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1. 发明申请

WO2015152551A1 단결정 금속 극세선 제조방법 审中-公开
标题翻译：制造单晶金属超导线的方法
公开(公告)号：WO2015152551A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/KR2015/002836
申请日：2015-03-23
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 정세영 , 박상언 , 이승훈 , 정승 , 양훈철
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： B21C1/003 , B21C1/08 , B22F1/0025 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/02 , C30B33/00
摘要： 본 발명은 단결정 금속 극세선 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 육성한 단결정 금속을 원형 또는 사각 단면으로 형태 가공한 후 신선기로 인발시켜 장선의 단결정 극세선을 연속적으로 제조함에 따라, 제조 공정을 간소화하여 제조 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 전기저항을 저하시켜 품질도 향상시킬 수 있는 단결정 금속 극세선 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 초크랄스키 또는 브리지만 방법으로 단결정 금속 잉곳을 육성하는 제1단계; 상기 단결정 금속 잉곳을 일정 형태의 단결정 금속으로 형태 가공하는 제2단계; 및 상기 단결정 금속을 인발 가공하여 단결정 금속 극세선의 제조를 완료하는 제3단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 금속 극세선 제조방법을 기술적 요지로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种单晶金属超细线的制造方法，更具体地说，涉及一种单晶金属超细线的制造方法，该方法是连续制造长丝的单晶超细丝，生长的单晶金属的形状具有圆形或四边形横截面并且使用拉丝机拉伸生长的单晶金属，从而通过简化制造程序可以降低制造成本，并且可以通过降低电阻来提高质量。本发明的单晶金属超细线的制造方法包括：使用Czochralski或Bridgman法生长单晶金属锭的第一步骤; 将单晶金属锭的形状加工成单晶金属的一定形状的第二工序; 以及通过拉伸单晶金属来完成单晶金属超细线的制造的第三步骤。

2. 发明申请

WO2015116361A1 CASTING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING MULTI-TEXTURED, SINGLE CRYSTAL MICROSTRUCTURE 审中-公开
标题翻译：铸造装置和形成多层结构单晶微结构的方法
公开(公告)号：WO2015116361A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/US2015/010727
申请日：2015-01-09
申请人： UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人： BULLIED, Steven J. , FURRER, David Ulrich , MARCIN, John Joseph , SEETHARAMAN, Venkatarama K.
IPC分类号： B22D27/08 , B22C9/04
CPC分类号： B22D27/045 , B22C9/04 , B22D27/08 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B11/02 , C30B29/06
摘要： An investment casting apparatus includes a furnace having an opening, a mold support, and a multi-axis actuator connected with the mold support and configured to retract the mold support from the opening with multiple-axis motion. An investment casting method includes withdrawing, with multiple-axis motion, a mold through the opening of the furnace to solidify a molten metal- or metalloid-based material in the mold. The apparatus and method can be used to form a cast article that has a body formed of the metal- or metalloid-based material. The body has a multi-textured, single crystal microstructure.
摘要翻译：熔模铸造装置包括具有开口的炉，模具支撑件和与模具支撑件连接的多轴致动器，并被配置为使模具支撑件从多个轴线运动的开口缩回。熔模铸造方法包括通过炉的开口取出多轴运动的模具，以使模具中的熔融金属或准金属基材料固化。该装置和方法可用于形成具有由金属或准金属基材料形成的主体的铸造制品。身体具有多纹理，单晶微结构。

3. 发明申请

WO2014191899A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM PAR REPRISE SUR GERMES EN FOUR DE SOLIDIFICATION DIRIGEE 审中-公开
标题翻译：通过生长在定向固化炉中的种子上制造硅圆柱的方法
公开(公告)号：WO2014191899A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/IB2014/061722
申请日：2014-05-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： PIHAN, Etienne , AMARAL DE OLIVEIRA, Vanessa , CAMEL, Denis , CHAVRIER, Denis , FORTIN, Gautier , JOUINI, Anis , MARIE, Benoit , PLASSAT, Nelly
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/00 , B28D5/04 , B28D5/045 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium par reprise sur germes en four de solidification dirigée, comprenant au moins les étapes consistant en: (i) disposer d'un creuset (1) d'axe (Z) longitudinal, dont le fond comporte un pavage de germes (2) de silicium monocristallin de forme prisme droit; et (ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes, selon une direction de croissance colinéaire à l'axe (Z) et avec un front de solidification, spatialement ou temporellement, concave; caractérisé en ce que le pavage en étape (i) est formé: - d'un ou plusieurs germes centraux G c ; et - d'un ou plusieurs germes périphériques G p , contigu(s) au(x) germe(s) G c , les germes périphériques G p étant dimensionnés de manière spécifique.
摘要翻译：本发明涉及一种通过在定向凝固炉中种子生长来制造硅胶圆筒的方法，该方法至少包括以下步骤：（i）提供具有纵向轴线（Z）的坩埚（1），其中底部被覆有一层具有右棱镜形状的单晶硅晶种（2）; 和（ii）通过在种子上生长的方向，在与轴线（Z）和凹形固化前沿在空间上或时间上同向的生长方向进行硅的有向凝固; 其特征在于步骤（i）中的层包括：一个或多个中心种子Gc; 以及与种子Gc相邻的一种或多种外周种子Gp，外周种子Gp具有特定尺寸。

