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1. 发明申请

WO2020000601A1 水平舟生产法的反应装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020000601A1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：PCT/CN2018/101411
申请日：2018-08-21
申请人：汉能新材料科技有限公司
发明人：雷仁贵 , 肖亚东 , 谈笑天
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/02 , C30B11/00
摘要：本公开提供了一种用于水平舟生产法的反应装置。该装置包括密闭反应管，以及，水平舟容器，其中，所述水平舟容器包括多个第一层水平舟容器，在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器。

2. 发明申请

WO2019186268A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DE MATÉRIAU GAAS ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE PAR ÉPITAXIE D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DE MATÉRIAU GAAS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019186268A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：PCT/IB2019/000207
申请日：2019-03-26
申请人： SOITEC
发明人： GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/42 , H01L21/762
摘要： Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau GaAs comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline de matériau SrTiO 3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau GaAs.

3. 发明申请

WO2014202284A1 KRISTALLISATIONSANLAGE UND KRISTALLISATIONSVERFAHREN ZUR KRISTALLISATION AUS ELEKTRISCH LEITENDEN SCHMELZEN SOWIE ÜBER DAS VERFAHREN ERHÄLTLICHE INGOTS 审中-公开
标题翻译：结晶系统和方法结晶析出结晶，电气熔铅并在过程中可用锭
公开(公告)号：WO2014202284A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/EP2014/059684
申请日：2014-05-13
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.
发明人： DROPKA, Natascha , FRANK-ROTSCH, Christiane , LANGE, Ralph-Peter , KRAUSE, Petra
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/42 , C30B30/04 , C30B35/00
CPC分类号： C30B29/42 , C30B11/007 , C30B30/04 , C30B35/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Kristallisationsanlage zur Herstellung von Kristallen durch gerichtete Erstarrung aus elektrisch leitenden Schmelzen, umfassend: • i. mindestens einen Tiegel (10) zur Aufnahme der Schmelze; • ii. ein Heizer-Magnet-Modul (20), mit ein oder mehreren Spulen (21) und dazugehörigen elektrischen Zuleitungen (200), wobei jedem Tiegel ein Heizer-Magnet-Modul zugeordnet ist; und • iii. eine Steuer- und Stromversorgungseinheit für das Heizer- Magnet-Modul (20). Das dem jeweiligen Tiegel zugeordnete Heizer-Magnet-Modul (20) ist derart angeordnet und elektrisch angesteuert, dass ein Lorentzkraftdichtefeld (40) erzeugbar ist, welches derart gerichtet ist, dass die resultierende Kraftwirkung, relativ zu einer geometrischen Mittelachse (50) des Tiegels (10), entgegen der Wachstumsrichtung nach außen wirkt. Ein weiterer Aspekt der Erfindung bildet ein Verfahren unter Verwendung erfindungsgemäßer Kristallisationsanlage, sowie ein Ingot, der mittels Verfahren und/oder Kristallisationsanlage herstellbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种通过导电熔体的定向凝固生产结晶的结晶植物，包括：•I。至少一个用于接收所述熔融坩埚（10）; •II。加热器磁性模块（20），具有一个或多个线圈（21）和相关联的电引线（200），每个盆用加热器磁性模块相关联; 和•三。为Heizer-磁性模块（20）的控制和电源供应单元。在分配给相应的坩埚加热器体模块（20）被布置并且在通电（40）可产生的洛伦兹力密度场被引导在这样一种方式，所产生的力的效果，相对于坩埚的几何中心轴线（50）（ 10）反作用生长到外部的方向。本发明的另一个方面提供了使用本发明的结晶系统，以及锭，其通过方法和/或结晶系统来制造的方法。

