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41. 发明申请

WO2010047113A1 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置审中-公开
标题翻译：表面声波谐振器，表面声波振荡器和表面声波模块装置
公开(公告)号：WO2010047113A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/JP2009/005540
申请日：2009-10-22
申请人：エプソントヨコム株式会社 , 山中國人
发明人：山中國人
IPC分类号： H03H9/145 , H03B5/30 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02551 , H03H9/0547 , H03H9/1071
摘要：　Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。　水晶基板１１上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴ１２が設けられた弾性表面波共振子１において、一つの電極指の幅を、その両側に隣接する前記電極指との間隔の中心線と中心線との間の寸法で除した値をライン占有率とし、ＩＤＴ１２は、中央部から両端部に向かいライン占有率を順次変化させることで、ＩＤＴ１２の中央部の周波数に比べて、中央部から両端部に向かい周波数が順次低くなるように形成された領域を備えている。
摘要翻译：通过改善Q值来减小表面声波谐振器的尺寸。表面声波谐振器（1）在石英基板（11）上设置有具有激励表面声波的电极指的IDT（12）。通过将一个电极指的宽度除以两侧的电极指与相邻电极指的间隔的中心线之间的尺寸而获得的值被设置为线占有率，并且设置IDT（12）与从IDT（12）的中心部分的频率相比，通过从中心部分顺序地改变向两端部分的线占有率而从中心部分向两端部分频率减小的区域。

42. 发明申请

WO2008090050A1 RÉSONATEUR ACOUSTIQUE EN VOLUME À FRÉQUENCE DE RÉSONANCE RÉGLABLE ET UTILISATION D'UN TEL RÉSONATEUR DANS LE DOMAINE DE LA TÉLÉPHONIE. 审中-公开
标题翻译：具有可调谐共振频率的音量共振器，以及这些谐振器在电话行业中的使用
公开(公告)号：WO2008090050A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2008/050365
申请日：2008-01-15
申请人： STMICROELECTRONICS SA , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , BELOT, Didier , CATHELIN, Andreia , DEVAL, Yann , EL HASSAN, Moustapha , KERHERVE, Eric , SHIRAKAWA, Alexandre Augusto
发明人： BELOT, Didier , CATHELIN, Andreia , DEVAL, Yann , EL HASSAN, Moustapha , KERHERVE, Eric , SHIRAKAWA, Alexandre Augusto
IPC分类号： H03H9/17 , B81B3/00
CPC分类号： H03H9/172 , H03H9/0547 , H03H2003/0428 , H03H2009/02181 , H03H2009/241
摘要： Ce résonateur acoustique en volume à fréquencede résonance réglablecomprenant un élément piézoélectrique pourvude deux électrodes. Ilcomporte un élémentde commutation (12) formant électrode additionnelle venant sélectivement se superposer à l une des électrodes pour faire varier l épaisseur totale de ladite électrode et modifier en conséquence la fréquence de résonance du résonateur.
摘要翻译：本发明涉及具有可调共振频率的体积声共振器，其包括具有两个电极的压电元件。其还包括限定附加电极的切换构件（12），该附加电极选择性地叠加在一个电极上，用于改变所述电极的总厚度并相应地修改共振器的谐振频率。

43. 发明申请

WO2007040051A1 圧電振動デバイス审中-公开
标题翻译：压电振动器件
公开(公告)号：WO2007040051A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：PCT/JP2006/318623
申请日：2006-09-20
申请人：株式会社大真空 , 松本敏也
发明人：松本敏也
IPC分类号： H03H9/02 , H03B5/32 , H01L23/04 , H01L23/08 , H01L23/12
CPC分类号： H03H9/0547 , H01L2224/16 , H01L2224/73204 , H03H9/0514 , H03H9/1021
摘要：　ベース４のパッケージ内周面１３は、垂直面１４と水平面１５とで構成され、ベース４の垂直面１４に電極パッド７（７１～７８）が形成されている。電極パッド７１～７８は、垂直面１４と水平面１５との交わる交線１７上を含むベース４の垂直面１４に形成され、例えば、異電極となる電極パッド７４，７５が隣接して形成されている。ベース４の垂直面１４の交線１７上に沿った隣接する電極パッド７４，７５間の距離は、ベース４の垂直面１４における隣接する電極パッド７４，７５間の最短距離より長い。
摘要翻译：基座（4）的封装内周面（13）由垂直面（14）和水平面（15）构成，电极焊盘（7（71-78））形成于垂直面）（4）。电极焊盘（71-78）形成在基部（4）的垂直表面（14）上，包括垂直表面（14）与水平表面（15）相交的交叉线（17）上的表面，，并且例如相邻地形成作为不同电极的电极焊盘（74,75）。沿着基座（4）的垂直表面（14）上的线（17）的相邻的电极焊盘（74,75）之间的距离比在垂直方向上的相邻电极焊盘（74,75）之间的最短距离长基座（4）的表面（14）。

