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1. 发明申请

WO2011093223A1 半導体ウェーハの再生方法及び研磨用組成物审中-公开
标题翻译：用于回收半导体波长和抛光组合物的方法
公开(公告)号：WO2011093223A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/JP2011/051090
申请日：2011-01-21
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド , 森永均 , 浅井舞子
发明人：森永　均 , 浅井　舞子
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/02032
摘要：　本発明の研磨用組成物は、段差を有する半導体ウェーハの表面を平坦化して半導体ウェーハを再生する目的のために半導体ウェーハの表面を研磨する用途で使用されるものである。研磨用組成物は、半導体ウェーハの表面に吸着して同表面の段差の底部が研磨中にエッチングされるのを抑制する働きをする段差解消剤を少なくとも含有する。段差解消剤は、例えば水溶性高分子又は界面活性剤であり、より具体的には、ポリビニルアルコール類、ポリビニルピロリドン類、ポリエチレングリコール類、セルロース類、カルボン酸型界面活性剤、スルホン酸型界面活性剤、リン酸エステル型界面活性剤、又はオキシアルキレン系重合体である。
摘要翻译：本发明提供一种用于抛光半导体晶片表面的抛光组合物，以便使具有台阶的半导体的表面平坦化，从而回收半导体晶片。抛光组合物至少包含用于消除步骤的试剂，其被吸附到半导体晶片的表面，并且用于在抛光期间防止在所述表面上的台阶的基底部分的蚀刻。用于除去步骤的试剂是例如水溶性聚合物或表面活性剂，更具体地说是聚乙烯醇，聚乙烯吡咯烷酮，聚乙二醇，纤维素，羧酸型表面活性剂，磺酸型表面活性剂，磷酸酯 - 型表面活性剂，或氧化烯聚合物。

2. 发明申请

WO2009031270A1 ウエハ再生方法およびウエハ再生装置审中-公开
标题翻译： WAFER RECLAMATION方法和WAFER RECLAMATION装置
公开(公告)号：WO2009031270A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/002285
申请日：2008-08-25
申请人：パナソニック株式会社 , 置田尚吾 , 菅原岳 , 鈴木宏之 , 宝珍隆三 , 廣島満
发明人：置田尚吾 , 菅原岳 , 鈴木宏之 , 宝珍隆三 , 廣島満
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/3065
摘要：　表面に他物質層２１０が形成された半導体ウエハ２００を、前記他物質層２１０を除去し再生するウエハ再生方法であって、前記他物質層２１０を物理的に除去する物理的除去ステップと、前記物理的除去ステップにより他物質層２１０が除去された面に膜２２０を形成する膜形成ステップと、前記膜形成ステップにより形成された膜２２０と共に半導体ウエハ２００をプラズマによりエッチングするドライエッチングステップとを含む。
摘要翻译：提供了一种用于通过去除不同材料层（210）来在表面上回收具有不同材料层（210）的半导体晶片（200）的晶片回收方法。晶片回收方法包括物理去除不同材料层（210）的物理去除步骤。在物理去除步骤中在其上除去不同材料层（210）的表面上形成膜（220）的膜形成步骤; 以及干蚀刻步骤，与形成在成膜步骤中的膜（220）一起用等离子体蚀刻半导体晶片（200）。

3. 发明申请

WO2008093008A2 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GAN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DÉPART 审中-公开
标题翻译：通过植入和再循环起始基板制备薄层的方法
公开(公告)号：WO2008093008A2
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/FR2007/002100
申请日：2007-12-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TAUZIN, Aurélie , DECHAMP, Jérôme , MAZEN, Frédéric , MADEIRA, Florence
发明人： TAUZIN, Aurélie , DECHAMP, Jérôme , MAZEN, Frédéric , MADEIRA, Florence
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032
摘要： Un procédé de fabrication d'une couche mince en GaN à partir d'un substrat de départ dont au moins une zone épaisse de surface longeant une face libre de substrat de départ est en GaN, comprend les étapes suivantes : bombardement de ladite face libre du substrat de départ avec des ions Hélium et Hydrogène, l'hélium étant implanté en premier dans l'épaisseur de ladite zone épaisse et l'hydrogène étant implanté en second, les doses d'hélium et d'hydrogène étant chacune comprise entre 1.1017 atomes/cm2 et 4.1017 atomes/cm2, application au substrat de départ d'un traitement de fracture propre à provoquer le détachement, vis-à-vis d'un reliquat du substrat de départ, de toute la partie de la zone épaisse de GaN située entre la face libre et la profondeur d'implantation de l'hélium et de l'hydrogène. L'hélium est avantageusement implanté à une dose au moins égale à celle d'hydrogène, et peut même être implanté seul.
摘要翻译：本发明涉及一种从起始衬底制备GaN薄层的方法，其中沿着起始衬底的自由面延伸的至少一个厚表面区域由GaN制成，所述方法包括以下步骤：轰击所述自由面的氦和氢原子的衬底，首先将氦注入到所述厚表面积的厚度中，随后注入氢，氦和氢的剂量各自在1.1017原子/ cm 2和4.1017原子/ cm 2之间变化; 将起始衬底提交到破裂过程，以便相对于起始衬底的残留物，引导位于自由面和氦之间的厚区域的全部部分以及氢注入深度。氦有利地以至少等于氢的剂量注入，并且也可以单独植入。

