专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2015122975A3 LAMINATION TRANSFER FILMS FOR FORMING ANTIREFLECTIVE STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：用于形成抗反射结构的层压传输膜
公开(公告)号：WO2015122975A3
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/US2015010730
申请日：2015-01-09
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO
发明人： FREE MICHAEL BENTON , MEYER JUSTIN P , BENSON OLESTER JR , COLLIER TERRY O , MAZUREK MIECZYSLAW H , SCHWARTZ EVAN L , WOLK MARTIN B
IPC分类号： G02B1/11 , B32B27/00
CPC分类号： C23C16/50 , B32B37/025 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2307/40 , B32B2551/00 , C03C17/30 , C03C2217/732 , C03C2217/77 , C23C16/0236 , G02B1/02 , G02B1/118 , Y10T156/10 , Y10T428/24355
摘要： The present disclosure relates to lamination transfer films for forming articles with antireflective stuctures and method of forming these lamination transfer films. A transfer film includes a carrier film, a sacrificial template layer disposed on the carrier film and having antireflective nanostructure template features, and a thermally stable backfill layer having a first surface conforming to the antireflective nanostructure template features and an opposing planar second surface.
摘要翻译：本公开涉及用于形成具有抗反射结构的制品的层压转移膜和形成这些层压转移膜的方法。转印膜包括载体膜，设置在载体膜上并具有抗反射纳米结构模板特征的牺牲模板层，以及具有符合抗反射纳米结构模板特征的第一表面和相对的平面第二表面的热稳定的回填层。

2. 发明申请

WO2013115711A2 SILICON CARBIDE CRYSTAL GROWTH IN A CVD REACTOR USING CHLORINATED CHEMISTRY 审中-公开
标题翻译：碳化硅晶体在CVD反应器中使用氯化化学法生长
公开(公告)号：WO2013115711A2
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/SE2013/050066
申请日：2013-01-29
申请人： JANZÉN, Erik , KORDINA, Olof
发明人： JANZÉN, Erik , KORDINA, Olof
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/0236 , C23C16/325 , C23C16/455 , C23C16/45504 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45576 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C30B25/02 , C30B25/165 , C30B29/36
摘要： A silicon carbide growth method for growing a silicon carbide crystal on a substrate in a hot wall reaction chamber (1), wherein the reaction chamber (1) is heated to a temperature in the region 1600 °C and 2000 °C, wherein process gases enter the reaction chamber (1) by use of at least three gas flows, a primary gas flow (16), a secondary gas flow (17) surrounding the primary gas flow (16), and a shower gas flow (18), wherein the shower gas flow is fed substantially perpendicularly to the primary (16) and the secondary (17) gas flows and being directed towards the substrate, and said primary and secondary flows oriented substantially parallel to the surface of the substrate; a silicon precursor gas is entered by means of the primary gas flow (16), a hydrocarbon precursor gas is entered in either: the primary gas flow (16), the secondary gas flow (17), the shower gas flow (18), or in any combination of said flows, and hydrogen is entered primarily in the secondary flow (17) and the shower head flow (18). A CVD reactor chamber (1) for use in processing the method is also disclosed.
摘要翻译：一种用于在热壁反应室（1）中在衬底上生长碳化硅晶体的碳化硅生长方法，其中反应室（1）被加热到1600℃的区域中的温度。其中工艺气体通过使用至少三种气流，主气流（16），围绕主气流（16）的次级气流（17）进入反应室（1）和喷淋气流（18），其中，所述喷淋气流基本上垂直于所述初级（16）和所述次级（17）气体流动并被引导朝向所述基板，并且所述初级和次级流基本上平行于基材表面; 通过主气流（16）进入硅前体气体，碳氢前体气体进入主气流（16），次气流（17），喷淋气流（18）或者以所述流量的任何组合，并且氢气主要进入第二流量（17）和喷头流量（18）。还公开了用于处理该方法的CVD反应室（1）。