44. 发明申请

WO2006134744A1 電子部品の製造方法审中-公开
标题翻译：电子元件制造方法
公开(公告)号：WO2006134744A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/JP2006/309719
申请日：2006-05-16
申请人：株式会社村田製作所 , 藤井英俊 , 小口貴弘
发明人：藤井英俊 , 小口貴弘
IPC分类号： H01L41/09 , B81C1/00 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC分类号： H03H3/02 , B81C1/00476 , H03H9/0547 , H03H9/173 , H03H2003/021 , Y10T29/42
摘要：　犠牲層からのアウトガスによる問題発生と犠牲層除去時の残渣発生を防止することができる、電子部品の製造方法を提供する。　基板１２上にポリアミドイミドを主成分とする犠牲層を形成する第１の工程と、犠牲層の一部分の上に素子部を形成する第２の工程と、犠牲層を除去して、素子部と基板１２との間に空隙１１を形成する第３の工程とを備える。
摘要翻译：一种电子部件制造方法，其中防止了由牺牲层脱气引起的故障和消除牺牲层之后的残留物。电子部件制造方法具有在基板（12）上形成具有聚酰胺 - 酰亚胺作为主要成分的牺牲层的第一步骤，在牺牲层的一部分上形成元件部分的第二步骤，以及第三步骤在所述元件部分和所述基板（12）之间形成空间（11）。

45. 发明申请

WO2006095503A1 電子部品用容器、および圧電振動デバイス审中-公开
标题翻译：电子元件和压电振荡器件的容器
公开(公告)号：WO2006095503A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/JP2006/301237
申请日：2006-01-26
申请人：株式会社大真空 , 古城琢也
发明人：古城琢也
IPC分类号： H01L23/02
CPC分类号： H03H9/0547 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , H03H9/1021 , H01L2924/00
摘要：　絶縁性ベースに金属蓋が接合されてなる電子部品用容器であって、電気的機能を有する電子部品素子を収納する収納部と、前記収納部の周囲に形成され、前記金属蓋が気密接合される封止用メタライズ部と、側端部に端子電極が形成されたキャスタレーションとを有する前記絶縁性ベースと、平面視形状が前記絶縁性ベースの平面視形状とほぼ等しく成形され、下面にろう材が形成されるとともに、前記ろう材には前記絶縁性ベースに前記金属蓋が接合される際に前記キャスタレーションの内側において前記封止用メタライズ部と接合する溶接部が設けられた金属蓋と、を含む。
摘要翻译：一种用于电子部件的容器，其具有与绝缘基底结合的金属盖，其中所述绝缘基底包括用于容纳具有电功能的电子元件的部分，在所述容纳部分周围形成并与所述金属盖密封地密封的密封金属化部以及具有在其侧端形成的端子电极的地脚座，并且金属盖具有与绝缘基底基本相同的平面图和形成有钎料的下表面。当金属盖接合到绝缘基底时，钎焊金属设置有焊接部分，其在该座位的内侧上与密封金属化接合。

