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1. 发明申请

WO2008116879A1 PROCESS FOR MANUFACTURING A COMPOSITE SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：制造复合基板的方法
公开(公告)号：WO2008116879A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/EP2008/053563
申请日：2008-03-26
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ALLIBERT, Frédéric , KERDILES, Sébastien
发明人： ALLIBERT, Frédéric , KERDILES, Sébastien
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L24/27 , H01L24/33 , H01L2221/68318 , H01L2221/68368 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a process for manufacturing a composite substrate comprising bonding a first substrate (10) onto a second semi-conducting substrate (30), characterised in that it includes, before bonding, the formation of a bonding layer (20) between the first and the second substrate, said bonding layer (20) comprising a plurality of islands (21) distributed over the surface of the first substrate (10) in a determined pattern and separated from one another by regions (22) of a different type, which are distributed in a complementary pattern, wherein said islands (21) are formed via a plasma treatment of the material of the first substrate (10).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造复合衬底的方法，包括将第一衬底（10）接合到第二半导电衬底（30）上，其特征在于，其在接合之前包括在第二半导电衬底（30）之间形成结合层（20）第一和第二衬底，所述接合层（20）包括以确定的图案分布在第一衬底（10）的表面上的多个岛（21），并且通过不同类型的区域（22）彼此分离，其以互补图案分布，其中通过等离子体处理第一基板（10）的材料形成所述岛（21）。

2. 发明申请

WO2006111533A1 A METHOD OF BONDING TWO WAFERS MADE OUT OF MATERIALS SELECTED FROM SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：一种从半导体材料中选择的材料制成的两个波导焊接方法
公开(公告)号：WO2006111533A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：PCT/EP2006/061647
申请日：2006-04-18
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , KERDILES, Sébastien
发明人： KERDILES, Sébastien
IPC分类号： H01L21/18 , C30B33/06 , H01L21/762 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/263
摘要： The invention relates to a method of bonding together two wafers made of materials selected from semiconductor materials, said method implementing plasma activation of the surface of at least one of the two wafers to be bonded together, and comprising, during plasma activation, controlling the activation parameters to modify the kinetic energy of the species contained in the plasma in order to create a disturbed region of controlled thickness in the thickness of a surface region of the wafer whose surface is being activated.
摘要翻译：本发明涉及一种将从半导体材料中选择的材料制成的两个晶片结合在一起的方法，所述方法实现要结合在一起的两个晶片中的至少一个晶片的表面的等离子体激活，并且在等离子体激活期间包括控制激活参数以修改包含在等离子体中的物质的动能，以便在其表面被激活的晶片的表面区域的厚度上产生受控厚度的受扰区域。

3. 发明申请

WO2006032946A1 TRANSFER METHOD WITH A TREATMENT OF A SURFACE TO BE BONDED 审中-公开
标题翻译：用于处理要粘合的表面的转移方法
公开(公告)号：WO2006032946A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/IB2004/003275
申请日：2004-09-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , KERDILES, Sébastien , MALEVILLE, Christophe , LETERTRE, Fabrice , RAYSSAC, Olivier
发明人： KERDILES, Sébastien , MALEVILLE, Christophe , LETERTRE, Fabrice , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for transferring from a top donor wafer (10) a layer of material onto a receiving handle wafer (20), the top and receiving wafers comprising respective surfaces to be bonded, the method comprising: • a treatment step for treating at least a surface to be bonded, the treatment of a given surface of a wafer generating on the opposed surface of said wafer a contamination, • a bonding step for direct bonding the surfaces to be bonded of the top and handle wafers, in order to form an intermediate multilayer wafer (30), • a removal step for removing excess material from the top wafer, the method being characterized in that during the treatment step only the surface to be bonded of the top wafer is treated.
摘要翻译：本发明涉及一种用于从顶部施主晶片（10）将一层材料转移到接收手柄晶片（20）上的方法，所述顶部和接收晶片包括要接合的相应表面，所述方法包括：处理步骤，用于在至少要粘合的表面，在所述晶片的相对表面上产生污染的晶片的给定表面的处理，用于直接结合顶部和处理晶片的待结合表面的结合步骤，以形成中间多层晶片（30），用于从顶部晶片去除多余材料的去除步骤，其特征在于在处理步骤期间仅处理顶部晶片的待结合表面。

