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1. 发明申请

WO2005106979A1 窒化物半導体発光素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件
公开(公告)号：WO2005106979A1
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/JP2005/008389
申请日：2005-04-26
申请人：三菱電線工業株式会社 , 工藤広光 , 山田智雄 , 只友一行 , 大内洋一郎 , 岡川広明
发明人：工藤広光 , 山田智雄 , 只友一行 , 大内洋一郎 , 岡川広明
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/14
摘要：ｐ型層のｐ型不純物としてＭｇを用いているＧａＮ系発光素子において、ｐ型層の最下部にはＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるｐ型クラッド層３１を設け、該クラッド層の上方には少なくともひとつのヘテロ界面を介してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）からなるＭｇ高濃度層３３を設け、その直上にはＡｌｚＧａ１−ｚＮ（ｙ＜ｚ≦１）からなるｐ型コンタクト層３４を設ける。ｐ型コンタクト層は、層厚１０ｎｍ以下、Ｍｇ濃度ａが５×１０１９ｃｍ −３ ≦ａ、Ｍｇ高濃度層は、層厚５ｎｍ～２０ｎｍ、Ｍｇ濃度ｂが２×１０１９ｃｍ −３＜ｂ、Ｍｇ高濃度層と発光層との間の層は、Ｍｇ濃度ｃが１×１０１９ｃｍ −３ ≦ｃ＜ｂである。ｐ型コンタクト層を除くｐ型層のＭｇ濃度の平均値は、５×１０１９ｃｍ −３未満である。ｐ型コンタクト層の表層のＭｇ濃度を高濃度に維持しつつ、ｐ型層に添加するＭｇの総量を低減することで、動作電圧の上昇を抑えながらも、Ｍｇに起因する光吸収をより少なくすることが可能となる。
摘要翻译：在使用Mg作为p型层的p型杂质的GaN系发光元件中，由Al x Ga 1-x N（0 <= x <= 1）构成的p型覆盖层（31）通过至少一个异质界面在包层的上部设置由Al y Ga 1-y N（0 <= y <= 1）构成的Mg高浓度层（33），并且直接在Mg高浓度层之上，设置由AlzGa1-zN（y <=（C）<（b）中。 p型接触层以外的p型层的Mg浓度平均值小于5×10 19 cm -3。通过减少添加到p型层中的Mg的总量，同时保持p型接触层的前层的高Mg浓度，可以抑制由Mg引起的光吸收，同时抑制工作电压的增加。

2. 发明申请

WO2005122290A1 窒化物系半導体発光素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2005122290A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/011181
申请日：2005-06-13
申请人：三菱電線工業株式会社 , 工藤広光 , 只友一行 , 岡川広明 , 山田智雄
发明人：工藤広光 , 只友一行 , 岡川広明 , 山田智雄
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/14
摘要：窒化物系半導体発光素子であって、当該素子は、窒化物半導体結晶層からなる積層体Ｓを有し、該積層体Ｓには、ｎ型層２、発光層３、ｐ型層４が含まれる。該ｐ型層４は、ｐ側電極Ｐ２と接触するｐ型コンタクト層４２を有する。ｐ型コンタクト層４２は、第１コンタクト層４２ａと、第２コンタクト層４２ｂとからなる。第１コンタクト層４２ａは、一方の面においてｐ側電極Ｐ２と接触し、他方の面において第２コンタクト層４２ｂと接触している。第１コンタクト層４２ａは、Ａｌｘ1 Ｉｎｙ1 Ｇａｚ1 Ｎ（０＜ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）からなり、第２コンタクト層４２ｂはＡｌｘ２Ｉｎｙ２Ｇａｚ２Ｎ（０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１）からなる。０≦ｘ２＜ｘ１、０≦ｙ１≦ｙ２であり、第１コンタクト層４２ａの厚さは０．５ｎｍ～２ｎｍである。この構成によって、ｐ型コンタクト層とｐ側電極との接触抵抗は低下し、動作電圧がより低く、発熱の問題が軽減された、窒化物系半導体発光素子が提供される。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光器件，其包括由氮化物半导体晶体层构成的多层体（S）。多层体（S）包括n型层（2），发光层（3）和p型层（4）。 p型层（4）包括与p侧电极（P2）接触的p型接触层（42）。 p型接触层（42）由第一接触层（42a）和第二接触层（42b）构成。第一接触层（42a）的一侧与p侧电极（P2）接触，而另一侧与第二接触层（42b）接触。第一接触层（42a）由Al x InIn1Gaz1N（0

