d'implantation ionique comprenant : - une enceinte ENV qui est raccordée à un dispositif de pompage VAC, - un porte-substrat PPS polarisé négativement HT qui est agencé dans cette enceinte ENV, - un dispositif d'alimentation plasma AP ayant la forme d'un corps cylindroïde qui s'étend entre une section initiale et une section terminale, ce dispositif comportant une chambre principale PR pourvue d'une cellule d'ionisation BC1, ANT1, la chambre principale PR étant munie d'un orifice ING d'approvisionnement en gaz, la section finale CL de ladite chambre principale étant pourvue de moyens d'amoindrissement pour créer une perte de charge par référence au corps AP. De plus, le dispositif d'alimentation plasma AP comporte également une chambre auxiliaire AUX disposée au-delà de la section finale, cette chambre auxiliaire débouchant dans l'enceinte ENV au niveau de ladite section terminale.
摘要翻译：离子注入工具本发明涉及离子注入工具，其包括：连接到抽吸装置VAC的室ENV; 位于该室ENV中的负偏压HV衬底保持器PPS; 用于提供等离子体的装置AP，采取在初始部分和端部部分之间延伸的圆柱体的形式，该装置包括设置有电离单元BC1，ANT1的主室PR，主室PR配备有用于供应气体的孔口ING，并且所述主室的最后部分CL设置有减少装置，用于引起相对于身体AP的损失。此外，用于供应等离子体的装置AP还包括放置在最后部分之外的辅助室AUX，该辅助室在所述端部部分处打开到室ENV中。

3. 发明申请

WO2006003322A2 IMPLANTEUR IONIQUE FONCTIONNANT EN MODE PLASMA PULSE 审中-公开
标题翻译：在脉冲等离子体模式下操作的离子植入物
公开(公告)号：WO2006003322A2
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/FR2005/001468
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles , ROUX Laurent
IPC分类号： C23C14/48
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C8/36 , C23C14/48 , H01J37/32706
摘要： La présente invention concerne un implanteur ionique IMP qui comporte une source plasma pulsée SPL, un plateau porte-substrat PPS et une alimentation ALT de ce plateau. Cet implanteur comporte de plus une capacité C reliée directement à la masse E et montée en aval de l'alimentation plateau ALT. L'invention vise également un procédé de mise en oeuvre de l'implanteur.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机（IMP），其包括用于所述板的脉冲等离子体源（SPL），衬底支撑板（PPS）和电源（ALT）。本发明的注入机还包括电容器C，其直接连接到地（E）并且安装在板电源（ALT）的下游。本发明还涉及使用所述注入机的方法。

4. 发明申请

WO2006003321A1 ALIMENTATION D’IMPLANTEUR IONIQUE PREVUE POUR UNE LIMITATION DE L’EFFET DE CHARGE 审中-公开
标题翻译：离子植入物电源旨在限制装载效应
公开(公告)号：WO2006003321A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/FR2005/001466
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles
发明人： TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H03H7/06 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32706
摘要： L'invention concerne une alimentation ALT d'implanteur ionique qui comprend : - un générateur électrique SOU disposé entre un plateau porte-substrat PPS et la masse E, - un condensateur CDS dans une branche de dérivation également disposée entre le plateau porte-substrat PPS et la masse E. Le condensateur CDS a une capacité inférieure à 5 nF. L'invention vise également un implanteur ionique incorporant cette alimentation.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机电源（ALT），其包括设置在基板支撑板（PPS）和地球（E）之间的发电机（SOU）和旁路分支中的电容器（CDS）在基板支撑板（PPS）和地球（E）之间。电容器（CDS）的电容小于5 nF。本发明还涉及一种包括所述电源的离子注入机。

