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1. 发明申请

WO2009025336A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于IGBT的硅单晶体晶体管和用于生产IGBT的单晶晶体的方法
公开(公告)号：WO2009025336A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064949
申请日：2008-08-21
申请人：株式会社SUMCO , 西元学 , 梅野繁 , 宝来正隆 , 杉村渉
发明人：西元学 , 梅野繁 , 宝来正隆 , 杉村渉
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3221 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , H01L29/7397
摘要：　引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さな低酸素のウェーハを短時間で製造可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供するために、チョクラルスキー法によってシリコン融液にｎ型ドーパントを添加し、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、単結晶を育成する際に、初期多結晶原料を充填した後、追加原料を供給しながら格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の前記単結晶を育成する。
摘要翻译：本发明提供了一种制造用于IGBT的硅单晶晶片的方法，其可以扩大上拉速度裕度，并且可以在短时间内产生电阻率没有显着变化的低氧晶片，以及用于 IGBT。在Chokralsky方法中，将n型掺杂剂添加到硅熔体中，并且以这样的硅单晶上拉速度生长单晶，使得不会产生长期缺陷的硅单晶。在这种情况下，在填充初始多晶材料之后，生成间隙氧浓度不超过8.5 OE 10 17原子/ cm 3的单晶，同时提供附加材料。

2. 发明申请

WO2006112054A1 シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ审中-公开
标题翻译：硅单晶制造方法和硅波
公开(公告)号：WO2006112054A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：PCT/JP2005/016962
申请日：2005-09-14
申请人：株式会社SUMCO , 小野敏昭 , 杉村渉 , 宝来正隆
发明人：小野敏昭 , 杉村渉 , 宝来正隆
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06
摘要：　本発明のシリコン単結晶の製造方法によれば、ＣＺ法によりＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶を育成すること、育成装置内の雰囲気ガス中に水素原子含有物質の気体を添加すること、および結晶内に窒素または／および炭素をドープすることによりシリコン単結晶を製造するので、全面がＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥を存在させることなく無欠陥領域からなり、かつＢＭＤが十分にそして均一に形成されるウェーハを切り出すことができる。このようなウェーハは、その上に形成される集積回路の特性不良品の発生を大幅に低減させることができ、回路の微細化および高密度化に対応した基板として、その製造歩留まりの向上に寄与することができるので、広く利用することができる。
摘要翻译：在硅单晶制造方法中，通过CZ法生长由无缺陷缺陷存在的非缺陷区域构成的单晶硅，将包含氢原子的材料的气体添加到生长装置中的气氛气体中，氮和/或碳掺杂在晶体中。因此，可以切出整个平面由没有生长缺陷的非缺陷区域和BMD充分均匀地形成的晶片。这样的晶片可以被广泛使用，因为可以大大减少形成在晶片上的特征不合格集成电路的产生，并且晶片可以有助于提高制造成品率，作为满足电路微型化和密度增加的要求的基板。

