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1. 发明申请

WO2005013338A3 PRODUCTION OF A STRUCTURE COMPRISING A PROTECTIVE LAYER AGAINST CHEMICAL TREATMENT 审中-公开
标题翻译：生产包含化学处理保护层的结构
公开(公告)号：WO2005013338A3
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：PCT/FR2004002040
申请日：2004-07-29
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , GHYSELEN BRUNO , RAYSSAC OLIVIER
发明人： GHYSELEN BRUNO , RAYSSAC OLIVIER
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for producing a multi-layer structure which comprises a buried layer and is used for electronic, optic and optoelectronic engineering consisting in a) forming the layers of the structure including the buried layer, and in b) chemically treating said structure using chemical species for substantially engraving the buried layer material. The stage a) consists in forming, a buried protective layer which is arranged on the buried layer and made of a material selected such that it is sufficiently resistant to the chemical attack of the treating chemical species used at the stage b), thereby blocking possible access of said chemical species to the buried layer therethrough. The use of said method for producing structure for electronic, optic and optoelectronic engineering is also disclosed.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造多层结构的方法，其包括埋层并用于电子，光学和光电子工程，其包括：a）形成包括该掩埋层的结构层，以及b）化学处理所述使用化学物质的结构基本上雕刻掩埋层材料。阶段a）包括形成埋置的保护层，该掩埋保护层设置在掩埋层上并且由选择的材料制成，使得其充分抵抗在阶段b）处使用的处理化学物质的化学侵蚀，从而阻断可能所述化学物质通过其进入掩埋层。还公开了用于生产电子，光学和光电子工程结构的所述方法的使用。

2. 发明申请

WO2005013317A3 STRESSED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR STRUCTURE RESISTANT TO HIGH-TEMPERATURE STRESS 审中-公开
标题翻译：抗高温应力的绝缘体半导体结构
公开(公告)号：WO2005013317A3
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/FR2004002018
申请日：2004-07-28
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , GHYSELEN BRUNO , AULNETTE CECILE , RAYSSAC OLIVIER
发明人： GHYSELEN BRUNO , AULNETTE CECILE , RAYSSAC OLIVIER
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251
摘要： The invention relates to a semiconductor-on-insulator structure, comprising a part which is made of a semiconductor material and a part which is made of an electrically insulating material, said materials being coupled to each other. Elastic stress is present in the semiconductor material. The part made of electrically insulating material has a viscosity temperatureTG which is higher than the viscosity temperature TG SiO2 of SiO2. The invention also relates to a method for the production of said semiconductor-on-insulator structure.
摘要翻译：绝缘体上半导体结构技术领域本发明涉及一种绝缘体上半导体结构，其包括由半导体材料制成的部分和由电绝缘材料制成的部分，所述材料彼此耦合。半导体材料中存在弹性应力。由电绝缘材料制成的部件具有高于SiO 2的粘度温度TG SiO 2的粘度温度T G。本发明还涉及用于制造所述绝缘体上半导体结构的方法。

3. 发明申请

WO2004066380A1 A LAYER TRANSFER METHOD 审中-公开
标题翻译：层转移方法
公开(公告)号：WO2004066380A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/EP2004/000646
申请日：2004-01-22
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
发明人： BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , C09J5/00 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of removing a peripheral zone (62) of adhesive while using a layer of adhesive (6) in the process of assembling and transferring a layer (41) of material coming from a source substrate (4) and placed on a support substrate (5). The method is remarkable in that it consists in bonding the two substrates (4 and 5) together by means of an intermediate layer of curable adhesive (6), in curing only that zone (61) of the layer of adhesive (6) which extends facing the front face (43) of said layer (41) of material to be transferred, in removing the zone (62) of non-cured adhesive, and in detaching said layer (41) to be transferred from the remainder (42) of the source substrate. The invention is applicable to fabricating a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics, or optics.
摘要翻译：本发明涉及一种在组装和转移来自源底板（4）的材料层（41）的过程中使用一层粘合剂（6）的同时去除粘合剂的周边区域（62）的方法，并将其放置在支撑基板（5）。该方法是显着的，它包括通过可固化粘合剂（6）的中间层将两个基底（4和5）粘合在一起，仅固化延伸的粘合剂层（6）的区域（61）面对所述待转移材料的所述层（41）的前表面（43），以去除未固化粘合剂的区域（62），并且从所述层（41）的剩余部分（42）分离所述待转移的层（41）源底物。本发明可应用于在电子，光电子学或光学领域制造复合衬底。

4. 发明申请

WO03094224B1 PROCESS FOR MANUFACTURING SUBSTRATES WITH DETACHMENT OF A TEMPORARY SUPPORT, AND ASSOCIATED SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：具有临时支持的分离制造基板的过程以及相关的基板
公开(公告)号：WO03094224B1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/IB0302431
申请日：2003-04-30
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , RAYSSAC OLIVIER , LETERTRE FABRICE
发明人： RAYSSAC OLIVIER , LETERTRE FABRICE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L31/18 , H01L33/00
CPC分类号： H01L31/184 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： A process for producing a substrate comprises the following steps: forming at least a part (20) of the first layer on a temporary support (10) by creating a fragile bond (12) in the vicinity of the interface between said layer and the temporary support, selectively and locally etching the first layer (20, 30) substantially at the level of the fragile bond at least, bonding on the first layer (20, 30) borne by the temporary support (10) a second layer (40) covering the etched zones, in such a way that said etched zones form one or more essentially closed cavities (C) distributed over the extent of the substrate, exposing the resulting whole to constraints so as to separate the first layer (20, 30) from its temporary support (10) at the fragile bond. Application to the substrates for producing components in micro-electronics, optoelectronics or optics.
摘要翻译：一种制造基材的方法包括以下步骤：通过在所述层和临时载体（10）之间的界面附近形成脆性粘结（12），在临时载体（10）上形成第一层的至少一部分（20）支撑，选择性地和局部地蚀刻基本处于易碎结合层的第一层（20,30），至少在由临时支撑件（10）承载的第一层（20,30）上粘合第二层（40），第二层覆盖蚀刻的区域，使得所述蚀刻区域形成分布在衬底的范围上的一个或多个基本封闭的空腔（C），将所得到的整体暴露于约束条件下，以将第一层（20,30）与其分离临时支持（10）脆弱债券。应用于微电子，光电子学或光学元件生产基板。