4. 发明申请

WO2010105947A1 MOCVD-REAKTOR MIT EINER ÖRTLICH VERSCHIEDEN AN EIN WÄRMEABLEITORGAN ANGEKOPPELTEN DECKENPLATTE 审中-公开
标题翻译：与本地不同MOCVD反应器以甲WÄRMEABLEITORGAN联接顶板
公开(公告)号：WO2010105947A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053015
申请日：2010-03-10
申请人： AIXTRON AG , BRIEN, Daniel , PÜSCHE, Roland , FRANKEN, Walter
发明人： BRIEN, Daniel , PÜSCHE, Roland , FRANKEN, Walter
IPC分类号： C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/40 , C30B29/42 , C23C16/44 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/463 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/42
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer, insbesondere kristallinen Schicht auf mindestens einem Substrat (5), mit einem, den Boden einer Prozesskammer (1) bildenden Suszeptor (2) zur Aufnahme des mindestens einen Substrates (5), mit einer die Decke der Prozesskammer (1) bildenden Deckenplatte (3) und mit einem Gaseinlassorgan (4) zum Einleiten von sich in der Prozesskammer zufolge Wärmezufuhr in die schichtbildende Komponenten zerlegenden Prozessgasen und eines Trägergases, wobei unter- halb des Suszeptors (2) eine Vielzahl von nebeneinander liegenden Heizzonen (H 1 - H 8 ) angeordnet sind, mittels derer insbesondere verschieden hohe Wärmeleistungen ( Q 1 , Q 2 ) in den Suszeptor (2) eingeleitet werden, um dessen zur Prozesskammer (1) weisende Oberfläche und das sich in der Prozesskammer (1) befindende Gas aufzuheizen, wobei oberhalb der Deckenplatte (3) ein mit der Deckenplatte (3) wärmegekoppeltes Wärmeableitorgan (8) vorgesehen ist, um die vom Suszeptor (2) zur Deckenplatte (3) transportierte Wärme abzuleiten. Zur Steigerung der Kristallqualität und der Effizienz des Abscheidungsprozesse, wird vorgeschlagen, dass die Wärmeleitkopplung zwischen Deckenplatte (3) und Wärmeableitorgan (8) örtlich verschieden ist, wobei Wärmeleitkopplungszonen (Z 1 - Z 8 ) hoher Wärmeleitfähigkeit örtlich zu Heizzonen (H 1 -H 8 ) hoher Wärmeleistung (Q 1 , Q 2 ) korrespondieren.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，用于沉积的至少一个，在特定的结晶层的至少一个基板（5）上，其中一个中，处理腔室的地板（1）形成在基座（2），用于接收所述至少一个基板（5），与天花板处理室（1）形成顶板（3）和具有气体入口构件（4），用于在根据热在成膜组分的处理室中分解工艺气体和载气导入，其中所述基座的下面（2）具有多个并置的加热区（H1 - H8）被布置成借助于该特定不同的高热量输出（Q1，Q2）在基座（2），以加热所述处理腔室（1）的表面和延伸到所述处理腔室（1）利用Dende气体来发起其中，所述顶板（3）与所述顶板（3）上方热耦合Wärmeableitorgan（8）由Suszept提供或（2）在天花板面板（3）输送散热。为了提高晶体质量和沉积工艺的效率，所以建议顶板之间的Wärmeleitkopplung（3）和Wärmeableitorgan（8）是局部不同，Wärmeleitkopplungszonen（Z1 - Z8）高的热导率以局部加热区域（H1-H8）高的热容量（ Q1，Q2）相符。

5. 发明申请

WO2009147974A1 ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法审中-公开
标题翻译：用于红外线LED的LED（1-X）基板，外延晶体管，红外LED，生产ALXGA（1-X）基板的方法，用于生产红外LED的外延晶体的方法和用于生产红外LED的方法
公开(公告)号：WO2009147974A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/JP2009/059647
申请日：2009-05-27
申请人：住友電気工業株式会社 , 田中聡 , 宮原賢一 , 北林弘之 , 片山浩二 , 森下知典 , 森分達也
发明人：田中　聡 , 宮原　賢一 , 北林　弘之 , 片山　浩二 , 森下　知典 , 森分　達也
IPC分类号： C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628 , H01L33/0062 , H01L33/0079
摘要：本発明は、高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い発光出力特性を有するデバイスとなる、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ（０≦ｘ≦１）基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法を提供する。本発明のＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板１０ａは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ層１１を備えたＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板１０ａであって、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高いことを特徴としている。またＡｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。
摘要翻译：本发明公开了一种Al x Ga（1-x）As（0 = x = 1）衬底，其能够将其透射性保持在高水平，并且能够制造具有高光输出性能的器件; 用于红外LED的外延晶片; 红外LED; 一种制造Al x Ga（1-x）As衬底的方法; 一种用于制造用于红外LED的外延晶片的方法; 以及红外线LED的制造方法。具体公开的是Al x Ga（1-x）As衬底（10a），其特征在于包括具有主表面（11a）和与主体（11a）相对的后表面（11b）的Al x Ga（1-x）As层表面（11a），其中后表面（11b）中的Al的含量（x）高于Al x Ga（1-x）As层（11）中的主表面（11a）中的含量（x）。 Al x Ga（1-x）As衬底（10a）还可以包括与Al x Ga（1-x）As层（11）的后表面（11b）相邻布置的GaAs衬底（13）。

