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1. 发明申请

WO2009025341A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： IGBT的单晶硅晶体管及其制造用于IGBT的硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2009025341A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064954
申请日：2008-08-21
申请人：株式会社SUMCO , 梅野繁 , 加藤浩二 , 小野敏昭 , 西元学 , 宝来正隆
发明人：梅野繁 , 加藤浩二 , 小野敏昭 , 西元学 , 宝来正隆
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/00 , C30B29/06 , H01L29/6609 , H01L29/66348 , H01L29/861
摘要：　引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、ｐ／ｎ接合リーク不良率を低減できる抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能とし、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、ＩＧＢＴの製造プロセスにおける熱処理を模擬した熱処理後にｐ／ｎ接合リーク不良率が３%以下である。
摘要翻译：提供了一种用于制造晶片的方法，通过该方法可以提高牵引速度裕度，并且可以制造具有较小电阻率波动的具有降低的p / n结泄漏故障率的晶片。还提供了由Czochralski法生长的由硅单晶组成的硅单晶晶片。在晶片中，在晶体直径方向的整个区域中消除了COP缺陷和位错簇。该晶片在IGBT制造工艺中热处理后的p / n结泄漏失效率为3％以下，其模拟热处理。

2. 发明申请

WO2009025339A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： IGBT的单晶硅晶体管及其制造用于IGBT的硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2009025339A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064952
申请日：2008-08-21
申请人：株式会社SUMCO , 小野敏昭 , 梅野繁 , 加藤浩二 , 宝来正隆 , 西元学
发明人：小野敏昭 , 梅野繁 , 加藤浩二 , 宝来正隆 , 西元学
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B31/20 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要：　引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、リーク電流の改善ならびに抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であり、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥、転位クラスタおよびＯＳＦ領域が排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを採用する。
摘要翻译：提供一种制造晶片的方法，其具有减小的漏电流和小的电阻率波动，并且具有增加的牵引速度裕度。还提供了由Czochralski法生长的由硅单晶组成的硅单晶晶片。在晶片中，在晶体直径方向的整个区域中消除了COP缺陷，位错簇和OSF区域。晶片在晶片表面内的间隙氧浓度为8.5×10 17原子/ cm 3以下，电阻率波动为5％以下。

3. 发明申请

WO2009025336A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于IGBT的硅单晶体晶体管和用于生产IGBT的单晶晶体的方法
公开(公告)号：WO2009025336A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064949
申请日：2008-08-21
申请人：株式会社SUMCO , 西元学 , 梅野繁 , 宝来正隆 , 杉村渉
发明人：西元学 , 梅野繁 , 宝来正隆 , 杉村渉
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3221 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , H01L29/7397
摘要：　引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さな低酸素のウェーハを短時間で製造可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供するために、チョクラルスキー法によってシリコン融液にｎ型ドーパントを添加し、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、単結晶を育成する際に、初期多結晶原料を充填した後、追加原料を供給しながら格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の前記単結晶を育成する。
摘要翻译：本发明提供了一种制造用于IGBT的硅单晶晶片的方法，其可以扩大上拉速度裕度，并且可以在短时间内产生电阻率没有显着变化的低氧晶片，以及用于 IGBT。在Chokralsky方法中，将n型掺杂剂添加到硅熔体中，并且以这样的硅单晶上拉速度生长单晶，使得不会产生长期缺陷的硅单晶。在这种情况下，在填充初始多晶材料之后，生成间隙氧浓度不超过8.5 OE 10 17原子/ cm 3的单晶，同时提供附加材料。

4. 发明申请

WO2004008521A1 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：高电阻硅波及其制造方法
公开(公告)号：WO2004008521A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008333
申请日：2003-06-30
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 定光信介 , 高瀬伸光 , 高尾浩之 , 末岡浩治 , 宝来正隆
发明人：定光信介 , 高瀬伸光 , 高尾浩之 , 末岡浩治 , 宝来正隆
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： C30B33/00 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L21/76243 , Y10T428/21
摘要：ゲッタリング能及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素ドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。これを実現するために、比抵抗値が100Ωcm以上で、炭素濃度が5×10 15 ～5×10 17 atoms/cm 3 の炭素卜ーブ高抵抗・高酸素シリコンウエーハに、残留酸素濃度がOld-ASTMで6.5×10 17 atoms/cm 3 以上となるように、1100℃以上の高温熱処理を行う。この高温熱処理は、ウエーハ表層部にDZ層を形成するためのOD処理や、表層のCOPを除去するための高温アニール、SIM0Xウエーハ製造プロセスにおけるBOX層形成用の高温熱処理等で代用される。
摘要翻译：通过对碳掺杂的高电阻/高电平进行制造，具有优异的吸气性能和经济效率并且能够有效地抑制在器件制造者侧进行的电路形成热处理时的氧供体的发生的高电阻硅晶片具有100ohmcm或更大电阻率和5×10 15至5×10 17原子/ cm 3碳浓度的氧硅晶片，以在高温如1100℃或更高的温度下进行热处理，使得残余氧气的浓度变为 6.5×10 17个原子/ cm 3或更大。代替在高温下的这种热处理，可以使用例如在晶片表面层部分上形成DZ层的OD处理，用于除去表面层COP的高温退火，用于形成的高温热处理一个生产SIMOX晶圆的BOX层等。

