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1. 发明申请

WO2013139887A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON III-N-EINKRISTALLEN, UND III-N-EINKRISTALL 审中-公开
标题翻译：用于生产III-N单晶和III-N单晶
公开(公告)号：WO2013139887A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/EP2013/055891
申请日：2013-03-21
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人： GRÜNDER, Marit , BRUNNER, Frank , RICHTER, Eberhard , HABEL, Frank , WEYERS, Markus
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02 , C30B25/18
CPC分类号： C30B25/16 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , Y10T428/24851
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung von III-N-Templaten und ferner die Herstellung von III-N-Einkristallen, wobei III mindestens ein Element der dritten Hauptgruppe des Periodensystems, ausgewählt aus der Gruppe von Al, Ga und In, bedeutet. Durch das Einstellen bestimmter Parameter während des Kristallwachstums können III-N-Template erhalten werden, die der auf dem Fremdsubstrat gewachsenen Kristallschicht Eigenschaften verleihen, die es ermöglichen, rissfreie III-N-Einkristalle, in Form von Templates oder sogar mit großen III-N-Schichtdicken, zu erhalten.
摘要翻译：本发明涉及一种生产III-N-模板，以及进一步生产III-N单晶的方法，其中所述第三主族周期系的，从由Al，Ga及In装置的组中选择的至少一种III族元素。通过晶体生长III-N模板期间调节某些参数可以得到，从而使该生长在异质衬底晶体层的属性，这使得它能够无裂纹的III-N单晶，在模板的形式或甚至与大III-N- 获得的层厚度。

2. 发明申请

WO2010003573A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DOTIERTEN GALLIUMARSENIDSUBSTRATWAFERN MIT NIEDRIGEM OPTISCHEN ABSORPTIONSKOEFFIZIERTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产掺杂GALLIUMARSENIDSUBSTRATWAFERN低光学ABSORPTIONSKOEFFIZIERTEN
公开(公告)号：WO2010003573A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/EP2009/004717
申请日：2009-06-30
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , KRETZER, Ulrich , BÖRNER, Frank , EICHLER, Stefan , KROPFGANS, Frieder
发明人： KRETZER, Ulrich , BÖRNER, Frank , EICHLER, Stefan , KROPFGANS, Frieder
IPC分类号： C30B29/42 , C30B15/04 , C30B11/00
CPC分类号： C30B11/02 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B15/04 , C30B29/42
摘要： Es wird ein Verfahren offenbart zur Herstellung eines dotierten Galliumarsenid-Einkristalls durch Schmelzen eines Galliumarsenid-Ausgangsmaterials und anschließender Erstarrung der Galliumarsenid-Schmelze, wobei die Galliumarsenid-Schmelze gegenüber der stöchiometrischen Zusammensetzung einen Überschuß an Gallium enthält, und wobei für eine Borkonzentration in der Schmelze oder im erhaltenen Kristall von mindestens 5x10 17 cm -3 gesorgt wird. Der so erhältliche Kristall zeichnet sich durch eine einzigartige Kombination aus niedriger Versetzungsdichte, hoher Leitfähigkeit und dennoch ausgezeichneter, sehr niedriger optischer Absorption insbesondere im Bereich des nahen Infrarot aus.
摘要翻译：有公开了一种用于通过熔化砷化镓原料和砷化镓熔体的随后的固化产生掺杂砷化镓单晶的方法，所述化学计量组成的砷化镓熔体含有过量的镓，并且其中，用于在熔体中的硼浓度，或在所获取的至少5×1017厘米三分之一的晶体被提供由此获得的晶体的特征在于，位错密度低，高导电性，并且还优良，非常低的光学吸收的独特组合，特别是在近红外区域中。

