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1. 发明申请

WO2019062375A1 驱动组件及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019062375A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/CN2018/101034
申请日：2018-08-17
申请人：宁波舜宇仪器有限公司
发明人：张宝忠 , 刘挺 , 张玉文 , 曹新平 , 朱传贵
IPC分类号： H02N10/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0024 , B81B2201/031 , B81B2203/0118 , H02N10/00
摘要：本发明涉及一种驱动组件及其制造方法，其中驱动组件包括基板、加热器、隔板和动力元件。隔板一端与所述基板相互固定连接，另一端向远离所述基板的方向延伸构成自由端，所述加热器设置于所述基板上，相邻所述隔板之间设有动力元件。当加热器通电后，动力元件受热膨胀，在横向和纵向上产生位移，即驱动组件产生驱动力，有效的解决现有迂回结构驱动器驱动方向刚度低，线性驱动差等问题。

2. 发明申请

WO2017168055A1 STABILE MICROMECHANICAL DEVICES 审中-公开
标题翻译：稳定的微机械装置
公开(公告)号：WO2017168055A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/FI2017/050230
申请日：2017-03-31
申请人： TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY
发明人： JAAKKOLA, Antti , PENSALA, Tuomas , PRUNNILA, Mika , PEKKO, Panu , KIIHAMÄKI, Jyrki , OJA, Aarne
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/038 , B81B2203/0118 , B81B2203/0154 , B81B2203/0163 , B81C1/00293 , B81C2201/013
摘要： The invention provides a micromechanical device comprising a support structure and a deflecting element connected to the support structure, wherein the deflecting element comprises at least one deformable member adapted to deform extensionally, flexurally or torsionally with respect to a deformation axis for allowing deflection of the deflecting element with respect to the support structure. Further, there are means for statically deflecting the deflecting element or detecting the magnitude of static deflection of the deflecting element. According to the invention, the deformable member is made of silicon doped with an n-type doping agent to a doping concentration of at least 1.1*10 20 cm -3 . The invention allows for manufacturing micromechanical devices whose mechanical operation is not affected by prevailing temperature conditions.
摘要翻译：本发明提供了一种微机械装置，其包括支撑结构和连接到支撑结构的偏转元件，其中偏转元件包括至少一个可变形构件，该至少一个可变形构件适于相对于支撑结构弯曲地或扭转地用于允许偏转元件相对于支撑结构偏转的变形轴线。此外，存在用于使偏转元件静态偏转或检测偏转元件的静态偏转量的装置。根据本发明，可变形构件由掺杂有n型掺杂剂的硅制成，掺杂浓度至少为1.1×10 20 cm -3。本发明允许制造机械操作不受主要温度条件影响的微机械装置。

3. 发明申请

WO2017129957A1 MEMS DEVICE AND PROCESS 审中-公开
标题翻译： MEMS器件和工艺
公开(公告)号：WO2017129957A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/GB2017/050165
申请日：2017-01-23
申请人： CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LIMITED
发明人： PIECHOCINSKI, Marek Sebastian
IPC分类号： H04R19/00
CPC分类号： B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0323 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H04R7/26 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2499/11
摘要： The application describes MEMS transducers and associated methods of fabrication. The MEMS transducer has a flexible membrane with a vent structure comprising a moveable portion which opens in response to a differential pressure across the membrane to provide a flow path through the membrane. At least one edge of the moveable portion comprises one or more protrusions and/or recesses in the plane of the moveable portion.
摘要翻译：该申请描述了MEMS换能器和相关的制造方法。 MEMS换能器具有带有通气结构的柔性膜，通气结构包括可移动部分，该可移动部分响应穿过膜的压差而打开以提供穿过膜的流动路径。可移动部分的至少一个边缘在可移动部分的平面中包括一个或多个突起和/或凹陷。

4. 发明申请

WO2016202790A2 MEMS-WANDLER ZUM INTERAGIEREN MIT EINEM VOLUMENSTROM EINES FLUIDS UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DESSELBEN 审中-公开
标题翻译： MEMS变流交互，以与流体并且方法的流程生产同样
公开(公告)号：WO2016202790A2
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/EP2016/063611
申请日：2016-06-14
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： SCHENK, Harald , CONRAD, Holger , GAUDET, Matthieu , SCHIMMANZ, Klaus , LANGA, Sergiu , KAISER, Bert
IPC分类号： H04R19/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/036 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0136 , B81B2203/019 , B81B2203/051 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , H04R1/023 , H04R1/08 , H04R9/02 , H04R15/00 , H04R17/00 , H04R19/005 , H04R23/002 , H04R2201/003 , H04R2499/11
摘要： Ein MEMS-Wandler zum Interagieren mit einem Volumenstrom eines Fluids umfasst eine Substrat, das eine Kavität aufweist und einen elektromechanischen Wandler, der in der Kavität mit dem Substrat verbunden ist und ein sich entlang einer lateralen Beweg ungsrichtung verformbares Element aufweist, wobei eine Verformung des verformbaren Elements entlang der lateralen Bewegungsrichtung und der Volumenstrom des Fluids kausal zusammenhängen.
摘要翻译： MEMS换能器用于与包括具有腔体和在与所述基板相关联的空腔中的机电换能器和具有向ungsrichtung变形沿横向移动元件的基板中的流体的体积流相互作用，可变形的，其中一个变形沿着运动的横向方向和流体的体积流量因果相关的元件。