4. 发明申请

WO2010106101A1 FINISHING METHOD FOR A SUBSTRATE OF "SILICON-ON-INSULATOR" SOI TYPE 审中-公开
标题翻译： “绝缘体绝缘体”SOI基片的整理方法
公开(公告)号：WO2010106101A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053460
申请日：2010-03-17
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SCHWARZENBACH, Walter , KERDILES, Sébastien , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , NEYRET, Eric
发明人： SCHWARZENBACH, Walter , KERDILES, Sébastien , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , NEYRET, Eric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02312 , H01L21/30604 , H01L21/31662
摘要： The invention concerns a finishing method for a substrate (1) of silicon-on-insulator SOI type, comprising an oxide layer (3) buried between an active silicon layer (4) and a support layer(2) in silicon, this method comprising the application of finishing steps whose successive steps are:a)rapid thermal annealing RTA of said substrate (1) b)sacrificial oxidation step of its active layer (4), c)rapid thermal annealing RTA of said substrate obtained after step (b), d)sacrificial oxidation step of said active layer of the substrate (1') which underwent step c), this method being characterized in that sacrificial oxidation step b) is conducted so as to remove a first oxide thickness (5) and in that sacrificial oxidation step d) is conducted so as to remove a second oxide thickness thinner than the first.
摘要翻译：本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI类型的衬底（1）的精加工方法，其包括掩埋在硅中的活性硅层（4）和支撑层（2）之间的氧化物层（3），该方法包括应用后续步骤为：a）所述衬底（1）的快速热退火RTA b）其活性层（4）的牺牲氧化步骤，c）在步骤（b）之后获得的所述衬底的快速热退火RTA，，d）经历步骤c）的所述基板（1'）的有源层的牺牲氧化步骤，其特征在于，进行牺牲氧化步骤b）以除去第一氧化物厚度（5），并且因此进行牺牲氧化步骤d）以除去比第一氧化物薄的第二氧化物厚度。

5. 发明申请

WO2009034113A1 METHOD OF PRODUCING A STRUCTURE BY LAYER TRANSFER 审中-公开
标题翻译：通过层转移生产结构的方法
公开(公告)号：WO2009034113A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/EP2008/062018
申请日：2008-09-11
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SOULIER BOUCHET, Brigitte , KERDILES, Sébastien , SCHWARZENBACH, Walter
发明人： SOULIER BOUCHET, Brigitte , KERDILES, Sébastien , SCHWARZENBACH, Walter
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/306
摘要： This invention relates to a method of producting a semiconductor structure by transferring a layer (32) of a donor substrate (30) to a receiver substrate (10), comprising the following stages : (a) creation of an embrittlement zone (31) in the donor substrate (30) so as to define the aforementioned layer (32), (b) treatment of the surface of the donor substrate (30) and/or the receiver substrate (10), so as to increase the bonding strength between the two substrates (c) direct wafer bonding of the donor substrate (30) to the receiver substrate (10), (d) detachment of the donor substrate (30) in the embrittlement zone (31), so as to form said semiconductor structure, in which the surface of the receiver substrate, except for a peripheral crown, is covered with the transferred layer (32). This method is notable in that at stage (b) treatment of the substrate surface is controlled, so that the increase in bonding strength between the donor substrate and the receiver substrate is lower in a peripheral area of these substrates than the increase in bonding strength in the central area of said substrates and in that said peripheral area has a width at least equal to the that of the crown and lower than 10 mm.
摘要翻译：本发明涉及一种通过将施主衬底（30）的层（32）转移到接收器衬底（10）来产生半导体结构的方法，包括以下阶段：（a）产生脆化区域所述施主衬底（30）以限定所述层（32），（b）处理所述施主衬底（30）和/或所述接收衬底（10）的表面，以便增加所述施主衬底两个基板（c）将供体基板（30）直接晶片接合到接收器基板（10），（d）在脆化区域（31）中分离供体基板（30），以形成所述半导体结构，其中接收器基板的表面除了外周冠部之外被转印层（32）覆盖。该方法的显着特征在于（b）处理基板表面受到控制，从而在这些基板的周边区域中，施主基板与接收基板的接合强度的增加比粘合强度增加所述基板的中心区域，并且所述外围区域的宽度至少等于冠部的宽度，并且小于10mm。