46. 发明申请

WO2006020744A3 STRUCTURE AND METHOD OF FORMING CAPPED CHIPS 审中-公开
标题翻译：结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2006020744A3
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：PCT/US2005028492
申请日：2005-08-11
申请人： TESSERA INC , HABA BELGACEM , BEROZ MASUD , URBISH GLENN , TUCKERMAN DAVID B
发明人： HABA BELGACEM , BEROZ MASUD , URBISH GLENN , TUCKERMAN DAVID B
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/007 , H03H3/02 , H03H9/0547 , H03H9/059 , H03H9/1057 , H03H9/1092
摘要： As disclosed herein, structures and methods are provided for forming capped chips. As provided by the disclosed method, a metal base pattern (26) is formed on a chip (8) insulated from wiring (11) of the chip, and a cap (42) is formed including a metal. The cap (42) is joined to the metal base pattern (26) on the chip to form the capped chip (48). In one embodiment, a front surface (9) of the chip is exposed which extends from a contact (14) or (16) of the chip to an edge (13) of the chip (8). In another embodiment, a conductive connection is formed to the contact (14) or (16), the conductive connection extending from the contact to a terminal (46) at an exposed plane (49) above the front surface (9) of the chip (8).
摘要翻译：如本文所公开的，提供了用于形成加盖芯片的结构和方法。如所公开的方法所示，在与芯片的布线（11）绝缘的芯片（8）上形成金属基底图案（26），并且形成包括金属的帽（42）。帽（42）连接到芯片上的金属基底图案（26）以形成封盖芯片（48）。在一个实施例中，芯片的前表面（9）暴露，其从芯片的接触件（14）或（16）延伸到芯片（8）的边缘（13）。在另一个实施例中，导电连接形成于接触件（14）或（16），导电连接件在芯片的前表面（9）上方的暴露平面（49）处从接触件延伸到端子（46）（8）。

47. 发明申请

WO2005055422A1 ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING A RESONATOR ELEMENT IN A HERMETICALLY-SEALED CASE 审中-公开
标题翻译：包含密封件的谐振器元件的电子元件
公开(公告)号：WO2005055422A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/EP2004/012949
申请日：2004-11-16
申请人： ETA SA MANUFACTURE HORLOGERE SUISSE , DALLA PIAZZA, Silvio , LUETHI, Thomas
发明人： DALLA PIAZZA, Silvio , LUETHI, Thomas
IPC分类号： H03H9/10
CPC分类号： H03H9/0547 , H03H9/1021 , H03H9/215 , H03H2003/0492 , Y10T29/42
摘要： The invention relates to an electronic component (1) comprising at least one resonator element (5) which is disposed in a housing (8) of a case. The aforementioned case comprises: a main part (2) with a base (20) and at least one annular lateral wall (3), and a cover (4) which is fixed to the main part in order to seal the housing of the case hermetically. Moreover, part of the cover is transparent to a determined wavelength of a light beam in order to enable the resonator element to be optically adjusted once the case is closed. According to the invention, the cover is fixed to a rim (7) of the lateral wall (3) of the preferably-ceramic main part, such that part of the rim surrounds preferably all of the lateral surface of the cover (4) in order to ensure that the electronic component is protected against lateral impact.
摘要翻译：本发明涉及一种电子部件（1），其包括设置在壳体的壳体（8）中的至少一个谐振元件（5）。上述情况包括：具有基座（20）和至少一个环形侧壁（3）的主要部分（2）和固定到主要部分上以便密封壳体的壳体的盖子（4）密封。此外，盖的一部分对于确定的光束波长是透明的，以便在壳体关闭时使谐振元件能够被光学调节。根据本发明，盖被固定到优选陶瓷主要部分的侧壁（3）的边缘（7），使得边缘的一部分优选围绕盖（4）的所有侧表面围绕以确保电子元件免受横向冲击。

48. 发明申请

WO2004012331A1 圧電部品およびその製造方法审中-公开
标题翻译：压电元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004012331A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009309
申请日：2003-07-23
申请人：株式会社村田製作所 , 越戸義弘
发明人：越戸義弘
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/1092 , H03H3/08 , H03H9/0542 , H03H9/0547 , H03H9/105 , H03H9/6483 , Y10T29/42
摘要：　小型化が可能であり、さらに特性の低下が抑制された弾性表面波装置および圧電薄膜フィルタ等の圧電部品およびその製造方法を提供する。圧電基板１に形成されたＩＤＴ２および該ＩＤＴ２と接続されている導通パッド３を有するＳＡＷ素子６と、接合基板２０とが、上記ＩＤＴ２の保護空間を有するように接合されている弾性表面波装置６１であって、上記接合基板２０は、貫通孔１８を有し、該貫通孔１８を介して上記導通パッド３と接続されている外部端子接続部材２２ａと外部端子２２ｂとが形成されていると共に、上記ＳＡＷ素子６と接合基板２０とがはんだ層を含む接着層２１により接合されている。
摘要翻译：压电元件，例如表面声波器件或压电薄膜滤光器及其制造方法，其中可以减小尺寸，同时抑制特性的劣化。在声表面波装置（61）中，在压电基板（1）上形成有IDT（2）的SAW元件（6）和与IDT（2）连接的导电垫（3）接合到接合基板），使得提供IDT（2）的保护空间。接合基板（20）具有通孔（18），通过通孔（18）形成与导电焊盘（3）连接的外部端子连接部件（22a）和外部端子（22b），SAW元件（6）通过包含焊料层的粘合剂层（21）与接合基板（20）接合。

