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1. 发明申请

WO2016002707A1 酸化ガリウム基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氧化铝基材及其制备方法
公开(公告)号：WO2016002707A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2015/068661
申请日：2015-06-29
申请人：株式会社タムラ製作所 , 株式会社光波
发明人：山岡　優 , 増井　建和 , 森島　嘉克 , 阿部　康孝
IPC分类号： C30B29/16 , B23H9/00 , B24B27/06 , C30B33/00 , B24B37/00
CPC分类号： B23H9/00 , B24B27/06 , B24B37/00 , C30B29/16 , C30B33/00
摘要：　欠陥の発生を抑えつつ、酸化ガリウム単結晶のインゴットから酸化ガリウム基板を得ることのできる酸化ガリウム基板の製造方法、及び加工の際の欠陥の発生を抑えることのできる構造を有する酸化ガリウム基板を提供する。　一実施の形態において、ワイヤー放電加工により、酸化ガリウム単結晶のインゴット２から、径方向に平行な断面が（１００）面と異なる酸化ガリウム単結晶の円柱状ブロック２０を切り出す工程と、円柱状ブロック２０をスライスして酸化ガリウム基板３０を得る工程と、を含む、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
摘要翻译：提供：可以从单晶氧化镓晶锭得到缺陷发生的氧化镓基板的制造方法和氧化镓基板; 以及具有能够减少加工时的缺陷发生的结构的氧化镓基板。本发明的一个实施方案提供一种氧化镓衬底的制造方法，其包括以下步骤：作为线放电加工的结果，将具有与直径方向平行的截面的单晶氧化镓的圆筒状块（20）不同于（100）平面是从单晶氧化镓的晶锭（2）切出的; 以及将圆柱形块（20）切片并获得氧化镓基板（30）的步骤。

2. 发明申请

WO2015156972A1 BORON DOPED N-TYPE SILICON TARGET 审中-公开
标题翻译： BORON DOPED N型硅酮靶
公开(公告)号：WO2015156972A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/US2015/021239
申请日：2015-03-18
申请人： TOSOH SMD, INC.
发明人： IVANOV, Eugene Y. , YUAN, Yongwen
IPC分类号： C23C14/34 , C30B29/06
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/10 , C23C14/14 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01J37/3426 , H01J2237/332
摘要： Sputter targets and methods of making same. The targets comprise B doped n-type Si. The targets may be made from single crystal boron doped p-type Si ingot made by the CZ method. Resistivities along the length of the crystal are measured, and blanks may be cut perpendicular to the ingot central axis at locations having resistivities of from about 1-20 ohm.cm. The blanks are then formed to acceptable shapes suitable for usage as sputter targets in PVD systems. No donor killing annealing is performed on the ingot or blanks.
摘要翻译：溅射目标和制作方法。目标包括B掺杂的n型Si。靶可以由通过CZ法制成的单晶硼掺杂的p型Si晶锭制成。测量沿着晶体长度的电阻率，并且可以在电阻率为约1-20欧姆·厘米的位置处垂直于晶锭中心轴切割坯料。然后将坯料形成为适合用作PVD系统中的溅射靶的可接受形状。在锭或坯料上不进行供体杀伤退火。

3. 发明申请

WO2015133064A1 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハ审中-公开
标题翻译：制造半导体外延晶体的方法和半导体外延晶体管
公开(公告)号：WO2015133064A1
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：PCT/JP2015/000597
申请日：2015-02-10
申请人：信越半導体株式会社
发明人：萩本　和徳 , 篠宮　勝 , 土屋　慶太郎 , 後藤　博一 , 佐藤　憲 , 鹿内　洋志 , 小林　昇一 , 栗本　宏高
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
CPC分类号： C30B33/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B25/183 , C30B29/406 , C30B33/10 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/7806 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/32
摘要：　本発明は、シリコン系基板上に半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを作製する工程と、前記作製されたエピタキシャルウェーハの外周部を観察する観察工程と、前記観察工程において観察されたクラック、エピタキシャル層剥れ、及び、反応痕の部分を取り除く除去工程とを有することを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、完全なクラックフリーの半導体エピタキシャルウェーハを得ることが可能な半導体エピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种制造半导体外延晶片的方法，其特征在于具有：通过在硅系衬底上外延生长半导体层来制造外延晶片的步骤; 用于观察所制造的外延晶片的外周部的观察步骤; 以及去除在观察步骤中观察到的裂纹，外延层分层或反应标记部分的去除步骤。由本发明提供的半导体外延晶片的制造方法可以获得完全没有裂纹的半导体外延晶片。