6. 发明申请

WO2007006803A1 PROCEDE DE DIMINUTION DE LA RUGOSITE D'UNE COUCHE EPAISSE D'ISOLANT 审中-公开
标题翻译：减少厚度绝缘层粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2007006803A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/EP2006/064169
申请日：2006-07-12
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , DAVAL, Nicolas , KERDILES, Sébastien , AULNETTE, Cécile
发明人： DAVAL, Nicolas , KERDILES, Sébastien , AULNETTE, Cécile
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3105 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/31055 , H01L21/31116
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat apte à être utilisé dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique et l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes, réalisées dans cet ordre : a) le dépôt, sur un substrat donneur (1), d'une couche d'isolant (2) dont l'épaisseur est supérieure ou égale à 20 nm et dont la rugosité est supérieure ou égale à 3 angströms RMS, pour un balayage de 2 µm x 2 µm, b) traitement de lissage (SP) de la surface libre (20) de cette couche d'isolant (2), en utilisant un plasma gazeux, formé dans une enceinte sous une pression de gaz supérieure à 0,25 Pa, ce plasma étant créé à l'aide d'un générateur de radiofréquences RF, qui permet d'appliquer à ladite couche d'isolant (2), une densité de puissance supérieure à 0,6 W/cm 2 , la durée de ce traitement de lissage étant d'au moins 10 secondes, c) formation d'une zone de fragilisation (10) par implantation d'espèces atomiques, à l'intérieur dudit substrat donneur (1), pour y délimiter une couche (11), dite "active" et un reste (12).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造适用于电子学，光电子学和光学领域的衬底的方法，其特征在于至少包括以下连续步骤：a）在施主衬底（1）上沉积绝缘层（2 ），其厚度不小于20nm，粗糙度不小于3埃RMS，扫描为2μm×2μm; b）使用在气压高于0.25Pa的室中形成的气体等离子体来平滑处理（SP）所述绝缘层（2）的自由表面（20），所述等离子体通过射频RF 发电机，其使所述绝缘层（2）具有高于0.6W / cm 2的功率密度，所述平滑处理的持续时间不小于10秒; c）通过在所述施主衬底（1）内部注入原子物质形成弱化区（10），以在其中界定所谓的“活性”层（11）和残余物（12）。

7. 发明申请

WO2005024934A1 SCELLEMENT METALLIQUE MULTIFONCTION 审中-公开
标题翻译：多用途金属密封
公开(公告)号：WO2005024934A1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/FR2004/002219
申请日：2004-09-01
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , KERDILES, Sébastien , LETERTRE, Fabrice , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe
发明人： KERDILES, Sébastien , LETERTRE, Fabrice , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une couche mince (104) en matériau semi-conducteur sur un substrat (107), dit substrat final, comportant : - la formation de ladite couche en matériau semi-conducteur, sur un support, dit support initial (101), - l'assemblage de la couche mince (104) et du substrat final (107), par collage métallique, - la séparation mécanique du support initial (101) et de la couche mince (107). On obtient ainsi un substrat intermédiaire qui peut être utilisé pour la fabrication de divers composants tels que des diodes électroluminescentes ou des diodes laser. Ce procédé permet la réalisation d'une couche mince sur un substrat final à partir d'un substrat de départ qui peut être recyclé grâce à un démontage mécanique non destructif.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在最终基板（107）上制造薄层（104）的方法，所述最终基板（107）包括在初始载体（101）上形成所述半导体层，将所述薄层（104）和最终基板（107）组装金属接合，并且在机械分离初始载体和薄层（107），从而获得可用于产生诸如电致发光二极管或激光二极管的不同组分的中间基板。本发明的方法使得可以从最初的基底在最终的基底上产生薄层，该初始基底可通过非破坏性的机械拆卸来回收。

8. 发明申请

WO2011067394A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT, A PERTES ELECTRIQUES DIMINUEES ET STRUCTURE CORRESPONDANTE 审中-公开
标题翻译：制造具有低电损耗的半导体绝缘体结构的方法及相应的结构
公开(公告)号：WO2011067394A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068883
申请日：2010-12-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , REYNAUD, Patrick , KERDILES, Sébastien , DELPRAT, Daniel
发明人： REYNAUD, Patrick , KERDILES, Sébastien , DELPRAT, Daniel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/76254 , H01L29/0649
摘要： La présente invention est relative à un procédé de fabrication d'une structure de type SOI, à pertes électriques diminuées, qui comprend successivement un substrat support en silicium (2), une couche d'oxyde (10) et une couche mince d'un matériau semi-conducteur (11), une couche de silicium polycristallin étant intercalée entre le substrat support et la couche d'oxyde, qui comprend les étapes suivantes : a) oxydation d'un substrat donneur (1) en matériau semiconducteur pour y former en surface une couche d'oxyde (10); b) implantation d'ions dans le substrat donneur pour y former une zone de fragilisation; c) collage du substrat donneur (1) sur le substrat support (2), le dit substrat support (2) ayant subi un traitement thermique apte à lui conférer une haute résistivité, sa face supérieure qui reçoit le substrat donneur (1) étant revêtue de ladite couche de silicium polycristallin (20); d) fracture du substrat donneur (1) selon la zone de fragilisation pour transférer sur le substrat support (2) une couche mince (11) de matériau semi conducteur; e) mise en œuvre d'au moins une stabilisation thermique de ladite structure (3) ainsi réalisée, caractérisé par le fait que ledit traitement apte à conférer une haute résistivité audit substrat support (2) est mis en œuvre avant la formation de la couche de silicium polycristallin (20), et que l'étape e) comporte au moins une étape thermique longue, mise en œuvre à une température qui n'excède pas 9500C, pendant au moins 10 minutes.
摘要翻译：本发明涉及一种制造具有低损耗的SOI结构的方法，并且连续地包括硅保持基板（2），氧化物层（10）和半导体材料薄膜（11）。多晶硅层插入在保持基板和氧化物层之间，所述方法包括以下步骤：a）氧化半导体材料供体基板（1），以在其表面上形成氧化物层（10）; b）将离子注入施主衬底中，以在其上形成弱化区域; c）将所述施主衬底（1）粘附到所述保持衬底（2）上，所述保持衬底（2）经受能够赋予其高电阻率的热处理，其上表面接收所述施主衬底（1）多晶硅层（20）; d）沿着弱化区域破坏施主衬底（1），以将半导体材料薄膜（11）转移到保持衬底（2）上; 以及e）为所述由此产生的结构（3）实施至少一个热稳定。所述方法的特征在于，在形成多晶硅层（20）之前实现能够赋予所述保持衬底（2）高电阻率的所述处理，并且步骤e）包括至少一个长的热步骤在不超过950℃的温度下至少10分钟。