4. 发明申请

WO2013171290A1 IMPROVED PRODUCTION OF MONO-CRYSTALLINE SILICON 审中-公开
标题翻译：改善单晶硅的生产
公开(公告)号：WO2013171290A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/EP2013/060105
申请日：2013-05-15
申请人： REC WAFER PTE LTD. , FEFELOV, Oleg , SAUAR, Erik , VLADIMIROV, Egor
发明人： FEFELOV, Oleg , SAUAR, Erik , VLADIMIROV, Egor
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/045 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B29/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y10T117/1092
摘要： A crystalline silicon ingot is produced using a directional solidification process. In particular, a crucible is loaded with silicon feedstock above a seed layer of uniform crystalline orientation. The silicon feedstock and an upper part of the seed layer are melted forming molten material in the crucible. This molten material is then solidified, during which process a crystalline structure based on that of the seed layer is formed in a silicon ingot. The seed layer is arranged such that a {110} crystallographic plane is normal to the direction of solidification and also so that a peripheral surface of the seed layer predominantly also lies in a {110}crystallographic plane. It is found that this arrangement offers a substantial improvement in the proportion of mono-crystalline silicon formed in the ingot as compared to alternative crystallographic orientations.
摘要翻译：使用定向凝固工艺制造晶体硅锭。特别地，坩埚在均匀晶体取向的种子层上方加载有硅原料。将硅原料和种子层的上部熔化成在坩埚中形成熔融材料。然后将该熔融材料固化，在此过程中，以硅锭形成基于籽晶层的晶体结构。种子层被布置成使得{110}结晶平面垂直于凝固方向，并且也使种子层的外围表面主要也位于{110}晶面。发现与替代晶体取向相比，这种布置提供了在锭中形成的单晶硅的比例的显着改善。

5. 发明申请

WO2013149560A1 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片审中-公开
公开(公告)号：WO2013149560A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/CN2013/073364
申请日：2013-03-28
申请人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
发明人：胡动力 , 何亮 , 万跃鹏 , 雷琦 , 陈红荣 , 张涛 , 钟德京
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B28/06 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B11/04 , C30B11/14 , C30B29/06 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L31/03682
摘要：本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚底部设置硅质形核源层，在所述硅质形核源层上方填装硅料；加热使硅料熔化，调节所述坩埚内热场，使熔化的硅料在所述硅质形核源层基础上开始长晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用该制备方法能使多晶硅锭得到良好的初始形核，降低多晶硅锭在生长过程中的位错繁殖。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。

6. 发明申请

WO2013137989A1 SINGLE CRYSTALLINE MICROSTRUCTURES AND METHODS AND DEVICES RELATED THERETO 审中-公开
标题翻译：单晶微结构及其相关方法和装置
公开(公告)号：WO2013137989A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/US2013/024128
申请日：2013-01-31
申请人： ETREMA PRODUCTS, INC.
发明人： SUMMERS, Eric , MELOY, Rob
IPC分类号： B01D19/00 , G06F19/00
CPC分类号： C30B29/52 , B22D7/00 , C21D1/26 , C21D6/00 , C21D9/46 , C22C33/04 , C22C38/002 , C22C38/12 , C30B11/02 , C30B33/02 , H01F1/147 , H01F1/16 , H01L41/20 , H01L41/47 , H02N2/186 , Y10T428/12 , Y10T428/12958 , Y10T428/13
摘要： A product, such as one or more thin sheets, each containing a single or near-single crystalline inclusion-containing magnetic microstructure, is provided. In one embodiment, the inclusion-containing magnetic microstructure is a Galfenol-carbide microstructure. Various methods and devices, as well as compositions, are also described.
摘要翻译：提供了包含单一或近似单晶的含结晶夹杂物的磁性微结构的产品，例如一个或多个薄片。在一个实施方案中，含夹杂物的磁性显微组织是Galfenol-碳化物微观结构。还描述了各种方法和装置以及组合物。

7. 发明申请

WO2015127157A3 MULTI-ZONE VARIABLE POWER DENSITY HEATER APPARATUS 审中-公开
标题翻译：多区可变功率密度加热器
公开(公告)号：WO2015127157A3
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/US2015016733
申请日：2015-02-20
申请人： MOMENTIVE PERFORMANCE MAT INC
发明人： LU ZHONG-HAO , BHOSALE ROHIT ARUN , MORE JACQUELINE M , NATARAJAN SUDARSHAN , REYES JOSEPH PATRICK
IPC分类号： C30B13/14 , C30B13/18 , C30B13/22
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B29/42 , H05B3/12 , H05B3/26 , H05B2203/005 , H05B2203/013 , H05B2203/037
摘要： A heater comprises a plurality of zones with at least two zones having a variable power density gradient different from one another. The heater having zones of different variable power density gradients allows for controlling the heat output and temperature profile of the heater in one or more directions of the heater. The heater can be used, for example, to control the temperature profile in a vertical direction.
摘要翻译：加热器包括具有至少两个具有彼此不同的可变功率密度梯度的区域的多个区域。具有不同功率密度梯度的区域的加热器允许在加热器的一个或多个方向上控制加热器的热输出和温度分布。例如，加热器可以用于在垂直方向上控制温度分布。

