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1. 发明申请

WO2012120871A1 半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体衬底，半导体器件和制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2012120871A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/JP2012/001506
申请日：2012-03-05
申请人：住友化学株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 廣山雄一 , 山中貞則 , 秦雅彦 , 板谷太郎 , 前田辰郎
发明人：廣山　雄一 , 山中　貞則 , 秦　雅彦 , 板谷　太郎 , 前田　辰郎
IPC分类号： H01L21/20 , G01R33/07 , H01L43/06
CPC分类号： G01R33/072 , H01L21/02636 , H01L43/065 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、ベース基板の上に位置し、シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、開口により露出するシリコン結晶面の上に位置する第１結晶層と、第１結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第１金属層と、第１結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第２金属層と、を有し、一対の第１金属層のそれぞれを結ぶ第１最短線と、一対の第２金属層のそれぞれを結ぶ第２最短線とが、交わる関係、または、ねじれの位置関係にある半導体基板を提供する。
摘要翻译：提供了一种半导体衬底，其具有：基底，其表面全部或部分地由硅晶面形成; 位于基底基板上的抑制剂具有到达硅晶面的开口，抑制晶体生长; 第一晶体层，其位于从开口露出的硅晶面上; 一对第一金属层，其位于第一晶体层上，通过彼此分离设置; 以及位于第一晶体层上的一对第二金属层，并且通过彼此分离设置。在连接该对第一金属层的第一最短线与连接该对第二金属层的第二最短线之间存在相交关系或扭曲的位置关系。

2. 发明申请

WO2011027577A1 電界効果トランジスタ、半導体基板、電界効果トランジスタの製造方法及び半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：场效应晶体管，半导体基板，制造场效应晶体管的方法以及生产半导体基板的方法
公开(公告)号：WO2011027577A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/JP2010/005461
申请日：2010-09-06
申请人：住友化学株式会社 , 国立大学法人東京大学 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 秦雅彦 , 山田永 , 福原昇 , 高木信一 , 竹中充 , 横山正史 , 安田哲二 , ト部友二 , 宮田典幸 , 板谷太郎 , 石井裕之
发明人：秦　雅彦 , 山田　永 , 福原　昇 , 高木　信一 , 竹中　充 , 横山　正史 , 安田　哲二 , ト部　友二 , 宮田　典幸 , 板谷　太郎 , 石井　裕之
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/26553 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66318 , H01L29/66522
摘要：　ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に接する第１半導体結晶層と、第１半導体結晶層に格子整合または擬格子整合する第２半導体結晶層とを有し、前記ゲート絶縁層、前記第１半導体結晶層および前記第２半導体結晶層が、ゲート絶縁層、第１半導体結晶層、第２半導体結晶層の順に配置されており、前記第１半導体結晶層がＩｎｘ１Ｇａ１－ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１－ｙ１（０＜ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）であり、前記第２半導体結晶層がＩｎｘ２Ｇａ１－ｘ２Ａｓｙ２Ｐ１－ｙ２（０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２≦１、ｙ２≠ｙ１）であり、前記第１半導体結晶層の電子親和力Ｅａ１が前記第２半導体結晶層の電子親和力Ｅａ２より小さい電界効果トランジスタを提供する。
摘要翻译：公开了一种场效应晶体管，其包括栅极绝缘层，与栅极绝缘层接触的第一半导体晶体层和与第一半导体晶体晶格匹配或准晶格匹配的第二半导体晶体层层。栅极绝缘层，第一半导体晶体层和第二半导体晶体层依次顺序排列，第一半导体晶体层由In x1Ga1-x1Asy1P1-y1（其中0×2Ga1-x2Asy2P1-y2（其中0 = x2 = 1,0 = y2 = 1和y2≤y1），第一半导体晶体层的电子亲和力（Ea1）小于第二半导体晶体层的电子亲和力（Ea2）。

