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81. 发明申请

WO2012148234A2 풀컬러 LED 디스플레이 장치 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：全彩LED显示装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012148234A2
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/KR2012/003324
申请日：2012-04-27
申请人： 국민대학교 산학협력단 , 피에스아이 주식회사 , 도영락 , 성연국
发明人： 도영락 , 성연국
IPC分类号： G09F9/33
CPC分类号： H01L27/3213 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/3206 , H01L27/3211 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 풀컬러 LED 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 1) 기판 위에 형성된 복수개의 제1 전극; 2) 상기 제1 전극 상에 형성된 각각의 단위 픽셀위치들(pixel sites)에 부착된 5개 이상의 초소형 청색 LED 소자; 3) 상기 기판 및 상기 청색 LED 소자의 상부에 형성된 절연층; 4) 상기 절연층 위에 형성된 복수개의 제2 전극; 및 5) 상기 단위 픽셀위치들 중 선택된 일부 단위 픽셀위치들에 대응하는 제2 전극의 상부에 형성된 녹색 색변환층 및 적색 색변환층을 포함하는 풀컬러 LED 디스플레이 장치 및, 1) 기판 위에 복수개의 제1 전극을 형성하는 단계; 2) 상기 제1 전극 상에 형성된 각각의 단위 픽셀위치 (pixel sites)에 5개 이상의 초소형 청색 LED 소자들을 부착시키는 단계; 3) 상기 기판의 상부에 절연층을 형성하는 단계; 4) 상기 절연층 위에 복수개의 제2 전극을 형성하는 단계; 및 5) 상기 단위 픽셀위치들 중 선택된 일부 단위 픽셀위치들에 대응하는 제2 전극의 상부에 녹색 색변환층 및 적색 색변환층을 순차적으로 패터닝하는 단계를 포함하는 풀컬러 LED 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 대면적 구현이 용이하고, 불량률이 낮은 풀컬러 LED 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
摘要翻译：全彩LED显示装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种全色LED显示装置及其制造方法，更具体地说，涉及一种全色LED显示装置，包括：1）形成在基板上的多个第一电极; 至少五个超小蓝色LED，其耦合到形成在第一电极上的每个单位像素位置; 3）形成在基板和蓝色LED的顶部上的绝缘层; 4）形成在绝缘层之上的多个第二电极，以及5）绿色转换层和红色转换层，其形成在第二电极的上部，其对应于单位像素位置的一个选定部分以及制造全色LED显示装置的方法，包括以下步骤：1）在基板上形成多个第一电极; 2）将至少五个超小蓝色LED耦合到形成在第一电极上的每个单位像素位置; 3）在基板的上部形成绝缘层; 4）在绝缘层上形成多个第二电极; 以及5）在对应于单位像素位置的一个选定部分的第二电极的上部连续构图绿色转换层和红色转换层。根据本发明，可以提供可以容易地扩展到大面积并且具有低缺陷率的全色LED显示装置及其制造方法。

82. 发明申请

WO2012148228A2 초소형 LED 소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：超小型LED器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012148228A2
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/KR2012/003309
申请日：2012-04-27
申请人： 국민대학교 산학협력단 , 피에스아이 주식회사 , 도영락 , 성연국
发明人： 도영락 , 성연국
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/44 , H01L21/306
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2224/95
摘要： 본 발명은 초소형 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 도전성 반도체층; 상기 제1 도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제2 도전성 반도체층을 포함하는 마이크로 또는 나노 크기의 반도체 발광소자를 포함하되, 상기 반도체 발광소자는 외주면에 코팅된 절연피막을 포함하는 초소형 LED 소자 및, 1) 기판위에 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 2) 상기 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 LED 소자의 직경이 나노 또는 마이크로 크기를 가지도록 식각하는 단계; 및 3) 상기 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층의 외주면에 절연피막을 형성하고 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 초소형 LED 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 또는 마이크로 사이즈의 초소형 LED 소자를 탑-다운 방식과 바텀-업 방식을 조합하여 효과적으로 생산하고, 생산되는 초소형 LED 소자의 표면결함을 방지하여 발광효율을 개선할 수 있다.
摘要翻译：超小型LED器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种超小型LED器件及其制造方法，尤其涉及一种具有第一导电半导体层的小型化LED器件; 形成在第一导电半导体层上的有源层; 以及形成在所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述半导体发光器件包括涂覆在所述微米或纳米尺寸的半导体发光器件的外周表面上的绝缘涂层，依次形成半导体层，有源层和第二导电半导体层; 2）蚀刻第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层，使得LED元件的直径为纳米或微米尺寸; 以及3）在第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的外表面上形成绝缘涂层，并去除衬底。按照本发明，纳米或微米尺寸顶部的微LED器件 - 向下和自底以便有效地产生高达方案的组合，防止表面缺陷，致密LED器件产生能够提高发光效率<。 / p>