4. 发明申请

WO2015107772A1 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：WO2015107772A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/JP2014/080849
申请日：2014-11-21
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：堀　勉 , 上田　俊策 , 松島　彰
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/00
CPC分类号： C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/02
摘要：　炭化珪素単結晶と台座とを容易に切り離すことができる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。種基板と台座とを応力緩衝層を介して固定する工程（Ｓ１０）と、種基板上に炭化珪素単結晶を成長させる工程（Ｓ２０）と、応力緩衝層において炭化珪素単結晶と台座とを切り離す工程（Ｓ３０）と、切り離す工程（Ｓ３０）後の炭化珪素単結晶に付着している応力緩衝層の残渣を除去する工程（Ｓ４０）とを備える。
摘要翻译：提供了制造单晶碳化硅的方法，其中可以容易地将单晶碳化硅与基座分离。该方法包括步骤（S10），其中种子基板通过应力消除层固定到基座上;步骤（S20），其中种子基板上生长单晶碳化硅，步骤（S30）其中单晶碳化硅与应力消除层上的基座分离;以及步骤（S40），其中在分离步骤之后与单晶碳化硅粘附的应力消除层的残留物（ S30）被移除。

5. 发明申请

WO2015076037A1 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅基体和碳化硅基体的生产方法
公开(公告)号：WO2015076037A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/JP2014/077304
申请日：2014-10-14
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：堀　勉 , 佐々木　信 , 本家　翼 , 川瀬　智博
IPC分类号： C30B29/36 , B24B27/06 , B28D5/04 , C30B33/00 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/045 , B24B27/0633 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/06
摘要：　炭化珪素インゴット（１）は、端面（１ａ）と端面（１ａ）と反対側の端面である端面（１ｂ）とを有している。炭化珪素インゴット（１）では、端面（１ａ）と端面（１ｂ）とが対向する方向である成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０１６ｃｍ－４以上１×１０１８ｃｍ－４以下になっている。
摘要翻译：本发明提供一种碳化硅锭（1），其包括端面（1a）和端面（1b），该端面是与端面（1a）相反一侧的端面。在碳化硅锭（1）中，作为端面（1a）和端面（1b）的面方向的生长方向的氮浓度梯度为1×1016以上 cm-4且等于或小于1×1018cm-4。

6. 发明申请

WO2015060350A1 単結晶蛍光体、蛍光体含有部材、及び発光装置审中-公开
标题翻译：单晶磷光体，含磷成分和发光装置
公开(公告)号：WO2015060350A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/JP2014/078105
申请日：2014-10-22
申请人：株式会社光波 , 独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：猪股　大介 , 新井　祐輔 , 佐野　広明 , 青木　和夫 , 島村　清史 , ガルシア　ビジョラ　エンカルナシオン　アントニア
IPC分类号： C09K11/80 , C09K11/08 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/36 , C30B29/28 , C30B33/00 , H01L33/486 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：　従来にない色の蛍光を発するＹＡＧ系の単結晶蛍光体、並びにその単結晶蛍光体を備えた蛍光体含有部材及び発光装置を提供する。　一実施の形態として、組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有し、励起光のピーク波長が４５０ｎｍ、温度が２５℃であるときの発光スペクトルのＣＩＥ色度座標ｘ、ｙが、－０．４３７７ｘ＋０．７３８４≦ｙ≦－０．４５８５ｘ＋０．７５０４の関係を満たす、単結晶蛍光体を提供する。
摘要翻译：提供：产生非常规颜色的荧光的基于YAG的单晶荧光体; 和含有荧光体的构件和发光装置，其中每个都配备有该单晶荧光体。作为本发明的一个实施方案，提供具有由组成式（Y1-a-bLuaCeb）3 + cAl5-cO12表示的组成的单晶荧光体（其中0≤a≤0.9994,0.0002≤b≤0.0067和-0.016≤ c≤0.315），并且当激发光的峰值波长在25℃的温度为450nm时，具有CIE色度坐标x和y的发射光谱满足关系-0.4377x +0.7384≤y≤-0.4585x + 0.7504 C。

7. 发明申请

WO2014162657A1 半導体ウェーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム审中-公开
标题翻译：用于制造半导体器件的半导体晶体管和切割定位系统的方法
公开(公告)号：WO2014162657A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/JP2014/001226
申请日：2014-03-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：三田村　伸晃 , 園川　将 , 佐藤　亘
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/66
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , C30B33/00
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法によりグローンイン欠陥が存在しない半導体ウェーハを製造する方法において、シリコン半導体インゴットを育成した後、該シリコン半導体インゴットの成長軸方向の酸素濃度の分布を測定し、該測定した酸素濃度と目標値との差が所定の値以上となった場合は、該所定の値以上となった位置を含むように切断位置を決定し、測定した酸素濃度と目標値との差が所定の値未満となった場合は、ブロック数が最小になるように切断位置を決定し、決定した切断位置においてシリコン半導体インゴットを切断した各ブロックを半導体ウェーハにスライスする半導体ウェーハの製造方法である。これにより、Ｎ領域ではない部位を全て正確に検査でき、グローンイン欠陥のない半導体ウェーハの製造が可能になる。
摘要翻译：本发明是使用切克劳斯基法（Czochralski method）制造其中不存在生长缺陷的半导体晶片的方法，其中制造半导体晶片的方法是：生长硅半导体晶锭; 之后，测定硅半导体锭的生长轴方向的氧浓度分布，在测定的氧浓度与目标值的差为规定值以上的情况下，确定切割定位以便包括达到或超过规定值的位置，并且当测量的氧浓度和目标值之间的差小于规定值时，确定切割定位使得块的数量最小化; 并且在确定的切割位置处切割硅半导体晶锭的块被切割成半导体晶片。因此，可以精确地检查不是N个区域的所有位置，并且可以制造没有生长缺陷的半导体晶片。