3. 发明申请

WO2003071610A1 発光装置およびそれを用いた照明装置审中-公开
标题翻译：发光装置和照明灯具使用它
公开(公告)号：WO2003071610A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001907
申请日：2003-02-21
申请人：三菱電線工業株式会社 , 只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志 , 今田善之 , 吉野正彦 , 田口常正
发明人：只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志 , 今田善之 , 吉野正彦 , 田口常正
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50
摘要： A GaN LED (1) and a fluorescent element (2) for emitting fluorescence (visible light) L2 on being excited by light L1 emitted from the LED (1) are combined to form a light emitting device that uses the fluorescence L2 as an output light. The LED (1) and the fluorescent element (2) are so selected and combined that a change amount in chromaticity of an output light is within 0.05 on an x-y chromaticity chart when a drive current to be supplied to the LED (1) is changed from 0.1(A/cm2) to 70.0(A/cm2) per unit light emitting area. A white lighting fixture suppressed in color tone is obtained by using a high-efficiency InGaN ultraviolet LED for the LED (1) and a white fluorescent element for the fluorescent element.
摘要翻译：将从LED（1）发射的被光激发的荧光（可见光）L2发射的GaN LED（1）和荧光元件（2）组合形成使用荧光L2作为输出的发光器件光。当提供给LED（1）的驱动电流改变时，LED（1）和荧光元件（2）被选择和组合，使得在xy色度图上输出光的色度变化量在0.05内从每单位发光面积的0.1（A / cm 2）至70.0（A / cm 2）。通过使用用于LED（1）的高效InGaN紫外LED和用于荧光元件的白色荧光元件，可以获得抑制色调的白色照明灯具。

4. 发明申请

WO2003043097A1 紫外線発光素子审中-公开
标题翻译：超紫外线发射装置
公开(公告)号：WO2003043097A1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/JP2002/011770
申请日：2002-11-12
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 只友一行 , 大内洋一郎 , 常川高志
发明人：岡川広明 , 只友一行 , 大内洋一郎 , 常川高志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/34333
摘要： A multilayer structure (S) comprising a GaN crystal layer and an emitting region is built directly on a crystal substrate (B) or on a buffer layer on the crystal substrate (B). The emitting region has a multiple quantum well structure. The well layers are made of InGaN that can emit ultraviolet radiation. The number of well layers is 2 to 20, and the thickness of a barrier layer is 7 to 30 nm. Therefore, a high output power of ultraviolet radiation is achieved though the emitting layer is made of InGaN. To form a high−quality GaN film, an AlGaN underlying layer is preferably formed directly on an AlN low−temperature growth buffer layer. A mode is recommended in which an AlGaN layer is not formed between the crystal substrate and a well layer (between the AlGaN underlying layer and a well layer in the case of the mode where the AlGaN underlying layer is provided.)
摘要翻译：直接在晶体基板（B）或晶体基板（B）上的缓冲层上构建包括GaN晶体层和发光区域的多层结构（S）。发射区域具有多个量子阱结构。阱层由可以发射紫外线的InGaN制成。阱层的数量为2〜20，阻挡层的厚度为7〜30nm。因此，通过发射层由InGaN制成，实现了高输出功率的紫外线辐射。为了形成高质量的GaN膜，优选在AlN低温生长缓冲层上直接形成AlGaN底层。推荐在晶体基板和阱层之间（在设置有AlGaN底层的模式的情况下，AlGaN下层和阱层之间）未形成AlGaN层的模式。

