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1. 发明申请

WO2005082670A1 モール取付構造及びモール取付用クリップ並びにモール审中-公开
标题翻译：模具安装结构，夹具安装模具和模具
公开(公告)号：WO2005082670A1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：PCT/JP2005/003254
申请日：2005-02-22
申请人：東海興業株式会社 , 株式会社東郷製作所 , 岡部賢治 , 村瀬司 , 福島啓市 , 桑原正弘 , 宮田典幸
发明人：岡部賢治 , 村瀬司 , 福島啓市 , 桑原正弘 , 宮田典幸
IPC分类号： B60R13/04
CPC分类号： B60R13/04 , F16B5/125 , F16B5/126 , F16B5/128 , Y10T24/304 , Y10T24/309 , Y10T24/44017 , Y10T24/45597
摘要：モール取付用クリップ３０は、ルーフパネル１０の溝部１５内に固着される固着部３１と、固着部３１から立ち上がる弾性変形可能な一対の壁部３２と、一対の壁部３２に設けた一対の係合部３３と、固着部３１に突設した弾性変形可能なガイド部３６とを備える。ルーフモール２０は、溝部１５を覆う頭部２１と、頭部２１の裏面側に突出した突出部２７とよりなり、前記突出部はその両側面に設けた一対の係止部２４と、突出部２７に設けた受入溝２６とを備える。モール取付用クリップ３０にルーフモール２０を係合するに際して、受入溝２６をガイド部３６に押しあて一対の係止部２４と一対の係合部３３とが係合可能となるようルーフモール２０を位置決めする。
摘要翻译：一种用于安装模制件的夹子（30），包括固定在屋顶板（10）的槽部分（15）内部的固定部分（31），一对从固定部分（15）上升的可弹性变形的壁部分部分（31），形成在该对壁部分（32）处的一对接合部分（33）和突出地安装在固定部分（31）上的可弹性变形的引导部分（36）。屋顶模制件（20）包括覆盖所述槽部（15）的头部（21）和突出到所述头部（21）的后表面侧的突出部（27）。突出部还包括形成在其两个侧面上的一对锁定部分（24）和形成在突出部分（27）中的接收槽（26）。当屋顶模制件（20）与用于安装模制件的夹子（30）接合时，屋顶模制件（20）被定位成使得所述一对锁定部件（24）能够与所述一对接合部件（33）接合，当接收槽（26）被压靠在引导部分（36）上时。

2. 发明申请

WO2004073072A1 MIS型半導体装置およびMIS型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译： MIS半导体器件及其制造MIS半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004073072A1
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：PCT/JP2004/001408
申请日：2004-02-10
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 宮田典幸 , クンドゥマニシャ
发明人：宮田典幸 , クンドゥマニシャ
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28176 , H01L29/513 , H01L29/7833
摘要：　ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いるＭＯＳＦＥＴにおいて、基板−高誘電率膜間の低誘電率層（シリコン酸化膜）を増大させないようにするために、基板（１）上に高誘電率膜（３）、拡散バリア層（４）を堆積した後、高誘電率膜（３）の膜質改善のための熱処理を行う。次に、ゲート電極材料膜を堆積し、これをパターニングしてゲート電極（６）を形成する。このエッチング工程において、高誘電率膜３）はその側面がプラズマに曝されることにより、電荷が注入されまたダメージを受ける。この電荷を逃がしダメージを修復するために拡散バリア層（８）でゲート部を含む全面を被覆して熱処理を行う。その後、ソース･ドレイン領域となる不純物拡散層を形成する。
摘要翻译：为了防止在其中使用高介电常数膜作为栅极绝缘膜的MOSFET中布置在基板（1）和高介电常数膜（3）之间的低介电常数膜（氧化硅膜）的生长，在基板（1）上形成高介电常数膜（3）和扩散阻挡层（4）之后，进行用于改性高介电常数膜（3）的膜特性的处理。然后沉积栅电极材料膜，并且通过图案化该栅电极材料膜形成栅电极（6）。在该蚀刻步骤期间，高介电常数膜（3）的侧面暴露于等离子体，因此遭受电荷注入和其它损害。为了放电和恢复损坏，在用扩散阻挡层（8）覆盖包括栅极部分的整个表面的同时进行热处理。然后形成作为源/漏区的杂质扩散层。

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