3. 发明申请

WO2009028658A1 ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法、ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの抵抗率保証方法审中-公开
标题翻译： IGBT的单晶硅晶体管，用于制造IGBT的硅单晶晶体的方法和用于确保用于IGBT的硅单晶晶体的电阻率的方法
公开(公告)号：WO2009028658A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/065522
申请日：2008-08-29
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 宝来正隆 , 梅野繁 , 小野敏昭 , 伊藤亘
发明人：杉村渉 , 宝来正隆 , 梅野繁 , 小野敏昭 , 伊藤亘
IPC分类号： C30B29/06 , C30B31/20 , C30B33/02 , H01L21/261 , H01L21/322 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要：チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハであって、引き上げ速度マージンを拡大することが可能で、ＥＧ処理が必要でなく、ＩＧＢＴ用ウェーハとしての充分な厚さのＤＺ層を有しかつＩＧ能を有するとともに、抵抗率のバラツキが小さく、　前記ウェーハ全面に設けられ表面側にＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域と、該デバイス領域よりも裏面側に位置しデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域とを有し、前記デバイス領域の厚さ方向寸法が１００～２００μｍとされ、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下である。
摘要翻译：提供了由用于IGBT的Czochralski法生长的硅单晶组成的硅单晶晶片。可以提高牵引速度裕度，并且晶片不需要EG处理。该晶片具有作为IGBT晶片具有足够厚度的DZ层，具有小电阻率变化的IG性能。晶片具有设置在整个晶片表面上的器件区域，以具有形成在前侧的IGBT器件和与器件区域相比位于更靠近后侧的吸杂区域，并且将被去除之后形成装置。器件区域在厚度方向上的尺寸为100-200μm，在晶体直径方向上的整个区域中消除了COP缺陷和位错簇，间隙氧浓度为8.5OE017原子/ cm3以下，晶片内的电阻率变化表面为5％以下。

4. 发明申请

WO2006137181A1 半導体単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体单晶的装置
公开(公告)号：WO2006137181A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/022390
申请日：2005-12-06
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 小野敏昭 , 宝来正隆
发明人：杉村渉 , 小野敏昭 , 宝来正隆
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要：　この半導体単結晶製造装置は、ルツボと、ヒータと、ルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバ内に、水素原子を含む水素含有ガスおよび不活性ガスを混合した水素混合ガスを供給する水素混合ガス供給装置とを有し、前記水素混合ガス供給装置は、水素含有ガス供給機と、不活性ガス供給機と、水素含有ガス流量制御器と、不活性ガス流量制御器と、水素含有ガスと不活性ガスとを混合して水素混合ガスを生成し貯留するバッファタンクとを備える。
摘要翻译：一种半导体单晶的制造装置，其特征在于，包括：坩埚，加热器，坩埚的操作手段，容纳所述坩埚和加热器的室;氢混合气体供给装置，含有氢原子的惰性气体的含氢气体被供给到所述室，其中所述氢气混合气体供给器包括含氢气体进料器，惰性气体进料器，含氢气体流量调节器，气体流量调节器和其中混合含氢气体和惰性气体以产生氢气混合气体并且混合气体被储存的缓冲罐。

5. 发明申请

WO2006137180A1 半導体単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体单晶的装置
公开(公告)号：WO2006137180A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/022194
申请日：2005-12-02
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 宝来正隆 , 小野敏昭
发明人：杉村渉 , 宝来正隆 , 小野敏昭
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要：　この半導体単結晶製造装置は、ルツボと、ヒータと、ルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバ内に、水素原子を含む水素含有ガスおよび不活性ガスを混合した水素混合ガスを供給する水素混合ガス供給装置とを有し、前記水素混合ガス供給装置は、水素含有ガス供給機と、不活性ガス供給機と、水素含有ガス流量制御器と、不活性ガス流量制御器と、水素含有ガスと不活性ガスとを均一に混合して水素混合ガスを生成するガス混合手段とを備える。
摘要翻译：一种半导体单晶的制造装置，其特征在于，包括：坩埚，加热器，坩埚的操作手段，容纳所述坩埚和加热器的室;氢混合气体供给装置，含有氢原子的惰性气体的含氢气体被供给到所述室，其中所述氢气混合气体供给器包括含氢气体进料器，惰性气体进料器，含氢气体流量调节器，气体流量调节器和将含氢气体与惰性气体均匀混合以产生氢气混合气体的气体混合器。

