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81. 发明申请

WO2013069510A1 温度制御方法、制御装置及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：温度控制方法，控制装置和等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2013069510A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/JP2012/078077
申请日：2012-10-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦　達也 , 小澤　亘 , 深澤　公博 , 風間　和典
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： G05D23/19 , G05D23/1904 , H01J37/32522 , H01L21/67248 , H01L21/6831
摘要：　複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。
摘要翻译：提供了一种用于等离子体处理装置（1）的温度控制方法，其可以改变用于以多个步骤处理待处理的身体的等离子体处理的每个步骤的设定温度。温度控制方法的特征在于包括：承载步骤，其中至少一个用于将待处理的身体携带到等离子体处理装置（1）的处理容器（10）中的进入步骤和执行进行处理体的输送步骤; 执行包括多个步骤的等离子体处理的处理执行步骤; 以及温度控制步骤，其中根据所执行的等离子体处理的结束时间控制后续处理的设定温度的第一温度控制和用于控制后续处理的设定温度的第二温度控制中的至少一个与进位步骤或执行步骤平行。

82. 发明申请

WO2013010864A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BESTIMMEN DES DAMPFDRUCKS EINES IN EINEM TRÄGERGASSTROM VERDAMPFTEN AUSGANGSSTOFFES 审中-公开
标题翻译：一种用于确定车辆的蒸气压在气流中的装置和方法汽化的起始物质
公开(公告)号：WO2013010864A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/EP2012/063539
申请日：2012-07-11
申请人： AIXTRON SE , LONG, Michael , GERSDORFF, Markus
发明人： LONG, Michael , GERSDORFF, Markus
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/52 , G01F1/68
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/52 , G01F1/684 , G01F1/696
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines in einem Trägergas transportierten Dampfs eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffs umfassend die Schritte: Beheizen eines eine Eintrittsöffnung (7) und eine Austrittsöffnung (9) aufweisenden Verdampfer (8); Einspeisen eines ein Trägergas aufweisenden Eingangsgasstroms durch die Eintrittsöffnung (7) in den Verdampfer (8); Ver- dampfen des festen oder flüssigen Ausgangsstoffs innerhalb des Verdampfers(8); Transportieren des so erzeugten Dampfes zusammen mit dem Trägergas als Ausgangsgasstrom durch die Austrittsöffnung (9); Ermitteln eines dem Massenfluss des Trägergases im Eingangsgasstrom zugeordneten ersten Wert mittels eines ersten Sensors (2); Ermitteln eines sowohl vom Massenfluss beziehungsweise Partialdruck des Trägergases als auch vom Massenfluss beziehungsweise Partialdruck des Dampfes im Ausgangsgasstrom beeinflussten zweiten Wert mit einem zweiten Sensor (10); Berechnen eines dem Partialdruck des im Ausgangsgasstrom transportierten Dampfes entsprechenden Wert durch In-Beziehung-Setzen der mittels der beiden Sensoren (2, 10) ermittelten Werte. Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zum Verdampfen eines flüssigen oder festen Ausgangsstoffs in einem beheizbaren Verdampfer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造输送在包括以下步骤的固体或液体原料的载气的蒸气：加热的入口开口（7）和（9），其具有蒸发器的出口开口（8）; 通过在蒸发器（8）的入口开口（7）供给具有载气输入气流; 汽化蒸发器内的固体或液体源材料（8）; 输送从而与载气一起产生作为通过所述出口开口的起始气流的蒸气（9）; 确定所述载气通过一个第一传感器（2）的装置与所述第一值相关联的输入气流中的质量流; 确定由所述载气的分压，并用一第二传感器（10）在输出气体流的影响的第二值的质量流量或分压蒸汽的质量流量或两者; 在与两个传感器的装置计算所述主蒸汽适当的值被输送的气体流的分压由（2，10）值来确定。本发明还涉及一种用于在可加热的蒸发器蒸发液体或固体原料。

