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51. 发明申请

WO2012063523A1 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：分散式飞溅靶及其生产方法
公开(公告)号：WO2012063523A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/JP2011/065950
申请日：2011-07-13
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 久保田高史
发明人：久保田　高史
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01L21/02568 , H01L21/02631
摘要：【課題】複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止できる技術を提供する。【解決手段】本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成された間隙に、セラミック材または有機材料が充填されていることを特徴とする。また、セラミック材は、ターゲット部材と同組成のセラミック粉或いはセラミック繊維であることが好ましく、有機材料は高抵抗物質であることが好ましい。
摘要翻译：为了提供通过连接多个靶材而获得的分割溅射靶，由于溅射，能够有效地防止构成背板的材料对生长的薄膜的污染。 [解决方案]本发明是通过低温焊接将背板上的多个靶构件接合而获得的分割溅射靶，其特征在于，将陶瓷材料或有机材料填充到形成在所连接的目标构件之间的间隙中。此外，陶瓷材料优选为具有与靶构件相同组成的陶瓷粉末或陶瓷纤维，优选有机材料为具有高电阻的物质。

52. 发明申请

WO2011037846A1 COPPER INDIUM GALLIUM SELENIDE (CIGS) THIN FILMS WITH COMPOSITION CONTROLLED BY CO-SPUTTERING 审中-公开
标题翻译：铜合金薄膜（CIGS）薄膜与组合物通过共溅射控制
公开(公告)号：WO2011037846A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/US2010/049415
申请日：2010-09-20
申请人： THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY , SUNLIGHT PHOTONICS INC. , FRANTZ, Jesse, A. , SANGHERA, Jasbinder, S. , BEKELE, Robel, Y. , NGUYEN, Vinh, Q , AGGARWAL, Ishwar, D. , BRUCE, Allan, J. , CYRUS, Michael , FROLOV, Sergey, V.
发明人： FRANTZ, Jesse, A. , SANGHERA, Jasbinder, S. , BEKELE, Robel, Y. , NGUYEN, Vinh, Q , AGGARWAL, Ishwar, D. , BRUCE, Allan, J. , CYRUS, Michael , FROLOV, Sergey, V.
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01J37/3429 , C23C14/0623 , C23C14/087 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , H01J37/3414 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0368 , H01L31/03923 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： A method and apparatus for forming a thin film of a copper indium gallium selenide (CIGS)-type material are disclosed. The method includes providing first and second targets in a common sputtering chamber. The first target includes a source of CIGS material, such as an approximately stoichiometric polycrystalline CIGS material, and the second target includes a chalcogen, such as selenium, sulfur, tellurium, or a combination of these elements. The second target provides an excess of chalcogen in the chamber. This can compensate, at least in part, for the loss of chalcogen from the CIGS-source in the first target, resulting in a thin film with a controlled stoichiometry which provides effective light absorption when used in a solar cell.
摘要翻译：公开了一种形成铜铟镓硒（CIGS）型材料的薄膜的方法和装置。该方法包括在公共溅射室中提供第一和第二靶。第一个目标包括CIGS材料源，例如近似化学计量的多晶CIGS材料，第二个靶子包括硫属元素，如硒，硫，碲或这些元素的组合。第二个目标是在室内提供过量的硫属元素。这可以至少部分地补偿来自第一靶中的CIGS源的硫属元素的损失，导致具有受控化学计量的薄膜，当用于太阳能电池时可提供有效的光吸收。