49. 发明申请

WO2004012330A1 圧電部品およびその製造方法审中-公开
标题翻译：压电元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004012330A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009311
申请日：2003-07-23
申请人：株式会社村田製作所 , 越戸義弘
发明人：越戸義弘
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H9/564 , H03H3/08 , H03H9/0542 , H03H9/0547 , H03H9/105 , H03H9/1092 , H03H9/568 , H03H9/6483
摘要：　小型化が可能であり、さらに外部端子の位置の自由度を向上させた圧電部品およびその製造方法を提供する。圧電基板に形成されたＩＤＴ２および該ＩＤＴ２と接続されている導通パッド３を有するＳＡＷ素子６と、導通パッド用貫通孔１８を有する接合基板２０とが、上記ＩＤＴ２と対向するように、接着層２１により接着されている弾性表面波装置である。上記ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護する励振部分保護用中空構造１６により保護空間を形成している。また、上記導通パッド用貫通孔１８を介して上記導通パッド３と接続されている外部端子２２が導通パッド用貫通孔１８からずれた位置にある。
摘要翻译：因此能够使定位外部端子的自由度小型化和增强的压电元件及其制造方法。表面声波装置包括：具有形成在压电基板上的IDT（2）的SAW元件（6）和与IDT（2）连接的导电焊盘（3）;以及接合基板（20），其具有导电焊盘用通孔（18），所述接合基板（20）通过粘合剂层（21）与所述SAW元件接合以面对IDT（2）。保护空间由用于保护诸如IDT（2）的表面声波的激发部分的中空结构（16）形成。此外，经由通孔（18）与导电焊盘（3）连接的外部端子（22）定位成偏离通孔（18）。

50. 发明申请

WO2003079439A2 DESIGN OF AN INSULATED CAVITY 审中-公开
标题翻译：绝缘孔的设计
公开(公告)号：WO2003079439A2
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/IB2003/000938
申请日：2003-03-11
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , SIX, Jean-Claude
发明人： SIX, Jean-Claude
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H03H9/0547 , H01L23/20 , H01L23/5227 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06582 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H03H9/105
摘要： The invention relates to a method for connecting a connecting surface of a first silicon wafer [WA1] with a connecting surface of a second silicon wafer [WA2] so as to form an insulated cavity after assembly, at least one of the two silicon wafers [WA] including at least one functional area [DA] intended to be within the cavity. The method according to the invention includes a step [PLTS] of depositing alloy soldering bumps [PLTC] on the connecting surface of the first silicon wafer [WA1], said bumps [PLTC] being separated from one another by an even distance which is sufficiently small to cause joinings during the assembly of the two silicon wafers. Said step [PLTS] of depositing the soldering bumps [PLTC] is carried out during the step of depositing the soldering bumps [PLTE] intended for the electrical contacts. The method includes a reflux soldering step [RFX] for assembling the two silicon wafers by melting of the alloy soldering bumps. Application: Protection of semiconductor elements sensitive to the external conditions.
摘要翻译：本发明涉及一种将第一硅晶片[WA1]的连接表面与第二硅晶片[WA2]的连接表面连接在一起的方法，以便在组装之后形成绝缘腔，至少两个硅晶片[ WA]包括旨在在腔内的至少一个功能区域[DA]。根据本发明的方法包括在第一硅晶片[WA1]的连接表面上沉积合金焊料凸块（PLTC）的步骤[PLTS]，所述凸块[PLTC]彼此间隔一定距离，该距离足够在两个硅晶片的组装过程中引起结合。在沉积用于电触点的焊料凸块[PLTE]的步骤期间，进行沉积焊料凸块[PLTC]的所述步骤[PLTS]。该方法包括用于通过熔化合金焊接凸块来组装两个硅晶片的回流焊步骤[RFX]。应用：保护对外界条件敏感的半导体元件。

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