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1. 发明申请

WO2018222444A1 SELECTIVE MOLECULAR LAYER DEPOSITION OF ORGANIC AND HYBRID ORGANIC-INORGANIC LAYERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018222444A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：PCT/US2018/033894
申请日：2018-05-22
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHAKRABORTY, Tapash , VISSER, Robert Jan , GORADIA, Prerna
IPC分类号： C23C16/455 , C07F7/10 , C07D317/36 , C07D319/06 , C07D307/89
CPC分类号： H01L21/02118 , B05D1/36 , B05D1/60 , C23C16/45553 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/3105
摘要： Embodiments of the disclosure relate to methods of selectively depositing organic and hybrid organic/inorganic layers. More particularly, embodiments of the disclosure are directed to methods of modifying hydroxyl terminated surfaces for selective deposition of molecular layer organic and hybrid organic/inorganic films. Additional embodiments of the disclosure relate to cyclic compounds for use in molecular layer deposition processes.

2. 发明申请

WO2009119343A1 表面処理装置、及び表面処理方法审中-公开
标题翻译：用于处理表面的设备和处理表面的方法
公开(公告)号：WO2009119343A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/054885
申请日：2009-03-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 杉田吉平 , 橋本浩幸 , 原田宗生
发明人：杉田吉平 , 橋本浩幸 , 原田宗生
IPC分类号： H01L21/312 , C23C14/12 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/312 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D5/10 , H01L21/02126 , H01L21/02312
摘要：　２０体積％以上の密着促進剤を含む水溶液を８０～１００°Cの温度に加熱及び気化して水含有密着促進剤蒸気を生成し、基板の表面に前記水含有密着促進剤蒸気を付着及び凝縮させた後、加熱脱水反応を生ぜしめて、前記基板の前記表面に前記密着促進剤を付着させる。
摘要翻译：将含有20体积％或更大量的粘合促进剂的水溶液加热至80-100℃的温度并蒸发以产生含水粘附促进剂蒸气。使含水粘附促进剂蒸气粘附到基材的表面并在其上冷凝。此后，通过加热引起脱水反应，以将粘附促进剂粘附到基材的表面。

3. 发明申请

WO0241361A3 METHOD FOR FABRICATING INTERFACIAL OXIDE IN A TRANSISTOR AND RELATED STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：在晶体管和相关结构中制备界面氧化物的方法
公开(公告)号：WO0241361A3
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/US0143219
申请日：2001-11-19
申请人： CONEXANT SYSTEMS INC
发明人： JOSHI PANKAJ N , SCHUEGRAF KLAUS F
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/331 , C23C13/10 , B05D7/22 , C23C16/00
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/02126 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02312 , H01L21/31662
摘要： According to a disclosed embodiment, a gas is supplied at a certain partial pressure for a chemical reaction with a top surface of a base (120) in a transistor (100). The top surface of the base (120) is heated to a certain temperature to promote the chemical reaction. For example, the gas can be oxygen, the base (120) can be an epitaxial single crystal silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor ("HBT"), and the chemical reaction can be oxidation of the silicon in the top surface of the silicon-germanium base (120). In one embodiment of the invention, the partial pressure of oxygen is maintained at 0.1 atmosphere and the top surface of the base (120) is heated using rapid thermal processing ("RTP") to a temperature of 500 °C. The chemical reaction forms a dielectric layer on the top surface of the base (120). For example, using oxygen as stated above, a dielectric layer of silicon oxide ("interfacial oxide") is formed. Controlling the thickness and density of the interfacial oxide causes the gain of the transistor (100) to be as desired. For example, using oxygen in the silicon-germanium HBT at 0.1 atmosphere partial pressure, and RTP to heat the top surface of the base (120) of the HBT to 500 C, an interfacial oxide is formed with thickness approximately 9.0 to 13.0 Angstroms and area density in a range of approximately 1 * 10 to 4 *10 atoms per square centimeter, which causes the gain of the HBT to be the desired value of approximately 100.0.
摘要翻译：根据所公开的实施例，以一定的分压供应气体以与晶体管（100）中的基极（120）的顶表面进行化学反应。将基底（120）的顶表面加热到一定温度以促进化学反应。例如，气体可以是氧，基极（120）可以是异质结双极晶体管（“HBT”）的外延单晶硅 - 锗基底，并且化学反应可以是氧化顶部表面的硅硅 - 锗基底（120）。在本发明的一个实施方案中，氧的分压保持在0.1大气压，并且使用快速热处理（“RTP”）将基体（120）的顶表面加热到500℃的温度。化学反应在基底（120）的顶表面上形成介电层。例如，如上所述使用氧，形成氧化硅的介电层（“界面氧化物”）。控制界面氧化物的厚度和密度导致晶体管（100）的增益是所需的。例如，在0.1分压的硅 - 锗HBT中使用氧，并且将RTP将HBT的基底（120）的顶表面加热至500℃，形成厚度约为9.0至13.0埃的界面氧化物，面积密度在每平方厘米约1×10 15至4×10 15原子的范围内，这导致HBT的增益为约100.0的期望值。