53. 发明申请

WO2009157438A1 カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置审中-公开
标题翻译： CATHODE单元和具有相同功能的散热器件
公开(公告)号：WO2009157438A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2009/061397
申请日：2009-06-23
申请人：株式会社アルバック , 森本直樹 , 近藤智保 , 森大介 , 中村久三
发明人：森本　直樹 , 近藤　智保 , 森　大介 , 中村　久三
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要：　基板全面で高アスペクト比の各微細ホールに対し被覆性よく成膜できるようにした装置構成が簡単でかつ低コストのカソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置を提供する。　本発明のカソードユニットＣは、片面に少なくとも１個の凹部４が形成されたホルダ３を備え、前記凹部４に、有底筒状のターゲット材５がその底部側から装着されると共に、前記ターゲット材内部の空間５ａに磁場を発生させる磁場発生手段７を組み付けて構成されている。
摘要翻译：公开了一种阴极单元，其能够在基板的整个表面上在具有高纵横比的每个细孔上形成具有优异的可涂布性的膜，具有简单的装置结构，并且可以低成本制造，并且具有阴极单元的溅射装置。阴极单元（C）包括具有一个表面的保持器（3），在该表面中形成有至少一个凹部（4）。底部圆柱形目标构件（5）从底侧装配到凹部（4）。用于产生磁场的磁场产生装置（7）组装在形成在目标构件中的空间（5a）中。

54. 发明申请

WO2009090994A1 基板ステージ、これを備えたスパッタ装置及び成膜方法审中-公开
标题翻译：基板阶段，提供基板阶段的溅射装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2009090994A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/JP2009/050464
申请日：2009-01-15
申请人：株式会社アルバック , 菊地幸男 , 沈国華
发明人：菊地幸男 , 沈国華
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , G11B5/39 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01F41/303 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/351 , C23C14/352 , G01R33/09 , G01R33/098 , H01F7/0273 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01J37/3266 , H01J37/34 , H01J37/3414 , H01L43/12
摘要：　真空容器内に配置され、基板が載置される基板載置面を有する基板ステージであって、前記基板に対して磁場を印加する第１磁場印加手段を備え、前記第１磁場印加手段の内部の磁化方向と前記基板の厚さ方向とが一致する基板ステージ。
摘要翻译：提供了一种衬底台，其布置在真空容器中并且具有放置基板的基板放置表面。衬底台设置有向衬底施加磁场的第一磁场施加装置。第一磁场施加装置内的磁化方向和基板的厚度方向一致。

55. 发明申请

WO2009028055A1 スパッタリングによる成膜方法とその装置审中-公开
标题翻译：薄膜沉积方法和溅射装置
公开(公告)号：WO2009028055A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2007/066750
申请日：2007-08-29
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 遠藤徹哉 , アバラアインシタインノエル
发明人：遠藤徹哉 , アバラアインシタインノエル
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/225 , C23C14/044 , C23C14/3407 , C23C14/505 , C23C14/548 , H01F41/18 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , H01J37/3455
摘要：　ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、基板に対して斜めに選択入射するようなターゲットならびに基板を配置することで斜め成膜を可能とし、高い一軸磁気異方性を有する磁性膜を均一に、且つコンパクトに成膜できるようなスパッタ装置を提供する。スパッタリングターゲット支持面を有するカソードであって、該スパッタリングターゲット支持面が回転する回転軸を備えたカソードと、基板支持面を有するステージであって、該基板支持面が回転する回転軸を備えたステージとからなるスパッタリング装置であり、スパッタリングターゲット支持面と基板支持面とが互いに対面しており、それぞれの回転軸を中心として独立して回転可能に構成した。さらに、遮蔽板がスパッタリングターゲット支持面と基板支持面との間に配置されており、カソード及びステージと独立して回転可能に構成した。
摘要翻译：溅射系统通过配置目标物和基板，使从靶物排出的溅射粒子倾斜并选择性地进入基板，并且均匀紧密地沉积具有高单轴磁各向异性的磁性膜的溅射系统。溅射系统包括具有溅射靶支撑表面和溅射靶支撑表面旋转的轴的阴极，以及具有基板支撑表面和基板支撑表面旋转的轴的台，其中溅射靶支撑表面和基板支撑表面彼此相对并且可围绕相应的旋转轴线独立地旋转。此外，屏蔽板设置在溅射靶支撑表面和基板支撑表面之间，并且能够独立于阴极和台架旋转。