5. 发明申请

WO2013050670A1 MODULE DE COMMANDE POUR IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于离子注入模式的离子植入物的控制模块
公开(公告)号：WO2013050670A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/FR2012/000391
申请日：2012-10-03
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , G01R19/00
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972
摘要： La présente invention concerne un module de commande pour implanteur ionique comportant une alimentation, cette alimentation comprenant : - un générateur électrique HT dont le pôle positif est raccordé à la masse, - un premier interrupteur SW1 dont le premier pôle est raccordé au pôle négatif du générateur HT et dont le second pôle est raccordé à la borne de sortie S de cette alimentation, - un deuxième interrupteur SW2 dont le premier pôle est raccordé à la borne de sortie S et dont le second pôle est relié à une borne de neutralisation N. De plus, ce module de commande comprend un circuit de mesure du courant AMP qui s'écoule entre le second pôle du second interrupteur SW2 et la borne de neutralisation N. L'invention vise également un implanteur ionique muni de ce module de commande.
摘要翻译：本发明涉及一种用于离子注入机的控制模块，包括电源，所述电源包括：发电机（HT），其正极连接到地面; 第一开关（SW1），其第一极连接到发电机（HT）的负极，其第二极连接到所述电源的输出端子; 以及第二开关（SW2），其第一极连接到输出端子（S），其第二极端连接到中性端子（N）。此外，所述控制模块包括用于测量在第二开关（SW2）的第二极与中性端子（N）之间流动的电流的电路（AMP）。本发明还涉及一种设置有所述控制模块的离子注入机。

6. 发明申请

WO2013057390A1 PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：在离子注入模式下控制离子植入物的方法
公开(公告)号：WO2013057390A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/FR2012/000392
申请日：2012-10-04
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706 , H01L21/2236
摘要： La présente invention concerne un procédé de commande d'un im¬ planteur ionique comportant une alimentation plasma (AP) et une ali¬ mentation substrat (PS), cette alimentation substrat comprenant : • - un générateur électrique (HT), • - un premier interrupteur (SW1) raccordé entre le générateur et la borne de sortie de cette alimentation substrat, • - un deuxième interrupteur (SW2) raccordé entre la borne de sortie et une borne de neutralisation, procédé comportant une phase d'implantation (A-D) et une phase de neutralisation (E-H). Ce procédé comporte de plus une phase de relaxation (C-F) qui che¬ vauche la phase d'implantation et la phase de neutralisation, phase de relaxation durant laquelle l'alimentation plasma est inactivée. En outre, la phase de neutralisation comprend une étape préliminaire (E-F) pour fermer le deuxième interrupteur, cette étape préliminaire étant suivie par une étape d'annulation (F-G) pour activer l'alimenta¬ tion plasma (AP). Figure à publier : figure 4.
摘要翻译：本发明涉及一种控制包括等离子体电源（AP）和衬底电源（PS）的离子注入机的方法，所述衬底电源包括： - 发电机（HT）。 - 连接在发电机和所述基板电源的输出端之间的第一开关（SW1）。 - 连接在输出端子和中和端子之间的第二开关（SW2），包括注入阶段（A-D）和中和阶段（E-H）的方法。该方法还包括与注入阶段和中和阶段重叠的弛豫阶段（C-F），其中等离子体电源被钝化的弛豫阶段。此外，中和阶段包括关闭第二开关的预备步骤（E-F），所述预备步骤之后是消除步骤（F-G）以激活等离子体电源（AP）。图可公布：图4。

7. 发明申请

WO2011151540A1 DISPOSITIF DE MESURE DE DOSE POUR L'IMPLANTATION IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于等离子体离子植入的剂量测量装置
公开(公告)号：WO2011151540A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/FR2011/000323
申请日：2011-06-01
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： G01T1/02 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/31703
摘要： La présente invention concerne un dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma, dispositif comportant un module d'estimation du courant d'implantation CUR, un détecteur d'électrons secondaires DSE et un circuit de contrôle CC pour estimer le courant ionique par différentiation du courant d'implantation et du courant issu du détecteur d'électrons secondaires. De plus, le détecteur DSE d'électrons secondaires énergétiques comporte un collecteur supportant exclusivement trois électrodes isolées les unes des autres : - une première électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter d'un signe prédéterminé, cette électrode étant munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une deuxième électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter du signe opposé, cette électrode étant aussi munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une électrode de sélection cette électrode étant également munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体浸没离子注入的剂量测量装置，所述装置包括用于估计注入电流（CUR）的模块，用于通过分化估计离子电流的二次电子检测器（DSE）和控制电路（CC）的注入电流和由二次电子检测器产生的电流。此外，用于能量二次电子（DSE）的检测器包括仅具有彼此绝缘的三个电极的集电器，即：用于排斥具有预定符号的被拒绝电荷的第一排斥电极，所述电极设置在至少一个电子通道的开口; 用于排斥具有相反符号的要被拒绝的电荷的第二排斥电极，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口; 和选择电极，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口。