5. 发明申请

WO2016179596A1 LOW-STRESS LOW-HYDROGEN LPCVD SILICON NITRIDE 审中-公开
标题翻译：低应力低氢LPCVD硅氮
公开(公告)号：WO2016179596A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/US2016/031509
申请日：2016-05-09
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCOPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： DELLAS, Nicholas, Stephen
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , H05K3/02
CPC分类号： H01L29/408 , B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/3245 , H01L21/823864 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/778 , H01L29/7787
摘要： In described examples, a microelectronic device (102) contains a high performance silicon nitride layer, which is stoichiometric within 2 atomic percent, has a low stress of 600 MPa to 1000 MPa, and has a low hydrogen content, less than 5 atomic percent, formed by an LPCVD process. The LPCVD process uses ammonia NH3 and dichlorosilane DCS gases in a ratio of 4 to 6, at a pressure of 150 millitorr to 250 millitorr, and at a temperature of 800°C to 820°C.
摘要翻译：在所述实施例中，微电子器件（102）包含化学计量在2原子％以内的高性能氮化硅层，具有600MPa〜1000MPa的低应力，低于5原子％的氢含量，由LPCVD过程形成。 LPCVD方法使用氨的NH 3和二氯硅烷DCS气体，其比例为4至6，压力为150毫托，250毫托，温度为800℃至820℃。

6. 发明申请

WO2016135852A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016135852A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/JP2015/055211
申请日：2015-02-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：奥村　美香
IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/125
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B2201/0235 , B81B2203/0118 , B81C1/00825 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084 , G01P2015/0871
摘要：半導体装置は、基板（１Ａ）と、梁（１２）と、可動構造体（１３）と、第１のストッパ部材（Ｓ１）と、第２のストッパ部材（Ｓ２）と、第３のストッパ部材（Ｓ３）とを備えている。第１のストッパ部材（Ｓ１）は、面内方向において可動構造体（１３）と第１の隙間（Ｔ１）を介して配置されている。第２のストッパ部材（Ｓ２）は、面外方向において可動構造体（１３）と第２の隙間（Ｔ２）を介して配置されている。第３のストッパ部材（Ｓ３）は、面外方向において可動構造体（１３）に対して第２のストッパ部材（Ｓ２）と反対側に配置され、かつ可動構造体（１３）との間に第３の隙間（Ｔ３）を介して配置されている。これにより、可動構造体の過剰な変位を抑制することにより可動構造体を支持する梁の損傷および破損を抑制できる半導体装置およびその製造方法を得ることができる。
摘要翻译：该半导体装置设置有基板（1A），梁（12），可动构件（13），第一挡块构件（S1），第二挡块构件（S2）和第三挡块构件（S3）。通过在可移动结构（13）和第一止动构件之间沿面内方向具有第一间隙（T1）来设置第一止动构件（S1）。第二止动件（S2）通过在可移动结构（13）和第二止动件之间沿着平面外的方向具有第二间隙（T2）来设置。第三止动构件（S3）通过具有第三间隙（T3）而在面外方向上设置在可移动结构（13）的侧面上，所述侧面与第二止动构件（S2）相反，）在可移动结构（13）和第三止动件之间。因此，通过抑制可移动结构的过度位移来抑制支撑可移动结构的梁的损伤和断裂的半导体器件，并且可以提供半导体器件的制造方法。

7. 发明申请

WO2016086690A1 MEMS双层悬浮微结构的制作方法和MEMS红外探测器审中-公开
公开(公告)号：WO2016086690A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/CN2015/087594
申请日：2015-08-20
申请人：无锡华润上华半导体有限公司
发明人：荆二荣
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
摘要：一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，包括步骤：在基片（100）上形成第一膜体（310），及连接基片（100）和第一膜体（310）的悬臂梁（320）；在第一膜体（310）和悬臂梁（320）上形成牺牲层（400）；将位于第一膜体（310）上的牺牲层（400）图形化以制作出用于形成支撑结构（520）的凹部（410），所述凹部（410）的底部暴露出第一膜体（310）；在牺牲层（400）上淀积介质层（500）；将介质层（500）图形化以制作出第二膜体（510）和所述支撑结构（520），所述支撑结构（520）连接第一膜体（310）和第二膜体（510）；以及去除所述牺牲层（400），得到MEMS双层悬浮微结构。