83. 发明申请

WO2012160321A1 METHODS AND APPARATUSES FOR MEASURING THE THICKNESS DISTRIBUTION OF A DEPOSITED LAYER OF COATING MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于测量涂层材料沉积层厚度分布的方法和装置
公开(公告)号：WO2012160321A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/GB2012/000412
申请日：2012-05-04
申请人： QIOPTIQ LIMITED , JONES, Paul
发明人： JONES, Paul
IPC分类号： C23C14/54 , C23C16/52 , C23C14/04 , G01B21/08
CPC分类号： C23C14/547 , C23C14/046 , C23C16/52 , G01B11/0625
摘要： A method of measuring the thickness distribution of a deposited layer of coating material, the method including: adapting the shape of a flexible test sheet so that the flexible test sheet has a curved test surface representative of a curved surface of a component; depositing vaporised coating material on the curved test surface of the flexible test sheet to form a layer of coating material on the curved test surface of the flexible test sheet; and measuring a parameter representative of the thickness of the deposited layer of coating material at two or more locations on the test surface of the flexible test sheet.
摘要翻译：一种测量涂层材料的沉积层的厚度分布的方法，所述方法包括：使柔性测试片的形状适应，使得柔性测试片具有代表部件的曲面的弯曲测试表面; 在柔性测试片的弯曲测试表面上沉积汽化的涂层材料，以在柔性测试片的弯曲测试表面上形成涂层材料层; 以及测量表示柔性测试片的测试表面上两个或多个位置处的涂层材料的沉积层的厚度的参数。

84. 发明申请

WO2012156062A1 VERFAHREN ZUR PLASMABEHANDLUNG EINES SUBSTRATS IN EINER PLASMAVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：方法用于基材在等离子体设备等离子体处理
公开(公告)号：WO2012156062A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/EP2012/002044
申请日：2012-05-11
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN, Rudolf , BINDER, Sabine , MOOTZ, Falko
发明人： BECKMANN, Rudolf , BINDER, Sabine , MOOTZ, Falko
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/545 , H01J37/32 , H01J37/32091 , H01J37/32165
摘要： Das erfindungsgemäße Verfahren zur Beschichtung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei das Substrat zwischen zumindest einer Elektrode und zumindest einer Gegenelektrode angeordnet wird, zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode mittels einer RF-Spannung, welche zumindest zwei Frequenzkomponenten aufweist, eine Plasmaentladung angeregt wird, wobei die Frequenz der niedrigeren Frequenzkomponente mindestens 1 MHz und die Frequenz der zumindest einen höheren Frequenzkomponente mindestens das Doppelte der Frequenz der unteren Frequenzkomponente beträgt, zeichnet sich dadurch aus, dass der zu behandelnde Oberflächenbereich zumindest 1 m 2 und die mittlere Leistung der niedrigeren Frequenzkomponente maximal 70% der mittleren Leistung der höheren Frequenzkomponente beträgt und eine Beschichtungshomogenität einer auf das Substrat aufgebrachten Schicht in Abhängigkeit von einem Leistungsverhältnis LV = (mittlere Leistung der höheren Frequenz/mittlere Leistung der niedrigeren Frequenz mittlere Leistung der höheren Frequenz) eingestellt wird. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens.
摘要翻译：在等离子体装置，其中至少一个电极和至少一个反电极之间的基板设置涂覆衬底的本发明方法，等离子体放电是在电极和通过RF电压来对电极，其具有至少两个频率分量，其中，所述间兴奋较低频率分量的频率至少为1兆赫和至少一个较高频率分量的频率的至少两倍的低频分量的频率，其特征在于，所述待处理表面的至少1m 2的面积和最大的平均值的70％的较低频率分量的平均功率是较高频率分量的功率和所施加的层的涂层均匀性的衬底作为功率比LV =（所述niedri的较高频率/平均功率的平均功率的函数杰伦频率更高的频率的平均功率）被设定。本发明还涉及一种用于执行该方法。

85. 发明申请

WO2012055510A9 GASSCHLEUSE SOWIE BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG MIT EINER GASSCHLEUSE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012055510A9
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/005289
申请日：2011-10-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
发明人： POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gasschleuse zur Trennung zweier Gasräume, die es ermöglicht, mit minimalem räumlichem Aufwand die Trennung von Gasen ohne Berührung mit dem Produkt/Edukt/Transport-System zu erreichen. Die erfindungsgemäße Gasschleuse zeichnet sich dadurch aus, dass in einem Strömungskanal der Gasschleuse mindestens ein Mittel zur Manipulation der Strömung vorhanden ist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung eine Beschichtungsvorrichtung, die eine erfindungsgemäße Gasschleuse umfasst. Zudem werden Verwendungsmöglichkeiten der erfindungsgemäßen Gasschleuse angegeben.