4. 发明申请

WO2017040722A9 METHODS AND APPARATUS FOR IN-SITU CLEANING OF COPPER SURFACES AND DEPOSITION AND REMOVAL OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS 审中-公开
标题翻译：原位清洁铜表面以及沉积和去除自组装单层膜的方法和设备
公开(公告)号：WO2017040722A9
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：PCT/US2016049785
申请日：2016-08-31
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： VISSER ROBERT JAN , ARNEPALLI RANGA RAO , GORADIA PRERNA
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/0227 , C23C16/0236 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/02043 , H01L21/02068 , H01L21/02301 , H01L21/02312 , H01L21/76831
摘要： A method of processing includes: providing a substrate having a contaminant material disposed on the copper surface to a substrate support within a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) chamber; providing hydrogen (H2) gas to the HWCVD chamber; heating one or more filaments disposed in the HWCVD chamber to a temperature sufficient to dissociate the hydrogen (H2) gas; exposing the substrate to the dissociated hydrogen (H2) gas to remove at least some of the contaminant material from the copper surface; cooling the one or more filaments to room temperature; exposing the substrate in the HWCVD chamber to one or more chemical precursors to deposit a self-assembled monolayer atop the copper surface; and depositing a second layer atop the substrate.
摘要翻译：一种处理方法包括：在热线化学气相沉积（HWCVD）腔室内将具有设置在铜表面上的污染物材料的基板提供给基板支撑件; 向HWCVD腔室提供氢气（H 2）; 加热设置在所述HWCVD腔室中的一根或多根细丝至足以解离所述氢气（H 2）的温度; 将衬底暴露于解离的氢气（H 2）以从铜表面除去至少一些污染物质; 将一根或多根长丝冷却至室温; 将HWCVD室中的衬底暴露于一种或多种化学前体以在铜表面顶上沉积自组装单层; 并在衬底上沉积第二层。

5. 发明申请

WO2015199111A1 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开
标题翻译：基板处理装置，程序和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2015199111A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/JP2015/068132
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：中村　吉延 , 前田　喜世彦 , ▲ひろせ▼　義朗 , 笹島　亮太 , 橋本　良知
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02247 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：　表面に酸化膜が形成された基板を準備する工程と、酸化膜の表面を前処理する工程と、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うか、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して炭素および窒素を含むガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うか、基板に対して炭素を含む原料ガスを供給する工程と、基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前処理後の酸化膜の表面上に、炭素を含む窒化膜を形成する工程と、を有する。
摘要翻译：本发明具有制备在其表面上形成有氧化膜的基板的步骤，用于预处理氧化膜表面的步骤和在预处理氧化膜的表面上形成含碳氮化物膜的步骤通过：执行预定次数的非同时进行向基板供给原料气体的步骤的循环，向基板供给含碳气体的步骤，以及供给基板的步骤含氮气体至基体; 执行预定次数的非同时进行向基板供给原料气体的工序的循环，以及向所述基板供给含有碳和氮的气体的工序; 或者执行预定次数的非同时进行用于向基板供给含碳原料气体的步骤的循环，以及向所述基板供给含氮气体的工序。