6. 发明申请

WO2008148542A1 ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KRISTALLS AUS DER SCHMELZE EINES ROHMATERIALS SOWIE EINKRISTALL 审中-公开
标题翻译：装置和方法用于生产晶体由原料和单晶的熔体
公开(公告)号：WO2008148542A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/EP2008/004450
申请日：2008-06-04
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , EICHLER, Stefan , BÜNGER, Thomas , BUTTER, Michael , RÜHMANN, Rico , SCHEFFER-CZYGAN, Max
发明人： EICHLER, Stefan , BÜNGER, Thomas , BUTTER, Michael , RÜHMANN, Rico , SCHEFFER-CZYGAN, Max
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/00
CPC分类号： H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
摘要： Eine Anordnung (1) zur Herstellung eines Kristalls aus der Schmelze (16) eines Rohmaterials umfasst : einen Ofen mit einer ein oder mehrere Heizelemente (20, 21) aufweisenden Heizvorrichtung, die zur Erzeugung eines in einer ersten Richtung (18) gerichteten Temperaturfeldes (T) in dem Ofen eingerichtet ist, eine Vielzahl von Tiegeln (14) zur Aufnahme der Schmelze, die nebeneinander in dem gerichteten Temperaturfeld angeordnet sind, und eine Einrichtung (21a, 21b, 24, 26) zur Homogenisierung des Temperaturfelds in einer Ebene senkrecht zu der ersten Richtung in den wenigstens zwei Tiegeln. Bei der Einrichtung kann es sich um Füllmaterialien (24) handeln, die in die Zwischenräume zwischen den Tiegeln eingebracht werden und mit anisotropen Wärmeleitfähigkeiten ausgestattet sind, um bevorzugt einen radial gerichteten Wärmetransport herbeizuführen. Zusätzlich oder alternativ kann es sich dabei auch um Geräte zur Erzeugung von magnetischen Wanderfeldern (21a, 21b) handeln, die mit Füllmaterialien (24) zusammenwirken.
摘要翻译：的装置（1）包括用于从原料的熔融物（16）生产的晶体的：具有一个或多个加热元件（20，21），其具有加热器，在第一方向（18）朝向的生成指示温度场的炉（T ）被用于在垂直于所述均化在一个平面中的温度场布置在炉中，用于接收被并排在定向温度场布置侧熔体多个坩埚（14），以及装置（21A，21B，24，26）在所述至少两个坩埚第一方向。在该装置中，可以通过填充材料（24），其被引入到坩埚之间的空隙，并配备有各向异性的热导率，以优选带来径向定向的热传输作用。另外或替代地，这可能是也向装置，用于产生行进磁场（21A，21B）的行为，与填充材料（24）配合。

