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1. 发明申请

WO2006137174A1 シリコン単結晶の育成方法及びその方法により育成されたシリコン単結晶审中-公开
标题翻译：通过该方法生长硅单晶和硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2006137174A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/016783
申请日：2005-09-12
申请人：株式会社SUMCO , 稲見修一 , 村上浩紀 , 高瀬伸光 , 濱田建 , 中村剛
发明人：稲見修一 , 村上浩紀 , 高瀬伸光 , 濱田建 , 中村剛
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/04 , C30B29/06
摘要：　このシリコン単結晶の育成方法は、育成中のシリコン単結晶の周囲を取り囲んでその内周面が引上軸と同軸である冷却用部材によりシリコン単結晶の少なくとも一部を冷却しながらチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成し、前記単結晶を育成する雰囲気ガスが水素原子含有物質の気体を含む。
摘要翻译：一种生长硅单晶的方法，其包括通过切克劳斯基法（Czochralski method）生长硅单晶，同时用包围硅单晶的冷却构件冷却至少一部分硅单晶，并且其内圆周表面的轴线重合其中生长单晶的气氛气体包含含氢原子的物质的气体。

2. 发明申请

WO2004008521A1 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：高电阻硅波及其制造方法
公开(公告)号：WO2004008521A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008333
申请日：2003-06-30
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 定光信介 , 高瀬伸光 , 高尾浩之 , 末岡浩治 , 宝来正隆
发明人：定光信介 , 高瀬伸光 , 高尾浩之 , 末岡浩治 , 宝来正隆
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： C30B33/00 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L21/76243 , Y10T428/21
摘要：ゲッタリング能及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素ドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。これを実現するために、比抵抗値が100Ωcm以上で、炭素濃度が5×10 15 ～5×10 17 atoms/cm 3 の炭素卜ーブ高抵抗・高酸素シリコンウエーハに、残留酸素濃度がOld-ASTMで6.5×10 17 atoms/cm 3 以上となるように、1100℃以上の高温熱処理を行う。この高温熱処理は、ウエーハ表層部にDZ層を形成するためのOD処理や、表層のCOPを除去するための高温アニール、SIM0Xウエーハ製造プロセスにおけるBOX層形成用の高温熱処理等で代用される。
摘要翻译：通过对碳掺杂的高电阻/高电平进行制造，具有优异的吸气性能和经济效率并且能够有效地抑制在器件制造者侧进行的电路形成热处理时的氧供体的发生的高电阻硅晶片具有100ohmcm或更大电阻率和5×10 15至5×10 17原子/ cm 3碳浓度的氧硅晶片，以在高温如1100℃或更高的温度下进行热处理，使得残余氧气的浓度变为 6.5×10 17个原子/ cm 3或更大。代替在高温下的这种热处理，可以使用例如在晶片表面层部分上形成DZ层的OD处理，用于除去表面层COP的高温退火，用于形成的高温热处理一个生产SIMOX晶圆的BOX层等。

3. 发明申请

WO2006137179A1 シリコン単結晶の育成方法审中-公开
标题翻译：生产硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2006137179A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/022109
申请日：2005-12-01
申请人：株式会社SUMCO , 稲見修一 , 高瀬伸光 , 小暮康弘 , 濱田建 , 中村剛
发明人：稲見修一 , 高瀬伸光 , 小暮康弘 , 濱田建 , 中村剛
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/14
摘要：　本発明はシリコン単結晶の育成方法に関する。育成中のシリコン単結晶の側面部に熱応力が負荷される条件でチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する。単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとする。
摘要翻译：一种生长硅单晶的方法。该方法包括在对生长的硅单晶的侧面施加热应力的条件下通过Czochralski法生长硅单晶。其中生长单晶的气氛气体是包含惰性气体和含氢原子物质的气体的混合气体。

4. 发明申请

WO2006137178A1 シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产硅单晶的方法及其制造方法
公开(公告)号：WO2006137178A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2005/020434
申请日：2005-11-08
申请人：株式会社SUMCO , 稲見修一 , 高瀬伸光 , 小暮康弘 , 濱田建 , 中村剛
发明人：稲見修一 , 高瀬伸光 , 小暮康弘 , 濱田建 , 中村剛
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
摘要：　本発明のシリコン単結晶の育成方法は、チョクラルスキー法により、ＡＳＴＭ－Ｆ１２１　１９７９による測定で酸素濃度が１２×１０１７～１８×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ３であるシリコン単結晶を育成する方法である。単結晶を育成する雰囲気ガスは、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとする。融点から１３５０°Cまでの結晶中心部での軸方向温度勾配Ｇｃと融点から１３５０°Cまでの結晶外周部での軸方向温度勾配Ｇｅとの比Ｇｃ／Ｇｅが１．１～１．４、前記結晶中心部での軸方向温度勾配Ｇｃが３．０～３．５°C／ｍｍとなるように育成中のシリコン単結晶の温度を制御する。
摘要翻译：一种生长硅单晶的方法，其中氧浓度为12×10 17×10 17原子/ cm 3的硅单晶， / SUP>通过根据ASTM-F121 1979的测量确定通过Czochralski方法生长。其中生长单晶的气氛气体是包含惰性气体和含氢原子物质的气体的混合气体。控制生长的硅单晶的温度，使晶体核心Gc中的轴向温度梯度在熔点至1350℃的范围内与晶体周边的轴向温度梯度之比在熔点为1350℃，Gc / Ge的范围内的部分Ge为1.1〜1.4，晶核Gc的轴向温度梯度为3.0〜3.5℃/ mm。

