专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2011159615A2 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS 审中-公开
标题翻译：用于诱导加工室清洁气体的涡流的方法和装置
公开(公告)号：WO2011159615A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2011/040197
申请日：2011-06-13
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CHUNG, Hua , DONG, Xizi , MAUNG, Kyawwin , HANAWA, Hiroji , KANG, Sang Won , QUACH, David H. , OLGADO, Donald J.K. , BOUR, David , HSU, Wei-Yung , TAM, Alexander , CHANG, Anzhong , ACHARYA, Sumedh
发明人： CHUNG, Hua , DONG, Xizi , MAUNG, Kyawwin , HANAWA, Hiroji , KANG, Sang Won , QUACH, David H. , OLGADO, Donald J.K. , BOUR, David , HSU, Wei-Yung , TAM, Alexander , CHANG, Anzhong , ACHARYA, Sumedh
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/302
CPC分类号： B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905
摘要： Embodiments of the invention generally relate to apparatus and methods for cleaning chamber components using a cleaning plate. The cleaning plate is adapted to be positioned on a substrate support during a cleaning process, and includes a plurality of turbulence-inducing structures. The turbulence-inducing structures induce a turbulent flow of cleaning gas while the cleaning plate is rotated during a cleaning process. The cleaning plate increases the retention time of the cleaning gas near the showerhead during cleaning. Additionally, the cleaning plate reduces concentration gradients within the cleaning plate to provide a more effective clean. The method includes positioning a cleaning plate adjacent to a showerhead, and introducing cleaning gas to the space between the showerhead and the cleaning plate. A material deposited on the surface of the showerhead is then heated and vaporized in the presence of the cleaning gas, and then exhausted from the processing chamber.
摘要翻译：本发明的实施例一般涉及使用清洁板清洁腔室部件的装置和方法。清洁板适于在清洁过程期间定位在基板支撑件上，并且包括多个湍流诱导结构。湍流诱导结构在清洁过程中清洁板旋转时引起清洁气体的湍流。在清洁过程中，清洁板增加了喷头附近清洁气体的停留时间。此外，清洁板减少清洁板内的浓度梯度以提供更有效的清洁。该方法包括将清洁板定位在与喷头相邻的位置，并将清洁气体引入到喷头和清洁板之间的空间。然后将沉积在喷头表面上的材料在清洁气体的存在下加热和蒸发，然后从处理室中排出。

2. 发明申请

WO2011026073A2 APPARATUS AND METHOD FOR UNLOADING A FILM CASSETTE FOR GASEOUS VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：用于卸载气体蒸发沉积膜的装置和方法
公开(公告)号：WO2011026073A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/US2010047237
申请日：2010-08-31
申请人： DU PONT , ESTRADA CALIXTO , KINARD RICHARD DALE , SHILKITUS KIRSTIN H
发明人： ESTRADA CALIXTO , KINARD RICHARD DALE , SHILKITUS KIRSTIN H
IPC分类号： C09J5/00
CPC分类号： C23C16/458 , B65H18/00 , B65H2301/51145 , C23C16/45506 , C23C16/45544 , C23C16/45582 , C23C16/45591 , C23C16/545 , Y10T156/1798
摘要： The present invention is an apparatus and method for unloading a film cassette for gaseous vapor deposition. A coated film is transferred from a film cassette and immediately laminated to a protective film while minimizing touching, creasing or cracking the coated film.
摘要翻译：本发明是用于卸载用于气相气相沉积的胶卷盒的装置和方法。将涂膜从胶片盒转印并立即层压到保护膜上，同时使涂膜的接触，起皱或破裂最小化。