83. 发明申请

WO2012117247A1 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS 审中-公开
标题翻译：半导体器件和制造方法
公开(公告)号：WO2012117247A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/GB2012/050458
申请日：2012-02-29
申请人： SEREN PHOTONICS LIMITED , WANG, Tao
发明人： WANG, Tao
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要： A method of making a semiconductor device comprises : providing a semiconductor wafer having a semiconductor layer; forming a first mask layer over the semiconductor layer; forming a second mask layer over the first mask layer; annealing the second mask layer to form islands; etching through the first mask layer and the semiconductor layer using the islands as a mask to form an array of pillars; and growing semiconductor material between the pillars and then over the tops of the pillars.
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括：提供具有半导体层的半导体晶片; 在所述半导体层上形成第一掩模层; 在所述第一掩模层上形成第二掩模层; 退火第二掩模层以形成岛; 使用岛作为掩模蚀刻穿过第一掩模层和半导体层以形成柱状阵列; 并且在支柱之间然后在柱的顶部上生长半导体材料。

84. 发明申请

WO2012111009A2 HEAVILY DOPED SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES 审中-公开
公开(公告)号：WO2012111009A2
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/IL2012/050046
申请日：2012-02-14
申请人： YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD. , RAMOT AT TEL-AVIV UNIVERSITY LTD. , COHEN, Guy , MILLO, Oded , MOCATTA, David , RABANI, Eran , BANIN, Uri
发明人： COHEN, Guy , MILLO, Oded , MOCATTA, David , RABANI, Eran , BANIN, Uri
IPC分类号： H01L29/06 , B01J13/00 , C09K11/08 , C09K11/62
CPC分类号： H01L29/0665 , B01J13/0039 , B82Y10/00 , C09K11/54 , C09K11/61 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/88 , C09K11/881 , C09K11/883 , H01L21/02601 , H01L21/22 , H01L29/167 , H01L29/207 , H01L29/227 , H01L29/365 , H01L33/18
摘要： Herein, provided are heavily doped colloidal semiconductor nanocrystals and a process for introducing an impurity to semiconductor nanoparticles, providing control of band gap, Fermi energy and presence of charge carriers.
摘要翻译：这里，提供了重掺杂的胶体半导体纳米晶体和用于将杂质引入半导体纳米颗粒的方法，提供了带隙的控制，费米能量和载流子的存在。

85. 发明申请

WO2012106814A1 HIGH EFFICIENCY BROADBAND SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICES AND METHODS OF FABRICATING WITHOUT FOREIGN METAL CATALYSIS 审中-公开
标题翻译：高效率宽带半导体纳米器件及其制备方法，无需外部金属催化
公开(公告)号：WO2012106814A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/CA2012/000135
申请日：2012-02-10
申请人： THE ROYAL INSTITUTION FOR THE ADVANCEMENT OF LEARNING/MCGILL UNIVERSITY , Ml, Zetian , CUI, Kai , NGUYEN, Hieu Pham Trung
发明人： Ml, Zetian , CUI, Kai , NGUYEN, Hieu Pham Trung
IPC分类号： H01L21/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N27/00 , H01L29/20 , H01L29/66 , H01L29/868 , H01L31/06 , H01L31/101 , H01L33/06 , H01S5/34
CPC分类号： H01L29/0676 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02664 , H01L29/0665 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/66469 , H01L29/66977 , H01L29/775 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/18
摘要： Amongst the candidates for very high efficiency solid state light sources and full solar spectrum solar cells are devices based upon InGaN nanowires. Additionally these nanowires typically require heterostructures, quantum dots, etc which all place requirements for these structures to be grown with relatively few defects and in a controllable reproducible manner. Additionally flexibility according to the device design requires that the nanowire at the substrate may be either InN or GaN. According to the invention a method of growing relatively defect free nanowires and associated structures for group IIIA-nitrides is presented without the requirement for foreign metal catalysts and overcoming the non-uniform growth of prior art non-catalyst growth techniques. According to other embodiments of the invention self-organizing dot-within-a-dot nanowire and dot-within-a-dot-within-a-well nanowire structures are presented.
摘要翻译：在非常高效的固态光源和全太阳光谱太阳能电池的候选者中，是基于InGaN纳米线的器件。另外，这些纳米线通常需要异质结构，量子点等，这些都使得这些结构以相对较少的缺陷生长并且以可控的可重现的方式生长。另外根据器件设计的灵活性要求衬底上的纳米线可以是InN或GaN。根据本发明，提出了生长相对缺陷的纳米线和用于IIIA族氮化物的相关结构的方法，而不需要外来金属催化剂并克服现有技术的非催化剂生长技术的不均匀生长。根据本发明的其它实施方案，提出了自组织点内纳米线和点内一点内的纳米线结构。