6. 发明申请

WO2013093360A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN EMPILEMENT MOS SUR UN SUBSTRAT EN DIAMANT 审中-公开
标题翻译：在金刚石基底上生产MOS堆叠的方法
公开(公告)号：WO2013093360A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/FR2012/053026
申请日：2012-12-20
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , UNIVERSITE JOSEPH FOURIER
发明人： CHICOT, Gauthier , MARECHAL, Aurélien , MURET, Pierre , PERNOT, Julien
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/16 , H01L21/314 , H01L29/49
CPC分类号： H01L21/044 , H01L21/02178 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/0231 , H01L21/02312 , H01L29/1602 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/66045 , H01L29/78
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant comportant une grille conductrice (9) isolée d'un substrat semiconducteur (2) en diamant monocristallin par une région isolante (7), comprenant les étapes suivantes : a) oxygéner la surface du substrat (2) de façon à remplacer des terminaisons de surface hydrogène du substrat par des terminaisons de surface oxygène; et b) former la région isolante (7) à la surface du substrat (2) par dépôt en couches monoatomiques successives (ALD).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造包括通过绝缘区域（7）与半导体单晶金刚石衬底（2）绝缘的导电栅极（9）的部件的方法，包括以下步骤：a）对衬底（2）的表面进行氧化），以便用氧表面终止来代替衬底的氢表面终端; 以及b）通过重复的单原子层沉积（ALD）在基板（2）的表面上形成绝缘区域（7）。

7. 发明申请

WO2005017963A2 SURFACE PREPARATION PRIOR TO DEPOSITION ON GERMANIUM 审中-公开
标题翻译：在锗上沉积之前的表面准备
公开(公告)号：WO2005017963A2
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/US2004/025130
申请日：2004-08-03
申请人： ASM AMERICA, INC. , WILK, Glen
发明人： WILK, Glen
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31658 , C23C16/0245 , C23C16/0281 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/28158 , H01L21/28194 , H01L21/28255 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66477
摘要： Methods are provided for treating germanium surfaces (200) in preparation for subsequent deposition, particularly gate dielectric deposition by atomic layer deposition (ALD). Prior to depositing, the germanium surface (200) is treated with plasma products or thermally reacted with vapor reactants. Examples of surface treatments leave oxygen bridges, nitrogen bridges, -OH, -NH and/or -NH 2 terminations that more readily adsorb ALD reactants. The surface treatments avoid deep penetration of the reactants into the germanium bulk but improve nucleation.
摘要翻译：提供了用于处理锗表面（200）以准备随后的沉积，特别是通过原子层沉积（ALD）的栅极电介质沉积的方法。在沉积之前，锗表面（200）用等离子体产物处理或与蒸气反应物热反应。表面处理的例子留下更容易吸附ALD反应物的氧桥，氮桥，-OH，-NH和/或-NH2端基。表面处理避免了反应物深入渗入锗块，但改善了成核。

8. 发明申请

WO2003090268A1 基板処理方法および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：处理基板的方法和生产半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2003090268A1
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：PCT/JP2003/005032
申请日：2003-04-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 青山真太郎 , 井下田真信 , 神力博
发明人：青山真太郎 , 井下田真信 , 神力博
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/28194 , H01L21/02046 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02249 , H01L21/02255 , H01L21/0231 , H01L21/02312 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , Y10S438/906
摘要：　シリコン基板表面に、酸窒化膜を形成するための基板表面処理方法である。酸素の非存在下にシリコン基板表面に紫外線を照射して前記シリコン基板表面の炭素を除去する。しかる後、前記シリコン基板表面に、紫外光ラジカル基板処理装置中においてＮＯガスを供給し、紫外光源を駆動することにより前記ＮＯガスを波長が１４５ｎｍよりも長く、１９２ｎｍ以下の紫外光により活性化し、シリコン基板表面を直接に酸窒化処理する。
摘要翻译：一种处理衬底表面以在硅衬底的表面上形成氧氮化物膜的方法。在不存在氧的情况下用紫外线照射硅衬底的表面，从而从硅衬底的表面除去碳。此后，在紫外线基板处理单元中的硅基板的表面上供给NO气体，并且操作紫外线源，使得NO气体被波长大于145nm但不大于192nm的紫外线激活。因此，进行硅衬底的表面的直接氧氮化。