56. 发明申请

WO2006134781A1 堆積膜形成方法、堆積膜形成装置、堆積膜およびこれを用いた感光体审中-公开
标题翻译：用于沉积膜，沉积膜和使用其的感光体的方法和装置
公开(公告)号：WO2006134781A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/JP2006/311028
申请日：2006-06-01
申请人：京セラ株式会社 , 池田昭彦 , 大久保大五郎 , 川上哲哉 , 中村隆 , 笹原正光 , 長浜大輔 , 深谷知巳
发明人：池田昭彦 , 大久保大五郎 , 川上哲哉 , 中村隆 , 笹原正光 , 長浜大輔 , 深谷知巳
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/24 , G03G5/08
CPC分类号： C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C23C16/45508 , C23C16/45578 , C23C16/4586 , C23C16/503 , G03G5/08214 , G03G5/08221 , G03G5/08285 , H01J37/32009 , H01J37/34 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3444
摘要：　本発明は、反応室（４）に堆積膜形成対象物（１０）を収容する第１ステップと、反応室（１０）に反応性ガスを供給する第２ステップと、反応室（１０）において離間して配置された第１導体（３）と第２導体（４０）との間にパルス状の直流電圧を印加する第３ステップと、を含んでいる、堆積膜形成方法およびこの方法を実現可能な装置に関する。好ましくは、第３ステップにおいては、第１導体（３）と第２導体（４０）との間の電位差を、５０Ｖ以上３０００Ｖの範囲に設定し、第１および第２導体（３，４０）に印加されるパルス状の直流電圧のパルス周波数を、３００ＫＨｚ以下に設定する。パルス状の直流電圧におけるパルスのｄｕｔｙ比は、たとえば２０％以上９０％以下に設定される。
摘要翻译：一种用于沉积膜的方法，包括用于将其上沉积有膜的物体（10）放置在反应室（4）中的第一步骤，用于将反应气体供应到反应室（4）中的第二步骤，以及第三步骤在布置在反应室（4）中的第一导体（3）和第二导体（40）之间施加脉冲状的直流电压同时间隔开的步骤。还提供了一种用于实现该方法的设备。在第三步骤中，优选将第一导体（3）和第二导体（40）之间的电位差设定在50V-3000V的范围内，并且施加到第一和第二导体的脉冲状DC电压的脉冲频率（3，40）设定为300KHz以下。脉冲状直流电压中的脉冲占空比例如设定在20％〜90％之间。

57. 发明申请

WO2006103833A1 深鍋状銅製スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：深孔型铜喷丸头及其制造方法
公开(公告)号：WO2006103833A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/302122
申请日：2006-02-08
申请人：日鉱金属株式会社 , 福嶋篤志 , 塚本志郎
发明人：福嶋篤志 , 塚本志郎
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414
摘要：　型鍛造により製造される深鍋状の銅製スパッタリングターゲットであって、該深鍋状ターゲット内面の全ての箇所におけるビッカース硬度Ｈｖが７０以上である深鍋状銅製スパッタリングターゲット。ターゲット組織における平均結晶粒径が６５μｍ以下である同深鍋状銅製スパッタリングターゲット。深鍋状ターゲット内部の面はＸ線回折によって得られる（２２０）、（１１１）、（２００）、（３１１）の結晶配向を備えており、該深鍋状ターゲットのエロージョンを受ける面の結晶配向が（２２０）主配向である深鍋状銅製スパッタリングターゲット。鍛造工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、結晶粒径を微細かつ均一にし、特性に優れたスパッタリングターゲットを安定して製造できる方法及びそれによって品質に優れたスパッタリングターゲットを得ることを課題とする。
摘要翻译：通过冲压锻造制造的深锅形铜溅射靶，其内表面的每个部位的维氏硬度（Hv）= 70。在其结构中的深锅形铜溅射靶可具有平均晶体粒径=65μm。此外，提供了一种深壶形铜溅射靶，其在其内表面具有通过X射线衍射测定的晶体取向（220），（111），（200）和（311），并且在其侵蚀表面具有晶体取向（220），主要取向。旨在通过改进和创新锻造和热处理步骤，提供一种通过使晶粒直径细微均匀的方式稳定地制造出性能优异的溅射靶的方法，并通过使用处理。

