专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2016179596A1 LOW-STRESS LOW-HYDROGEN LPCVD SILICON NITRIDE 审中-公开
标题翻译：低应力低氢LPCVD硅氮
公开(公告)号：WO2016179596A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/US2016/031509
申请日：2016-05-09
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCOPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： DELLAS, Nicholas, Stephen
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , H05K3/02
CPC分类号： H01L29/408 , B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/3245 , H01L21/823864 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/778 , H01L29/7787
摘要： In described examples, a microelectronic device (102) contains a high performance silicon nitride layer, which is stoichiometric within 2 atomic percent, has a low stress of 600 MPa to 1000 MPa, and has a low hydrogen content, less than 5 atomic percent, formed by an LPCVD process. The LPCVD process uses ammonia NH3 and dichlorosilane DCS gases in a ratio of 4 to 6, at a pressure of 150 millitorr to 250 millitorr, and at a temperature of 800°C to 820°C.
摘要翻译：在所述实施例中，微电子器件（102）包含化学计量在2原子％以内的高性能氮化硅层，具有600MPa〜1000MPa的低应力，低于5原子％的氢含量，由LPCVD过程形成。 LPCVD方法使用氨的NH 3和二氯硅烷DCS气体，其比例为4至6，压力为150毫托，250毫托，温度为800℃至820℃。

2. 发明申请

WO2016140752A1 ELECTROMECHANICAL SYSTEM SUBSTRATE ATTACHMENT FOR REDUCED THERMAL DEFORMATION 审中-公开
标题翻译：机电系统底板附着减少热变形
公开(公告)号：WO2016140752A1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：PCT/US2016/016075
申请日：2016-02-02
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： AIMI, Marco, Francesco , LIN, Yizhen
IPC分类号： H01H59/00 , H01H1/00
CPC分类号： B81B3/0059 , B81B3/0072 , B81B2203/053 , H01H59/0009 , H01H2001/0084
摘要： A MEMS switch includes a substrate and a switch structure formed on the substrate, with the switch structure further including a conductive contact formed on the substrate, a self-compensating anchor structure coupled to the substrate, and a beam comprising a first end and a second end, the beam integrated with the self-compensating anchor structure at the first end and extending out orthogonally from the self-compensating anchor structure and suspended over the substrate such that the second end comprises a cantilevered portion positioned above the conductive contact. The cantilevered portion of the beam undergoes deformation during periods of strain mismatch between the substrate and the switch structure so as to have a takeoff angle relative to the substrate, and the self-compensating anchor structure directs a portion of the strain mismatch orthogonally to the cantilevered portion so as to warp the anchor and compensate for the takeoff angle of the cantilevered portion.
摘要翻译： MEMS开关包括衬底和形成在衬底上的开关结构，开关结构还包括形成在衬底上的导电接触，耦合到衬底的自补偿锚结构，以及包括第一端和第二端的梁所述梁与第一端处的自补偿锚结构一体化，并且从自补偿锚结构垂直延伸并悬挂在基板上，使得第二端包括位于导电触头上方的悬臂部分。梁的悬臂部分在基片和开关结构之间的应变不匹配期间经历变形，以便相对于基片具有起飞角，并且自补偿锚固结构将应变失配的一部分正交地与悬臂以便使锚固件弯曲并补偿悬臂部分的起飞角度。

3. 发明申请

WO2016033349A1 PRESSURE SENSOR INCLUDING DEFORMABLE PRESSURE VESSEL(S) 审中-公开
标题翻译：压力传感器，包括可变压力容器（S）
公开(公告)号：WO2016033349A1
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：PCT/US2015/047238
申请日：2015-08-27
申请人： KIONIX, INC. , ADAMS, Scott, G. , BLACKMER, Charles, W. , LYNCH, Kristin, J.
发明人： ADAMS, Scott, G. , BLACKMER, Charles, W. , LYNCH, Kristin, J.
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/003 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81C1/00 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , G01L9/0027 , G01L9/0055 , G01L9/0073 , G01L9/008 , G01L9/0082 , G01L13/00 , G01L13/02 , G01P15/006 , G01P15/08 , H01L21/00
摘要： Techniques are described herein that perform pressure sensing using pressure sensor(s) that include deformable pressure vessel(s). A pressure vessel is an object that has a cross section that defines a void. A deformable pressure vessel is a pressure vessel that has at least one curved portion that is configured to structurally deform (e.g., bend, shear, elongate, etc.) based on a pressure difference between a cavity pressure in a cavity in which at least a portion of the pressure vessel is suspended and a vessel pressure in the pressure vessel.
摘要翻译：本文描述了使用包括可变形压力容器的压力传感器进行压力感测的技术。压力容器是具有限定空隙的横截面的物体。可变形的压力容器是具有至少一个弯曲部分的压力容器，该弯曲部分构造成基于空腔中的腔体压力之间的压力差在结构上变形（例如弯曲，剪切，细长等），其中至少一个压力容器的一部分被悬浮并且在压力容器中存在容器压力。