8. 发明申请

WO2015030657A1 THIN CAPPING FOR MEMS DEVICES 审中-公开
标题翻译：薄膜封装用于MEMS器件
公开(公告)号：WO2015030657A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/SE2014/050973
申请日：2014-08-26
申请人： SILEX MICROSYSTEMS AB
发明人： KÄLVESTEN, Edvard , EBEFORS, Thorbjörn , SVEDIN, Niklas
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00 , H01L21/50 , H01L23/48
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2201/01 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2201/0153 , B81C2201/036 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , H01L21/50 , H01L23/08 , H01L24/94 , H01L2924/16235
摘要： The invention relates to a device comprising a base substrate(700) with a micro component (702) attached thereto. Suitably it is provided with routing elements (704) for conducting signals to and from said component (702). It also comprises spacer members (706) which also can act as conducting structures for routing signals vertically. There is a capping structure (708) of a glass material, provided above the base substrate (700), bonded via said spacer members (706), preferably by eutectic bonding, wherein the capping structure (708) comprises vias (710) comprising metal for providing electrical connection through said capping structure. The vias can be made by a stamping/pressing method entailing pressing needles under heating to soften the glass and applying pressure, to a predetermined depth in the glass. However, other methods are possible, e-g- drilling, etching, blasting.
摘要翻译：本发明涉及一种包括具有附着到其上的微型部件（702）的基底（700）的装置。适当地，它设置有用于向所述部件（702）传导信号和从所述部件（702）传导信号的路由元件（704）。它还包括间隔件（706），其也可以用作垂直路线信号的导电结构。优选通过共晶接合，通过所述间隔件（706），在基底基板（700）上方设有玻璃材料的封盖结构（708），其中封盖结构（708）包括通孔（710），其包括金属用于通过所述封盖结构提供电连接。通孔可以通过冲压/压制方法制成，在加热下需要加压针，使玻璃软化并施加压力至玻璃中预定的深度。然而，其他方法是可行的，例如钻孔，蚀刻，爆破。

9. 发明申请

WO2014104163A1 感圧型センサ审中-公开
标题翻译：压敏传感器
公开(公告)号：WO2014104163A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/JP2013/084804
申请日：2013-12-26
申请人：国立大学法人東京大学
发明人：下山　勲 , 松本　潔 , グェン　ビン　キェム , グェン　ミン　ジューン , ファン　ホアン　フォン
IPC分类号： G01L19/00 , B81B3/00 , G01L5/00 , G01L9/00 , G01L19/04 , G01L19/06 , G01N7/04 , H01L29/84 , H04R1/44
CPC分类号： G01L19/04 , B81B3/0027 , B81B2203/0118 , G01L1/18 , G01L9/0001 , G01L9/065 , G01L19/0046 , G01V1/186 , H04R1/38 , H04R1/42 , H04R1/44 , H04R7/20 , H04R17/00 , H04R2201/003 , H04R2217/01
摘要：　高感度で圧力、音圧、加速度、ガスなどの情報を検出可能な感圧型センサを実現する。カンチレバー（２２）と、前記カンチレバー（２２）の周囲に設けられ前記カンチレバー（２２）の基端を保持するフレーム（２３）と、前記カンチレバー（２２）と前記フレーム（２３）との間に形成されたギャップ（２４）と、前記ギャップ（２４）を密閉する液体（２８）とを備える。
摘要翻译：提供了一种能够以高灵敏度检测与压力，声压，加速度，气体等相关的信息的压敏传感器。压敏传感器设有：悬臂（22）; 设置在悬臂（22）周围并保持悬臂（22）的基端的框架（23）; 在悬臂（22）和框架（23）之间形成的间隙（24）; 和密封间隙（24）的液体（28）。

10. 发明申请

WO2013092920A3 METHOD OF PRODUCING A RESONATOR 审中-公开
标题翻译：生产谐振器的方法
公开(公告)号：WO2013092920A3
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/EP2012076498
申请日：2012-12-20
申请人： SWATCH GROUP RES & DEV LTD
发明人： HESSLER THIERRY , DALLA PIAZZA SILVIO
IPC分类号： G04F5/06 , B23K26/00 , B81C1/00 , G02B6/12 , G04B17/06 , G04B17/34 , G04C3/12 , G04G17/02
CPC分类号： H03H9/19 , B23K26/0057 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81C1/00595 , B81C2201/0143 , F21V17/02 , G04B17/066 , G04B17/345 , G04C3/12 , G04F5/063 , G04G17/02 , H01L41/0475 , H01L41/332 , H03H9/215
摘要： The present invention relates to a method of fabricating a resonator in a substrate, characterized in that it comprises the following steps: a) modifying the structure of at least one zone of the substrate so as to render said at least one zone more selective; b) etching said at least zone so as to selectively fabricate said resonator.
摘要翻译：本发明涉及一种在衬底中制造谐振器的方法，其特征在于它包括以下步骤：a）改变衬底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具选择性; b）蚀刻所述至少一个区域以选择性地制造所述谐振器。

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