86. 发明申请

WO2012055510A1 GASSCHLEUSE SOWIE BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG MIT EINER GASSCHLEUSE 审中-公开
标题翻译：气闸和涂覆装置用气体LOCK
公开(公告)号：WO2012055510A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/005289
申请日：2011-10-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
发明人： POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： F16J15/14 , C23C14/56 , C23C16/45506 , C23C16/45589 , C23C16/45591 , C23C16/52 , C23C16/54 , Y10T137/0318 , Y10T137/2224
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gasschleuse zur Trennung zweier Gasräume, die es ermöglicht, mit minimalem räumlichem Aufwand die Trennung von Gasen ohne Berührung mit dem Produkt/Edukt/Transport-System zu erreichen. Die erfindungsgemäße Gasschleuse zeichnet sich dadurch aus, dass in einem Strömungskanal der Gasschleuse mindestens ein Mittel zur Manipulation der Strömung vorhanden ist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung eine Beschichtungsvorrichtung, die eine erfindungsgemäße Gasschleuse umfasst. Zudem werden Verwendungsmöglichkeiten der erfindungsgemäßen Gasschleuse angegeben.
摘要翻译：本发明涉及一种气闸，用于分离两个气体室，这使得能够实现以最小的努力，气体不与产物/起始原料/运输系统接触的空间分离。根据本发明的气闸，其特征在于在气闸的流动通道的至少一个装置，用于操作所述流量存在。另外，本发明涉及一种涂敷装置，包括根据本发明的气体锁。此外，根据被赋予本发明使用的气闸。

87. 发明申请

WO2012033639A1 LINEAR CLUSTER DEPOSITION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：线性聚集体沉积系统
公开(公告)号：WO2012033639A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/US2011/048996
申请日：2011-08-24
申请人： VEECO PROCESS EQUIPMENT, INC. , QUINN, William E. , GURARY, Alexander , PARANJPE, Ajit , FERREIRA, Maria D. , FREMGEN, Roger P. , ARMOUR, Eric A.
发明人： QUINN, William E. , GURARY, Alexander , PARANJPE, Ajit , FERREIRA, Maria D. , FREMGEN, Roger P. , ARMOUR, Eric A.
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/54 , C30B35/00 , C23C16/44
CPC分类号： C30B25/025 , C23C16/4412 , C23C16/45561 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/40 , C30B35/005 , G03G15/751 , H01L21/0262 , H01L21/67017 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67727 , H01L21/67748 , H01L21/67751
摘要： A linear cluster deposition system includes a plurality of reaction chambers positioned in a linear horizontal arrangement. First and second reactant gas manifolds are coupled to respective process gas input port of each of the reaction chambers. An exhaust gas manifold having a plurality of exhaust gas inputs is coupled to the exhaust gas output port of each of the plurality of reaction chambers. A substrate transport vehicle transports at least one of a substrate and a substrate carrier that supports at least one substrate into and out of substrate transfer ports of each of the reaction chambers. At least one of a flow rate of process gas into the process gas input port of each of the reaction chambers and a pressure in each of the reaction chambers being chosen so that process conditions are substantially the same in at least two of the reaction chambers.
摘要翻译：线性簇沉积系统包括以线性水平布置定位的多个反应室。第一和第二反应物气体歧管连接到每个反应室的相应工艺气体输入端口。具有多个排气输入的废气歧管与多个反应室中的每一个的废气输出端口相连。基板输送车辆将基板和基板载体中的至少一个输送到每个反应室的基板输送口中的至少一个基板。选择每个反应室的工艺气体进入工艺气体输入口的流量和每个反应室中的压力中的至少一个，使得工艺条件在至少两个反应室中基本相同。