9. 发明申请

WO2016209570A1 SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON OXIDE FILMS 审中-公开
标题翻译：硅氧烷膜的选择性沉积
公开(公告)号：WO2016209570A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/US2016/035302
申请日：2016-06-01
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： MANNA, Pramit , MALLICK, Abhijit Basu
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/02 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02315
摘要： Embodiments described herein generally provide a method for filling features formed on a substrate. In one embodiment, a method for selectively forming a silicon oxide layer on a substrate is provided. The method includes selectively depositing a silicon oxide layer within a patterned feature formed on a surface of a substrate, wherein the patterned feature may include a deposition surface and one or more sidewalls, the one or more sidewalls may include either a silicon oxide or a silicon nitride material. The deposition surface may essentially consist of silicon, and the selectively deposited silicon oxide layer may be formed by flowing tetraethyl orthosilicate (TEOS) and ozone over the patterned feature, wherein the silicon oxide layer selectively deposits on the deposition surface of the substrate.
摘要翻译：本文描述的实施例通常提供用于填充形成在基底上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括在形成在衬底的表面上的图案化特征中选择性地沉积氧化硅层，其中所述图案化特征可以包括沉积表面和一个或多个侧壁，所述一个或多个侧壁可以包括氧化硅或硅氮化物材料。沉积表面可以基本上由硅组成，并且可以通过在图案化特征上流动原硅酸四乙酯（TEOS）和臭氧来形成选择性沉积的氧化硅层，其中氧化硅层选择性地沉积在衬底的沉积表面上。

10. 发明申请

WO2012106600A2 IN SITU VAPOR PHASE SURFACE ACTIVATION OF SIO2 审中-公开
标题翻译：在SIO2的现场蒸气相表面活化
公开(公告)号：WO2012106600A2
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/US2012023778
申请日：2012-02-03
申请人： APPLIED MATERIALS INC , SATO TATSUYA E , THOMPSON DAVID , ANTHIS JEFFREY W , ZUBKOV VLADIMIR , VERHAVERBEKE STEVEN , GOUK ROMAN , MAHAJANI MAITREYEE , LIU PATRICIA M , BEVAN MALCOLM J
发明人： SATO TATSUYA E , THOMPSON DAVID , ANTHIS JEFFREY W , ZUBKOV VLADIMIR , VERHAVERBEKE STEVEN , GOUK ROMAN , MAHAJANI MAITREYEE , LIU PATRICIA M , BEVAN MALCOLM J
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/0272 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/02312
摘要： Methods for preparing a substrate for a subsequent film formation process are described. Methods for preparing a substrate for a subsequent film formation process, without immersion in an aqueous solution, are also described. A process is described that includes disposing a substrate into a process chamber, the substrate having a thermal oxide surface with substantially no reactive surface terminations. The thermal oxide surface is exposed to a partial pressure of water above the saturated vapor pressure at a temperature of the substrate to convert the dense thermal oxide with substantially no reactive surface terminations to a surface with hydroxyl surface terminations. This can occur in the presence of a Lewis base such as ammonia.
摘要翻译：描述制备用于后续成膜工艺的基材的方法。还描述了不浸没在水溶液中制备用于后续成膜工艺的基材的方法。描述了一种方法，其包括将衬底设置到处理室中，所述衬底具有基本上没有反应性表面终止的热氧化物表面。热氧化物表面在基板的温度下暴露于高于饱和蒸汽压的水分压，以将基本上没有反应性表面终止的致密热氧化物转化为具有羟基表面终止的表面。这可以在诸如氨的路易斯碱存在下进行。

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