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1. 发明申请

WO2013011864A1 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2013011864A1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/JP2012/067535
申请日：2012-07-10
申请人：株式会社村田製作所 , 梅田圭一
发明人：梅田圭一
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , C23C14/14 , H01L41/09 , H01L41/187
CPC分类号： H01B1/02 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00666 , B81C1/00698 , B81C2201/017 , B81C2201/0181 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/34 , H01G4/33 , H01G5/16 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H9/2457 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , H03H2009/02291
摘要：　タングステンからなる主電極層を含む薄膜電極を備える薄膜デバイスにおいて、薄膜電極が低い抵抗率を有することを実現する。下地層（７Ａ）と、下地層（７Ａ）の上に形成された主電極層（７Ｂ）とを有する薄膜電極（７）を備え、下地層（７Ａ）は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するチタン・タングステン合金からなり、主電極層（７Ｂ）は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するタングステンからなる、薄膜デバイス（１）。
摘要翻译：提供了一种薄膜器件，其包括具有由钨形成的主电极层的薄膜电极，其中薄膜电极具有低电阻率。薄膜器件（1）包括具有接地层（7A）和形成在接地层（7A）上的主电极层（7B））的薄膜电极（7），接地层（7A）由钛钨合金，其中表面形态具有波形晶体结构，并且主电极层（7B）由表面形态具有波形晶体结构的钨形成。

2. 发明申请

WO2007078646A1 FREQUENCY TUNING OF FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS (FBAR) 审中-公开
标题翻译：薄膜音箱谐振器（FBAR）的频率调谐
公开(公告)号：WO2007078646A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/US2006/047138
申请日：2006-12-06
申请人： INTEL CORPORATION , RAO, Valluri, R. , DOROS, Theodore, G. , MA, Qing , SESHAN, Krishna , WANG, Li-Peng
发明人： RAO, Valluri, R. , DOROS, Theodore, G. , MA, Qing , SESHAN, Krishna , WANG, Li-Peng
IPC分类号： H03H3/04 , H03H9/58 , H03H9/17 , H03H9/02
CPC分类号： H03H3/04 , H03H3/0076 , H03H2003/0428 , H03H2003/0478
摘要： Multiple FBARs may be manufactured on a single wafer and later diced. Ideally, all devices formed in a wafer would have the same resonance frequency. However, due to manufacturing variances, the frequency response of the FBAR devices may vary slightly across the wafer. An RF map may be created to determine zones (50, 52) over the wafer where FBARs in that zone all vary from a target frequency by a similar degree. A tuning layer (40) may be deposited over the wafer. Lithographically patterned features to the tuning layer based on the zones identified by the RF map may be used to correct the FBARs to a target resonance frequency with the FBARs still intact on the wafer.
摘要翻译：多个FBAR可以在单个晶片上制造并且稍后被切割。理想地，形成在晶片中的所有器件将具有相同的谐振频率。然而，由于制造方差，FBAR器件的频率响应可能会在晶圆上略有不同。可以创建RF映射以确定晶片上的区域（50,52），其中该区域中的FBAR全部从目标频率变化相似程度。调谐层（40）可以沉积在晶片上。可以使用基于由RF映射表示的区域的调谐层的光刻图案特征来将FBAR校正到目标谐振频率，同时FBAR在晶片上仍然完整。

3. 发明申请

WO99059244A2 THIN-LAYERED PIEZO-RESONATOR 审中-公开
标题翻译：薄膜压电谐振
公开(公告)号：WO99059244A2
公开(公告)日：1999-11-18
申请号：PCT/DE1999/001393
申请日：1999-05-07
IPC分类号： H03H3/04 , H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/00
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/04 , H03H2003/0428
摘要： Preferably, the resonator is provided with lithographically produced holes or similar structures in the top electrode layer. The average distance between said holes or structures is shorter than the wavelength provided in order to operate each component. Said structures are preferably distributed in both an even manner to enable uniform modification of layer mass for each surface and specific adjustment of the resonance frequency or frequencies, and in an uneven manner in order to avoid the effects of diffraction.
摘要翻译：谐振器设置在覆盖电极的层中或附加层中，其中优选地具有光刻产生的孔或类似的结构，这些孔或结构相互之间的平均距离小于元件操作期间的预期波长。该结构化优选充分地均匀分布的，在每单位面积的层的质量均匀的变化造成的，并且因此谐振频率（多个）的一个具体的调整发生，并且在另一方面，以便不规则地分布，从而避免了该衍射效应。

4. 发明申请

WO2015072057A1 圧電ウェハ、圧電振動片、及び圧電振動子审中-公开
标题翻译：压电陶瓷，压电振动片，压电振动片
公开(公告)号：WO2015072057A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/JP2014/004784
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社大真空
发明人：古賀　忠孝 , 藤井　智 , 澁谷　浩三 , 石野　悟 , 森本　賢周 , 大谷　和輝
IPC分类号： H03H9/19 , H03H3/02 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/0595 , H01L41/0475 , H01L41/053 , H01L41/33 , H03H3/02 , H03H9/02393 , H03H9/10 , H03H9/21 , H03H9/215 , H03H2003/026 , H03H2003/0428
摘要：　圧電ウェハは、圧電振動片と、圧電振動片を支持する枠部と、圧電振動片を枠部に連結する連結部とを有する。圧電振動片に、一対の第１及び第２金属バンプが並設される。連結部に、その幅方向に延びるスリットが、連結部の幅方向の一部であるブリッジを除いて形成される。ブリッジの幅方向端は、連結部の幅方向に垂直な方向において、両金属バンプから離隔しており、かつ、両金属バンプと重なっていない。
摘要翻译：该压电晶片具有：压电振动片; 支撑压电振动片的框架部分; 以及将压电振动片与框架部连接的连接部。一对第一和第二金属凸块在压电振动片上彼此平行地设置。在连接部分中，除了连接部分的宽度方向上的桥接部分，即连接部分之外，形成沿着连接部分的宽度方向延伸的狭缝。在桥的宽度方向上的桥端在垂直于连接部的宽度方向的方向上与金属凸块间隔开，并且不与金属凸块重叠。