3. 发明申请

WO1981003348A1 PROCESS AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF FILMS ON SILICON WAFERS 审中-公开
标题翻译：化学气相沉积硅膜沉积膜的工艺及装置
公开(公告)号：WO1981003348A1
公开(公告)日：1981-11-26
申请号：PCT/US1981000599
申请日：1981-05-04
申请人： ADVANCED CRYSTAL SCIENCES INC
发明人： ADVANCED CRYSTAL SCIENCES INC , ZAFERES C
IPC分类号： C30B25/10
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45578 , C30B25/14 , Y10S438/935
摘要： A process and apparatus for depositing thin films onto silicon wafers in the fabrication of semiconductors. The wafers are arranged in their conventional mutually parallel spaced-apart manner in a wafer boat located within a long quartz tube (10) which is surrounded by a heating element (16) and which is evacuated at one end by a vacuum pump (12). A first reactant gas from supply tank (30) is split into two paths through conduits (42 and 44) and enters conduit (46) simultaneously from opposite ends, after which it exits vertically upward through slot (60) in conduit (46) as a curtain of gas inside quartz tube (10). A second reactant gas from supply tank (32) is introduced inside quartz tube (10) in a like manner. A plurality of rods on the bottom of the wafer boat generate turbulence in the gas curtains and disperse the upwardly flowing gas across the entire surfaces of the wafers. After the reactant gases have combined to deposit a uniform film on the wafers, the unreacted and exhaust gases pass out exit end (14) of quartz tube (10). Dopant gas from supply tank (34) may be mixed with the second reactant gas from supply tank (32) and introduced into quartz tube (10).

4. 发明申请

WO2015009038A1 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치 审中-公开
标题翻译：用于制造纳米颗粒的流化床原子层沉积装置
公开(公告)号：WO2015009038A1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：PCT/KR2014/006403
申请日：2014-07-15
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이재영 , 정상호 , 이재광 , 주형국 , 김진원
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4417 , C23C16/442 , C23C16/45506 , C23C16/45544 , C23C16/45555 , C23C16/45561 , C23C16/52 , F04B37/18 , F04B45/04 , F04B45/0533
摘要： 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 원자층 증착 장치는 피코팅 입자가 내부에 투입되는 유동층 반응기; 유동층 반응기의 내부로 피코팅 입자를 코팅하기 위한 반응 기체들을 공급하는 반응물 공급부; 및 반응 기체들이 경유 가능하도록 유동층 반응기에 결합되는 것으로, 반응 기체들에 규칙적인 진동을 부여하여 유동층 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于制造纳米涂层颗粒的流化床原子层沉积装置。根据本发明实施方案的流化床原子层沉积装置包括：流化床反应器，其中注入待涂覆的颗粒; 反应材料供给单元，用于供给用于将要涂布的颗粒涂布到流化床反应器中的反应气体; 以及耦合到流化床反应器的振动泵，使得反应气体可以通过其中移动，给予反应的振动泵气体经常地振动，从而在流化床反应器内形成湍流。

5. 发明申请

WO2012099719A1 METHOD FOR TREATING SUBSTRATES WITH HALOSILANES 审中-公开
标题翻译：用HALOSILANES处理衬底的方法
公开(公告)号：WO2012099719A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/US2012/020284
申请日：2012-01-05
申请人： DOW CORNING CORPORATION , COOK, Leon
发明人： COOK, Leon
IPC分类号： D06M13/51 , D06M13/513 , D06M13/517 , D06M15/643 , D06M15/657 , D21H17/13 , D21H17/59 , D21H21/16
CPC分类号： D21H23/06 , B05D5/00 , C23C16/45506 , D06M13/51 , D06M13/513 , D06M13/517 , D06M15/643 , D06M15/657 , D06M2200/12 , D21H17/59 , D21H21/16
摘要： A method for treating substrates to render them hydrophobic includes penetrating the substrate with a halosilane vapor.
摘要翻译：用于处理底物使其疏水的方法包括用卤代硅烷蒸气渗透底物。

6. 发明申请

WO2012055561A1 GASSCHLEUSE SOWIE BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG MIT EINER GASSCHLEUSE 审中-公开
标题翻译：气闸和涂覆装置用气体LOCK
公开(公告)号：WO2012055561A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/005439
申请日：2011-10-27
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. . , POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
发明人： POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/545 , C23C14/562 , C23C16/4412 , C23C16/45506 , C23C16/45557 , C23C16/45589 , C23C16/45591 , C23C16/52 , F17D3/00 , H01J37/3244 , Y10T137/0324 , Y10T137/8175 , Y10T137/8326 , Y10T137/85938
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gasschleuse zur Trennung zweier Gasräume, die es ermöglicht, mit minimalem räumlichem Aufwand die Trennung von Gasen ohne Berührung mit dem Produkt/Edukt/Transport-System zu erreichen. Die erfindungsgemäße Gasschleuse zeichnet sich dadurch aus, dass eine Messkammer zur Messung mindestens einer physikalischen und/oder chemischen Eigenschaft integriert ist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung eine Beschichtungsvorrichtung, die eine erfindungsgemäße Gasschleuse umfasst. Zudem werden Verwendungsmöglichkeiten der erfindungsgemäßen Gasschleuse angegeben.
摘要翻译：本发明涉及一种气闸，用于分离两个气体室，这使得能够实现以最小的努力，气体不与产物/起始原料/运输系统接触的空间分离。根据本发明的气闸，其特征在于，用于测量至少一个集成的物理和/或化学特性的测量室。另外，本发明涉及一种涂敷装置，包括根据本发明的气体锁。此外，根据被赋予本发明使用的气闸。