86. 发明申请

WO2012070784A2 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012070784A2
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/KR2011/008417
申请日：2011-11-07
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , KWAK, Woo Chul , AN, Soon Ho , KIM, Hwa Mok , KIM, Eun Jin , SONG, Jae Hoon
发明人： KWAK, Woo Chul , AN, Soon Ho , KIM, Hwa Mok , KIM, Eun Jin , SONG, Jae Hoon
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/18
CPC分类号： H01L33/08 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/18 , H01L33/38 , H01L33/502 , H01L2933/0091
摘要： A light emitting device includes a metal backing layer, a reflective electrode layer formed over the metal backing layer, and a plurality of nanorods formed in a matrix arrangement over the reflective electrode layer. Each nanorod includes a p-semiconductor layer, an active layer, and an n-semiconductor layer, which are sequentially stacked over the reflective electrode layer. An anti-reflection electrode layer is formed over the nanorods, and quantum dots are disposed between the nanorods. The method includes sequentially growing the n-semiconductor layer, the active layer, and the p-semiconductor layer over a substrate; forming the nanorods by etching the p-semiconductor layer using a mask pattern; sequentially forming the reflective electrode layer and the metal backing layer over the p-semiconductor layer and then removing the substrate; disposing quantum dots between the nanorods; and forming the anti-reflection electrode layer over the nanorods.
摘要翻译：发光器件包括金属背衬层，在金属背衬层上形成的反射电极层以及在反射电极层上以矩阵排列形成的多个纳米棒。每个纳米棒包括依次堆叠在反射电极层上的p-半导体层，有源层和n-半导体层。在纳米棒上形成抗反射电极层，并且在纳米棒之间布置量子点。该方法包括在衬底上顺序生长n型半导体层，有源层和p型半导体层; 通过使用掩模图案蚀刻p-半导体层来形成纳米棒; 在所述p-半导体层上顺序形成所述反射电极层和所述金属衬里层，然后去除所述衬底; 在纳米棒之间放置量子点; 并在纳米棒上形成抗反射电极层。

87. 发明申请

WO2012056121A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOFEUILLETS COLLOÏDAUX PAR CROISSANCE LATÉRALE DE NANOCRISTAUX 审中-公开
标题翻译：通过纳米晶的生长制造胶体纳米粒子的方法
公开(公告)号：WO2012056121A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/FR2011/000570
申请日：2011-10-24
申请人： SOLARWELL , MAHLER, Benoit , ITHURRIA, Sandrine
发明人： MAHLER, Benoit , ITHURRIA, Sandrine
IPC分类号： C30B7/08 , C30B29/48 , C30B29/64
CPC分类号： H01L29/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B7/08 , C30B29/16 , C30B29/46 , C30B29/48 , H01L21/02601 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/035218 , H01L31/0384 , H01L33/18 , Y02E10/541 , Y10S977/755 , Y10S977/932
摘要： Un procédé de fabrication d'un nanofeuillet colloïdal par croissance latérale sur un nanocristal colloïdal initial, d'un matériau cristallin semiconducteur représenté par la formule MnXy M étant un métal de transition et X un chalcogène, le procédé comprenant les étapes suivantes: la préparation d'une première solution organique non ou faiblement coordinante constituant un solvant de synthèse et contenant ledit nanocristal colloïdal initial; la préparation d'une deuxième solution organique contenant des précurseurs de M et de X et contenant en outre un sel d'acétate; et l'introduction progressive pendant une durée prédéterminée d'une quantité prédéterminée de la deuxième solution dans une quantité prédéterminée de la première solution, à une température prédéterminée T pour la croissance du nanofeuillet L'utilisation du matériau obtenu est également présentée.
摘要翻译：通过在初始胶态纳米晶体上横向生长由式MnXy表示的结晶半导体材料制造胶体纳米片的方法，M为过渡金属，X为硫属元素，该方法包括以下步骤：制备第一不协调或弱配位的有机溶液，构成合成溶剂并含有所述初始胶态纳米晶体; 制备含有M和X的前体并另外含有乙酸盐的第二有机溶液; 并且在预定时间内将预定量的第二溶液以预定量的第一溶液逐渐引入到预定温度T以用于纳米片的生长。还提供了使用所获得的材料。