4. 发明申请

WO2013192539A1 WAFER LEVEL MEMS FORCE DIES 审中-公开
标题翻译： WAFER LEVEL MEMS力量
公开(公告)号：WO2013192539A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/US2013/047090
申请日：2013-06-21
申请人： NEXTINPUT, INC.
发明人： BROSH, Amnon
IPC分类号： G01L1/04 , G01L1/18 , G01L5/00 , G01L5/16
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81C1/00158 , B81C1/00666 , G01L1/044 , G01L1/18 , G01L5/0028 , G01L5/0057 , G01L5/162
摘要： A composite wafer level MEMS force dies including a spacer coupled to a sensor is described herein. The sensor (12) includes at least one flexible sensing element (14), such as a beam or diaphragm, which have one or more sensor elements formed thereon. Bonding pads connected to the sensor elements are placed on the outer periphery of the sensor. The spacer (11), which protects the flexible sensing element (14) and the wire bonding pads, is bonded to the sensor. For the beam version, the bond is implemented at the outer edges of the die. For the diaphragm version, the bond is implemented in the center of the die. An interior gap (25) between the spacer and the sensor allows the flexible sensing element to deflect. The gap (25) can also be used to limit the amount of deflection of the flexible sensing element in order to provide overload protection.
摘要翻译：本文描述了包括耦合到传感器的间隔件的复合晶片级MEMS力模。传感器（12）包括在其上形成有一个或多个传感器元件的至少一个柔性传感元件（14），例如光束或光阑。连接到传感器元件的接合垫放置在传感器的外周。保护柔性感测元件（14）和引线接合垫的间隔件（11）被结合到传感器。对于光束版本，焊接在裸片的外边缘处实现。对于膜片版本，键合在芯片的中心实现。间隔器和传感器之间的内部间隙（25）允许柔性传感元件偏转。间隙（25）也可用于限制柔性传感元件的偏转量，以提供过载保护。

5. 发明申请

WO2013158806A1 DEFORMABLE MIRRORS AND METHODS OF MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：可变形反射镜及其制造方法
公开(公告)号：WO2013158806A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/US2013/037037
申请日：2013-04-17
申请人： CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： PELLEGRINO, Sergio , PATTERSON, Keith D. , DARAIO, Chiara , GDOUTOS, Eleftherios , YAMAMOTO, Namiko , TODA, Risaku , WHITE, Victor E. , MANOHARA, Harish , STEEVES, John, B.
IPC分类号： G02B5/08 , H02N2/00
CPC分类号： G02B26/08 , B22D25/06 , B32B7/02 , B32B15/043 , B81B3/0072 , C04B35/62218 , G02B26/0825 , Y10T428/1234 , Y10T428/24149
摘要： A deformable mirror is configured to be deformed by surface-parallel actuation. In one embodiment, the deformable mirror includes a first piezoelectric active layer on a first surface of a substrate. The first piezoelectric active layer has a substantially uniform thickness across the first surface of the substrate. The mirror also includes a first electrode layer on the first piezoelectric active layer. The first electrode layer has a plurality of electrodes arranged in a first pattern and has a substantially uniform thickness across the first piezoelectric active layer. The mirror may further include a second piezoelectric layer on the first electrode layer, and a second electrode layer on the second piezoelectric layer. The electrodes of the first and second electrode layers are configured to supply a voltage to the piezoelectric active layers upon actuation to thereby locally deform the shape of the mirror to correct for optical aberrations.
摘要翻译：可变形反射镜被构造成通过表面平行致动而变形。在一个实施例中，可变形反射镜包括在基板的第一表面上的第一压电有源层。第一压电有源层在衬底的第一表面上具有基本均匀的厚度。反射镜还包括在第一压电有源层上的第一电极层。第一电极层具有布置成第一图案的多个电极，并且跨越第一压电有源层具有基本均匀的厚度。反射镜还可以包括在第一电极层上的第二压电层和第二压电层上的第二电极层。第一和第二电极层的电极构造成在致动时向压电有源层提供电压，从而局部地使反射镜的形状变形以校正光学像差。