8. 发明申请

WO2014135211A1 SAPPHIRE STRUCTURE HAVING A PLURALITY OF CRYSTAL PLANES 审中-公开
标题翻译：具有多种晶体结构的蓝宝石结构
公开(公告)号：WO2014135211A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/EP2013/054562
申请日：2013-03-07
申请人： VERTU CORPORATION LIMITED
发明人： GODFREY, Stuart , DEWEY, Stewart
IPC分类号： G02B1/02 , C30B15/00 , C30B29/00
CPC分类号： G02B1/02 , C30B29/20 , C30B33/00 , G02B1/14
摘要： Sapphire crystallographic structure (200) having a plurality of crystal planes (210-240) wherein a first crystal plane (210) axis (a3) is perpendicular to the first axis (C) and to the second axis (a), a second crystal plane (220) axis (C) is parallel to the first axis (C) and a third crystal plane (230) axis (a) is parallel to the second axis (a3).
摘要翻译：具有第一晶面（210）轴（a3）垂直于第一轴（C）和第二轴（a）的多个晶面（210-240）的蓝宝石晶体结构（200），第二晶体平面（220）轴（C）平行于第一轴线（C）并且第三晶体平面（230）轴线（a）平行于第二轴线（a3）。

9. 发明申请

WO2013165315A3 SYSTEMS AND METHODS FOR INGOT GRINDING 审中-公开
标题翻译：用于烧结的系统和方法
公开(公告)号：WO2013165315A3
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/SG2013000172
申请日：2013-05-02
申请人： MEMC SINGAPORE PTE LTD
发明人： HICKS JAMES A , MERCURIO NICHOLAS R
IPC分类号： B24B9/06 , C30B33/00
CPC分类号： B24B9/06 , C01B33/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , Y10T428/12236 , Y10T428/12285
摘要： A method of grinding an ingot for use in manufacturing a semiconductor or solar wafer is disclosed. The method includes providing an ingot including four flat sides and four rounded corner portions, each corner portion extending between an adjacent pair of the flat sides, and grinding a plurality of planar facets on each corner portion, each planar facet of the corner portion joined to an adjacent facet at a juncture and oriented such that each corner portion has a substantially arcuate shape. A wafer and ingot are also disclosed.
摘要翻译：公开了一种用于制造半导体或太阳能晶片的锭的研磨方法。该方法包括提供包括四个平坦侧面和四个圆角部分的锭，每个拐角部分在相邻的一对平坦侧面之间延伸，并且在每个拐角部分上研磨多个平面部分，角部分的每个平面小面连接到在接合处的相邻小面并且定向成使得每个角部分具有基本上弓形的形状。还公开了一种晶片和锭。

10. 发明申请

WO2014126551A1 MULTI-STEP ION IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：多步离子植入
公开(公告)号：WO2014126551A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/US2013/025783
申请日：2013-02-12
申请人： APPLE INC.
IPC分类号： H01J37/317 , C30B31/22
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/081 , C23C14/5806 , C30B29/20 , C30B31/22 , C30B33/00 , H01J37/3171 , H01J37/32899 , H01J2237/3365
摘要： Systems and methods for strengthening a sapphire part are described herein. One embodiment may take the form of a method including orienting a first surface of a sapphire member relative to an ion implantation device and performing a first implantation step. The implanting step may include directing ions at the first surface of the sapphire member to embed them under the first surface. The systems and methods may also include one or more of heating the sapphire member to diffuse the implanted ions into deeper layers of sapphire member, cooling the sapphire member, and performing at least a second implantation step directing ions at the first surface of the sapphire member to embed the ions under the first surface
摘要翻译：本文描述了用于增强蓝宝石部件的系统和方法。一个实施例可以采取包括使蓝宝石构件的第一表面相对于离子注入装置定向并执行第一注入步骤的方法。植入步骤可以包括将蓝宝石构件的第一表面处的离子引导到第一表面下方。系统和方法还可以包括一个或多个加热蓝宝石构件以将注入的离子扩散到蓝宝石构件的更深层中，冷却蓝宝石构件，以及执行至少第二注入步骤，其将离子指向蓝宝石构件的第一表面将离子嵌入第一表面

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