5. 发明申请

WO2009028658A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法、ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの抵抗率保証方法审中-公开
标题翻译： IGBT的单晶硅晶体管，用于制造IGBT的硅单晶晶体的方法和用于确保用于IGBT的硅单晶晶体的电阻率的方法
公开(公告)号：WO2009028658A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/065522
申请日：2008-08-29
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 宝来正隆 , 梅野繁 , 小野敏昭 , 伊藤亘
发明人：杉村渉 , 宝来正隆 , 梅野繁 , 小野敏昭 , 伊藤亘
IPC分类号： C30B29/06 , C30B31/20 , C30B33/02 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要：チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハであって、引き上げ速度マージンを拡大することが可能で、ＥＧ処理が必要でなく、ＩＧＢＴ用ウェーハとしての充分な厚さのＤＺ層を有しかつＩＧ能を有するとともに、抵抗率のバラツキが小さく、　前記ウェーハ全面に設けられ表面側にＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域と、該デバイス領域よりも裏面側に位置しデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域とを有し、前記デバイス領域の厚さ方向寸法が１００～２００μｍとされ、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下である。
摘要翻译：提供了由用于IGBT的Czochralski法生长的硅单晶组成的硅单晶晶片。可以提高牵引速度裕度，并且晶片不需要EG处理。该晶片具有作为IGBT晶片具有足够厚度的DZ层，具有小电阻率变化的IG性能。晶片具有设置在整个晶片表面上的器件区域，以具有形成在前侧的IGBT器件和与器件区域相比位于更靠近后侧的吸杂区域，并且将被去除之后形成装置。器件区域在厚度方向上的尺寸为100-200μm，在晶体直径方向上的整个区域中消除了COP缺陷和位错簇，间隙氧浓度为8.5OE017原子/ cm3以下，晶片内的电阻率变化表面为5％以下。

6. 发明申请

WO2009025342A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译： IGBT的单晶硅晶体管及其制造用于IGBT的硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2009025342A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064955
申请日：2008-08-21
申请人：株式会社SUMCO , 古賀祥泰 , 梅野繁 , 小野敏昭 , 西元学 , 宝来正隆 , 加藤浩二
发明人：古賀祥泰 , 梅野繁 , 小野敏昭 , 西元学 , 宝来正隆 , 加藤浩二
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B29/06 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要：　引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さく酸素析出を抑制可能なウェーハの製造が可能なチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が０．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成し、この単結晶からスライスしたシリコンウェーハに処理温度１０００～１２００°Cの範囲、窒素を含まない雰囲気で1分以上のＲＴＡ処理を施すことで酸素析出核やOSF核を消滅させ、ＩＧＢＴ用デバイスプロセス熱処理後にも酸素析出を抑制可能とする。
摘要翻译：提供一种用于IGBT的硅单晶晶片的制造方法。通过利用切克拉斯基法生长硅单晶可以提高拉伸速度裕度并且可以制造具有小电阻率波动和抑制氧沉淀的晶片来获得晶片。在该方法中，具有0.5×10 17原子/ cm 3以上且不大于8.5×10 17原子/ cm 3的间隙氧浓度的单晶以能够获得不具有生长缺陷的硅单晶的硅单晶拉拔速度生长被拉。然后，在不含氮气的气氛中，在1000〜1200℃的温度范围内，对从单晶切片的硅片进行RTA处理1分钟以上。因此，消除了氧沉淀核和OSF核，甚至在IGBT器件工艺热处理后也抑制了氧析出。

7. 发明申请

WO2009025337A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法、ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの抵抗率保証方法审中-公开
标题翻译：用于IGBT的硅单晶晶片，用于制造用于IGBT的硅单晶晶体的方法，以及用于确保用于IGBT的硅单晶晶体的电阻率的方法
公开(公告)号：WO2009025337A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064950
申请日：2008-08-21
申请人：株式会社SUMCO , 梅野繁 , 小野敏昭 , 西元学 , 宝来正隆 , 古賀祥泰
发明人：梅野繁 , 小野敏昭 , 西元学 , 宝来正隆 , 古賀祥泰
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203 , H01L21/3225 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要：　引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるチョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハであって、　前記シリコン単結晶に、５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上９×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素がドープされるとともに、窒素起因のドナー濃度が５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とされ、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下である。
摘要翻译：本发明提供了一种用于IGBT的硅单晶晶片，其包括通过Chokralsky方法生长的硅单晶，其可以扩展上拉速度裕度并且可以产生不具有显着电阻率变化的晶片。硅单晶以不小于5×10 12原子/ cm 3且不大于9×10 14原子/ cm 3的氮掺杂，并且将氮衍生的供体的浓度设定为不超过5×10 12原子/ cm 3 。在晶粒直径方向的整个区域中，排除了COP缺陷和位错簇，间隙氧浓度不大于4×10 17原子/ cm 3，晶片平面内的电阻率的变化不大于 5％。