88. 发明申请

WO2011160051A3 NANOWIRE LED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译： NANOWIRE LED结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2011160051A3
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/US2011040932
申请日：2011-06-17
申请人： GLO AB , LOEWGREN TRULS
发明人： LOEWGREN TRULS
IPC分类号： H01L33/04 , B82B3/00 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , Y10S977/762 , H01L2924/00
摘要： A light emitting diode (LED) structure includes a plurality of devices arranged side by side on a support layer. Each device includes a first conductivity type semiconductor nanowire core and an enclosing second conductivity type semiconductor shell for forming a pn or pin junction that in operation provides an active region for light generation. A first electrode layer extends over the plurality of devices and is in electrical contact with at least a top portion of the devices to connect to the shell. The first electrode layer is at least partly air-bridged between the devices.
摘要翻译：发光二极管（LED）结构包括在支撑层上并排设置的多个器件。每个器件包括第一导电型半导体纳米线芯和用于形成pn或pin结的封装的第二导电型半导体外壳，其在操作中提供用于发光的有源区。第一电极层在多个装置上延伸并且与装置的至少顶部部分电接触以连接到外壳。第一电极层至少部分地在装置之间空气桥接。

89. 发明申请

WO2012035243A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A BASE DE NANOFILS POUR L'ÉMISSION DE LUMIÈRE 审中-公开
标题翻译：用于光发射的基于纳米级的光电装置
公开(公告)号：WO2012035243A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/FR2011/052078
申请日：2011-09-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , GILET, Philippe , BAVENCOVE, Anne-Laure
发明人： GILET, Philippe , BAVENCOVE, Anne-Laure
IPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/385 , Y10S977/762 , Y10S977/95
摘要： Un dispositif optolectronique comporte: une zone semi-conductrice active (84) pour la recombinaison radiative de paires électrons-trous réalise sous la forme d'au moins un nanofil réalisé en un matériau semi-conducteur non intentionnellement dopé; une zone semi-conductrice (88) pour injection radiale de trous dans le ou chaque nanofil, réalise en un matériau semi-conducteur dopé d'un première type de conductivité et de bande interdite inférieure la bande interdite du matériau constitutif du nanofil; et une zone semi-conductrice (82) pour injection axiale d'électrons dans le ou chaque nanofil, réalise en matériau semi-conducteur dopé d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件，其包括：用于电子 - 空穴对的辐射复合的有源半导体区（84），采取由非预定掺杂的半导体材料制成的至少一个纳米线的形式; 半导体区域（88），用于从每个纳米线径向注入孔，由具有第一导电类型和带隙小于纳米线材料的带隙的掺杂半导体材料制成; 以及用于将电子轴向注入每个纳米线的半导体区（82），由与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料制成。

90. 发明申请

WO2012024299A1 EFFICIENT AND DIRECTED NANO-LIGHT EMITTING DIODE, AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：有效和指导的纳米发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2012024299A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/US2011/047923
申请日：2011-08-16
申请人： RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE , LIN, Shawn-Yu , KIM, Yong-Sung , KUO, Mei-Ling , HSIEH, Mei-Li
发明人： LIN, Shawn-Yu , KIM, Yong-Sung , KUO, Mei-Ling , HSIEH, Mei-Li
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y40/00 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/20 , Y10S977/755 , Y10S977/89 , Y10S977/95
摘要： The invention relates to light-emitting devices, and related components, systems and methods. In one aspect, the present invention is related to light emitting diode (LED) light extraction efficiency. A non-limiting example, the application teaches a method for improving light emitting diode (LED) extraction efficiency, by providing a nano-rod light emitting diode; providing quantum wells; and reducing the size of said nano-rod LED laterally in the quantum-well plane (x and y), thereby improving LED extraction efficiency.
摘要翻译：本发明涉及发光器件及相关部件，系统和方法。一方面，本发明涉及发光二极管（LED）的光提取效率。非限制性示例，该应用教导了通过提供纳米棒发光二极管来提高发光二极管（LED）提取效率的方法; 提供量子阱; 并且在量子阱平面（x和y）中横向减小所述纳米棒LED的尺寸，从而提高LED提取效率。

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