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    • 2. 发明申请
    • 半導体基板、光電変換デバイス、半導体基板の製造方法、および光電変換デバイスの製造方法
    • 半导体基板,光电转换装置,制造半导体基板的方法和制造光电转换装置的方法
    • WO2010140371A1
    • 2010-12-09
    • PCT/JP2010/003721
    • 2010-06-03
    • 住友化学株式会社独立行政法人産業技術総合研究所秦 雅彦板谷 太郎
    • 秦 雅彦板谷 太郎
    • H01L31/04H01L31/052
    • H01L31/0522H01L27/142H01L31/028H01L31/03046H01L31/0392H01L31/0475H01L31/0543H01L31/0687H01L31/076H01L31/077H01L31/1852Y02E10/52Y02E10/544Y02E10/547Y02E10/548Y02P70/521
    •  シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に形成され、ベース基板の表面を露出する開口を有し、結晶成長を阻害する阻害体と、開口の内部に露出されたベース基板の表面に接して、開口の内部に形成された光吸収構造体と、を備え、光吸収構造体は、第1伝導型第1半導体と、第1伝導型第1半導体の上方に形成され、第1伝導型第1半導体と反対の伝導型を有する第2伝導型第1半導体と、第1伝導型第1半導体と第2伝導型第1半導体との間に形成され、第1伝導型第1半導体および第2伝導型第1半導体よりも有効キャリア濃度が低い低キャリア濃度第1半導体とを含む第1半導体と、第2伝導型第1半導体に格子整合または擬格子整合し、第2伝導型第1半導体と反対の伝導型を有する第1伝導型第2半導体と、第1伝導型第2半導体の上方に形成され、第1伝導型第2半導体と反対の伝導型を有する第2伝導型第2半導体と、第1伝導型第2半導体と第2伝導型第2半導体との間に形成され、第1伝導型第2半導体および第2伝導型第2半導体よりも有効キャリア濃度が低い低キャリア濃度第2半導体とを含む第2半導体とを有する半導体基板を提供する。
    • 公开了一种半导体衬底,其具有:含有硅的基底衬底; 形成在基底基板上的抑制元件具有从基体基板的表面露出的开口,抑制晶体生长; 以及光吸收结构,其通过与暴露在开口内部的基底表面接触而形成在开口内部。 光吸收结构具有第一半导体,其包括:第一导电型第一半导体; 第二导电型第一半导体,其形成在第一导电类型的第一半导体之上并且具有与第一导电类型的第一半导体的导电类型相反的导电类型; 以及低载流子浓度的第一半导体,其形成在第一导电型第一半导体与第二导电型第一半导体之间,并且具有比第一导电型第一半导体低的第一导电型第一半导体的有效载流子浓度, 。 光吸收结构还具有第二半导体,其包括:第一导电型第二半导体,其与第二导电型第一半导体晶格匹配或准晶格匹配,并且具有与第二导电类型相反的导电类型 第一半导体; 第二导电类型的第二半导体,其形成在第一导电类型的第二半导体之上并且具有与第一导电类型的第二半导体的导电类型相反的导电类型; 以及低载流子浓度的第二半导体,其形成在第一导电型第二半导体与第二导电型第二半导体之间,并且具有比第一导电型第二半导体低的第二导电类型的第二半导体的有效载流子浓度; 。
    • 6. 发明申请
    • 固体撮像装置および駆動方法、並びに電子機器
    • 固态成像装置和驱动方法以及电子装置
    • WO2016147903A1
    • 2016-09-22
    • PCT/JP2016/056730
    • 2016-03-04
    • ソニー株式会社
    • 坂野 頼人宇井 博貴
    • H04N5/355H04N5/374
    • H04N5/35563H01L27/142H01L27/14612H01L27/14645H04N5/35518H04N5/374H04N5/378H04N9/045
    •  本技術は、より簡単に高品質な画像を得ることができるようにする固体撮像装置および駆動方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、入射した光を光電変換する複数の画素が設けられた画素アレイ領域を有している。画素アレイ領域には、互いに出力特性が異なる第1の画素群と第2の画素群とが設けられ、第2の画素群は、第1の画素群に対して水平方向および垂直方向に半画素だけずれた位置に配置されている。このようにして第1の画素群と第2の画素群とを配置することで、撮影により得られる画像の解像度劣化を最小限に抑え、より簡単に高品質な画像を得ることができる。本技術は、固体撮像装置に適用することができる。
    • 本技术涉及能够更容易地获得高质量图像的固态成像装置和驱动方法以及电子装置。 固态成像装置具有向其提供对入射光进行光电转换的多个像素的像素阵列区域。 像素阵列区域向其提供具有不同输出特性的第一像素组和第二像素组。 第二像素组被布置在相对于第一像素组在水平方向和垂直方向上恰好一半像素移位的位置。 作为第一像素组和第二像素组的结果,拍摄图像的分辨率的劣化被抑制到最小,并且可以更容易地获得高质量的图像。 本技术可以应用于固态成像装置。
    • 7. 发明申请
    • 紫外光用固体受光デバイス
    • 紫外光固体接收装置
    • WO2015151198A1
    • 2015-10-08
    • PCT/JP2014/059553
    • 2014-03-31
    • 国立大学法人東北大学
    • 須川 成利黒田 理人
    • H01L31/10G01J1/02
    • G01J1/429G01J1/1626H01L27/142H01L27/1443H01L31/09Y02E10/50
    •  簡単な構造で人体に有害な紫外光の照射量を精度よく適正に測定でき、周辺回路のセンサとの一体作り込みも容易にでき、小型・軽量で低コストであり携帯(mobile)若しくは着用(wearable)に適した紫外光用固体受光デバイスを提供する。第一のフォトダイオード(1)と第二のフォトダイオード(2)、これらのフォトダイオード(2)からの出力に基づく信号のそれぞれが入力される差動回路とを備え、上記フォトダイオード(1)、(2)内、及び各フォトダイオード上に設けた半導体層領域に、半導体不純物の最大濃度位置をそれぞれ設ける。
    • 提供了一种紧凑,重量轻且廉价的固体光接收装置,可以用简单的结构准确,适当地测量生物有害的紫外线照射剂量,固体光接收装置易于整合 外围电路的传感器,适用于移动或可穿戴。 本发明提供有第一光电二极管(1),第二光电二极管(2)和基于来自光电二极管(1,2)的输出信号的差分电路。 在每个光电二极管(1,2)和设置在每个光电二极管上的半导体层区域中提供最大半导体杂质浓度的位置。