9. 发明申请

WO2008107029A1 PROCÉDÉ DE COLLAGE DE DEUX SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：结合两个基板的方法
公开(公告)号：WO2008107029A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2007/062750
申请日：2007-11-23
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , KERDILES, Sébastien , MICHEL, Willy , SCHWARZENBACH, Walter , DELPRAT, Daniel , BEN MOHAMED, Nadia
发明人： KERDILES, Sébastien , MICHEL, Willy , SCHWARZENBACH, Walter , DELPRAT, Daniel , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02052
摘要： L'invention propose un procédé de collage de deux substrats entre eux au cours duquel on procède à la mise en contact des surfaces desdits substrats, comprenant au moins une étape de nettoyage de la surface de l'un et/ou l'autre des substrats à coller avant la mise en contact de leurs surfaces, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est réalisée de manière à ce que chaque surface nettoyée soit peu rugosifiée, et en ce que le collage est en outre précédé d'un chauffage d'au moins un substrat à coller, ledit chauffage étant initié avant la mise en contact des surfaces des substrats et prolongé au moins jusqu'à leur mise en contact. L'invention porte également sur un procédé de formation d'une structure comprenant une couche mince en matériau semi-conducteur transférée d'un substrat donneur sur un second substrat, le procédé comprenant la co- implantation de deux espèces atomiques dans le substrat donneur de manière à créer une zone de fragilisation délimitant la couche mince à transférer, et le collage desdits substrats entre eux, caractérisé en ce que les deux espèces atomiques sont implantées de telle sorte que leurs pics présentent un décalage inférieur à 200 Λ dans l'épaisseur du substrat donneur, et en ce que le collage est réalisé par le procédé décrit plus haut.
摘要翻译：本发明提供了一种将两个基板结合在一起的方法，在该方法中，所述基板的表面彼此接触，包括至少一个步骤，在待表面进入之前清洁要粘合的一个或两个基板的表面接触，其特征在于，进行清洁步骤，使得每个清洁的表面几乎没有变粗糙，并且在此之前，接合之前还要加热至少一个待接合的基底，所述加热在基底的表面被引入至少接触并延伸至接触。本发明还涉及一种形成包括从供体衬底转移到第二衬底的半导体材料的薄膜的结构的方法，所述方法包括将两个原子物质共注入到供体衬底中以产生弱化区形成要转移的薄膜的边界，以及将所述基板接合在一起，其特征在于，以这样的方式注入两种原子种类，使得它们的峰在供体基底的厚度上偏移小于200，因为通过上述方法进行接合。

10. 发明申请

WO2005050266A1 SUBSTRATE WITH REFRACTIVE INDEX MATCHING 审中-公开
标题翻译：具有折射指数匹配的基板
公开(公告)号：WO2005050266A1
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：PCT/EP2004/012255
申请日：2004-10-29
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , KERDILES, Sébastien , LE VAILLANT, Yves-Mathieu
发明人： KERDILES, Sébastien , LE VAILLANT, Yves-Mathieu
IPC分类号： G02B1/11
CPC分类号： H01L31/1892 , G02B1/113 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0392 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： A composite substrate comprises a transparent mechanical support (10), for example of glass or quartz, a film or thin layer (14) of monocrystalline semiconductive material and an intermediate antireflective layer (12) located between the thin layer or the semiconductive film and the support. The composition of the intermediate antireflective layer varies between the support (10) and the semiconductive film (14), to vary the refractive index.
摘要翻译：复合衬底包括例如玻璃或石英的透明机械支撑件（10），单晶半导体材料的薄膜或薄层（14）和位于薄层或半导体膜之间的中间抗反射层（12）和支持。中间抗反射层的组成在支撑体（10）和半导体膜（14）之间变化，以改变折射率。

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