3. 发明申请

WO2010140373A1 センサ、半導体基板、および半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：传感器，半导体基板和制造半导体基板的方法
公开(公告)号：WO2010140373A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/JP2010/003723
申请日：2010-06-03
申请人：住友化学株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 秦雅彦 , 高田朋幸 , 山中貞則 , 板谷太郎
发明人：秦　雅彦 , 高田　朋幸 , 山中　貞則 , 板谷　太郎
IPC分类号： H01L31/10 , G01J1/02 , H01L27/14 , H01L35/32
CPC分类号： H01L27/1446 , G01J5/024 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/1035 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：　シリコンを含むベース基板と、ベース基板上方に設けられたシード体と、シード体に格子整合または擬格子整合し、光または熱を吸収してキャリアを生成する３－５族化合物半導体からなる光熱吸収体とを備え、光熱吸収体が、光熱吸収体に入射する入射光または光熱吸収体に加わる熱に応じて電気信号を出力するセンサが提供される。また、シリコンを含むベース基板と、ベース基板の上方に形成され、ベース基板の表面を露出する開口を有し、結晶成長を阻害する阻害体と、開口の内部に設けられたシード体と、シード体に格子整合または擬格子整合し、光または熱を吸収してキャリアを生成する３－５族化合物半導体からなる光熱吸収体とを備える半導体基板が提供される。
摘要翻译：提供了一种传感器，其包括含硅的基底基板，设置在基底基板上的种子体和光吸收体。光/吸热体与晶体晶格匹配或伪晶格匹配，并且由吸收光或热以产生载体的III-V族化合物半导体形成。光/吸热体根据进入光/吸热体的入射光或施加到光/吸热体的热量输出电信号。此外，提供了一种半导体衬底，其包括含有硅的基底衬底，抑制体，种子体和光吸收体。抑制体形成在基底基板上，具有露出基底基板的表面的开口，并抑制晶体生长。种子体设置在开口中。光/吸热体与种子晶格匹配或伪晶格匹配，并且由吸收光或热以产生载体的III-V族化合物半导体形成。

4. 发明申请

WO2010140371A1 半導体基板、光電変換デバイス、半導体基板の製造方法、および光電変換デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体基板，光电转换装置，制造半导体基板的方法和制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2010140371A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/JP2010/003721
申请日：2010-06-03
申请人：住友化学株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 秦雅彦 , 板谷太郎
发明人：秦　雅彦 , 板谷　太郎
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/052
CPC分类号： H01L31/0522 , H01L27/142 , H01L31/028 , H01L31/03046 , H01L31/0392 , H01L31/0475 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に形成され、ベース基板の表面を露出する開口を有し、結晶成長を阻害する阻害体と、開口の内部に露出されたベース基板の表面に接して、開口の内部に形成された光吸収構造体と、を備え、光吸収構造体は、第１伝導型第１半導体と、第１伝導型第１半導体の上方に形成され、第１伝導型第１半導体と反対の伝導型を有する第２伝導型第１半導体と、第１伝導型第１半導体と第２伝導型第１半導体との間に形成され、第１伝導型第１半導体および第２伝導型第１半導体よりも有効キャリア濃度が低い低キャリア濃度第１半導体とを含む第１半導体と、第２伝導型第１半導体に格子整合または擬格子整合し、第２伝導型第１半導体と反対の伝導型を有する第１伝導型第２半導体と、第１伝導型第２半導体の上方に形成され、第１伝導型第２半導体と反対の伝導型を有する第２伝導型第２半導体と、第１伝導型第２半導体と第２伝導型第２半導体との間に形成され、第１伝導型第２半導体および第２伝導型第２半導体よりも有効キャリア濃度が低い低キャリア濃度第２半導体とを含む第２半導体とを有する半導体基板を提供する。
摘要翻译：公开了一种半导体衬底，其具有：含有硅的基底衬底; 形成在基底基板上的抑制元件具有从基体基板的表面露出的开口，抑制晶体生长; 以及光吸收结构，其通过与暴露在开口内部的基底表面接触而形成在开口内部。光吸收结构具有第一半导体，其包括：第一导电型第一半导体; 第二导电型第一半导体，其形成在第一导电类型的第一半导体之上并且具有与第一导电类型的第一半导体的导电类型相反的导电类型; 以及低载流子浓度的第一半导体，其形成在第一导电型第一半导体与第二导电型第一半导体之间，并且具有比第一导电型第一半导体低的第一导电型第一半导体的有效载流子浓度，。光吸收结构还具有第二半导体，其包括：第一导电型第二半导体，其与第二导电型第一半导体晶格匹配或准晶格匹配，并且具有与第二导电类型相反的导电类型第一半导体; 第二导电类型的第二半导体，其形成在第一导电类型的第二半导体之上并且具有与第一导电类型的第二半导体的导电类型相反的导电类型; 以及低载流子浓度的第二半导体，其形成在第一导电型第二半导体与第二导电型第二半导体之间，并且具有比第一导电型第二半导体低的第二导电类型的第二半导体的有效载流子浓度; 。