88. 发明申请

WO2011125654A1 加熱制御システム、それを備えた成膜装置、および温度制御方法审中-公开
标题翻译：加热控制系统，提供的沉积装置和温度控制方法
公开(公告)号：WO2011125654A1
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/JP2011/057825
申请日：2011-03-29
申请人：シャープ株式会社 , 坂上英和 , 岡田俊範
发明人：坂上　英和 , 岡田　俊範
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/52 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/46 , C23C16/52
摘要：　複数のヒータで被加熱物を加熱するにあたり、複数のヒータ電源の特性ばらつきに依存しない加熱制御システムを実現するため、本発明の加熱制御システムは、被加熱物の温度を検出する熱電対（６Ｍ）と、温度制御手段（３Ｍ）および温度制御手段（３Ｓ１）と、電力値（Ｗｍ）を検出する電流・電圧検出手段（５Ｍ）および現在電力（ＰＶｓ１）を検出する電流・電圧検出手段（５Ｓ１）と、目標電力（ＳＰｓ１）を算出する目標電力算出手段（１Ｓ１）とを備えている。温度制御手段（３Ｍ）は、目標温度（ＳＰｍ）および現在温度（ＰＶｍ）を入力し、現在温度（ＰＶｍ）が目標温度（ＳＰｍ）に合うように電力を制御し、目標電力算出手段（１Ｓ１）は、電力値（Ｗｍ）を入力し、電力値（Ｗｍ）に所定の比率を乗じて目標電力（ＳＰｓ１）を算出し、温度制御手段（３Ｓ１）は、目標電力（ＳＰｓ１）、および現在電力（ＰＶｓ１）を入力し、現在電力（ＰＶｓ１）が目標電力（ＳＰｓ１）に合うように電力を制御している。
摘要翻译：为了在多个加热器对被加热物的加热中实现独立于多个加热器电源的特性变化的加热控制系统，公开了一种加热控制系统，其设置有热电偶（6M），用于检测待加热对象的温度，温度控制装置（3M）和温度控制装置（3S1），用于检测功率值（Wm）的电流/电压检测装置（5M）和电流/电压检测装置（5S1 ）和用于计算目标功率（SPs1）的目标功率计算装置（1S1）。温度控制装置（3M）输入目标温度（SPm）和当前温度（PVm），并控制功率使得当前温度（PVm）与目标温度（SPm）匹配，目标功率计算装置（1S1）输入功率值（Wm），并且通过将功率值（Wm）乘以预定速率来计算目标功率（SPs1），并且温度控制装置（3S1）输入目标功率（SPs1）和当前功率（PVs1）和控制电源，使当前功率（PVs1）与目标功率（SPs1）匹配。

89. 发明申请

WO2011021635A1 基板処理システム、群管理装置及び基板処理システムにおける表示方法审中-公开
标题翻译：基板处理系统，组管理装置以及基板处理系统的显示方法
公开(公告)号：WO2011021635A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/JP2010/063916
申请日：2010-08-18
申请人：株式会社日立国際電気 , 岩倉裕幸 , 浅井一秀
发明人：岩倉　裕幸 , 浅井　一秀
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： G05B23/0237 , C23C14/54 , C23C16/52 , G05B2219/31471 , G05B2219/45031 , H01L21/67769
摘要：　群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理と対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。
摘要翻译：组管理装置设置有从基板处理装置接收数据的通信装置，存储由通信装置接收的数据以便可从其读取数据的存储装置，以及创建时间序列的图形创建装置图形，通过接受数据搜索条件的输入，搜索存储装置，并按时间顺序叠加读取的数据来绘制读取的数据，并通过接受时间序列图中的奇异点的指定并绘制图形来创建处理比较图在将数据和奇异点与衬底处理相关联的同时，从存储装置读取数据和奇异点。

90. 发明申请

WO2011013702A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2011013702A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/JP2010/062699
申请日：2010-07-28
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社 , 松嶋大輔
发明人：松嶋　大輔
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/304 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H05H1/46 , H05H2001/4622 , Y10T137/0318 , Y10T137/8158
摘要：　本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とする。　
摘要翻译：所公开的等离子体处理装置的特征在于设置有能够维持已经从大气压下减压的环境空气的处理容器; 减压单元，其将上述处理容器的内部减压至预定压力; 携带单元，其承载设置在所述处理容器内的待处理物体; 其中具有其中产生等离子体并且设置在距离上述处理容器一定距离的位置处的区域的放电管; 导入波导管，其传播从微波发生单元辐射的微波，并将微波引入上述产生等离子体的区域; 向上述产生等离子体的区域供给处理气体的气体供给单元; 连接上述放电管和上述处理容器的输送管; 以及第一热检测单元，其检测上述放电管的热量。

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