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1. 发明申请

WO2010061364A3 ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE HAVING STRESS-COMPENSATION LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：具有应力补偿层的机电传感器装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2010061364A3
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/IB2009056020
申请日：2009-11-25
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , PERRUCHOT FRANCOIS , DEFAY EMMANUEL , REY PATRICE , LIU LIANJUN , PACHECO SERGIO
发明人： PERRUCHOT FRANCOIS , DEFAY EMMANUEL , REY PATRICE , LIU LIANJUN , PACHECO SERGIO
IPC分类号： B81B3/00 , H01L41/09
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01L41/0933 , H01L41/094
摘要： A micro or nano electromechanical transducer device (200) formed on a semiconductor substrate (210) comprises a movable structure (203) which is arranged to be movable in response to actuation of an actuating structure. First (206) and second (207) compensation layers are arranged to compensate a thermal effect produced by the different first and second thermal response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that movement of the movable structure (203) is substantially independent of variations in temperature and to adjust a stress effect produced by the different first and second stress response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that the movable structure is deflected a predetermined amount relative to the substrate when the electromechanical transducer device (200) is in an inactive state.
摘要翻译：形成在半导体衬底（210）上的微型或纳米机电换能器装置（200）包括可移动结构（203），其被布置成可响应于致动结构的致动而是可移动的。第一（206）和第二（207）补偿层布置成补偿由机械结构和致动结构的至少一个层（202）的不同的第一和第二热响应特性产生的热效应，可移动结构（203）基本上独立于温度变化并且调节由机械结构和致动结构的至少一个层（202）的不同的第一和第二应力响应特性产生的应力效应，使得可移动结构当机电换能器装置（200）处于非活动状态时相对于基板偏转预定量。

2. 发明申请

WO2010061363A3 ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE HAVING THERMAL COMPENSATION AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
公开(公告)号：WO2010061363A3
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/IB2009/056019
申请日：2009-11-25
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , COMMISSARIAT à L'ENERGIE ATOMIQUE (CEA) , LIU, Lianjun , PACHECO, Sergio , PERRUCHOT, François , DEFAY, Emmanuel , REY, Patrice
发明人： LIU, Lianjun , PACHECO, Sergio , PERRUCHOT, François , DEFAY, Emmanuel , REY, Patrice
IPC分类号： B81B3/00 , H01L41/09
摘要： A micro or nano electromechanical transducer device (200) formed on a semiconductor substrate comprises a movable structure (203) which is arranged to be movable in response to actuation of an actuating structure. The movable structure comprises a mechanical structure having at least one mechanical layer (204) having a first thermal response characteristic, at least one layer (202) of the actuating structure having a second thermal response characteristic different to the first thermal response characteristic, and a thermal compensation structure having at least one thermal compensation layer (206). The thermal compensation layer is different to the at least one layer (202) and is arranged to compensate a thermal effect produced by the mechanical layer and the at least one layer of the actuating structure such that the movement of the movable structure is substantially independent of variations in temperature.

3. 发明申请

WO2010061364A2 ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE AND METHOD OF FORMING A ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE 审中-公开
标题翻译：机电传感器装置及形成机电传感器装置的方法
公开(公告)号：WO2010061364A2
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/IB2009/056020
申请日：2009-11-25
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , COMMISSARIAT à L'ENERGIE ATOMIQUE (CEA) , PERRUCHOT, François , DEFAY, Emmanuel , REY, Patrice , LIU, Lianjun , PACHECO, Sergio
发明人： PERRUCHOT, François , DEFAY, Emmanuel , REY, Patrice , LIU, Lianjun , PACHECO, Sergio
IPC分类号： B81B3/00 , H01L41/09
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01L41/0933 , H01L41/094
摘要： A micro or nano electromechanical transducer device (200) formed on a semiconductor substrate (210) comprises a movable structure (203) which is arranged to be movable in response to actuation of an actuating structure. The movable structure (203) comprises a mechanical structure (204) comprising at least one mechanical layer (204) having a first thermal response characteristic and a first mechanical stress response characteristic, at least one layer (202) of the actuating structure, the at least one layer having a second thermal response characteristic different to the first thermal response characteristic and a second mechanical stress response characteristic different to the first mechanical stress response characteristic, a first compensation layer (206) having a third thermal response characteristic and a third mechanical stress characteristic, and a second compensation layer (207) having a fourth thermal response characteristic and a fourth mechanical stress response characteristic. The first (206) and second (207) compensation layers are arranged to compensate a thermal effect produced by the different first and second thermal response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that movement of the movable structure (203) is substantially independent of variations in temperature and to adjust a stress effect produced by the different first and second stress response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that the movable structure is deflected a predetermined amount relative to the substrate when the electromechanical transducer device (200) is in an inactive state.
摘要翻译：形成在半导体衬底（210）上的微型或纳米机电换能器装置（200）包括可移动结构（203），其被布置成响应于致动结构的致动而是可移动的。可移动结构（203）包括机械结构（204），其包括具有第一热响应特性和第一机械应力响应特性的至少一个机械层（204），所述致动结构的至少一个层（202）具有与第一热响应特性不同的第二热响应特性和与第一机械应力响应特性不同的第二机械应力响应特性的至少一个层，具有第三热响应特性和第三机械应力的第一补偿层（206）以及具有第四热响应特性和第四机械应力响应特性的第二补偿层（207）。第一（206）和第二（207）补偿层布置成补偿由机械结构和致动结构的至少一个层（202）的不同的第一和第二热响应特性产生的热效应，可移动结构（203）基本上独立于温度变化并且调节由机械结构和致动结构的至少一个层（202）的不同的第一和第二应力响应特性产生的应力效应，使得可移动的结构当机电换能器装置（200）处于非活动状态时，结构相对于基板偏转预定量。