3. 发明申请

WO2012170511A2 METHODS FOR CLEANING A SURFACE OF A SUBSTRATE USING A HOT WIRE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HWCVD) CHAMBER 审中-公开
标题翻译：使用热线化学气相沉积（HWCVD）室清洗基板表面的方法
公开(公告)号：WO2012170511A2
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/US2012/041078
申请日：2012-06-06
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CHATTERJEE, Sukti , PARK, Jeongwon
发明人： CHATTERJEE, Sukti , PARK, Jeongwon
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02046 , C23C16/0236
摘要： Methods for cleaning a surface of a substrate using a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) chamber are provided herein. In some embodiments, a method for cleaning a surface of a substrate may include providing a substrate having a material disposed on a surface of the substrate to a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) chamber; providing hydrogen (H 2 ) gas to the HWCVD chamber; heating one or more filaments disposed in the HWCVD chamber to a temperature sufficient to dissociate the hydrogen (H 2 ) gas; and exposing the substrate to the dissociated hydrogen (H 2 ) gas to remove at least some of the material from the surface of the substrate.
摘要翻译：本文提供了使用热线化学气相沉积（HWCVD）室清洁基底表面的方法。在一些实施例中，用于清洁衬底的表面的方法可以包括提供具有设置在衬底的表面上的材料到热线化学气相沉积（HWCVD）室的衬底; 向HWCVD室提供氢气（H 2）; 将设置在HWCVD室中的一根或多根细丝加热至足以解离氢（H 2）气体的温度; 以及将所述衬底暴露于所述解离的氢（H 2）气体以从所述衬底的表面去除至少一些所述材料。

4. 发明申请

WO2004008827A2 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HIGH K DIELECTRIC FILMS 审中-公开
标题翻译：高K电介质膜的原子层沉积
公开(公告)号：WO2004008827A2
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/US0322712
申请日：2003-07-21
申请人： ASML US INC , LEE SANG-IN , SENZAKI YOSHIHIDE
发明人： LEE SANG-IN , SENZAKI YOSHIHIDE
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/45529 , C23C16/0236 , C23C16/40 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691
摘要： A method of processing a semiconductor substrate includes reacting in a reactor a first reactant gas, evacuating the first reactant gas from the reactor, reacting a second reactant gas, and evacuating the second reactant gas. The reacting of the first reactant gas reacts the first reactant gas with an exposed surface of the semiconductor substrate in a reactor to convert the exposed surface into a solid mono-layer. The reacting of the second reactant gas reacts the second reactant gas with the solid mono-layer in the reactor to convert the solid mono-layer into a gaseous compound. The evacuating of the second reactant gas also evacuates the gaseous compound from the reactor.
摘要翻译：处理半导体衬底的方法包括在反应器中使第一反应物气体反应，从反应器排出第一反应物气体，使第二反应物气体反应，并排空第二反应物气体。第一反应气体的反应在反应器中使第一反应气体与半导体衬底的暴露表面反应以将暴露的表面转化为固体单层。第二反应气体的反应使第二反应气体与反应器中的固体单层反应以将固体单层转化为气态化合物。第二反应气体的排空也从反应器中排出气态化合物。

5. 发明申请

WO2003093530A1 A METHOD FOR MODIFYING A METALLIC SURFACE 审中-公开
标题翻译：一种用于修饰金属表面的方法
公开(公告)号：WO2003093530A1
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/DK2002/000280
申请日：2002-05-01
申请人： DANFOSS A/S , ERIKSEN, Søren
发明人： ERIKSEN, Søren
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/0236 , C23C16/06 , C23C16/4488 , C23C16/455 , C23C16/45523
摘要： The invention relates to a method for modifying a metallic surface, which method comprises chemical vapour deposition on a substrate in a chamber adapted for CVD and involves at least the step o f interrupting the chemical vapour deposition by cutting off the flow of reactant gas, and where the substrate and the metallic surface form a part of a completed member and that this member during or after the interruption is subjected to a polishing of the metallic surface after depositing at least a part of the depositing metallic compound.
摘要翻译：本发明涉及一种用于改性金属表面的方法，该方法包括在适于CVD的室中的基板上进行化学气相沉积，并且至少包括通过切断反应气体的流动来中断化学气相沉积的步骤，以及其中基板和金属表面形成完成部件的一部分，并且在沉积金属化合物的至少一部分之后，中断期间或之后的该部件对金属表面进行抛光。