5. 发明申请

WO2003081664A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'ELEMENTS DE SUBSTRAT A SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于传输基板之间的元素的方法
公开(公告)号：WO2003081664A2
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/FR2003/000905
申请日：2003-03-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
发明人： ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
摘要： La présente invention concerne un procédé de transfert d'au moins un élément depuis un substrat donneur vers un substrat cible (40). Conformément à l'invention, on rend un élément à transférer solidaire d'un substrat-poignée (30) par l'intermédiaire d'une couche de colle (32) susceptible d'être dégradée et dans lequel on procède à une dégradation de la couche de colle lors d'une étape de libération de l'élément à transférer. Application au report de composants.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将至少一个元件从施主衬底转移到目标衬底（40）的方法。本发明的特征在于其包括通过能够降解并在产生释放待转移元件的步骤期间导致结合层的劣化的结合层（32）将元件固定到手柄基板上。本发明适用于组件的传送。

6. 发明申请

WO2002084722A3 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084722A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.

7. 发明申请

WO2002084722A2 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：具有受控机械保持的可拆卸基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2002084722A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C99/008 , H01L21/76254 , Y10S438/958
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.
摘要翻译：本发明涉及一种可拆卸基板的制造方法，其特征在于，包括：通过使用分子粘合固定在基板的一个面上的一个面固定界面的方法制造界面的方法，提供了用于至少一个所述面部的处理台，使得在该受控水平处的界面处的机械保持与随后的分离兼容。

8. 发明申请

WO2006032298A1 PLANARIZATION OF EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES INCLUDING THERMAL TREATMENT 审中-公开
标题翻译：包含热处理的外源性结构的平面化
公开(公告)号：WO2006032298A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/EP2004/011439
申请日：2004-09-22
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MARTINEZ, Muriel , DAVAL, Nicolas , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl
发明人： MARTINEZ, Muriel , DAVAL, Nicolas , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B24B37/14 , B24B37/042 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3212 , H01L21/324
摘要： A method of planarization of an epitaxial heterostructure comprising at least a strain-relaxed buffer layer epitaxially grown on a substrate of a different material, said method comprising: - a step of thermal annealing the epitaxial heterostructure at a temperature of at least 900 °C for a period of at least 2 hours, and - a step of chemical-mechanical polishing the surface of the strain-relaxed buffer layer. This method provides a specific thermal treatment which allows, by improving the relaxation of the strain-relaxed buffer layer, to obtain a better quality of the surface planarization and to insure a stable material for further processing.
摘要翻译：一种外延异质结构的平面化方法，包括至少在不同材料的衬底上生长的应变松弛缓冲层，所述方法包括： - 在至少900℃的温度下对外延异质结构进行热退火的步骤，至少2小时的时间，以及 - 对应变松弛缓冲层的表面进行化学机械抛光的步骤。该方法提供了特定的热处理，其允许通过改善应变松弛缓冲层的松弛以获得更好的表面平坦化质量并且确保用于进一步加工的稳定材料。

9. 发明申请

WO2005057639A1 SURFACE TREATMENT FOR MULTI-LAYER WAFERS FORMED FROM LAYERS OF MATERIALS CHOSEN FROM AMONG SEMICONDUCTING MATERIALS 审中-公开
标题翻译：从半导体材料的材料层中形成的多层膜的表面处理
公开(公告)号：WO2005057639A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/IB2004/004326
申请日：2004-12-10
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl , MORICEAU, Hubert , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , FOURNEL, Franck
发明人： RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl , MORICEAU, Hubert , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/974
摘要： This invention relates to a process for treatment of a multi-layer wafer with materials having differential thermal characteristics, the process comprising a high temperature heat treatment step that can generate secondary defects, characterised in that this process includes a wafer surface preparation step before the high temperature heat treatment step.
摘要翻译：本发明涉及一种用具有不同热特性的材料处理多层晶片的方法，该方法包括可产生二次缺陷的高温热处理步骤，其特征在于该方法包括在高温之前的晶片表面制备步骤温度热处理步骤。

10. 发明申请

WO2005006419A3 SUBSTRATE ASSEMBLY FOR STRESSED SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：用于受压系统的基座装配
公开(公告)号：WO2005006419A3
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/EP2004007632
申请日：2004-07-08
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , LETERTRE FABRICE , GHYSELEN BRUNO , RAYSSAC OLIVIER
发明人： LETERTRE FABRICE , GHYSELEN BRUNO , RAYSSAC OLIVIER
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a structure assembled from a film and a substrate (85, 82) respectively having a first thermal expansion coefficient and a second thermal expansion coefficient which differs from the first, and respectively having first and second assembly faces, motifs being formed in the second substrate (82), said motifs being elastic or being flexible in a plane parallel to the first and second assembly faces.
摘要翻译：本发明涉及一种由薄膜和基底（85,82）组装的结构，分别具有与第一热膨胀系数和第二热膨胀系数不同的第一热膨胀系数和第二热膨胀系数，第一热膨胀系数和第二热膨胀系数分别具有第一和第二组装面，第二基板（82），所述图案在平行于第一和第二组装面的平面中是弹性的或柔性的。

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