3. 发明申请

WO2008017320A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DOTIERTEN III-N-MASSIVKRISTALLS SOWIE EINES FREISTEHENDEN DOTIERTEN III-N-SUBSTRATES UND DOTIERTER III-N-MASSIVKRISTALL SOWIE FREISTEHENDES DOTIERTES III-N-SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于生产掺杂III-N固体晶体和自由站立掺杂III-N衬底和掺杂的III-N固晶和分离的掺杂的III-N衬底
公开(公告)号：WO2008017320A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：PCT/EP2006/007894
申请日：2006-08-09
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , SCHOLZ, Ferdinand , BRÜCKNER, Peter , HABEL, Frank , LEIBIGER, Gunnar
发明人： SCHOLZ, Ferdinand , BRÜCKNER, Peter , HABEL, Frank , LEIBIGER, Gunnar
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/14 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/14 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L31/1844
摘要： Die Erfindung beschreibt Verfahren zum Herstellen eines dotierten III-N-Massivkristalls, wobei III mindestens ein Element der III. Hauptgruppe des Periodensystems, ausgewählt aus Al, Ga und In, bedeutet, wobei die dotierte kristalline III-N-Schicht oder der dotierte III-N-Massivkristall auf einem Substrat oder Template in einem Reaktor abgeschieden wird und wobei die Zufuhr mindestens eines Dotierstoffs in den Reaktor in Mischung mit mindestens einem Gruppe III-Material erfolgt Auf diese Weise können III-N-Massivkristalle und daraus vereinzelte III-N-Einkristall-Substrate mit jeweils sehr homogener Verteilung des Dotierstoffs in der Wachstumsrichtung wie auch in der Wachstumsebene senkrecht dazu erhalten werden. Entsprechend können eine sehr homogener Verteilung von Ladungsträgern und/oder von spezifischem elektrischem Widerstand in der Wachstumsrichtung wie auch in der Wachstumsebene senkrecht dazu bereitgestellt werden. Darüber hinaus ist es möglich, eine sehr gute Kristallqualität zu erhalten.
摘要翻译：本发明描述的方法用于制造掺杂III-N体晶，其中，所述III是III中的至少一种元素。主族周期系的，选自Al，Ga和In中选择的装置，其中所述的掺杂晶体的III-N层或掺杂的Ⅲ-N体晶淀积在反应器中的基板或模板，其特征在于，至少一种掺杂剂的供给到在与至少一个III族材料混合反应器以这种方式进行，Ⅲ-N体晶和散射各自具有掺杂剂在生长方向以及在生长面的非常均匀的分布在垂直于它获得的III-N单晶衬底。因此，载流子的非常均匀的分布和/或可以通过在生长方向以及在与其垂直的生长面电阻率来提供。此外，还能够获得非常好的晶体质量。

4. 发明申请

WO2017216144A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR GA-RÜCKGEWINNUNG 审中-公开
标题翻译： GA恢复的方法和设备
公开(公告)号：WO2017216144A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/EP2017/064371
申请日：2017-06-13
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG
发明人： REINHOLD, Thomas , EICHLER, Stefan , WEINERT, Berndt , ZEIDLER, Oliver , STELTER, Michael
IPC分类号： C22B58/00
CPC分类号： C22B58/00 , C22B3/42 , C22B3/44 , C22B7/006 , Y02P10/234
摘要： Die vorliegende Erfindung umfasst ein Verfahren zur selektiven Abtrennung von Ga aus Ätzabwässern mit Hilfe eines Dialyseverfahrens. Hierbei wird das besondere Komplexbildungsverhaltens des Ga ausgenutzt, welches einen instabilen Tetrahalogenokomplex bildet. Dieser bildet sich nur bei ausreichend hoher Halogenidkonzentration. Da die Halogenidkonzentration über die Membran niedriger wird, zerfällt der Ga-Tetrahalogenidokomplex in der Membran, wodurch das Ga zurückgehalten wird. Andere Metalle wie In und Fe zeigen dieses Verhalten nicht, weswegen die Tetrahalogenokomplexe dieser Metalle die Membran passieren können und somit selektiv abgetrennt werden können.
摘要翻译：本发明包括通过透析方法选择性地从废物中分离镓的方法。在这种情况下，镓的特殊络合行为被利用，形成不稳定的四卤素。这只在足够高的卤化物浓度下形成。随着膜两侧的卤化物浓度降低，四卤化镓络合物在膜中分解，从而保留了Ga。其他金属如In和Fe不显示这种行为，这就是为什么这些金属的四卤素配合物可以穿过膜并因此被选择性分离。

