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热词
    • 1. 发明申请
    • TRAITEMENT D'UNE COUCHE DE GERMANIUM COLLEE A UN SUBSTRAT
    • 处理粘结到基材上的锗层
    • WO2007045759A1
    • 2007-04-26
    • PCT/FR2006/002332
    • 2006-10-17
    • S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIESALLIBERT, FrédéricDEGUET, ChrystelRICHTARCH, Claire
    • ALLIBERT, FrédéricDEGUET, ChrystelRICHTARCH, Claire
    • H01L21/762
    • H01L21/76254
    • L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure comprenant une couche mince de Ge sur un substrat, ladite couche ayant été préalablement collée au substrat, le procédé comprenant un traitement pour améliorer les propriétés électriques de la couche et/ou de l'interface de la couche de Ge avec la couche sous-jacente, caractérisé en ce que ledit traitement est un traitement thermique mis en œuvre à une température comprise entre 5000C et 6000C pendant au maximum 3 heures. L'invention concerne aussi un procédé de réalisation d'une structure comprenant une couche de Ge, le procédé comprenant un collage entre un substrat donneur comportant au moins dans sa partie supérieure une couche mince de Ge et un substrat récepteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) collage du substrat donneur au substrat récepteur de sorte que la couche de Ge se trouve au voisinage de l'interface de collage ; (b) retrait de la partie du substrat donneur ne comprenant pas la couche de Ge ; (c) traitement de la structure comprenant le substrat récepteur et la couche de Ge conformément audit procédé de traitement.
    • 本发明涉及一种用于处理在衬底上包括薄Ge层的结构的方法,所述层已经预先结合到衬底上,该方法包括用于改善Ge层和/或Ge界面的电性能的处理 层与底层。 本发明的特征在于,所述处理是在500℃至600℃之间的温度下实施最多3小时的热处理。 本发明还涉及一种用于制造包括Ge层的结构的方法,所述方法包括将包括至少在其上部的薄Ge层和接收衬底的施主衬底结合,其特征在于,其包括以下步骤:(a) 将施主衬底接合到接收器衬底,使得Ge层位于接合界面附近; (b)消除不包括Ge层的供体衬底的一部分; (c)根据处理方法处理包括接收器基板和Ge层的结构。
    • 7. 发明申请
    • TREATMENT METHOD AND DEVICE OF THE WORKING LAYER OF A MULTILAYER STRUCTURE
    • 多层结构工作层的处理方法和装置
    • WO2005088716A2
    • 2005-09-22
    • PCT/IB2005/000832
    • 2005-03-10
    • S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIESALLIBERT, FrédéricBRUNIER, François
    • ALLIBERT, FrédéricBRUNIER, François
    • H01L23/544
    • H01L22/34H01L2924/0002H01L2924/00
    • According to a first embodiment, the invention relates to a method for treating an electrically conductive working layer of a multilayer structure made from semiconductor materials, the structure including under said working layer an electrically insulating layer, said treatment being destined to constitute in said working layer at least one island surrounded by material of the electrically insulating layer, method including a wet chemical etching step of the working layer, method characterised in that prior to the wet etching step selective masking is realised on several regions of said working layer in order to constitute in this working layer several islands, each region masked from the layer corresponding to a respective island. The invention also proposes the application of such a method to the characterisation of the electrical properties of a structure, and an associated device.
    • 根据第一实施例,本发明涉及一种用于处理由半导体材料制成的多层结构的导电工作层的方法,所述结构包括在所述工作层下方的电绝缘层,所述处理旨在构成在所述工作层 由电绝缘层的材料包围的至少一个岛,包括工作层的湿化学蚀刻步骤的方法,其特征在于,在湿蚀刻步骤之前,在所述工作层的几个区域上实现选择性掩蔽以构成 在该工作层中,几个岛,每个区域从对应于相应岛的层掩蔽。 本发明还提出了这种方法用于表征结构和相关联的装置的电气特性的应用。