6. 发明申请

WO2007013189A1 シリコンウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅晶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2007013189A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2005/020548
申请日：2005-11-09
申请人：株式会社SUMCO , 杉村渉 , 小野敏昭 , 宝来正隆
发明人：杉村渉 , 小野敏昭 , 宝来正隆
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/26 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：水素原子含有物質の気体を含む不活性雰囲気中でＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する。育成されたシリコン単結晶より得られたウェーハに、非酸化雰囲気中１０００°C以上１３００°C以下での高温熱処理をほどこす。その際、高温熱処理工程の前に、それより低い温度での低温熱処理をほどこす。
摘要翻译：硅单晶通过CZ法在包含含氢物质的气体的惰性气氛中生长。将由这样生长的硅单晶获得的晶片在非氧化气氛中在高达1,000-1,300℃的温度下加热。在高温热处理步骤之前，在低于该温度的温度下对晶片进行低温热处理。

7. 发明申请

WO2006022296A1 シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法审中-公开
标题翻译：硅砂，其生产方法和生产硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2006022296A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015346
申请日：2005-08-24
申请人：株式会社SUMCO , 宝来正隆 , 杉村渉 , 小野敏昭
发明人：宝来正隆 , 杉村渉 , 小野敏昭
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203
摘要：　このシリコンウェーハは、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成され、ウェーハ厚さ方向全域で結晶径方向の全域にＣＯＰおよび転位クラスタを含まない完全Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥フリーウェーハとされ、かつ、ウェーハ全域が格子間シリコン優勢領域からなる。このシリコン単結晶育成方法は、水素を含む不活性雰囲気中でシリコン単結晶を引き上げることにより、ＰＩ領域引き上げ速度の範囲を拡大し、このＰＩ領域引き上げ速度範囲で引き上げることにより、単結晶直胴部を格子間シリコン優勢領域とする。
摘要翻译：在根据CZ方法的含有氢气的惰性气氛中生长的硅晶片，其是在整个晶片厚度方向上在晶圆直径方向上不含COP和位错簇的完全生长的无缺陷晶片，其中跨晶片由间隙硅主导区组成。提供了生长硅单晶的方法，包括在含有氢的惰性气氛中拉起硅单晶，以扩大PI区域上拉率的范围并在PI区域拉伸范围内实现上拉使得单晶体的圆柱体由间隙硅主导区域构成。

8. 发明申请

WO2006003812A1 シリコンウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたシリコンウェーハ审中-公开
标题翻译：生产硅工艺的方法和工艺生产的硅砂
公开(公告)号：WO2006003812A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/JP2005/011337
申请日：2005-06-21
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 定光信介 , 杉村渉 , 赤塚雅則 , 宝来正隆
发明人：定光信介 , 杉村渉 , 赤塚雅則 , 宝来正隆
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3226
摘要：　シリコンウェーハの直径が大きく、ＳＬＡやＦＬＡ等の熱処理を施しても、広い酸素析出物の密度の範囲にわたって、スリップが発生せず強度の高いシリコンウェーハを得る。　先ずシリコンウェーハを製造するために設定した複数種類の酸素濃度及び熱履歴のそれぞれの組合せを入力パラメータとして、フォッカープランク方程式を解くことにより、酸素析出物（１１）を形成するための熱処理工程の後であってデバイス製造プロセスの熱処理工程の直前のウェーハ内部の酸素析出物の対角線長Ｌ及び密度Ｄをそれぞれ算出する。次にデバイス製造プロセスの熱処理工程に用いられる熱処理炉構造及びその熱処理温度に基づいて、デバイス製造プロセスの熱処理工程でウェーハの外周部の接線方向に作用する最大熱応力Ｓを算出した後に、次の式（１）の関係を満たす酸素濃度等を決定する。　　　　　１２０００×Ｄ－０．２６ ≦ Ｌ ≦ ５１０００×Ｓ－１．５５　　　……（１）
摘要翻译：即使经受热处理的大直径硅晶片，例如SLA或FLA，在宽范围的氧沉积密度范围内没有任何滑移现象，实现了高强度。首先，将用于生产硅晶片的多种类型的氧浓度和热历史的每个组合用作输入参数，解决福克普朗克方程式，从而计算氧沉积物的对角线长度（L）和密度（D）在用于形成氧气沉积物（11）的热处理操作之后的晶片内，但在装置制造过程的热处理操作之前。随后，根据装置制造工序的热处理运转中使用的热处理炉的结构，计算装置制造工序的热处理运转中的晶圆周向切向方向的最大热应力（S）热处理温度。此后，例如确定满足以下关系式的氧浓度：12000×D -0.26 = L = 51000×S -1.55（1）。

