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1. 发明申请

WO2016158923A1 磁気抵抗効果素子审中-公开
标题翻译：磁感应效应元件
公开(公告)号：WO2016158923A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/060056
申请日：2016-03-29
申请人： TDK株式会社
发明人：佐々木　智生
IPC分类号： H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G01R33/098 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01F10/324 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/10
摘要：　この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、ＡＢ２Ｏｘ（０＜ｘ≦４）という組成式で表され、陽イオンの配列が不規則化したスピネル構造であり、前記トンネルバリア層は、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の両方と格子整合している格子整合部と、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の少なくとも一方と格子整合していない格子不整合部と、を有し、Ａサイトは複数の非磁性元素の二価の陽イオンであり、Ｂサイトはアルミニウムイオンであり、前記組成式において二価の陽イオンの元素数がアルミニウムイオンの元素数の半分未満である。
摘要翻译：该磁阻效应元件具有第一强磁性金属层，第二铁磁金属层和夹在第一和第二铁磁性金属层之间的隧道势垒层，其中：隧道势垒层具有由组成式AB2Ox（0）表示的尖晶石结构

2. 发明申请

WO2016113619A1 MAGNETIC LOGIC UNIT (MLU) CELL FOR SENSING MAGNETIC FIELDS WITH IMPROVED PROGRAMMABILITY AND LOW READING CONSUMPTION 审中-公开
标题翻译：用于感应磁场的磁性逻辑单元（MLU）具有改进的可编程性和低读数消耗
公开(公告)号：WO2016113619A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/IB2015/059918
申请日：2015-12-23
申请人： CROCUS TECHNOLOGY SA
发明人： BANDIERA, Sébastien
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098 , G01D5/16 , G01R33/0029 , G01R33/096 , G11C11/1659 , G11C11/1673
摘要： A magnetic logic unit (MLU) cell (1) for sensing magnetic fields, comprising: a magnetic tunnel junction (2) including a storage layer (23) having a storage magnetization (230, 234, 235), a sense layer (21) having a sense magnetization; a tunnel barrier layer (22) between the storage layer (23) and the sense layer (21); and a pinning layer (24) pinning the storage magnetization (230, 234, 235) at a low threshold temperature and freeing it at a high threshold temperature (TH); the sense magnetization (210) being freely alignable at the low and high threshold temperatures; the storage layer (23) inducing an exchange bias field (60) magnetically coupling the sense layer (21) such that the sense magnetization (210) tends to be aligned antiparallel or parallel to the storage magnetization (230, 234, 235); the tunnel barrier layer (22) being configured for generating an indirect exchange coupling (70) between the tunnel barrier layer (22) and the sense layer (21) providing an additional exchange bias field (71).
摘要翻译：一种用于感测磁场的磁逻辑单元（MLU）单元（1），包括：磁性隧道结（2），包括具有存储磁化（230,234,235）的存储层（23），感测层（21）具有感测磁化强度; 在所述存储层（23）和所述感测层（21）之间的隧道势垒层（22）; 和钉扎层（24），其在低阈值温度下固定存储磁化（230,234,235）并将其释放在高阈值温度（TH）; 感测磁化（210）可在低和高阈值温度下自由对准; 所述存储层（23）引起磁耦合所述感测层（21）的交换偏置场（60），使得所述感测磁化（210）倾向于反平行或平行于所述存储磁化（230,234,235）对齐; 所述隧道势垒层（22）被配置用于在所述隧道势垒层（22）和所述感测层（21）之间产生间接交换耦合（70），从而提供额外的交换偏置场（71）。