6. 发明申请

WO01078117A2 GASEOUS PROCESS FOR SURFACE PREPARATION 审中-公开
标题翻译：用于表面处理的气相法
公开(公告)号：WO01078117A2
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：PCT/US2001/012353
申请日：2001-04-07
IPC分类号： C23C16/02 , H01L21/00 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/67075 , C23C16/0236 , H01L21/31116 , H01L21/67063
摘要： Silicon oxide on a substrate may be etched by providing the substrate in a process chamber, evacuating the chamber to a pressure of less than about 1 torr; providing a gaseous mixture comprising an inert gas, alcohol and water to the process chamber and substrate and, subsequently further providing a gaseous anhydrous halogen containing species to the gaseous mixture provided to the process chamber and substrate.
摘要翻译：可以通过在处理室中提供衬底来蚀刻衬底上的氧化硅，将腔排空到小于约1托的压力; 提供包含惰性气体，醇和水的气体混合物到处理室和基底中，随后进一步向提供给处理室和基底的气态混合物提供含有气态的含卤素的物质。

7. 发明申请

WO9930353A9 SURFACE MODIFICATION OF SEMICONDUCTORS USING ELECTROMAGNETIC RADIATION 审中-公开
标题翻译：用电磁辐射对半导体表面进行改性
公开(公告)号：WO9930353A9
公开(公告)日：1999-09-16
申请号：PCT/US9824998
申请日：1998-11-19
申请人： QUESTER TECHNOLOGY INC
发明人： KHAN ASHRAF R , RAMANATHAN SASANGAN , FOGGIATO GIOVANNI ANTONIO
IPC分类号： H01L21/76 , C23C16/02 , H01L21/304 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/0236 , H01L21/02271 , H01L21/0231 , H01L21/31612 , H01L21/31625 , H01L21/31662 , H01L21/76232
摘要： Deposition rates of undoped silicate glass dielectric layers on thermal oxide are increased by pre-treating the thermal oxide layer with electromagnetic radiation (126) in the ultraviolet (UV) and/or vacuum ultraviolet (VUV) wavelengths. The surface smoothness of the resulting films are also increased by pre-treating films with UV and/or VUV radiation. Furthermore, the gap filling abilities of the undoped silicate glass films are increased by pre-treating the thermal oxide with UV and/or VUV radiation. New equipment (100) and methods are presented for exposing semiconductor devices (112) to UV and/or VUV radiation, and for enhancing the deposition rates and film quality for semiconductor manufacture. Semiconductor devices incorporating the new methods are also described.
摘要翻译：通过在紫外（UV）和/或真空紫外（VUV）波长下用电磁辐射（126）预处理热氧化层，增加热氧化物上未掺杂的硅酸盐玻璃介电层的沉积速率。通过用UV和/或VUV辐射预处理膜，所得膜的表面光滑度也增加。此外，通过用UV和/或VUV辐射预处理热氧化物，增加了未掺杂的硅酸盐玻璃膜的间隙填充能力。介绍了用于将半导体器件（112）暴露于UV和/或VUV辐射并且用于增强用于半导体制造的沉积速率和膜质量的新设备（100）和方法。还描述了包含新方法的半导体器件。

8. 发明申请

WO2019133558A1 PROCESS FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE COATED BODY 审中-公开
公开(公告)号：WO2019133558A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/US2018/067417
申请日：2018-12-22
申请人： HERAEUS GMSI LLC
发明人： GUERCIO, Peter, J. , WESTPHAL, Paul
IPC分类号： C04B41/45 , C04B41/53 , C01B32/215 , C23C16/02 , C23C16/32 , C04B41/87 , C04B41/91 , C04B41/00 , C04B41/50 , C01B32/956
CPC分类号： C01B32/215 , C01B32/956 , C04B41/009 , C04B41/4519 , C04B41/5059 , C04B41/5346 , C04B41/80 , C04B41/87 , C04B41/91 , C23C16/0227 , C23C16/0236 , C23C16/045 , C23C16/325 , C04B35/522 , C04B38/00 , C04B41/4531 , C04B41/0072
摘要： The present invention relates to a new process for manufacturing a silicon carbide (SiC) coated body by depositing SiC in a chemical vapor deposition method using dimethyldichlorosilane (DMS) as the silane source on a graphite substrate. A further aspect of the present invention relates to the new silicon carbide coated body, which can be obtained by the new process of the present invention, and to the use thereof for manufacturing articles for high temperature applications, susceptors and reactors, semiconductor materials, and wafer.