4. 发明申请

WO2006117480A1 DISPOSITIF DE MESURE DE FORCE A TIGE RIGIDE 审中-公开
标题翻译：具有刚性干扰的力测量装置
公开(公告)号：WO2006117480A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/FR2006/000996
申请日：2006-05-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , REY, Patrice , ROBERT, Philippe
发明人： REY, Patrice , ROBERT, Philippe
IPC分类号： G01L5/16
CPC分类号： G01L1/18 , G01L5/162
摘要： Un dispositif de mesure de force comprend une tige rigide (10) reliée à une membrane (12) sensiblement plane déformable comportant des moyens de détection (16) d'une déformation de la membrane (12). La tige (10) comporte une portion adaptée à être en contact avec un élément (20) apte à être sollicité par une force (F). La tige (10) comporte des créneaux formant moyens d'ancrage (17) adaptés à coopérer avec l'élément (20). Utilisation notamment pour améliorer la transmission des efforts à la membrane déformable.
摘要翻译：本发明涉及一种力测量装置，其具有连接到基本上平坦的可变形隔膜（12）的刚性杆（10），该刚性杆包括用于检测隔膜（12）的变形的装置（16）。杆（10）的一部分与能够受到力（F）的作用的元件（20）接触。杆（10）具有形成用于与元件（20）相互作用的锚定装置（17）的槽。本发明特别用于改进负载到可变形隔膜的传输。

5. 发明申请

WO2011001293A3 METHOD OF FORMING AN ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2011001293A3
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/IB2010/001950
申请日：2010-06-15
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , PERRUCHOT, François , LIU, Lianjun , PACHECO, Sergio , DEFAY, Emmanuel , REY, Patrice
发明人： PERRUCHOT, François , LIU, Lianjun , PACHECO, Sergio , DEFAY, Emmanuel , REY, Patrice
IPC分类号： B81C1/00
摘要： A method of forming an electromechanical transducer device (200) comprises forming (500) on a fixed structure (210) a movable structure (203) and an actuating structure of the electromechanical transducer device, wherein the movable structure (203) is arranged in operation of the electromechanical transducer device (200) to be movable in relation to the fixed structure in response to actuation of the actuating structure. The method further comprises providing (504) a stress trimming layer (216) on at least part of the movable structure (203), after providing the stress trimming layer (216), releasing (506) the movable structure (203) from the fixed structure (210) to provide a released electromechanical transducer device (200), and after releasing the movable structure (203), changing (508) stress in the stress trimming layer of the released electromechanical transducer device such that the movable structure (203) is deflected a predetermined amount relative to the fixed structure (210) when the electromechanical transducer device (200) is in an off state.

