会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明申请
    • СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕЙТРОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ВЕЩЕСТВА
    • NEUTRON DOPING方法和设备
    • WO2014104945A2
    • 2014-07-03
    • PCT/RU2013/001169
    • 2013-12-25
    • ПЕТРОВ, Георгий НиколаевичДРОБЫШЕВСКИЙ, Юрий Васильевич
    • ПЕТРОВ, Георгий НиколаевичДРОБЫШЕВСКИЙ, Юрий ВасильевичПРОХОРОВ, Александр КирилловичГУЩИН, Виталий ВениаминовичСТОЛБОВ, Сергей НиколаевичНЕКРАСОВ, Сергей Александрович
    • G21G1/06C30B29/06C30B31/20H01L21/261
    • Группа изобретений относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является рост производительности процесса легирования и формирование областей с повышенной степенью легирования в заданных участках легируемого вещества. Указанный технический результат достигается за счет того, что в способе нейтронного легирования вещества, включающем замедление быстрых нейтронов источника веществом замедлителя, формирование потока тепловых нейтронов в выделенную область и облучение тепловыми нейтронами легируемого вещества, быстрые нейтроны источника в процессе замедления сепарируют по углам их распространения, выделяют их потоки, двигающиеся в выделенном структурой вещества замедлителя направлении, суммируют выделенные структурой потоки, формируют в виде узкой полосы и направляют на легируемое вещество, легируемое вещество управляемо перемещают в области фокуса потоков нейтронов. Указанный технический результат достигается также за счет того, устройство для нейтронного легирования вещества включает источник нейтронов, замедлитель, легируемое вещество и устройство перемещения легируемого вещества, при этом замедлитель представляет собой устройство формирования направленного потока нейтронов, выполненное в виде протяженных пластин с анизотропно структурированной селектирующей структурой с каналами между ними, ориентированными в выделенных структурой направлениях области фокусов потоков нейтронов, причем легируемое вещество, по крайней мере, своей частью размещено в области фокусов потоков нейтронов, а устройство перемещения легируемого вещества содержит управляемый привод и систему управления его перемещением в области фокуса.
    • 这组发明涉及具有热中子的硅的中子转化掺杂(NTD)的技术,其广泛应用于电子和电气工业中的仪器的制造。 本发明产生了更快速的掺杂工艺和在掺杂物质的特定部分中具有较高掺杂程度的区域的形成的技术结果。 该结果的实现是在中子掺杂方法中,其包括使用调节剂材料调节来自源的快中子,在选择的区域中形成热中子通量并照射待掺杂的热中子的物质,来自 源在调节过程中根据其传播角度分离,其在由缓和剂材料的结构确定的方向上移动的通量被分离,由结构分离的通量被组合,成形为窄条形状并且被定向 在待掺杂的物质上,并且待掺杂物质可控地在中子通量聚焦区域中移动。 进一步实现上述技术结果,其中中子掺杂装置包括中子源,调节剂,待掺杂物质和用于移动待掺杂物质的装置,其中调节剂是定向中子通量形成装置 具有各向异性结构的选择结构的细长板的形式以及其间的通道在中子通量聚焦区域的结构方向上取向,其中待掺杂的物质至少部分地设置在中子通量焦点中 并且用于移动待掺杂物质的装置包括可控驱动器和用于控制其在聚焦区域中的移动的系统。
    • 2. 发明申请
    • 圧電性複合基板の製造方法、および圧電素子の製造方法
    • 制造压电复合基板的方法及制造压电元件的方法
    • WO2010067794A1
    • 2010-06-17
    • PCT/JP2009/070536
    • 2009-12-08
    • 株式会社村田製作所早川徳洋神藤始初田一平
    • 早川徳洋神藤始初田一平
    • C30B33/06H03H3/08
    • C30B33/06C30B31/20H01L41/257H01L41/312H03H3/08
    •  単結晶薄膜の結晶軸や分極軸の傾きを制御可能で生産性が良く、製造工程での焦電性による悪影響を回避できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。複数の圧電体を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程(S1)と接合工程(S2)と剥離工程(S3)を含む。イオン注入工程(S1)では、圧電体の圧電単結晶体(1)へH + イオンを注入する。接合工程(S2)では圧電単結晶体(1)に圧電単結晶体(2)を接合する。その際、圧電単結晶体(1)と圧電単結晶体(2)とで接合面側の極性面の正負を逆にしておく。そして、剥離工程(S3)では、加熱により圧電単結晶体(1)を剥離層(3)で分断して圧電単結晶薄膜(4)を剥離する。
    • 提供一种制造压电复合基板的方法,该方法能够控制单晶薄膜的晶轴和偏振轴的倾斜,实现良好的生产率,并且避免在制造过程中由热电特性引起的不良影响 。 设置有多个压电体的压电复合基板的制造方法包括离子注入工序(S1),结合工序(S2)和剥离工序(S3)。 在离子注入步骤(S1)中,将H +离子注入到压电体的压电单晶体(1)中。 在接合步骤(S2)中,将压电单晶体(2)接合到压电单晶体(1)上。 此时,压电单晶体(1)和压电单晶体(2)的接合面侧的极性表面具有相反的极性。 在剥离工序(S3)中,通过加热将剥离层(3)与压电单晶体(1)分离,剥离压电单晶薄膜(4)。
    • 7. 发明申请
    • NEUTRON DOPING METHOD AND DEVICE
    • NEUTRON DOPING方法和设备
    • WO2014104945A3
    • 2014-08-07
    • PCT/RU2013001169
    • 2013-12-25
    • PETROV GEORGY NIKOLAEVICHDROBYSHEVSKY YURY VASILIEVICH
    • PETROV GEORGY NIKOLAEVICHDROBYSHEVSKY YURY VASILIEVICHPROKHOROV ALEXANDR KIRILLOVICHGUSCHIN VITALY VENIAMINOVICHSTOLBOV SERGEI NIKOLAEVICHNEKRASOV SERGEI ALEXANDROVICH
    • C30B31/20G21G1/06H01L21/263
    • G21G1/06C30B29/06C30B31/20H01L21/261
    • The invention relates to technology for the neutron transmutation doping of silicon with thermal neutrons, a practice which is widely applicable in the manufacture of instruments in the electronic and electrical industry. The present neutron doping method involves moderating fast neutrons from a source using a moderator material, forming a flux of thermal neutrons into a selected area and irradiating the substance to be doped with thermal neutrons, wherein the fast neutrons from the source are separated during the moderation process according to their angles of propagation, fluxes thereof moving in a direction determined by the structure of the moderator material are separated, the fluxes separated by the structure are combined, are shaped in the form of a narrow strip and are directed at the substance to be doped, and the substance to be doped is controllably moved in the neutron flux focus region. The technical result of the invention is a more efficient doping process and the formation of regions with a higher degree of doping in specific portions of the doped substance.
    • 本发明涉及用于具有热中子的硅的中子转化掺杂的技术,其广泛适用于电子和电气工业中的仪器的制造。 目前的中子掺杂方法包括使用调节剂材料调节来自源的快中子,在选定区域形成热中子通量并照射待掺杂物质的热中子,其中来自源的快中子在调节期间被分离 根据其传播角度的过程,将由在慢化剂材料的结构确定的方向上移动的通量分离,由结构分离的助熔剂组合,成形为窄带形式并且被引导到物质 被掺杂的物质可以在中子通量聚焦区域被可控地移动。 本发明的技术结果是更有效的掺杂工艺和在掺杂物质的特定部分中具有较高掺杂程度的区域的形成。