5. 发明申请

WO2003100861A1 電気信号伝送線路审中-公开
标题翻译：电信号传输线
公开(公告)号：WO2003100861A1
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：PCT/JP2002/005071
申请日：2002-05-24
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 板谷太郎 , 八木修一
发明人：板谷太郎 , 八木修一
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01P3/003 , H01L27/08
摘要：半導体基板(1)上に形成された、信号電極部(2)とグランド電極部(3)と誘電体部(4)からなり、信号電極部(2)は電気信号が流れる金属電極(21)と上部導電性半導体(22)と下部導電性半導体(23)とを備え、グランド電極部(3)は接地される金属電極(31)と導電性半導体(32)とを備え、上部導電性半導体(22)と下部導電性半導体(23)は、極性が互いに反対となるようにすることで、信号電極部2の金属電極(21)とグランド電極部(3)の金属電極(31)とが半導体のPN接合で接続されるようにし、信号電極部(2)の金属電極(21)とグランド電極部(3)の金属電極(31)との間の電気力線の走る領域に誘電体を装荷することで誘電体部(4)を形成した。これにより、高速な電気信号の伝搬が可能で、しかも、現在の半導体プロセスにより安定した品質で製造することができる構造の電気信号伝送線路となる。
摘要翻译：一种电信号传输线，包括形成在半导体衬底（1）上的信号电极部分（2），接地电极部分（3）和电介质部分（4）。信号电极部分（2）包括电信号流过的金属电极（21），上导电半导体（22）和下导电半导体（23）。接地电极部分（3）包括接地金属电极（31）和导电半导体（32）。在上导电半导体（22）和下导电半导体（23）中，信号电极部（2）的金属电极（21）与接地电极单元（3）的金属电极（31）连接，通过将它们的极性彼此相对设置，通过半导体PN结形成，介电部（4）通过在电信号电极（2）的信号电极部（2）的电力线之间设置电介质体）和接地电极部（3）的金属电极（31）。因此，电信号传输线可以快速地发送电信号，并且可以通过常规的半导体处理以稳定的质量制造。

6. 发明申请

WO2010067525A1 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件，用于制造半导体器件的工艺，半导体衬底和用于生产半导体衬底的工艺
公开(公告)号：WO2010067525A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2009/006426
申请日：2009-11-27
申请人：住友化学株式会社 , 国立大学法人東京大学 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 独立行政法人物質・材料研究機構 , 秦雅彦 , 福原昇 , 山田永 , 高木信一 , 杉山正和 , 竹中充 , 安田哲二 , 宮田典幸 , 板谷太郎 , 石井裕之 , 大竹晃浩 , 奈良純
发明人：秦　雅彦 , 福原　昇 , 山田　永 , 高木　信一 , 杉山　正和 , 竹中　充 , 安田　哲二 , 宮田　典幸 , 板谷　太郎 , 石井　裕之 , 大竹　晃浩 , 奈良　純
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC分类号： H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
摘要：　閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３－５族化合物半導体と、３－５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。
摘要翻译：一种配备有：具有锌辉石晶体结构的3-5族元素化合物半导体的半导体器件; 与第3-5族元素化合物半导体的（111）面相接触的电介质材料，或与其相当于（111）面的平面，或与其相对的面（111）形成偏角的介电材料）面或相当于（111）面的平面; 和与电介质材料接触且含有金属导电材料的MIS型电极。

7. 发明申请

WO2009096599A1 複合基板を用いた光学部品とその製造方法审中-公开
标题翻译：使用复合基板的光学元件和用于制造光学元件的工艺
公开(公告)号：WO2009096599A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051921
申请日：2009-01-29
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 学校法人東京理科大学 , 板谷太郎 , 石井裕之 , 藤野英利 , 廣島洋 , 倉島優一 , 宮本岩男
发明人：板谷太郎 , 石井裕之 , 藤野英利 , 廣島洋 , 倉島優一 , 宮本岩男
IPC分类号： B29C59/02 , B32B37/10 , G02B5/26 , G02B5/28 , B29L9/00 , B29L11/00
CPC分类号： G02B5/26 , B32B37/12 , B32B2037/1253 , B32B2037/243 , B32B2038/0076 , B32B2307/204 , B32B2307/40 , B32B2310/0806 , B32B2551/00 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/10 , G02B5/0858 , Y10T428/31678
摘要：光学基板（１）上に、光硬化性樹脂組成物、熱硬化性もしくは熱可塑性樹脂組成物などの樹脂組成物（２）を載せ、光学基板よりも極めて平坦な平面を有する極平坦プレス板（３）にて印圧し、樹脂組成物を光や温度変化によって硬化させて複合基板を形成し、上記複合基板上に、機能性無機光学薄膜、誘電体多層光学薄膜、光学機能性金属薄膜などの薄膜（４）を、低温スパッタ法、イオンビームスパッタ法などで積層して、反射ミラー、ビームスプリッタ、バンドパスフィルタ、バンドストップフィルタ、エッジフィルタなどの光学部品を成形する。
摘要翻译：将光固化性树脂组合物或热固性或热塑性树脂组合物等树脂组合物（2）配置在光学基板（1）上。通过具有比光学基板（1）的平坦度高得多的平面度的平面的非平坦的压板（3）将印刷压力施加到组件。通过利用光或温度变化来固化树脂组合物以形成复合基材。诸如功能性无机光学薄膜，电介质多层光学薄膜或光学功能金属薄膜的薄膜（4）例如通过低温溅射或离子束溅射层叠在复合衬底上以形成诸如反射镜，分束器，带通滤波器，带阻滤波器和边缘滤波器的光学部件。