9. 发明申请

WO2006112053A1 シリコン単結晶の育成方法、並びにシリコンウェーハおよびそれを用いたＳＯＩ基板审中-公开
标题翻译：硅单晶生长方法，使用这种硅膜的硅晶片和SOI衬底
公开(公告)号：WO2006112053A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：PCT/JP2005/016961
申请日：2005-09-14
申请人：株式会社SUMCO , 小野敏昭 , 杉村渉 , 宝来正隆
发明人：小野敏昭 , 杉村渉 , 宝来正隆
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/322 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203 , H01L21/3225
摘要：　本発明のシリコン単結晶の育成方法によれば、育成装置内の不活性雰囲気中の水素分圧を４０Ｐａ以上、４００Ｐａ以下にすること、および単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成することによりＣＺ法によるシリコン単結晶を製造するので、全面がＧｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥を存在させることなく無欠陥領域からなり、かつＢＭＤが十分にそして均一に形成されるウェーハを容易に採取することができる。このようなウェーハは、その上に形成される集積回路の特性不良品の発生を大幅に低減させることができ、回路の微細化および高密度化に対応した基板として、その製造歩留まりの向上に寄与することができるので、広く利用することができる。
摘要翻译：在硅单晶生长方法中，在生长装置的惰性气氛中，通过CZ法在氢气分压为40Pa以上且400Pa以下，制造单晶硅，通过生长单晶直体部作为未存在缺陷的缺陷区域。因此，可以容易地提供其中整个平面由没有生长缺陷的非缺陷区域和BMD充分均匀地形成的晶片。这样的晶片可以被广泛使用，因为可以大大减少形成在晶片上的特征不合格集成电路的产生，并且晶片可以有助于提高制造成品率，作为满足电路微型化和密度增加的要求的基板。

10. 发明申请

WO2004083496A1 シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法审中-公开
标题翻译：硅砂，其生产方法和生产硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2004083496A1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：PCT/JP2004/002239
申请日：2004-02-25
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 宝来正隆 , 杉村渉 , 小野敏昭 , 田中忠美
发明人：宝来正隆 , 杉村渉 , 小野敏昭 , 田中忠美
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06
摘要： In the growing of a silicon single crystal free of Grown-in defects according to the CZ process with the use of a hot zone structure capable of realizing temperature gradient (Gc) at the crystal center being equal to or higher than temperature gradient (Ge) at the crystal periphery, crystal pulling is performed at a rate close to the critical rate at which a ring OSF generation region disappears at the crystal center while feeding an inert gas containing hydrogen into the pulling crucible. Thus, the critical rate at which a ring OSF region disappears at the crystal center can be raised, and the single crystal free of Grown-in defects wherein there is neither dislocation cluster nor COP over the entire region of as-grown crystal radial direction can be grown by pulling at a rate higher than in the prior art.
摘要翻译：在使用能够实现在晶体中心处的温度梯度（Gc）等于或高于温度梯度（Ge）的热区结构的情况下，根据CZ工艺生长不含生长缺陷的硅单晶，在晶体周边，以接近环状OSF产生区域在晶体中心消失的临界速率的速率进行晶体拉伸，同时将含有氢的惰性气体供给到拉制坩埚中。因此，可以提高环状OSF区域在晶体中心消失的临界速率，并且在生长晶体径向方向的整个区域上不存在位错簇和COP的成长缺陷的单晶可以通过以比现有技术更高的速率拉伸来生长。

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