5. 发明申请

WO2005027232A1 ＧａＮ系発光ダイオード审中-公开
标题翻译： GaN发光二极管
公开(公告)号：WO2005027232A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/013478
申请日：2004-09-09
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 城市隆秀 , 只友一行
发明人：岡川広明 , 城市隆秀 , 只友一行
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38
摘要：本発明は、基板の上に少なくともｎ型ＧａＮ系半導体層と、ＧａＮ系半導体からなる発光層と、ｐ型ＧａＮ系半導体層とを順に積層し、そのｐ型ＧａＮ系半導体層側を発光観測面とするＧａＮ系発光ダイオードにおいて、ｐ型ＧａＮ系半導体層表面に、透光性を有さない金属層からなる光取出し可能なパターンに形成されたｐ型オーミック電極と、該ｐ型オーミック電極と電気的に接続されるｐ型ボンディング電極とを設ける一方、該ｐ型ボンディング電極を該ｐ型ＧａＮ系半導体層とはオーミック接合しないようにし、かつ、ｐ型ボンディング電極の下にはｐ型オーミック電極を実質的に形成しない構成にしたＧａＮ系発光ダイオードに関する。当該ＧａＮ系発光ダイオードによれば、ｐ型ボンディング電極の接着強度が高く、しかも、高発光効率及び高出力を示すＧａＮ系発光ダイオードを実現できる。
摘要翻译：公开了一种GaN发光二极管，其中至少n型GaN半导体层，由GaN半导体和p型GaN半导体层构成的发光层依次布置在衬底上，并且p型GaN半导体层侧作为观察发光的表面。在该GaN发光二极管中，由非光透射金属层构成的p型欧姆电极，能够取出光的图案化，与p型欧姆电性电连接的p型接合电极电极形成在p型GaN半导体层的正面上。 p型接合电极形成为不与p型GaN半导体层发生欧姆接触，并且在p型接合电极下基本上不形成p型欧姆电极。因此，可以实现具有高发光效率和高输出的GaN发光二极管，其中p型接合电极具有高粘合强度。

6. 发明申请

WO2002075821A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2002075821A1
公开(公告)日：2002-09-26
申请号：PCT/JP2002/002658
申请日：2002-03-20
申请人：三菱電線工業株式会社 , 只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志
发明人：只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Projections and recesses (1a) are formed in a first layer (1), and a second layer (2) having an index of refraction different from that of the first layer (1) is formed while filling in the recesses (alternatively, a first crystal (10) is grown on a crystal layer (S) serving as the foundation of the growth to have an uneven surface, and a second crystal (20) having an index of refraction different from that of the first crystal is grown). After the uneven refractive index interface (1a(10a)) is thus formed, a device structure where a semiconductor crystal layers including a light-emitting layer (A) are formed thereon. As a result, the light generated in the light-emitting layer (A) and traveling horizontally is bent by the influence of the uneven refractive index interface and directed to the outside. If ultraviolet light is emitted by using InGaN as the material of the light-emitting layer, a quantum well structure is used, and AlGaN is eliminated by forming all the layers between the quantum well structure and a low-temperature buffer layer by using a GaN crystal as the material. The quantum well structure is preferably made up of a well layer of InGaN and a barrier layer of GaN. The thickness of the barrier layer preferably ranges from 6 to 30 nm.
摘要翻译：在第一层（1）中形成突起和凹槽（1a），并且在填充凹部（或者，第一层）（1）中形成具有与第一层（1）的折射率不同的折射率的第二层（2）晶体（10）在作为生长的基础的晶体层（S）上生长以具有不平坦的表面，并且生长具有与第一晶体的折射率不同的折射率的第二晶体（20））。在如此形成不均匀的折射率界面（1a（10a））之后，形成其中形成有发光层（A）的半导体晶体层的器件结构。结果，发光层（A）中产生的并且水平行进的光被不均匀的折射率界面的影响弯曲并被引导到外部。如果通过使用InGaN作为发光层的材料发射紫外光，则使用量子阱结构，并且通过使用GaN在量子阱结构和低温缓冲层之间形成所有层来消除AlGaN 水晶为材料。量子阱结构优选由InGaN的阱层和GaN的势垒层构成。阻挡层的厚度优选为6〜30nm。

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