7. 发明申请

WO2013145630A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2013145630A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/001831
申请日：2013-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：斉藤　哲也
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45506 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/4583
摘要：【課題】反応ガスの分散性が高く、面内均一性の良好な膜を成膜可能な成膜装置を提供する。【解決手段】真空雰囲気である処理室内の載置部２と天井部３１との間に載置される基板Ｗに対して複数種類の反応ガスや置換用のガスを順番に供給して成膜処理を行う成膜装置において、中央ガス吐出部４ｂは、基板Ｗの中央部上方に配置され、横方向外側に向けてガスを広げるためのガス吐出口４２が形成され、周囲ガス供給部５は、前記中央ガス吐出部４ｂを囲むように配置され、平面でみたときに基板Ｗの外周側及び中央部側に向けて各々横方向にガスを広げるように周方向に沿って形成された複数のガス吐出口５１１、５１２を有する。
摘要翻译： [问题]提供一种成膜装置，其优异地分散反应气体，并且可以形成具有优异的面内均匀性的膜。 [解决方案]该成膜装置通过将多种反应气体和置换气体依次供给到放置在放置部分（2）和顶板部分（31）之间的基板（W）的处理室中来形成膜具有真空气氛。中心气体排出部分（4b）设置在基板（W）的中心部分之上，并且在其中形成有气体朝向水平方向的外侧扩散的气体排出口（42）。周边气体供给部（5）被设置为围绕中心气体排出部（4b），并且具有沿圆周方向形成的多个气体排出口（511,512），使得气体在水平方向朝向基板（W）的外周侧和中央部侧。

8. 发明申请

WO2012055510A1 GASSCHLEUSE SOWIE BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG MIT EINER GASSCHLEUSE 审中-公开
标题翻译：气闸和涂覆装置用气体LOCK
公开(公告)号：WO2012055510A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/005289
申请日：2011-10-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
发明人： POCZA, David , REBER, Stefan , ARNOLD, Martin , SCHILLINGER, Norbert
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： F16J15/14 , C23C14/56 , C23C16/45506 , C23C16/45589 , C23C16/45591 , C23C16/52 , C23C16/54 , Y10T137/0318 , Y10T137/2224
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gasschleuse zur Trennung zweier Gasräume, die es ermöglicht, mit minimalem räumlichem Aufwand die Trennung von Gasen ohne Berührung mit dem Produkt/Edukt/Transport-System zu erreichen. Die erfindungsgemäße Gasschleuse zeichnet sich dadurch aus, dass in einem Strömungskanal der Gasschleuse mindestens ein Mittel zur Manipulation der Strömung vorhanden ist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung eine Beschichtungsvorrichtung, die eine erfindungsgemäße Gasschleuse umfasst. Zudem werden Verwendungsmöglichkeiten der erfindungsgemäßen Gasschleuse angegeben.
摘要翻译：本发明涉及一种气闸，用于分离两个气体室，这使得能够实现以最小的努力，气体不与产物/起始原料/运输系统接触的空间分离。根据本发明的气闸，其特征在于在气闸的流动通道的至少一个装置，用于操作所述流量存在。另外，本发明涉及一种涂敷装置，包括根据本发明的气体锁。此外，根据被赋予本发明使用的气闸。