3. 发明申请

WO2016110244A1 一种单芯片具有校准/重置线圈的Z轴线性磁电阻传感器审中-公开
公开(公告)号：WO2016110244A1
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：PCT/CN2016/070137
申请日：2016-01-05
申请人：江苏多维科技有限公司
发明人：迪克詹姆斯·G , 周志敏
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0017 , G01R33/0011 , G01R33/09 , G01R33/098
摘要：一种单芯片具有校准/重置线圈的Z轴线性磁电阻传感器，包括单芯片Z轴线性磁电阻传感器及校准线圈和/或重置线圈，所述校准线圈、重置线圈为平面或三维线圈，所述平面线圈（101,102）位于衬底之上、磁电阻传感单元之下、磁电阻传感单元和软磁通量集中器（2）之间、软磁通量集中器（2）之上或间隙处，所述三维线圈缠绕软磁通量集中器和磁电阻传感单元，所述校准线圈/重置线圈分别包括平行于钉扎层/自由层磁化方向的直导线（10,11,12,13），前者在推、挽磁电阻单元串（4,5）处产生同/反钉扎层方向的等值校准磁场；后者在所有磁电阻传感单元处产生自由层向均匀重置磁场。通过控制校准线圈/重置线圈电流可实现单芯片Z轴线形磁电阻传感器校准及磁状态重置，具有高效、快速、方便的优点。

4. 发明申请

WO2016050614A1 SELF-REFERENCED MRAM CELL AND MAGNETIC FIELD SENSOR COMPRISING THE SELF-REFERENCED MRAM CELL 审中-公开
标题翻译：自参考MRAM单元和包含自参考MRAM单元的磁场传感器
公开(公告)号：WO2016050614A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/072029
申请日：2015-09-24
申请人： CROCUS TECHNOLOGY SA
发明人： STAINER, Quentin
IPC分类号： G11C11/16 , G01R33/09
CPC分类号： G11C11/1675 , G01R33/098 , G11C11/161 , G11C11/1673
摘要： The present disclosure concerns a self-referenced MRAM cell (1) comprising a reference layer(23) having a fixed reference magnetization (230), a sense layer (21) having a free sense magnetization (210),a tunnel barrier (22), a biasing layer (25) having bias magnetization (250) and a biasing antiferromagnetic layer (27) pinning the bias magnetization (250) in a bias direction when MRAM cell (1) is at temperature equal or below a bias threshold temperature (T B ); the bias magnetization (250) being arranged for inducing a bias field (251) adapted for biasing the sense magnetization (210) in a direction opposed to the bias direction, such that the biased sense magnetization (210) varies linearly in the presence of the external magnetic field, when the external magnetic field is oriented in a direction substantially perpendicular to the one of the reference magnetization (230). The present disclosure further concerns a magnetic field sensor (100) comprising a plurality of the self-referenced MRAM cell (1) and a method for programming the magnetic field sensor.
摘要翻译：本公开涉及包括具有固定参考磁化（230）的参考层（23），具有自由感测磁化（210）的感测层（21），隧道势垒（22））的自参考MRAM单元（1），当MRAM单元（1）处于等于或低于偏置阈值温度（TB）的温度时，具有偏压磁化（250）的偏压层（25）和偏置反铁磁层（27），以偏置磁化（250））; 偏置磁化（250）被布置用于感应适于偏置与偏置方向相反的方向的感测磁化（210）的偏置场（251），使得偏置感测磁化（210）在存在当外部磁场在基本上垂直于参考磁化（230）之一的方向上取向时，外部磁场。本公开还涉及包括多个自参考MRAM单元（1）的磁场传感器（100）和用于对磁场传感器进行编程的方法。

5. 发明申请

WO2016026419A1 一种单芯片偏轴磁电阻Z-X角度传感器和测量仪审中-公开
公开(公告)号：WO2016026419A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/CN2015/087320
申请日：2015-08-18
申请人：江苏多维科技有限公司
发明人：迪克⋅詹姆斯⋅G , 周志敏
IPC分类号： G01B7/30
CPC分类号： G01B7/30 , G01D5/14 , G01R33/0011 , G01R33/093 , G01R33/098
摘要：一种单芯片偏轴磁电阻Z-X角度传感器和测量仪，该单芯片偏轴磁电阻Z-X角度传感器包括位于X-Y面上的衬底（1），位于衬底（1）上的至少一个X轴磁电阻传感器(3)和Z轴磁电阻传感器(2)，X轴磁电阻传感器(3)和Z轴磁电阻传感器(2)包括磁电阻传感单元(5)和通量集中器(4)，磁电阻传感单元(5)电连接成包括至少两个桥臂的磁电阻桥；所述Z轴磁电阻传感器（2）为推挽桥式结构，其推臂和挽臂分别位于与通量集中器（4）Y轴中心线等距的位置上；所述X轴磁电阻传感器（3）为参考桥式结构，其参考臂和敏感臂分别位于通量集中器（4）Y轴中心线以及距离Y轴中心线大于一半通量集中器（4）宽度的位置上；该单芯片偏轴磁电阻Z-X角度传感器放置于圆形永磁码盘边缘并构成角度测量仪，通过测量X轴和Z轴磁场分量实现角度测量，具有结构紧凑，高灵敏度特点。