4. 发明申请

WO2005015631A1 METHOD FOR PRODUCING THIN LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL FROM A DOUBLE-SIDED DONOR WAFER 审中-公开
标题翻译：从双面DONOR WAFER生产薄层半导体材料的方法
公开(公告)号：WO2005015631A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/IB2004/002969
申请日：2004-08-11
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe
发明人： MALEVILLE, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： A method for producing thin layers of a material selected among semiconductor materials from a donor wafer successively comprises the following steps: (a) formation of a first weakened region in the wafer below a first of its faces and at a depth corresponding substantially to a thin-layer thickness, (b) detachment of a first thin layer from the wafer at the level of the first weakened region, the first thin layer being the part of the wafer lying on the side of the first weakened region next to the first face, (c) formation of a second weakened region in the wafer below the second of its faces and at a depth corresponding substantially to a thin-layer thickness (d) detachment of a second thin layer from the wafer at the level of the second weakened region, the second thin layer being the part of the wafer lying on the side of the first weakened region next to the second face. These steps are sequenced without an intermediate recycling step so as to save on the recycling operations. Application in particular to the production of semiconductor-on-insulator structures.
摘要翻译：从供体晶片连续地制造从半导体材料中选择的材料的薄层的方法，其连续包括以下步骤：（a）在晶片的第一面下方形成第一弱化区域，并且基本上与薄层厚度，（b）在第一弱化区域的水平处从晶片上分离第一薄层，第一薄层是位于第一面旁边的第一弱化区域侧的晶片的一部分，（c）在其第二表面下方的晶片中形成第二弱化区域，并且在基本上对应于在第二弱化区域的水平处的第二薄层与晶片的薄层厚度（d）分离的深度所述第二薄层是位于所述第二面旁边的所述第一弱化区域侧的所述晶片的一部分。这些步骤在没有中间回收步骤的情况下进行排序，以节省回收操作。特别适用于绝缘体上半导体结构的制造。

5. 发明申请

WO2016047047A1 ＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2016047047A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/JP2015/004358
申请日：2015-08-28
申请人：信越半導体株式会社
发明人：阿賀　浩司 , 桑原　登
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02 , H01L21/02255 , H01L21/306 , H01L21/31111 , H01L21/68764 , H01L21/76254 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L27/12
摘要：　本発明は、ＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハのＳＯＩ膜厚を調整する薄膜化工程を有するＳＯＩウェーハの製造方法において、（Ａ１）ＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハの薄膜化工程前のＳＯＩ膜厚を測定する工程、（Ａ２）膜厚測定により得られたＳＯＩ膜厚の面内分布、及び予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、薄膜化工程を行う際のＳＯＩウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるようにＳＯＩウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び（Ａ３）回転させたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を薄膜化する工程を含むＳＯＩウェーハの製造方法である。これにより、薄膜化工程後のＳＯＩ層の面内膜厚均一性が良好なＳＯＩウェーハを製造できるＳＯＩウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：该SOI晶片制造方法具有用于调整其上形成有SOI层的SOI晶片的SOI膜的厚度的薄化步骤。 SOI晶片制造方法包括：（A1）在薄化步骤之前测量其上形成有SOI层的SOI晶片的SOI膜的厚度的步骤; （A2）用于确定在执行薄化步骤时的SOI晶片的旋转位置的步骤，所述旋转位置是基于通过膜厚度测量获得的面内SOI膜厚度分布和先前在薄化步骤中获得面内去除余量分布，并且使SOI晶片围绕中心轴旋转，使得晶片处于旋转位置; 和（A3）用于使由此旋转的SOI晶片的SOI层变薄的步骤。因此，提供了可以制造在薄化步骤之后具有优异的SOI层的面内厚度均匀性的SOI晶片的SOI晶片制造方法。