8. 发明申请

WO2013042382A1 複合基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造复合基板的方法
公开(公告)号：WO2013042382A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/JP2012/006028
申请日：2012-09-21
申请人：住友化学株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 高田朋幸 , 山田永 , 秦雅彦 , 前田辰郎 , 板谷太郎 , 安田哲二
发明人：高田　朋幸 , 山田　永 , 秦　雅彦 , 前田　辰郎 , 板谷　太郎 , 安田　哲二
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/187 , H01L21/8258 , H01L21/84
摘要：　半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、ＧｅｘＳｉ１－ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。
摘要翻译：提供了一种复合衬底的制造方法，包括在半导体晶体层形成衬底上依次形成牺牲层和半导体晶体层的步骤，蚀刻半导体晶体层以暴露部分牺牲层和将半导体晶体层分成多个分割体，将半导体晶体层形成基板和转印目的基板接合，使得半导体晶体层形成基板上的第一表面和转印目的基板上的第二表面接合的步骤使第一表面彼此接触，以及通过将半导体晶体层形成基板和转印目的基板浸渍在蚀刻液中来蚀刻牺牲层的步骤，并且用半导体分离转印目的基板和半导体晶体层形成基板水晶层rema 在转移目的地基板上。所述半导体晶体层由GexSi1-x制成，其中（0

9. 发明申请

WO2013042381A1 複合基板の製造方法および複合基板审中-公开
标题翻译：化合物制造方法和复合基材
公开(公告)号：WO2013042381A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/JP2012/006027
申请日：2012-09-21
申请人：住友化学株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 高田朋幸 , 山田永 , 秦雅彦 , 前田辰郎 , 板谷太郎 , 安田哲二
发明人：高田　朋幸 , 山田　永 , 秦　雅彦 , 前田　辰郎 , 板谷　太郎 , 安田　哲二
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/187 , H01L21/8258 , H01L21/84
摘要：　半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成し、半導体結晶層形成基板の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせ、半導体結晶層形成基板および転写先基板の全部または一部をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離する。ここで、転写先基板が、非可撓性基板と有機物層とを有し、有機物層の表面が、第２表面であるものとする。
摘要翻译：提供一种复合基板的制造方法，其中，在半导体晶体层形成基板上依次形成牺牲层和半导体晶体层; 半导体晶体层形成基板和转印目的基板被接合，使得半导体晶体层形成基板的第一表面和与第一表面接触的转印目的基板的第二表面彼此面对; 将半导体晶体层形成基板和转印目的基板全部或部分浸渍在蚀刻流体中，蚀刻牺牲层; 并且转印目的地基板和半导体晶体层形成基板在半导体晶体层留在转印目的基板侧的状态下分离。转移目的基板包括不灵活的基板和有机层。有机层的表面是第二表面。

10. 发明申请

WO2012120869A1 半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体衬底，半导体器件和用于生产半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2012120869A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/JP2012/001502
申请日：2012-03-05
申请人：住友化学株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 高田朋幸 , 山中貞則 , 島田雅夫 , 秦雅彦 , 板谷太郎 , 石井裕之 , 久米英司
发明人：高田　朋幸 , 山中　貞則 , 島田　雅夫 , 秦　雅彦 , 板谷　太郎 , 石井　裕之 , 久米　英司
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/032 , H01L29/24 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、ベース基板の上に位置し、シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、開口により露出するシリコン結晶面の上に位置し、ＳｉｘＧｅ１－ｘ（０≦ｘ＜１）からなる第１結晶層と、第１結晶層の上に位置し、第１結晶層よりも禁制帯幅が大きいＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなる第２結晶層と、阻害体および第２結晶層の上に位置する一対の金属層と、を有し、一対の金属層のそれぞれの金属層が、第１結晶層および第２結晶層とそれぞれ接触している半導体基板を提供する。
摘要翻译：提供了一种半导体衬底，其包括：基底，其表面的整个或一部分由硅晶体表面组成; 设置在基底上方的抑制体，具有到达硅晶面的开口，抑制晶体生长; 第一晶体层，其布置在通过开口暴露并由SixGe1-x（0 = x <1）组成的硅晶体表面上方; 第二晶体层，其布置在第一晶体层的上方，并且具有比第一晶体层更宽的带隙的III-V族化合物半导体; 以及一对金属层，其布置在抑制体和第二晶体层的上方。一对金属层中的每一个与第一晶体层和第二晶体层接触。

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