6. 发明申请

WO2013158805A1 THIN FILM BI-MATERIAL LATTICE STRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：薄膜双材料结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2013158805A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/US2013/037035
申请日：2013-04-17
申请人： CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： PELLEGRINO, Sergio , PATTERSON, Keith D. , DARAIO, Chiara , GDOUTOS, Eleftherios , YAMAMOTO, Namiko , TODA, Risaku , WHITE, Victor E. , MANOHARA, Harish , STEEVES, John B
IPC分类号： B82B1/00 , B81B7/00
CPC分类号： G02B26/08 , B22D25/06 , B32B7/02 , B32B15/043 , B81B3/0072 , C04B35/62218 , G02B26/0825 , Y10T428/1234 , Y10T428/24149
摘要： A micro-scaled bi-material lattice structure includes a frame comprising a first material having a first coefficient of expansion and defining a plurality of unit cells. The bi-material lattice structure further includes a plurality of plates comprising a second material having a second coefficient of expansion different from the first coefficient of expansion. One of the plates is connected to each unit cell. The bi-material lattice structure has a third coefficient of expansion different from both the first coefficient of the expansion and the second coefficient of expansion, and the bi-material lattice structure has a thickness of about 100 run to about 3000 microns.
摘要翻译：微尺度双材料晶格结构包括框架，该框架包括具有第一膨胀系数并且限定多个单元电池的第一材料。双材料晶格结构还包括多个板，其包括具有与第一膨胀系数不同的第二膨胀系数的第二材料。其中一个板连接到每个单元电池。双材料晶格结构具有与膨胀的第一系数和第二膨胀系数不同的第三膨胀系数，并且双材料晶格结构具有约100nm至约3000微米的厚度。

7. 发明申请

WO2013076844A1 アクチュエータ审中-公开
标题翻译：执行器
公开(公告)号：WO2013076844A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/JP2011/077068
申请日：2011-11-24
申请人：パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 藤本健二郎 , 山村雄一
发明人：藤本　健二郎 , 山村　雄一
IPC分类号： B81B3/00 , G02B26/10 , H02K33/18
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/042 , B81B2203/0154 , B81B2207/07 , G02B26/085
摘要：　アクチュエータ（１０１）は、可動部（１２０）と、可動部を取り囲む支持部（１１０）と、可動部が揺動可能なように可動部と支持部とを接続するトーションバー（１３０）と、可動部に形成されると共に当該可動部の遥動に関連する処理を行う処理回路（１４０）とを備えており、トーションバーは、(i)処理回路につながる配線（１５０）が形成される第１バー部分（１３１）と、(ii)配線が形成されない第２バー部分（１３２）とを含み、可動部が遥動した場合に第１バー部分に加わる応力の最大値は、可動部が遥動した場合に第２バー部分に加わる応力の最大値よりも小さい。
摘要翻译：致动器（101）设置有可移动部分（120），围绕可移动部分的支撑部分（110），用于连接可移动部分和支撑部分的扭杆（130），使得可动部分能够摆动以及形成在可移动部分上用于与可移动部分的摇摆运动有关的处理的处理电路（140）。扭杆包括（i）具有形成为与处理电路建立连接的布线（150）的第一条形部分（131）和（ii）没有布线的第二条形部分（132）。当可移动部分岩石小于当可移动部分岩石时施加到第二杆部分的应力的最大值时施加到第一杆部分的应力的最大值。