58. 发明申请

WO2005007924A1 SPUTTERING TARGET CONSTRUCTIONS 审中-公开
标题翻译：溅射目标结构
公开(公告)号：WO2005007924A1
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：PCT/US2004/021362
申请日：2004-07-02
申请人： HONEYWELL INTERNATIONAL INC. , HORT, Werner, H. , JAEYEON, Kim
发明人： HORT, Werner, H. , JAEYEON, Kim
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3414 , C23C14/3407 , H01J37/3435
摘要： The invention includes a physical vapor deposition target having an inner radial portion which has a radius extending from a center point of the target to an outer edge of a sputtering region. The deposition target has a flange region surrounding the inner radial portion. Two channels are positioned within the flange region with one of the channels being configured to receive an o-ring. The invention also includes a sputtering target having a flange region with a planar flange surface and having an o-ring channel disposed within the flange region. The o-ring channel has a pair of opposing channel walls and a base surface with a portion of the base surface being non-parallel relative to the planar flange surface. Invention further includes a physical vapor deposition target backing plate having an o-ring groove and a stress relief groove, and target assemblies which utilize such backing plate.
摘要翻译：本发明包括具有内径向部分的物理气相沉积靶，其具有从靶的中心点延伸到溅射区的外边缘的半径。沉积靶具有围绕内部径向部分的凸缘区域。两个通道位于凸缘区域内，其中一个通道被配置为接收O形环。本发明还包括具有凸缘区域的溅射靶，其具有平坦的凸缘表面并且具有设置在凸缘区域内的O形环通道。 O形环通道具有一对相对的通道壁和基部表面，其中基部表面的一部分相对于平面凸缘表面不平行。本发明还包括具有O形环槽和应力释放槽的物理气相沉积靶背衬板和利用这种背板的靶组件。

59. 发明申请

WO2017134161A1 DEVICE FOR A PHYSICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS 审中-公开
标题翻译：用于物理气相沉积过程的装置
公开(公告)号：WO2017134161A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/EP2017/052246
申请日：2017-02-02
申请人： IMPACT COATINGS AB
发明人： LJUNGCRANTZ, Henrik
IPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32 , C23C14/34 , C23C14/32
CPC分类号： H01J37/3414 , C23C14/325 , C23C14/3407 , H01J37/32614 , H01J37/3288 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3491
摘要： A device (1) for a physical vapor deposition process, wherein said device has a cylindrical body, and wherein said body comprises a bottom side (2), a top side (3), an upper portion (5) and a lower portion (4), wherein said lower portion (4) comprises a fastening arrangement, wherein said fastening arrangement at the lower portion (4) of the device (1) comprises at least one external groove (7), wherein said groove (7) extends at least partially around a circumference of said cylindrical body.
摘要翻译：一种用于物理气相沉积工艺的装置（1），其中所述装置具有圆柱形主体，并且其中所述主体包括底侧（2），顶侧（3），上部其中所述下部（4）包括紧固装置，其中在所述装置（1）的所述下部（4）处的所述紧固装置包括至少一个外部凹槽（7），所述外部凹槽其中所述凹槽（7）至少部分地围绕所述圆柱形本体的圆周延伸。

60. 发明申请

WO2015138091A1 SMART CHAMBER AND SMART CHAMBER COMPONENTS 审中-公开
标题翻译： SMART CHAMBER和SMART CHAMBER组件
公开(公告)号：WO2015138091A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/US2015/016060
申请日：2015-02-16
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BINNS, Simon Nicholas , WEST, Brian T. , SCHAUER, Ronald Vern , JOHNSON, Roger M. , COX, Michael S.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3476 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3479
摘要： A process chamber includes a chamber body having a chamber lid assembly disposed thereon, one or more monitoring devices coupled to the chamber lid assembly, and one or more antennas disposed adjacent to the chamber lid assembly that are in communication with the one or more monitoring devices.
摘要翻译：处理室包括室主体，其具有设置在其上的室盖组件，耦合到室盖组件的一个或多个监控装置以及与室盖组件相邻设置的一个或多个与该一个或多个监控装置连通的天线。

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