5. 发明申请

WO2010140352A1 石英ガラスルツボ用蓋と石英ガラスルツボおよびその取り扱い方法审中-公开
标题翻译：用于熔融石英坩埚，熔融石英坩埚及其处理方法
公开(公告)号：WO2010140352A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/JP2010/003668
申请日：2010-06-01
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社 , 株式会社SUMCO , 佐藤賢 , 大原真美 , 高瀬伸光
发明人：佐藤　賢 , 大原　真美 , 高瀬　伸光
IPC分类号： C30B15/10 , B65D43/02 , B65D77/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06
摘要：　ルツボ原料粉のルツボ内面への侵入までを回避できる方途を与えることによって、石英ガラスルツボ内への異物侵入を、ルツボの実際の使用時期まで確実に回避し、汚染されない状態でのルツボの取り扱いを可能にする。　石英ガラスルツボ１の開口部２に装着する蓋３であって、前記開口部２の外周端２ａに密着するフランジ部４を有する蓋３を、ルツボ１に装着する。
摘要翻译：通过提供用于防止甚至将坩埚原料浸入坩埚内表面的方法，可以可靠地避免异物在熔融石英坩埚中的进入，直到坩埚实际使用为止，坩埚可以处理一个未受污染的状态。公开了安装在熔融石英坩埚（1）的开口（2）上的盖（3），其中盖（3）具有凸缘区域（4），该凸缘区域气密地附接到上述开口的外边缘（2a）（2）。

6. 发明申请

WO2009031365A1 シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于拉丝硅单晶的SEED晶体和使用晶种制造硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2009031365A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/062899
申请日：2008-07-17
申请人：株式会社SUMCO , 高瀬伸光
发明人：高瀬伸光
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/36
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/36
摘要：　シリコン融液への接触時に発生する熱衝撃によるスリップ転位の発生を低減させ、かつ、このスリップ転位の伝播を抑制し、ネック部の直径が従来よりも太い径でも無転位化が可能な、シリコン単結晶引上げ用種結晶を提供する。　本発明のシリコン単結晶引上げ用種結晶は、ＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げに使用される種結晶の改良であり、その特徴ある構成は、種結晶が炭素のドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出されたものであって、ドープされている炭素の濃度が５×１０ 15 ～５×１０ 17 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 の割合であるところにある。
摘要翻译：提供了用于拉出单晶硅的晶种。通过该方法，当晶种与硅熔体接触时产生的热冲击产生的滑移位移减小，抑制了这种滑移位移的传播，即使颈部的直径大于位移也消除了位移常规的。通过CZ方法提供改良的晶种来提取硅单晶。从从掺碳硅熔体拉出的硅单晶切割晶种。掺杂碳的浓度比为5×10 15 -5×10 17原子/ cm 3。

7. 发明申请

WO2003092065A1 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：高电阻硅波及其生产方法
公开(公告)号：WO2003092065A1
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/JP2003/004866
申请日：2003-04-16
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 高瀬伸光 , 西川英志 , 伊藤誠人 , 末岡浩治 , 定光信介
发明人：高瀬伸光 , 西川英志 , 伊藤誠人 , 末岡浩治 , 定光信介
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：ゲッタリング能、機械的強度及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。抵抗率が100Ωcm以上で、酸素濃度が14×10 17 atoms/cm 3 (ASTM　F-121,1979)以上、炭素濃度が0.5×10 16 atoms/cm 3 以上である高酸素・炭素ドープの高抵抗シリコンウエーハに、非酸化性ガス雰囲気中で500～900℃×5時間以上の酸素析出核形成熱処理を施し、更に950～1050℃×10時間以上の酸素析出物成長熱処理を施す。これらの熱処理により、前記ウエーハ中の残存酸素濃度を12×10 17 atoms/cm 3 (ASTM　F-121,1979)以下に制御する。抵抗率が100Ωcm以上で、内部に0.2μmサイズ以上の酸素析出物(BMD)が1×10 4 個/cm 2 以上の高密度で形成された高抵抗・低酸素で高強度のシリコンウエーハが製造される。
摘要翻译：电阻率为100欧姆以上的高电阻硅晶片，以1×10 4个/ cm 2以上的高密度形成在其内部形成有大小为0.2μm以上的氧析出物（BMD） >以上，氧浓度为12×10 17原子/ cm 3以下（ASTM F-121,1979），碳浓度为0.5×10 16原子/ cm 3以上。以及用于制造硅晶片的方法，其包括对具有上述电阻率的碳掺杂的高电阻，高氧浓度硅晶片，氧浓度为14×10 17原子/ cm 3以上（ASTM F-121 ，1979）和上述碳浓度，在非氧化性气体气氛中，在500〜900℃下进行5小时以上的氧析出核，进一步在950〜1050℃进行氧沉淀生长热处理从而将晶片中的氧浓度降低至上述水平。高电阻硅晶片的吸气能力，机械强度和经济性优异，并且还可以有效地抑制用于形成在器件制造者侧进行的电路的热处理中的氧供体的产生。

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