8. 发明申请

WO2007144514A1 MÉTHODE ET APPAREIL DE CARACTÉRISATION OPTIQUE DU DOPAGE D'UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于光学表征基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2007144514A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/FR2007/000992
申请日：2007-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： G01N21/95 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/55 , G01N2021/215
摘要： L'invention concerne une méthode de caractérisation optique comprenant une étape d'évaluation du dopage d'un substrat (SUB) au moyen d'un faisceau réfléchi Issu d'une source lumineuse, cette méthode étant mise en oeuvre avec un appareil comportant : - cette source lumineuse (LAS) pour produire un faisceau Incident (I) selon un axe d'Incidence, - un premier détecteur (DET1 DET1 ) pour mesurer la puissance de ce faisceau réfléchi (R) selon un axe de réflexion, - les axes d'incidence et de réflexion se croisant en un point de mesure et formant un angle de mesure (2Θ) non nul, - un polariseur (POL) disposé sur le trajet du faisceau Incident (I); De plus, la source lumineuse (LAS) est monochromatique. L'invention vise également un implanteur Ionique équipé de cet appareil.
摘要翻译：本发明涉及一种光学表征方法，其包括借助于来自光源的反射光束来评估衬底（SUB）的掺杂的步骤，该方法使用以下装置进行： - 该光源（LAS ），用于沿着入射轴产生入射光束（I）; - 用于沿着反射轴测量该反射光束（R）的功率的第一检测器（DET1），入射轴线和测量点处的反射轴线，并且产生非零测量角度（2T）; 以及 - 放置在入射光束（I）的路径中的偏振器（POL）。此外，光源（LAS）是单色的。本发明还涉及配备有该装置的离子注入机。

9. 发明申请

WO2006003322A3 ION IMPLANTER OPERATING IN PULSED PLASMA MODE 审中-公开
标题翻译：离子注入器在脉冲等离子体模式下的运行
公开(公告)号：WO2006003322A3
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/FR2005001468
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA FRANK , MATHIEU GILLES , ROUX LAURENT
发明人： TORREGROSA FRANK , MATHIEU GILLES , ROUX LAURENT
IPC分类号： C23C14/48 , C23C8/36 , C23C16/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C8/36 , C23C14/48 , H01J37/32706
摘要： The invention relates to an ion implanter (IMP) comprising a pulsed plasma source (SPL), a substrate support plate (PPS) and a power supply (ALT) for said plate. The inventive implanter also comprises a capacitor C which is connected directly to the earth (E) and which is mounted downstream of the plate power supply (ALT). The invention also relates to a method of using said implanter.
摘要翻译：本发明涉及包括用于所述板的脉冲等离子体源（SPL），衬底支撑板（PPS）和电源（ALT）的离子注入机（IMP）。本发明的注入器还包括直接连接到地（E）并安装在板电源（ALT）下游的电容器C. 本发明还涉及一种使用所述注入机的方法。

10. 发明申请

WO2014083246A1 IMPLANTEUR IONIQUE POURVU D'UNE PLURALITÉ DE CORPS DE SOURCE PLASMA 审中-公开
标题翻译：离子植物提供多种等离子体源体
公开(公告)号：WO2014083246A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/FR2013/000308
申请日：2013-11-25
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365
摘要： L'invention concerne un implanteur ionique qui comporte une enceinte ENV dans laquelle est agencée un porte-substrat PPS connecté à une alimentation substrat ALT par l'intermédiaire d'un passage électrique haute tension PET, cette enceinte ENV étant pourvue de moyens de pompage PP, PS, cette enceinte ENV comportant encore au moins deux corps de source CS1, CS2 cylindriques dépourvus de tout obstacle et disposés face au porte-substrat. Cet implanteur est remarquable en ce qu'il comporte au moins une bobine de confinement BCI1 -BCS1, BCI2-BCS2 par corps de source CS1, CS2.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机，其包括外壳ENV，其包含通过高压电通道PET连接到基板供应ALT的基板载体PPS，所述外壳ENV设置有泵送装置PP，PS，并且还包括至少两个圆柱形，无障碍物源体CS1，CS2布置成面向衬底载体。所述注入机的特征在于它包括每个源体CS1，CS2至少一个容纳线圈BCI1-BCS1，BCI2-BCS2。

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