7. 发明申请

WO99067449A1 MONOCRYSTALLINE POWDER AND MONOGRAIN MEMBRANE PRODUCTION 审中-公开
标题翻译： EINKRISTALLPULVER-和单粮食生产REED
公开(公告)号：WO99067449A1
公开(公告)日：1999-12-29
申请号：PCT/DE1999/001870
申请日：1999-06-23
IPC分类号： C30B9/00 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48
CPC分类号： C30B9/00 , C30B29/40 , C30B29/46 , C30B29/60
摘要： In order to produce a monocrystalline powder, a melt is produced and a fluxing agent is added. The melt contains semiconductor material components, for example copper-indium diselenide, generally in a stoichiometric composition. As a rule, the melt is heated to temperatures of between 300 DEG C and 1000 DEG C. Monocrystalline powder grains are then grown. The desired recrystallisation occurs at temperatures above the melting point of the materials to be melted. When the powder grains have the desired size, growth is interrupted by quenching. The suitable moment for quenching and the suitable temperature curve for obtaining the desired powder grain sizes are determined, for example, by preliminary tests. The fluxing agent is finally removed. Monograin membranes are produced in the known way from the powders produced by the disclosed process and used in solar cells, in particular. The process is simple and cost-effective, and produces powder grains of uniform size.
摘要翻译：对于单结晶粉末的制备中，生成的熔融和助熔剂加入。熔体包括半导电材料的组分，因此例如铜铟二硒化物的化学计量组合物的组分和确实通常。熔体通常被加热到300℃和1000℃之间的温度有成长单晶硅粉末颗粒。所需的再结晶发生的温度下熔化的材料的熔点以上。分配粉末颗粒所需的大小，所以生长通过淬火终止。淬火以及适当的温度分布的适当的时间，以实现所希望的粉末量是例如通过初步测试确定。然后磁通被去除。单粒子膜以已知的方式从该方法根据尤其是在太阳能电池生产和使用粉末制备。这个过程很简单，价格低廉。大粉末颗粒均匀地它形成。

8. 发明申请

WO2020121526A1 半絶縁性ＧａＡｓ基板およびＧａＡｓ基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020121526A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：PCT/JP2018/046154
申请日：2018-12-14
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：石川　幸雄 , 羽木　良明
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/00
摘要：主面の面方位が（１００）面である半絶縁性ＧａＡｓ基板であって、前記半絶縁性ＧａＡｓ基板は、直径が１５０ｍｍ以上である円盤状の形状を有し、前記半絶縁性ＧａＡｓ基板は、前記主面の中心を第１測定点とし、前記第１測定点から［０１０］方向に沿って前記半絶縁性ＧａＡｓ基板の外周に至る第１線分の中点を第２測定点とし、前記第１線分上の前記外周から１０ｍｍ内側となる点を第３測定点とし、前記第１測定点、前記第２測定点および前記第３測定点で転位密度を測定した場合、これらの測定値の差が２０００ｃｍ -2 以内である。

9. 发明申请

WO2019058483A9 半絶縁性ヒ化ガリウム結晶基板审中-公开
公开(公告)号：WO2019058483A9
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/JP2017/034096
申请日：2017-09-21
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：河本　真弥 , 木山　誠 , 石川　幸雄 , 橋尾　克司
IPC分类号： C30B29/42
摘要：半絶縁性ヒ化ガリウム結晶基板は、面方位が（１００）の直径２Ｒｍｍの主面において、上記主面の中心から［０１０］方向に、０ｍｍ、０．５Ｒｍｍ、および（Ｒ－１７）ｍｍの距離の点を中心とする３つの測定領域のそれぞれについて、比抵抗の平均値が５×１０ 7 Ω・ｃｍ以上であり、比抵抗の標準偏差を比抵抗の平均値で除して得られる変動係数が０．５０以下である。

10. 发明申请

WO2019008663A1 ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板审中-公开
公开(公告)号：WO2019008663A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/JP2017/024463
申请日：2017-07-04
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：福永　寛 , 秋田　勝史 , 石川　幸雄
IPC分类号： C30B29/42
摘要：ヒ化ガリウム結晶体は、エッチングピット密度が１０個・ｃｍ -2 以上１００００個・ｃｍ -2 以下であり、酸素濃度が７．０×１０ 15 原子・ｃｍ -3 未満である。ヒ化ガリウム結晶基板は、エッチングピット密度が１０個・ｃｍ -2 以上１００００個・ｃｍ -2 以下であり、酸素濃度が７．０×１０ 15 原子・ｃｍ -3 未満である。

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