9. 发明申请

WO2017121885A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DÜNNEN SCHICHT AUS PORÖSEM DLC, VERWENDUNG EINER PECVD-ANLAGE UND MIT PORÖSEM DLC BESCHICHTETES WERKSTÜCK 审中-公开
标题翻译：生产薄型DLC层的方法，使用PECVD装置和多孔DLC涂层工件
公开(公告)号：WO2017121885A2
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/EP2017/050733
申请日：2017-01-13
申请人： HOCHSCHULE WISMAR
发明人： WIENECKE, Marion , SCHÜTZ, Antje , HEEG, Jan
IPC分类号： C23C16/505
CPC分类号： C23C16/26 , A61L31/084 , A61L31/146 , C23C16/0236 , C23C16/0245 , C23C16/505 , C23C16/56
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer dünnen Schicht (22) aus porösem DLC, die Verwendung einer PECVD Anlage (2) sowie ein Werkstück (16) mit einer Oberfläche (20), die mit einer porösen DLC-Schicht (22) beschichtet ist. In einem Verfahren zum Herstellen einer dünnen DLC-Schicht (22) wird ein kohlenstoffhaltiges Precursor-Gas in einen Rezipienten (4) zum Abscheiden einer DLC-Schicht auf der zu beschichtenden Oberfläche (20) eines Werkstücks (16) eingeleitet, wobei die DLC-Schicht (22) bei einem Arbeitsdruck zwischen 20 * 10 -3 und 30 * 10 -3 mbar und einer BIAS-Spannung zwischen -250 V bis -150 V abgeschieden wird. Anschließend wird ein Rückätzgas in den Rezipienten (4) eingeleitet und auf der Oberfläche (20) des Werkstücks (16) vorhandenes DLC wird bei einem Arbeitsdruck von 200 * 10 -3 bis 300 * 10 -3 mbar und einer BIAS-Spannung von -430 V bis -330 V zurückgeätzt. Dieser Vorgang wird mehrfach wiederholt.
摘要翻译：本发明涉及制造多孔DLC薄层（22）的方法，PECVD系统（2）的使用和具有表面的工件（16）（20）涂覆有多孔DLC层（22）。在用于制造一个d导航用途可以DLC层的方法（22）是含碳前驱体气体中的接收器（4）用于将被涂覆的表面上沉积DLC层承担的工件导航用途CKS的表面（20）（16）其中所述DLC层（22）在20×10 -3和30×10 -3毫巴之间的工作压力和-250V到-25V之间的偏置电压 -150V被沉积。随后，将回气引入接收器（4），并且存在于工件（16）的表面（20）上的DLC在200×10 -3〜 300毫米至10毫巴，并且-430伏至-330伏的BIAS电压降低。这个过程重复几次。

10. 发明申请

WO2017040722A1 METHODS AND APPARATUS FOR IN-SITU CLEANING OF COPPER SURFACES AND DEPOSITION AND REMOVAL OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS 审中-公开
标题翻译：用于铜表面清洗和沉积的方法和装置以及自组装单体的去除
公开(公告)号：WO2017040722A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/US2016/049785
申请日：2016-08-31
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： VISSER, Robert Jan , ARNEPALLI, Ranga Rao , GORADIA, Prerna
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/0227 , C23C16/0236 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/02043 , H01L21/02068 , H01L21/02118 , H01L21/02277 , H01L21/02301 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76883
摘要： A method of processing includes: providing a substrate having a contaminant material disposed on the copper surface to a substrate support within a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) chamber; providing hydrogen (H 2 ) gas to the HWCVD chamber; heating one or more filaments disposed in the HWCVD chamber to a temperature sufficient to dissociate the hydrogen (H 2 ) gas; exposing the substrate to the dissociated hydrogen (H 2 ) gas to remove at least some of the contaminant material from the copper surface; cooling the one or more filaments to room temperature; exposing the substrate in the HWCVD chamber to one or more chemical precursors to deposit a self-assembled monolayer atop the copper surface; and depositing a second layer atop the substrate.
摘要翻译：一种处理方法包括：将具有布置在铜表面上的污染物质的基底提供到热线化学气相沉积（HWCVD）室内的基底支撑件; 向HWCVD室提供氢气（H2）; 将设置在HWCVD室中的一个或多个细丝加热到足以解离氢（H 2）气体的温度; 将基底暴露于解离的氢（H 2）气体以从铜表面去除至少一些污染物质; 将一根或多根细丝冷却至室温; 将HWCVD室中的衬底暴露于一个或多个化学前体以在铜表面顶部沉积自组装单层; 以及在所述衬底顶上沉积第二层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式