6. 发明申请

WO2016013650A1 磁気センサ装置审中-公开
标题翻译：磁传感器装置
公开(公告)号：WO2016013650A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/JP2015/071086
申请日：2015-07-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：尾込　智和 , 下畑　賢司 , 浅野　啓行 , 井上　甚
IPC分类号： G01R33/09 , G01R33/02 , H01L43/08
CPC分类号： G01R33/096 , G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , G07D7/04
摘要：　シート状であって磁気成分を含む被検知物（４）の一方の面側に配置され、前記被検知物（４）に交差する交差磁界を生成する磁界生成部（１）と、前記被検知物（４）と前記磁界生成部（１）との間に配置され、前記被検知物（４）が搬送方向に沿って搬送されることにより生じる、前記交差磁界の前記搬送方向における成分の変化に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子（３）と、を備え、前記磁気抵抗効果素子（３）は搬送方向に隣接する抵抗体（３２ａ、３２ｂ）がブリッジ接続されており、前記抵抗体（３２ａ、３２ｂ）はブリッジ中心に対して前記搬送方向に直交する方向を軸にして線対称に配置され、前記磁気抵抗効果素子（３）のブリッジ中心の前記搬送方向における位置は、前記磁界生成部（１）の前記搬送方向における中心位置に配置した。
摘要翻译：该磁传感器装置设置有：磁场产生单元（1），其被设置为面对包括磁性成分的被检测片状物体（4）的一个表面，并且产生穿过该磁性元件的交叉磁场物体（4）被检测; 以及设置在待检测物体（4）和磁场产生部（1）之间的磁阻效应元件（3），并且具有随着交叉磁场的分量的变化而变化的电阻值当被检测物体（4）被输送时发生的待检测物体（4）的输送。磁阻效应元件（3）包括在物体（4）的输送方向上彼此相邻的电阻元件（32a，32b）的桥接; 电阻元件（32a，32b）被布置成围绕在垂直于物体（4）的输送方向的方向延伸穿过桥的中心的轴线彼此对称; 并且磁阻效应元件（3）的桥的中心在物体（4）的输送方向上的位置与磁场产生单元（1）的中心在该方向上的位置一致。

7. 发明申请

WO2016013347A1 磁気センサ审中-公开
标题翻译：磁传感器
公开(公告)号：WO2016013347A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/JP2015/068471
申请日：2015-06-26
申请人：株式会社村田製作所
发明人：森　大輔
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L43/08
摘要：　複数の磁気抵抗素子は、第１磁気抵抗素子(１２０ａ，１２０ｂ)および第２磁気抵抗素子(１３０ａ，１３０ｂ)を含む。第１磁気抵抗素子(１２０ａ，１２０ｂ)の抵抗変化率は、第２磁気抵抗素子(１３０ａ，１３０ｂ)の抵抗変化率より大きい。第２磁気抵抗素子(１３０ａ，１３０ｂ)は、平面視にて、仮想円または仮想多角形に沿って配置され、かつ、複数の曲部を有して折り返した、単位パターンを複数含む。複数の単位パターンは、上記仮想円または上記仮想多角形の中心の周りを囲む方向に繋がっている。
摘要翻译：多个磁阻元件包括第一磁阻元件（120a，120b）和第二磁阻元件（130a，130b）。第一磁阻元件（120a，120b）的电阻变化率大于第二磁阻元件（130a，130b）的电阻变化率。在平面图中，第二磁阻元件（130a，130b）包括多个单元图形，它们沿着假想圆或假想多边形排列并且具有多个曲线并被折回。多个单元图案围绕着假想圆或虚构多边形的中心的方向连接。