8. 发明申请

WO2013060540A1 AN ACTUATOR 审中-公开
标题翻译：执行机构
公开(公告)号：WO2013060540A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/EP2012/068822
申请日：2012-09-25
申请人： LEMOPTIX SA , GAMET, Julien , KHECHANA, Faouzi
发明人： GAMET, Julien , KHECHANA, Faouzi
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00
CPC分类号： H02K33/00 , B81B3/0072 , B81B2201/038 , B81B2201/042 , B81B2203/058 , G02B26/08 , G02B26/085 , H02K9/22 , H02K33/02 , H02K33/16
摘要： According to the present invention there is provided an actuator comprising, a movable member, the movable member comprising a support frame which is configured such that it can oscillate about a first oscillation axis and a mirror which is fixed to the support frame such that oscillation of the support frame will effect oscillation of the mirror; an coil, which cooperates with the support frame; one or more boundary portions provided between the support frame and the mirror which reduce the influence of warp transmitted from an edge of the support frame to the mirror, as the support frame oscillates about the first oscillation axis; wherein the support frame further comprises one or more cut-out regions, wherein the one or more cut-out regions are configured to be parallel to at least a portion of the coil, to reduce stress on the coil as the support frame oscillates about the first oscillation axis and/or to reduce the temperature dependence of the properties of the actuator.
摘要翻译：根据本发明，提供了一种致动器，其包括可动构件，所述可动构件包括支撑框架，所述支撑框架被构造成使得其可围绕第一摆动轴线摆动并且反射镜被固定到所述支撑框架，支撑框架将影响镜子的振荡; 线圈，其与支撑框架配合; 一个或多个边界部分设置在所述支撑框架和所述反射镜之间，当所述支撑框架围绕所述第一振荡轴线摆动时，所述边界部分减小从所述支撑框架的边缘传递到所述反射镜的翘曲的影响; 其中所述支撑框架还包括一个或多个切除区域，其中所述一个或多个切口区域被配置为平行于所述线圈的至少一部分，以在所述支撑框架围绕所述线圈摆动时减小所述线圈上的应力第一振荡轴和/或降低致动器的性质的温度依赖性。

9. 发明申请

WO2012156585A1 MICROMECHANICAL DEVICE AND METHOD OF DESIGNING THEREOF 审中-公开
标题翻译：微机电设备及其设计方法
公开(公告)号：WO2012156585A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/FI2012/050456
申请日：2012-05-11
申请人： TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT , PRUNNILA, Mika , JAAKKOLA, Antti , PENSALA, Tuomas
发明人： PRUNNILA, Mika , JAAKKOLA, Antti , PENSALA, Tuomas
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/24 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
摘要： The invention relates to a micromechanical device comprising a semiconductor element capable of deflecting or resonating and comprising at least two regions having different material properties and drive or sense means functionally coupled to said semiconductor element. According to the invention, at least one of said regions comprises one or more n-type doping agents, and the relative volumes, doping concentrations, doping agents and/or crystal orientations of the regions being configured so that the temperature sensitivities of the generalized stiffness are opposite in sign at least at one temperature for the regions, and the overall temperature drift of the generalized stiffness of the semiconductor element is 50 ppm or less on a temperature range of 100°C. The device can be a resonator. Also a method of designing the device is disclosed.
摘要翻译：本发明涉及一种微机械装置，其包括能够偏转或谐振并且包括具有不同材料特性的至少两个区域的半导体元件和功能性耦合到所述半导体元件的驱动或感测装置。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积，掺杂浓度，掺杂剂和/或晶体取向被构造成使得广义刚度的温度敏感度至少在区域的一个温度下符号相反，半导体元件的整体刚度的总体温度漂移在100℃的温度范围内为50ppm以下。该器件可以是谐振器。还公开了一种设计该设备的方法。

10. 发明申请

WO2012131911A1 電子デバイスとその製造方法审中-公开
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：WO2012131911A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2011/057848
申请日：2011-03-29
申请人：富士通株式会社 , 豊田治
发明人：豊田　治
IPC分类号： H01G5/16 , B81B3/00 , B81C1/00 , H01G5/01 , H01L29/84 , H01L41/08
CPC分类号： F03G7/065 , B81B3/0072 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2201/0221 , C25D7/00 , H01G5/16 , H01H59/0009 , H01H2001/0084 , H01L41/0926 , H01L41/0933 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H02N1/006
摘要：【課題】電子デバイスとその製造方法において、周囲の温度変化により電子デバイスの電気的特性が変動するのを抑制すること。【解決手段】絶縁性基板３１と、絶縁性基板３１の上に形成された電極３３と、電極３３の上方に設けられ、該電極３３から発生する静電力により撓む弾性変形可能な可動上部電極３４とを備え、可動上部電極が形状記憶合金膜３８を含む電子デバイスによる。
摘要翻译：在电子设备和电子设备的制造方法中，抑制由于环境温度的变化引起的电子设备的电气特性的波动。 [解决方案]该电子设备设置有：绝缘基板（31）; 形成在绝缘基板（31）上的电极（33）; 并且设置在电极（33）上方的可动上电极（34）可弹性变形，并由于由电极（33）产生的静电力而翘曲。可移动上电极包括形状记忆合金膜（38）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式