8. 发明申请

WO2014034794A1 ペロブスカイト構造の固体電解質単結晶及びその製造方法审中-公开
标题翻译：具有层状结构的固体电解质单晶及其制造方法
公开(公告)号：WO2014034794A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/JP2013/073184
申请日：2013-08-29
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人信州大学
发明人：藤原　靖幸 , 干川　圭吾
IPC分类号： C30B29/30 , C30B11/00
CPC分类号： H01M10/0562 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B29/30 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0071
摘要：本発明は、ペロブスカイト構造の固体電解質単結晶及びその製造方法を提供することを主目的とする。本発明は、ペロブスカイト構造の固体電解質単結晶を製造するための原料を、固体電解質の融点以上の温度に加熱することにより溶融体を得る加熱工程と、得られた溶融体を、固体電解質の凝固点以下の温度へ冷却する冷却工程とを有する、ペロブスカイト構造の固体電解質単結晶の製造方法とし、該製造方法によって製造されるペロブスカイト構造の固体電解質単結晶とする。
摘要翻译：本发明的主要目的是提供：具有钙钛矿结构的固体电解质单晶; 以及具有钙钛矿结构的固体电解质单晶的制造方法。本发明涉及一种具有钙钛矿结构的固体电解质单晶的制造方法，其包括加热工序，其中通过将具有钙钛矿结构的固体电解质单晶的原料加热至温度不低于固体电解质的熔点，以及将由此获得的熔体冷却至不高于固体电解质的凝固点的温度的冷却步骤; 以及通过该制造方法制造的具有钙钛矿结构的固体电解质单晶。

9. 发明申请

WO2013112884A3 METHOD FOR PURIFICATION OF SILICON 审中-公开
标题翻译：纯化硅的方法
公开(公告)号：WO2013112884A3
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/US2013023215
申请日：2013-01-25
申请人： TURENNE ALAIN , SMITH DAN , DASTGIRI DAMON , KIRSCHT FRITZ G , TUMMILLO ANTHONY , ZHANG CHUNHUI , OUNADJELA KAMEL
发明人： TURENNE ALAIN , SMITH DAN , DASTGIRI DAMON , KIRSCHT FRITZ G , TUMMILLO ANTHONY , ZHANG CHUNHUI , OUNADJELA KAMEL
IPC分类号： C30B29/06 , B24C1/00 , B24C1/08 , C30B33/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B33/00
摘要： The present invention relates to the purification of silicon. The present invention provides a method for purification of silicon. The method includes recrystallizing starting material-silicon from a molten solvent comprising aluminum to provide final recrystallized-silicon crystals. The method also includes washing the final recrystallized-silicon crystals with an aqueous acid solution to provide a final acid-washed-silicon. The method also includes directionally solidifying the final acid-washed-silicon to provide final directionally solidified-silicon crystals.
摘要翻译：本发明涉及硅的纯化。本发明提供一种硅纯化方法。该方法包括从包含铝的熔融溶剂中重结晶原料硅，以提供最终的重结晶硅晶体。该方法还包括用酸水溶液洗涤最终的重结晶硅晶体以提供最终的酸洗硅。该方法还包括定向凝固最后的酸洗硅以提供最终的定向凝固硅晶体。

10. 发明申请

WO2013112884A2 METHOD FOR PURIFICATION OF SILICON 审中-公开
标题翻译：硅的净化方法
公开(公告)号：WO2013112884A2
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/US2013/023215
申请日：2013-01-25
申请人： TURENNE, Alain , SMITH, Dan , DASTGIRI, Damon , KIRSCHT, Fritz G. , TUMMILLO, Anthony , ZHANG, Chunhui , OUNADJELA, Kamel
发明人： TURENNE, Alain , SMITH, Dan , DASTGIRI, Damon , KIRSCHT, Fritz G. , TUMMILLO, Anthony , ZHANG, Chunhui , OUNADJELA, Kamel
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B33/00
摘要： The present invention relates to the purification of silicon. The present invention provides a method for purification of silicon. The method includes recrystallizing starting material-silicon from a molten solvent comprising aluminum to provide final recrystallized-silicon crystals. The method also includes washing the final recrystallized-silicon crystals with an aqueous acid solution to provide a final acid-washed-silicon. The method also includes directionally solidifying the final acid-washed-silicon to provide final directionally solidified-silicon crystals.
摘要翻译：本发明涉及硅的纯化。本发明提供了一种硅的纯化方法。该方法包括从包含铝的熔融溶剂中重结晶起始材料硅以提供最终的重结晶硅晶体。该方法还包括用酸水溶液洗涤最终的重结晶硅晶体以提供最终的酸洗硅。该方法还包括定向凝固最终的酸洗硅以提供最终的定向凝固硅晶体。

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