6. 发明申请

WO2014080565A1 ＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2014080565A1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/JP2013/006118
申请日：2013-10-15
申请人：信越半導体株式会社
发明人：曲　偉峰 , 田原　史夫 , 大井　裕喜
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/06 , C30B31/22 , C30B33/02 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC分类号： C30B29/06 , C30B31/22 , C30B33/02 , H01L21/02032 , H01L21/3225 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、ＳＯＩウェーハを製造する方法であって、シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が７ｐｐｍａ以下の窒素ドープシリコンウェーハを準備し、酸化膜形成工程の前に、準備したシリコンウェーハにアルゴン雰囲気下で１１７０℃～１３００℃の温度で３０分～１２０分間の熱処理を施す工程を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法である。これにより、ＳＯＩウェーハの製造において、ボンドウェーハの欠陥を十分に消滅させて、欠陥等の不良のほとんどないＳＯＩウェーハを製造することができ、また、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができる。
摘要翻译：该SOI晶片制造方法的特征在于：在准备硅晶片的工序中，准备初始氧浓度为7ppma以下的氮掺杂硅晶片; 在氧化膜形成工序之前，在氩气氛下，在1,170-1,300℃的温度下进行30-120分钟的热处理。因此，通过充分消除接合晶片的缺陷，可以在SOI晶片制造中制造几乎没有故障的SOI晶片，即缺陷等，此外，在离子注入剥离中作为副产物产生的剥离晶片方法可以重复使用多次作为接合晶片。

7. 发明申请

WO2011066491A2 METHODS AND APPARATUS FOR EDGE CHAMFERING OF SEMICONDUCTOR WAFERS USING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：使用化学机械抛光的半导体波形边缘切割的方法和装置
公开(公告)号：WO2011066491A2
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/US2010/058153
申请日：2010-11-29
申请人： CORNING INCORPORATED , BANKAITIS, Jonas , MOORE, Michael J. , STONE, Jeffery S. , WILLIAMSON, Paul J. , ZHANG, Chunhe
发明人： BANKAITIS, Jonas , MOORE, Michael J. , STONE, Jeffery S. , WILLIAMSON, Paul J. , ZHANG, Chunhe
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02021 , H01L21/02032 , H01L21/30625
摘要： Methods and apparatus for processing edge portions of a donor semiconductor wafer include controlling chemical mechanical polishing parameters to achieve chamfering of the edges of the donor semiconductor wafer; and alternatively or additionally flexing the donor semiconductor wafer to present a concave configuration, where edge portions thereof are pronounced as compared to a central surface area thereof, such that the pronounced edge portions of the donor semiconductor wafer are preferentially polished against a polishing surface in order to achieve the chamfering.
摘要翻译：用于处理施主半导体晶片的边缘部分的方法和装置包括控制化学机械抛光参数以实现施主半导体晶片的边缘的倒角; 并且替代地或附加地弯曲施主半导体晶片以呈现凹形结构，其中其边缘部分与其中心表面区域相比更显着，使得施主半导体晶片的显着边缘部分优先按照抛光表面被抛光实现倒角。