6. 发明申请

WO2010092092A1 CAPTEUR DE FORCE DE CONTACT 审中-公开
标题翻译：联系力传感器
公开(公告)号：WO2010092092A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2010/051670
申请日：2010-02-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , DELAPIERRE, Gilles , REY, Patrice
发明人： DELAPIERRE, Gilles , REY, Patrice
IPC分类号： G01L1/14 , G01L1/18 , G01L1/22 , G01L5/16 , G01M17/02
CPC分类号： G01L5/162 , G01L1/148 , G01L1/18 , G01L1/2293 , G01L5/165 , G01L5/167
摘要： Capteur triaxial de force (100) comportant au moins: - une membrane déformable (104), - des moyens de détection (106) d'une déformation de la membrane aptes à réaliser une détection triaxiale de la force à détecter, - des moyens d'adhérence (112) disposés au moins au niveau d'une des faces principales de la membrane déformable, aptes à rendre solidaire ladite une des faces principales de la membrane déformable à au moins un matériau élastomère (114) destiné à être sollicité par la force à détecter, et répartis uniformément au niveau de l'ensemble de la surface de ladite une des faces principales de la membrane déformable, la membrane déformable étant disposée entre une cavité (111) et le matériau élastomère.
摘要翻译：本发明涉及一种至少包括可变形膜（104）的三轴力传感器（100）。用于检测能够执行三轴检测待检测力的膜的变形的装置（106）; 布置在可变形膜的至少一个主表面上的粘合装置（112），能够将可变形膜的主表面之一刚性地连接到至少一个弹性体材料（114）上，以被迫使其被推动检测并均匀地分布在可变形膜的所述主表面的整个表面上，可变形膜布置在空腔（111）和弹性体材料之间。

7. 发明申请

WO2010061363A2 ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE AND METHOD OF FORMING A ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE 审中-公开
标题翻译：机电传感器装置及形成机电传感器装置的方法
公开(公告)号：WO2010061363A2
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/IB2009056019
申请日：2009-11-25
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , LIU LIANJUN , PACHECO SERGIO , PERRUCHOT FRANCOIS , DEFAY EMMANUEL , REY PATRICE
发明人： LIU LIANJUN , PACHECO SERGIO , PERRUCHOT FRANCOIS , DEFAY EMMANUEL , REY PATRICE
IPC分类号： B81B3/00 , H01L41/09
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01L41/0933 , H01L41/094
摘要： A micro or nano electromechanical transducer device (200) formed on a semiconductor substrate comprises a movable structure (203) which is arranged to be movable in response to actuation of an actuating structure. The movable structure comprises a mechanical structure having at least one mechanical layer (204) having a first thermal response characteristic, at least one layer (202) of the actuating structure having a second thermal response characteristic different to the first thermal response characteristic, and a thermal compensation structure having at least one thermal compensation layer (206). The thermal compensation layer is different to the at least one layer (202) and is arranged to compensate a thermal effect produced by the mechanical layer and the at least one layer of the actuating structure such that the movement of the movable structure is substantially independent of variations in temperature.
摘要翻译：形成在半导体衬底上的微型或纳米机电换能器装置（200）包括可移动结构（203），可移动结构（203）被布置成响应于致动结构的致动而可移动。可移动结构包括具有至少一个具有第一热响应特性的机械层（204）的机械结构，所述致动结构的至少一层（202）具有与第一热响应特性不同的第二热响应特性，以及热补偿结构具有至少一个热补偿层（206）。热补偿层与至少一个层（202）不同，并且被布置成补偿由机械层和致动结构的至少一个层产生的热效应，使得可移动结构的运动基本上独立于温度变化。

8. 发明申请

WO2006097613A1 DISPOSITIF DE MESURE DE FORCE PAR DETECTION RESISTIVE A DOUBLE PONT DE WHEASTONE 审中-公开
标题翻译：通过电力检测测量力的装置与双层桥梁
公开(公告)号：WO2006097613A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/FR2006/000550
申请日：2006-03-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , REY, Patrice
发明人： REY, Patrice
IPC分类号： G01L5/16
CPC分类号： G01L5/162 , G01L1/2262
摘要： Un dispositif de mesure de force par détection résistive à double pont de Wheastone comprend au moins huit jauges résistives (R x1 , R x2 , R x3 , R x4 , R y1 , R y2 , R y3 , R y4 ) placées sur une membrane déformable (12, 13, 14) et sensiblement plane et montées selon deux directions différentes. Les jauges résistives (R x1 , R x2 , R x3 , R x4 , R y1 , R y2 , R y3 , R y4 ) de chacun des ponts de Wheastone sont disposées respectivement sur des portions disjointes de membrane (12, 13, 14), et deux jauges (R x2 , R x3 ; R y1 , R y4 ) d'au moins un pont de Wheastone sont placées sur une zone non déformable (13) de la membrane (12, 13, 14).
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过电阻检测来测量力的装置，其中包括至少八个电阻量规（R 1，X 2，R 2，X 2，R 3），R x4，R y1，R y2，R y3，R y4，/ 3 ）布置在基本上平面的可变形膜（12,13,14）上并沿两个不同的方向安装。电阻量规（R x1，R 2，X 2，R x 3，R x 4，R y 1，每个Wheastone桥分别布置在隔膜的不相交部分上（的第一，第二，第三，第三，第三，第三，第三，第三， 12,13,14）和两个量规（R x2，R，x3，R，y1，R，y4））至少一个Wheastone桥被放置在膜（12,13,14）的不可变形区域（13）上。