5. 发明申请

WO2008148542A1 ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KRISTALLS AUS DER SCHMELZE EINES ROHMATERIALS SOWIE EINKRISTALL 审中-公开
标题翻译：装置和方法用于生产晶体由原料和单晶的熔体
公开(公告)号：WO2008148542A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/EP2008/004450
申请日：2008-06-04
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , EICHLER, Stefan , BÜNGER, Thomas , BUTTER, Michael , RÜHMANN, Rico , SCHEFFER-CZYGAN, Max
发明人： EICHLER, Stefan , BÜNGER, Thomas , BUTTER, Michael , RÜHMANN, Rico , SCHEFFER-CZYGAN, Max
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/00
CPC分类号： H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
摘要： Eine Anordnung (1) zur Herstellung eines Kristalls aus der Schmelze (16) eines Rohmaterials umfasst : einen Ofen mit einer ein oder mehrere Heizelemente (20, 21) aufweisenden Heizvorrichtung, die zur Erzeugung eines in einer ersten Richtung (18) gerichteten Temperaturfeldes (T) in dem Ofen eingerichtet ist, eine Vielzahl von Tiegeln (14) zur Aufnahme der Schmelze, die nebeneinander in dem gerichteten Temperaturfeld angeordnet sind, und eine Einrichtung (21a, 21b, 24, 26) zur Homogenisierung des Temperaturfelds in einer Ebene senkrecht zu der ersten Richtung in den wenigstens zwei Tiegeln. Bei der Einrichtung kann es sich um Füllmaterialien (24) handeln, die in die Zwischenräume zwischen den Tiegeln eingebracht werden und mit anisotropen Wärmeleitfähigkeiten ausgestattet sind, um bevorzugt einen radial gerichteten Wärmetransport herbeizuführen. Zusätzlich oder alternativ kann es sich dabei auch um Geräte zur Erzeugung von magnetischen Wanderfeldern (21a, 21b) handeln, die mit Füllmaterialien (24) zusammenwirken.
摘要翻译：的装置（1）包括用于从原料的熔融物（16）生产的晶体的：具有一个或多个加热元件（20，21），其具有加热器，在第一方向（18）朝向的生成指示温度场的炉（T ）被用于在垂直于所述均化在一个平面中的温度场布置在炉中，用于接收被并排在定向温度场布置侧熔体多个坩埚（14），以及装置（21A，21B，24，26）在所述至少两个坩埚第一方向。在该装置中，可以通过填充材料（24），其被引入到坩埚之间的空隙，并配备有各向异性的热导率，以优选带来径向定向的热传输作用。另外或替代地，这可能是也向装置，用于产生行进磁场（21A，21B）的行为，与填充材料（24）配合。

6. 发明申请

WO2008101626A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON (AL, GA)INN-KRISTALLEN 审中-公开
标题翻译：用于生产（AL，GA）INN晶体
公开(公告)号：WO2008101626A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/EP2008/001107
申请日：2008-02-14
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , LEIBIGER, Gunnar , HABEL, Frank
发明人： LEIBIGER, Gunnar , HABEL, Frank
IPC分类号： C30B29/40 , H01L21/205 , H01L33/00 , C30B25/02
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/32
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von (AI, Ga)InN und AIGaInN Einkristallen mittels eines modifizierten HVPE-Verfahrens, sowie (AI, Ga)InN und AIGaInN Bulkkristalle hoher Güte, insbesondere Homogenität. Die mittels des erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten III-V-Verbindungshalbleiter werden in der Optoelektronik, insbesondere für blaue, weiße und grüne LEDs, sowie für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzfeldeffekt-transistoren verwendet.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过改进的HVPE方法来制备（AI，Ga）的INN和AIGaInN单晶，以及（Al，Ga）的INN和AIGaInN的高品质，特别是均匀性块状晶体的新方法。通过本发明的方法制造的III-V族化合物半导体可以在光电子被使用，特别是用于蓝色，白色和绿色LED，以及用于高性能，高温和高频场效应晶体管。

7. 发明申请

WO2007128522A2 PROCESS FOR PRODUCING A III-N BULK CRYSTAL AND A FREE-STANDING III -N SUBSTRATE, AND III -N BULK CRYSTAL AND FREE-STANDING IH-N SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：制备III-N体积晶体和自由基III-N底物的方法和III-N大块晶体和自由置换的III-N底物
公开(公告)号：WO2007128522A2
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/EP2007/003961
申请日：2007-05-04
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , LEIBIGER, Gunnar , HABEL, Frank , EICHLER, Stefan
发明人： LEIBIGER, Gunnar , HABEL, Frank , EICHLER, Stefan
IPC分类号： C30B25/16 , C30B29/40
CPC分类号： C30B25/16 , C30B25/00 , C30B29/40 , C30B29/403 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： The invention describes a process for producing a III -N bulk crystal, wherein III denotes at least one element selected from group III of the periodic system, selected from Al, Ga and In, wherein the III -N bulk crystal is grown by vapor phase epitaxy on a substrate, and wherein the growth rate is measured in real-time. By actively measuring and controlling the growth rate in situ, i.e. during the epitaxial growth, the actual growth rate can be maintained essentially constant. In this manner, III-N bulk crystals and individualized III-N single crystal substrates separated therefrom, which respectively have excellent crystal quality both in the growth direction and in the growth plane perpendicular thereto, can be obtained.
摘要翻译：本发明描述了一种制备III-N体晶的方法，其中III表示选自Al，Ga和In的周期系的III族中的至少一种元素，其中III-N体结晶通过气相生长在衬底上的外延，并且其中实时测量生长速率。通过主动地测量和控制原位生长速率，即在外延生长期间，实际生长速率可以保持基本恒定。以这种方式，可以获得在其生长方向和与其垂直的生长平面中分别具有优异的晶体质量的分离的III-N本体晶体和个体化III-N单晶基板。