8. 发明申请

WO2011043178A1 REPROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF REPROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF SOI SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：半导体基板的替代方法，代表性半导体基板的制造方法和SOI基板的制造方法
公开(公告)号：WO2011043178A1
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/JP2010/066123
申请日：2010-09-13
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. , OHNUMA, Hideto , HANAOKA, Kazuya
发明人： OHNUMA, Hideto , HANAOKA, Kazuya
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02024 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/76254 , H01L21/84
摘要： An object of an embodiment of the disclosed invention is to provide a method suitable for reprocessing a semiconductor substrate which is reused to manufacture an SOI substrate. A semiconductor substrate is reprocessed in the following manner: etching treatment is performed on a semiconductor substrate in which a step portion including a damaged semiconductor region and an insulating layer exists in a peripheral portion, whereby the insulating layer is removed; etching treatment is performed on the semiconductor substrate with the use of a mixed solution including a substance that oxidizes a semiconductor material included in the semiconductor substrate, a substance that dissolves the oxidized semiconductor material, and a substance that controls oxidation speed of the semiconductor material and dissolution speed of the oxidized semiconductor material, whereby the damaged semiconductor region is selectively removed with a non-damaged semiconductor region left; and heat treatment under an atmosphere including hydrogen is performed.
摘要翻译：所公开的发明的一个实施例的目的是提供一种适于重新处理半导体衬底的方法，该半导体衬底被重新用于制造SOI衬底。以下列方式对半导体衬底进行再处理：在周边部分存在包含损坏的半导体区域和绝缘层的阶梯部分的半导体衬底上进行蚀刻处理，从而去除绝缘层; 使用包含氧化半导体衬底中所含的半导体材料的物质，溶解氧化半导体材料的物质和控制半导体材料的氧化速度的物质的混合溶液在半导体衬底上进行蚀刻处理，以及氧化的半导体材料的溶解速度，由此损坏的半导体区域被选择性地去除，其中未损坏的半导体区域留下; 并在包括氢气在内的气氛下进行热处理。

9. 发明申请

WO2011024619A1 METHOD FOR REPROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING REPROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于代替半导体基板的方法，用于制造代表性半导体基板的方法以及制造SOI基板的方法
公开(公告)号：WO2011024619A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/JP2010/063142
申请日：2010-07-28
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. , HANAOKA, Kazuya , IMAI, Keitaro
发明人： HANAOKA, Kazuya , IMAI, Keitaro
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02024 , H01L21/30604 , H01L21/76254
摘要： An object is to provide a method suitable for reprocessing a semiconductor substrate which is reused to manufacture an SOI substrate. A semiconductor substrate is reprocessed in the following manner: etching treatment is performed on a semiconductor substrate in which a projection including a damaged semiconductor region and an insulating layer exists in a peripheral portion, whereby the insulating layer is removed; and etching treatment is performed on the semiconductor substrate with the use of a mixed solution including a substance that oxidizes a semiconductor material included in the semiconductor substrate, a substance that dissolves the oxidized semiconductor material, and a substance that controls oxidation speed of the semiconductor material and dissolution speed of the oxidized semiconductor material, whereby the damaged semiconductor region is selectively removed with a non-damaged semiconductor region left.
摘要翻译：目的是提供一种适用于重新处理半导体衬底的方法，该半导体衬底被重新用于制造SOI衬底。以下列方式对半导体衬底进行再处理：在周边部分存在包含有损坏的半导体区域和绝缘层的突起的半导体衬底上进行蚀刻处理，从而去除绝缘层; 并且利用包含氧化半导体衬底中所包括的半导体材料的物质，溶解氧化半导体材料的物质和控制半导体材料的氧化速度的物质的混合溶液，在半导体衬底上进行蚀刻处理和氧化的半导体材料的溶解速度，由此残留的未损坏的半导体区域选择性地去除损坏的半导体区域。

10. 发明申请

WO2010150671A1 METHOD FOR REPROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于代替半导体衬底的方法和制造SOI衬底的方法
公开(公告)号：WO2010150671A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/JP2010/059996
申请日：2010-06-08
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. , HANAOKA, Kazuya
发明人： HANAOKA, Kazuya
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032
摘要： The embrittlement layer and the semiconductor layer remaining on the periphery of the semiconductor substrate after separation are selectively removed using a mixed solution containing a substance functioning as an oxidizer for oxidizing a semiconductor, a substance dissolving an oxide of a semiconductor, and a substance functioning as a decelerator of oxidization of a semiconductor and dissolution of an oxide of a semiconductor. Note that the semiconductor film is separated from the semiconductor substrate along an embrittlement layer that is formed in the semiconductor substrate by implantation of an H + ion generated from a hydrogen gas with use of an ion implantation apparatus.
摘要翻译：使用包含用作氧化半导体的氧化剂的物质，溶解半导体的氧化物的物质和作为半导体的氧化物的物质的混合溶液，选择性地除去残留在分离后的半导体衬底的周围的脆化层和半导体层半导体氧化的减速器和半导体的氧化物的溶解。注意，通过使用离子注入装置注入由氢气产生的H +离子，半导体膜沿着形成在半导体衬底中的脆化层与半导体衬底分离。

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