8. 发明申请

WO2006137181A1 半導体単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体单晶的装置
公开(公告)号：WO2006137181A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/022390
申请日：2005-12-06
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 小野敏昭 , 宝来正隆
发明人：杉村渉 , 小野敏昭 , 宝来正隆
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要：　この半導体単結晶製造装置は、ルツボと、ヒータと、ルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバ内に、水素原子を含む水素含有ガスおよび不活性ガスを混合した水素混合ガスを供給する水素混合ガス供給装置とを有し、前記水素混合ガス供給装置は、水素含有ガス供給機と、不活性ガス供給機と、水素含有ガス流量制御器と、不活性ガス流量制御器と、水素含有ガスと不活性ガスとを混合して水素混合ガスを生成し貯留するバッファタンクとを備える。
摘要翻译：一种半导体单晶的制造装置，其特征在于，包括：坩埚，加热器，坩埚的操作手段，容纳所述坩埚和加热器的室;氢混合气体供给装置，含有氢原子的惰性气体的含氢气体被供给到所述室，其中所述氢气混合气体供给器包括含氢气体进料器，惰性气体进料器，含氢气体流量调节器，气体流量调节器和其中混合含氢气体和惰性气体以产生氢气混合气体并且混合气体被储存的缓冲罐。

9. 发明申请

WO2006137180A1 半導体単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体单晶的装置
公开(公告)号：WO2006137180A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/022194
申请日：2005-12-02
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 宝来正隆 , 小野敏昭
发明人：杉村渉 , 宝来正隆 , 小野敏昭
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要：　この半導体単結晶製造装置は、ルツボと、ヒータと、ルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバ内に、水素原子を含む水素含有ガスおよび不活性ガスを混合した水素混合ガスを供給する水素混合ガス供給装置とを有し、前記水素混合ガス供給装置は、水素含有ガス供給機と、不活性ガス供給機と、水素含有ガス流量制御器と、不活性ガス流量制御器と、水素含有ガスと不活性ガスとを均一に混合して水素混合ガスを生成するガス混合手段とを備える。
摘要翻译：一种半导体单晶的制造装置，其特征在于，包括：坩埚，加热器，坩埚的操作手段，容纳所述坩埚和加热器的室;氢混合气体供给装置，含有氢原子的惰性气体的含氢气体被供给到所述室，其中所述氢气混合气体供给器包括含氢气体进料器，惰性气体进料器，含氢气体流量调节器，气体流量调节器和将含氢气体与惰性气体均匀混合以产生氢气混合气体的气体混合器。

10. 发明申请

WO2006112054A1 シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ审中-公开
标题翻译：硅单晶制造方法和硅波
公开(公告)号：WO2006112054A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：PCT/JP2005/016962
申请日：2005-09-14
申请人：株式会社SUMCO , 小野敏昭 , 杉村渉 , 宝来正隆
发明人：小野敏昭 , 杉村渉 , 宝来正隆
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06
摘要：　本発明のシリコン単結晶の製造方法によれば、ＣＺ法によりＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶を育成すること、育成装置内の雰囲気ガス中に水素原子含有物質の気体を添加すること、および結晶内に窒素または／および炭素をドープすることによりシリコン単結晶を製造するので、全面がＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥を存在させることなく無欠陥領域からなり、かつＢＭＤが十分にそして均一に形成されるウェーハを切り出すことができる。このようなウェーハは、その上に形成される集積回路の特性不良品の発生を大幅に低減させることができ、回路の微細化および高密度化に対応した基板として、その製造歩留まりの向上に寄与することができるので、広く利用することができる。
摘要翻译：在硅单晶制造方法中，通过CZ法生长由无缺陷缺陷存在的非缺陷区域构成的单晶硅，将包含氢原子的材料的气体添加到生长装置中的气氛气体中，氮和/或碳掺杂在晶体中。因此，可以切出整个平面由没有生长缺陷的非缺陷区域和BMD充分均匀地形成的晶片。这样的晶片可以被广泛使用，因为可以大大减少形成在晶片上的特征不合格集成电路的产生，并且晶片可以有助于提高制造成品率，作为满足电路微型化和密度增加的要求的基板。

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