8. 发明申请

WO2016150850A2 ZÜCHTUNG VON A-B KRISTALLEN OHNE KRISTALLGITTER-KRÜMMUNG 审中-公开
标题翻译： AB选育晶体不含结晶格曲线
公开(公告)号：WO2016150850A2
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/055956
申请日：2016-03-18
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人： WEINERT, Berndt , HABEL, Frank , LEIBIGER, Gunnar
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： C30B25/08 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von III-V-, IV- IV- oder II-VI-Verbindungshalbleiterkristallen. Das Verfahren beginnt mit dem das Bereitstellen eines Substrats mit optional einer Kristallschicht (Pufferschicht). Nachfolgend wird eine Gasphase bereitgestellt, die mindestens zwei bei einer Reaktionstemperatur im Kristallwachstumsreaktor gasförmige und bei den gewählten Reaktorbedingungen miteinander reaktionsfähige Reaktanden der Elemente für den Verbindungshalbleiter (II, III, IV, V, VI) aufweist. Das Verhältnis der Konzentrationen von zwei der Reaktanden wird so eingestellt, dass der Verbindungshalbleiterkristall aus der Gasphase auskristallisieren kann, wobei die Konzentration so hoch gewählt wird, dass Kristallbildung möglich ist, wobei durch eine Zugabe bzw. Einstellung von Reduktionsmittel und Co-Reaktand die Aktivität der III-, IV- bzw. II-Verbindung in der Gasphase gesenkt wird, dass die Wachstumsrate des Kristalls im Vergleich zu einem Zustand ohne Co-Reaktand geringer ist. Dabei wird der Verbindungshalbleiterkristall an einer Oberfläche des Substrats abgeschieden, während sich eine flüssige Phase auf dem wachsenden Kristall ausbilden kann. Ferner können Hilfssubstanzen beigefügt werden, welche auch in der flüssigen Phase enthalten sein können, sich aber nur in geringen Mengen in den Verbindungshalbleiterkristall einbauen. Hierbei können gezielt 3D- und 2D-Wachstumsmodi gesteuert werden. Die Zugabe von Hilfssubstanzen sowie die Präsenz einer flüssigen Phase begünstigen diese Maßnahmen. Das Produkt ist ein Einkristall vom jeweiligen III-V-, IV-IV- bzw. II-VI-Verbindungshalbleiter-Kristall, welcher eine im Vergleich zu jeweils herkömmlichen Verbindungshalbleiterkristallen geringere Konzentration an Einschlüssen bzw. Präzipitaten besitzt und dennoch keine oder eine nur sehr geringe Krümmung besitzt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于III-V，IV-IV族或II-VI族化合物半导体晶体的制备方法。该方法开始于提供具有可选的结晶层（缓冲层）的基板。随后，在具有至少两个在所述化合物半导体的元件的所选择的反应器条件的反应物的气态和相互反应的晶体生长反应器的反应温度，提供了一种气相（II，III，IV，V，VI）。两种反应物的浓度比进行调整，使得所述化合物半导体晶体能够从气相中，其中的浓度是如此之高，晶体的形成是可能的，由还原剂和共反应物的添加或调整结晶出来是的活性 III，IV或II化合物降低在气相中，该晶体的与在没有共反应剂是低的状态相比的生长速率。在此，化合物半导体晶体沉积在基底的表面上，同时可以在生长的晶体中形成液相。进一步的辅助物质可以被添加，其也可以包含在液相中，但只被安装在化合物半导体晶体中的少量。这里，3D和2D生长模式可以具体控制。辅助物质的加入和液相利于这些措施的存在。该产品是由具有每个III-V，IV-IV族或II-VI族化合物半导体晶体的单晶一个与每个常规化合物半导体晶体的夹杂物或析出物的浓度较低，但没有或只有非常低的比较弯曲了。