9. 发明申请

WO2011001293A2 METHOD OF FORMING AN ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE 审中-公开
标题翻译：形成机电传感器装置的方法
公开(公告)号：WO2011001293A2
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/IB2010001950
申请日：2010-06-15
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , PERRUCHOT FRANCOIS , LIU LIANJUN , PACHECO SERGIO , DEFAY EMMANUEL , REY PATRICE
发明人： PERRUCHOT FRANCOIS , LIU LIANJUN , PACHECO SERGIO , DEFAY EMMANUEL , REY PATRICE
IPC分类号： H02N1/00
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2203/0118 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
摘要： A method of forming an electromechanical transducer device (200) comprises forming (500) on a fixed structure (210) a movable structure (203) and an actuating structure of the electromechanical transducer device, wherein the movable structure (203) is arranged in operation of the electromechanical transducer device (200) to be movable in relation to the fixed structure in response to actuation of the actuating structure. The method further comprises providing (504) a stress trimming layer (216) on at least part of the movable structure (203), after providing the stress trimming layer (216), releasing (506) the movable structure (203) from the fixed structure (210) to provide a released electromechanical transducer device (200), and after releasing the movable structure (203), changing (508) stress in the stress trimming layer of the released electromechanical transducer device such that the movable structure (203) is deflected a predetermined amount relative to the fixed structure (210) when the electromechanical transducer device (200) is in an off state.
摘要翻译：一种形成机电换能器装置（200）的方法包括在固定结构（210）上形成（500）可移动结构（203）和机电换能器装置的致动结构，其中可移动结构（203）布置在操作中所述机电换能器装置（200）响应于所述致动结构的致动而相对于所述固定结构可移动。该方法还包括在提供应力修剪层（216）之后，在可移动结构（203）的至少一部分上提供（504）应力修剪层（216），将可移动结构（203）从固定结构（210）以提供释放的机电换能器装置（200），并且在释放可移动结构（203）之后，改变（508）释放的机电换能器装置的应力修剪层中的应力，使得可移动结构（203）当机电换能器装置（200）处于关闭状态时相对于固定结构（210）偏转预定量。

10. 发明申请

WO2007096225A1 CAPTEUR DE PRESSION A JAUGES RESISTIVES 审中-公开
标题翻译：带电阻测量的压力传感器
公开(公告)号：WO2007096225A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/EP2007/050766
申请日：2007-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DELAPIERRE, Gilles , GRANGE, Hubert , REY, Patrice
发明人： DELAPIERRE, Gilles , GRANGE, Hubert , REY, Patrice
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0044 , G01L9/0055 , Y10T29/49103
摘要： Selon l'invention on prévoit que le capteur comporte une cavité (V) hermétiquement fermée d'un côté par un substrat (40) de silicium, et de l'autre par une membrane (58) déformable sous l'effet de la pression extérieure à la cavité, le capteur comportant au moins une jauge résistive (54, 56) solidaire de la membrane et ayant une valeur de résistance variable en fonction des déformations de la membrane. La membrane, de préférence en nitrure de silicium, est solidaire des jauges résistives. Les jauges sont situées sous la membrane à l'intérieur de la cavité fermée (V). Il n'est pas nécessaire de creuser le substrat pour réaliser la cavité : la membrane est formée par dépôt d'une couche isolante sur une couche sacrificielle, par exemple en polyimide ; elle peut recouvrir des circuits de mesure intégrés dans le substrat de silicium.
摘要翻译：根据本发明，传感器设置有一个通过硅衬底（40）在一侧气密密封的腔体（V），另一侧由隔膜（58）密封，该膜片可在外部压力的作用下变形所述传感器具有紧固到所述隔膜的至少一个电阻计（54,56），并具有作为所述隔膜变形的函数而变化的电阻。优选由氮化硅制成的隔膜紧固到电阻计。仪表位于密封腔（V）内的隔膜下方。不需要蚀刻基板以产生空腔：隔膜通过在例如由聚酰亚胺制成的牺牲层上沉积绝缘层而形成，并且可以覆盖硅基板中的集成测量电路。

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