9. 发明申请

WO2011116273A2 SYSTEM AND METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：多晶硅沉积系统与方法
公开(公告)号：WO2011116273A2
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/US2011028972
申请日：2011-03-18
申请人： GT SOLAR INC , QIN WENJUN
发明人： QIN WENJUN
IPC分类号： C01B33/035 , B01J19/26 , C23C16/24 , C30B29/06
CPC分类号： C23C16/45506 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/45563 , C23C16/52
摘要： A method for making polycrystalline silicon from a gas comprising at least one silicon precursor compound is disclosed. The method can be effected from a gas comprising a polycrystalline silicon precursor compound in a chemical vapor deposition system by establishing a first flow pattern of the gas in a chemical vapor deposition reaction chamber, promoting reaction of at least a portion of the at least one precursor compound from the gas having the first flow pattern into polycrystalline silicon, establishing a second flow pattern of the gas in the reaction chamber, and promoting reaction of at least a portion of the at least one precursor compound from the gas having the second flow pattern into polycrystalline silicon. The chemical vapor deposition system can comprise a gas source comprising a gas with at least one precursor compound; a reaction chamber at least partially defined by a base plate and a bell jar; a first nozzle group disposed in one of the base plate and the bell jar, the first nozzle group fluidly connected to the gas source through a first manifold and a first flow regulator; a second nozzle group including a plurality of nozzles disposed in one of the base plate and the bell jar, the plurality of nozzles fluidly connected to the gas source through a second manifold and a second flow regulator.
摘要翻译：公开了一种从包含至少一种硅前体化合物的气体制造多晶硅的方法。该方法可以通过在化学气相沉积反应室中形成气体的第一流动模式，在化学气相沉积系统中由包括多晶硅前体化合物的气体进行，促进至少一部分前体的反应从具有第一流动模式的气体到多晶硅的化合物，在反应室中建立气体的第二流动模式，并促进至少一部分来自具有第二流动模式的气体的至少一部分前体化合物与第二流动模式的反应多晶硅。化学气相沉积系统可以包括气体源，其包含具有至少一种前体化合物的气体; 至少部分地由基板和钟罩限定的反应室; 设置在基板和钟罩之一中的第一喷嘴组，通过第一歧管和第一流量调节器流体连接到气体源的第一喷嘴组; 第二喷嘴组，包括设置在基板和钟罩之一中的多个喷嘴，多个喷嘴通过第二歧管和第二流量调节器流体地连接到气体源。

10. 发明申请

WO2016097610A1 REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR 审中-公开
标题翻译：化学蒸气沉积反应器
公开(公告)号：WO2016097610A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/FR2015/053554
申请日：2015-12-16
申请人： SAINT-GOBAIN LUMILOG
发明人： BEAUMONT, Bernard , POUROUCHOTTAMANE, Manivannane
IPC分类号： C30B25/14 , C30B29/40 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , B01J4/00 , F15D1/08 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/14 , B01J4/002 , B01J4/005 , B01J2204/002 , B01J2204/005 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/45506 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C30B29/403 , C30B29/406 , F15D1/08
摘要： L'invention concerne un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur à partir de premier et second gaz précurseurs, le réacteur comprenant : -une enceinte incluant des parois supérieure et inférieure et une paroi latérale reliant les parois supérieure et inférieure, -un support destiné à recevoir au moins un substrat, monté à l'intérieur de l'enceinte, et -au moins un système d'injection de gaz précurseurs, le système comportant une tête d'injection incluant au moins une buse d'alimentation du premier gaz précurseur (41) selon une direction principale d'axe A-A', l'au moins une buse incluant: un conduit d'amenée(321) de gaz précurseur, et un organe de sortie (322) générant un écoulement tourbillonnaire (44) de forme sensiblement annulaire autour de l'axe A-A'.
摘要翻译：本发明涉及一种用于从第一和第二前体气体进行化学气相沉积的反应器，所述反应器包括： - 包括顶壁和底壁的室，以及连接顶壁和底壁的侧壁， - 用于容纳至少一个基底的支架，安装在所述腔室内，以及 - 至少一个用于注入前体气体的系统，所述系统包括注射头，所述注射头包括至少一个用于在轴线A-A'的主方向上供应所述第一前体气体（41）的喷嘴，所述喷嘴至少一个喷嘴，包括：前体气体供应管道（321）和出口部件（322），其围绕轴线A-A'产生基本环形的涡流（44）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式