9. 发明申请

WO2009062744A1 VERFAHREN ZUM TRENNEN VON EINKRISTALLEN 审中-公开
标题翻译：方法分离单晶的
公开(公告)号：WO2009062744A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/EP2008/009676
申请日：2008-11-14
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , HAMMER, Ralf , JURISCH, Manfred
发明人： HAMMER, Ralf , JURISCH, Manfred
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/00 , B28D5/0064 , Y10S117/915 , Y10T225/12 , Y10T428/24802 , Y10T428/31678
摘要： Es wird ein Verfahren zum Trennen von Einkristallen bereitgestellt mit den Schritten: Vorjustieren der kristallographischen Spaltebene (2') zur Spaltvorrichtung; Vorgeben einer Spannungsintensität (K) über Spannungsfelder (3', 4'); Für die vorgegebenen Spannungsfelder (3', 4') Bestimmen der Energiefreisetzungsrate G(α) bei Rissfortschritt in Abhängigkeit vom möglichen Ablenkwinkel (α) von der Spaltebene; und Erzeugen der Spannungsfelder (3', 4'); Steuern oder Regeln der Spannungsfelder (31, 4') und/oder der Vorjustierung derart, dass im Einkristall eine Rissausbreitung erfolgt, wobei G (0) > 2 γ e (0) und gleichzeitig zusätzlich mindestens eine der Bedingungen (2.1) oder (2.2) erfüllt sind, wobei die Symbole im Text erklärt sind.
摘要翻译：提供了一种包括用于分离单晶的方法的以下步骤：结晶裂开面（2“）的预调整到间隙装置; 预先经由应力场的应力强度（K）（3”，4' ）; 对于依赖于辊缝平面的可能的偏转角（A）（A）在裂纹扩展预定电压场（3”，4' ）确定的能量释放率G; 并产生应力场（3”，4' ）; 控制或调节应力场（31，4“）和/或所述预调整，使得裂纹扩展在单晶时，其特征在于，G（0）> 2 E（0），而在另外的至少其中的一个条件（2.1）或（2.2 满意），其中符号的文本解释。

10. 发明申请

WO2006061043A1 WERKSTÜCKHALTERUNG UND VERFAHREN ZUM DRAHTSÄGEN 审中-公开
标题翻译：工作支持和方法的线锯
公开(公告)号：WO2006061043A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/EP2004/014108
申请日：2004-12-10
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , HAMMER, Ralf , GRUZSYNSKY, Ralf
发明人： HAMMER, Ralf , GRUZSYNSKY, Ralf
IPC分类号： B23D57/00 , B28D5/00 , B28D5/04
CPC分类号： B23D57/0046 , B28D5/0082 , B28D5/045
摘要： Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Trennen eines Werkstücks (1, 21) in einer Drahtsäge beschrieben, bei dem ein Werkstück (1, 21) mittels einer Sägeleiste (2, 22) in der Drahtsäge fixiert wird. Bei dem erfindungsgemässen Verfahren wird die Bildung einer Riefe oder eines Absatzes auf der Trennfläche entlang des Trennspaltes beim Übergang vom Werkstück (l, 21) zur Sägeleiste (2, 22) weiter zum Rand der Trennfläche verschoben oder ganz vermieden. Dazu wird das Werkstück (1, 21) während des Trennvorgangs durch eine Sägeleiste (2, 22) derart in der Drahtsäge gehalten, während einer der beiden Durchstosspunkte (9; 29) auf der Oberfläche des Werkstücks (1; 21) und gleichzeitig der andere (10; 30) der beiden Durchstosspunkte (9, 10; 29, 30) auf der Oberfläche der Sägeleiste (2; 22) liegt, der auf der Oberfläche des Werkstücks liegende Durchstosspunkt der eintrittseitige Durchstosspunkt ist.
摘要翻译：公开的是一种方法和用于通过锯带的分离装置在钢丝锯描述的工件（1，21），其中，（22 2）中的线锯是固定的，在工件（1，21）的装置。根据本发明的方法中，一个槽的在从工件（L，21），用于锯带（2，22）进一步移动或到分离表面的边缘过渡的形成或肩部沿分隔间隙在切割表面上完全避免。为了这个目的，通过一个锯条分离操作期间在工件（1，21）（2,22）在所述导线如此保持锯，而两个贯通点（9; 29）中的一个工件（1; 21）的表面上，同时将其他锯带的表面上;所述两个穿孔的点;（10 30）（29，30 9，10）（2; 22），位于入口侧穿刺点的工件刺穿尖端的表面上。

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