8. 发明申请

WO2015158230A1 一种使用磁电阻传感器的微型导螺杆泵及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015158230A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/CN2015/076428
申请日：2015-04-13
申请人：江苏多维科技有限公司
发明人：迪克·詹姆斯·G , 金玉琴
IPC分类号： A61M5/142 , A61M5/168
CPC分类号： A61M5/145 , A61M5/14248 , A61M5/1452 , A61M5/1684 , A61M5/1723 , A61M2205/3317 , G01R33/093 , G01R33/098
摘要：一种微型导螺杆泵（2），其使用磁电阻传感器（28）和MCU（50）监测导螺杆（22）的转动，并通过电机控制器（48）控制反馈控制导螺杆（22）的转向和速度，从而控制向病人的输液速度。此外该微型导螺杆泵（2）可以根据CGM（45）监测的病人的血糖的浓度控制胰岛素的输液速度。该微型导螺杆泵（2）具有高灵敏度，高可靠性，低功耗，低成本和方便使用的特点。

9. 发明申请

WO2015052063A1 MAGNETIC SENSOR CELL FOR MEASURING THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC FIELDS 审中-公开
标题翻译：用于测量三维磁场的磁传感器单元
公开(公告)号：WO2015052063A1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：PCT/EP2014/071108
申请日：2014-10-01
申请人： CROCUS TECHNOLOGY SA
发明人： BANDIERA, Sébastien
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： A magnetic sensor cell (1) comprises a magnetic tunnel junction (2) comprising a reference layer (23) having a reference magnetization (230) oriented substantially parallel to the plane of the reference layer (23), a sense layer (21) having a sense magnetization (210), and a tunnel barrier layer (22) between the sense and reference layers (21, 23); and a magnetic device (4) configured for providing a sense magnetic field (42) adapted for aligning the sense magnetization (210). The sense layer magnetization (210) is orientable between a direction parallel to the plane of the sense layer (21) and a direction perpendicular to the plane of the sense layer (21) when the sense magnetic field (42) is provided. The magnetic sensor cell can be used for sensing an external magnetic field comprising a component (451) oriented parallel to the plane of the sense layer and a component (452) oriented perpendicular to the plane of the sense layer.
摘要翻译：磁传感器单元（1）包括磁性隧道结（2），其包括具有基本上平行于参考层（23）的平面定向的参考磁化（230）的参考层（23），感测层（21），其具有感测磁化（210）和在感测和参考层（21,23）之间的隧道势垒层（22）; 以及配置用于提供适于对准感测磁化（210）的感测磁场（42）的磁性装置（4）。当提供感测磁场（42）时，感测层磁化（210）可以在平行于感测层（21）的平面的方向和垂直于感测层（21）的平面的方向之间定向。磁传感器单元可以用于感测外部磁场，该外部磁场包括平行于感测层的平面定向的部件（451）和垂直于感测层的平面定向的部件（452）。

10. 发明申请

WO2014179221A3 NON-INTRUSIVE MONITORING 审中-公开
标题翻译：非侵入式监控
公开(公告)号：WO2014179221A3
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/US2014035689
申请日：2014-04-28
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
发明人： LEEB STEVEN B , PARIS JAMES , DONNAL JOHN SEBASTIAN , MOON JINYEONG , SCHANTZ CHRISTOPHER
IPC分类号： G01R15/20 , G01R21/08 , G01R33/09
CPC分类号： G01D5/16 , G01R15/207 , G01R21/08 , G01R33/098
摘要： Methods and apparatus for non-intrusive monitoring by sensing physical parameters such as electric and/or magnetic fields. Such apparatus and techniques may find application in a variety of fields, such as monitoring consumption of electricity, water, etc., in homes or businesses, for example, or industrial process monitoring.
摘要翻译：通过感测诸如电场和/或磁场的物理参数进行非侵入式监测的方法和装置。这样的装置和技术可以在各种领域中找到应用，例如监测家庭或企业中的电力，水等的消耗，或者例如工业过程监控。

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