5. 发明申请

WO2009011022A1 圧電薄膜共振素子及びこれを用いた回路部品审中-公开
标题翻译：压电薄膜共振元件和使用其的电路元件
公开(公告)号：WO2009011022A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2007/064015
申请日：2007-07-13
申请人：富士通株式会社 , 西原時弘 , 原基揚 , 谷口眞司 , 岩城匡郁 , 横山剛 , 上田政則
发明人：西原時弘 , 原基揚 , 谷口眞司 , 岩城匡郁 , 横山剛 , 上田政則
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/174 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/02157 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H2003/0428
摘要：　圧電薄膜共振素子（１）は、楕円の平面形状を有し、外周に所定の角度で傾斜した傾斜部（３ａ）を有する下面電極（３）と楕円の平面形状を有する上面電極（５）と両電極に挟まれた圧電膜（４）との積層構造からなる共振部を具備する。上面電極（５）の下面電極（３）の傾斜部（３ａ）が対向する位置の一部に付加膜（８）が設けられ、これにより共振部の下面電極（３）の傾斜部（３ａ）における積層厚のうち一部の積層厚Ｈ c が共振部の下面電極（３）の傾斜部（３ａ）より内側部分における積層厚Ｈ A よりも厚くなっている。
摘要翻译：压电薄膜谐振元件（1）设置有谐振部分，其包括具有椭圆平面形状的下电极（3）和在外周倾斜预定角度的倾斜部分（3a）的层压结构，具有椭圆平面形状的电极（5）和夹在两个电极之间的压电膜（4）。在与下电极（3）的倾斜部分（3a）相对的上电极（5）的位置的一部分处提供附加的膜（8）。由此，共振部的下部电极（3）的倾斜部（3a）的层叠体厚度（Hc）的一部分比内侧的层叠体厚度（HA）高于倾斜部（3）的共振部分（3a）。

6. 发明申请

WO2005034345A8 RESONATOR STRUCTURE AND METHOD OF PRODUCING IT 审中-公开
标题翻译：谐振器结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2005034345A8
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：PCT/IB2004051867
申请日：2004-09-27
申请人： PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY , KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV , LOEBL HANS PETER , MILSOM ROBERT FREDERICK , METZMACHER CHRISTOF
发明人： LOEBL HANS PETER , MILSOM ROBERT FREDERICK , METZMACHER CHRISTOF
IPC分类号： H03H9/02 , H03H3/04 , H03H9/17 , H03H9/56
CPC分类号： H03H9/175 , H03H3/04 , H03H9/564 , H03H2003/0428 , Y10T29/42
摘要： In order to provide a resonator structure (100) in particular a bulk-acoustic-wave (BAW) resonator, such as a film BAW resonator (FBAR) or a solidly-mounted BAW resonator (SBAR), comprising at least one substrate (10); at least one reflector layer (20) applied or deposited on the substrate (10); at least one bottom electrode layer (30), in particular bottom electrode, applied or deposited on the reflector layer (20); at least one piezoelectric layer (40), in particular C-axis normal piezoelectric layer, applied or deposited on the bottom electrode layer (30); at least one top electrode layer (50), in particular top electrode, applied or deposited on the bottom electrode layer (30) and/or on the piezoelectric layer (40) such that the piezoelectric layer (40) is in between the bottom electrode layer (30) and the top electrode layer (50), it is proposed that at least one dielectric layer (63, 65) applied or deposited in and/or on at least one space in at least one region of non-overlap between the bottom electrode layer (30) and the top electrode layer (50). The invention is also concerned with a method of making such resonator structure a its use.
摘要翻译：为了提供特别是诸如膜BAW谐振器（FBAR）或固体安装的BAW谐振器（SBAR）的体声波（BAW）谐振器的谐振器结构（100），包括至少一个衬底（10 ）; 施加或沉积在所述衬底（10）上的至少一个反射器层（20）; 至少一个底部电极层（特别是底部电极）施加或沉积在反射器层（20）上; 施加或沉积在底部电极层（30）上的至少一个压电层（40），特别是C轴正常压电层; 至少一个顶部电极层（50），特别是顶部电极，施加或沉积在底部电极层（30）上和/或压电层（40）上，使得压电层（40）位于底部电极层（30）和顶部电极层（50），提出在至少一个空间中的至少一个空间中施加或沉积至少一个不重叠的区域中的至少一个电介质层（63,65）底部电极层（30）和顶部电极层（50）。本发明还涉及使其使用这种谐振器结构的方法。

7. 发明申请

WO2004055982A1 ELECTRO-ACOUSTIC RESONATOR 审中-公开
标题翻译：电声谐振器
公开(公告)号：WO2004055982A1
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：PCT/IB2003/005675
申请日：2003-12-04
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , MILSOM, Robert, Frederick , LÖBL, Hans-Peter
发明人： MILSOM, Robert, Frederick , LÖBL, Hans-Peter
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/174 , H03H9/02149 , H03H9/131 , H03H9/175 , H03H2003/0428 , H04N19/13 , H04N19/61 , H04N19/615 , H04N19/63
摘要： An electro-acoustic resonator (1, 8, 17) of the membrane or FBAR type (1) or the solidly-mounted or SBAR type (8), with electrodes comprising a single conducting layer or multiple conducting layers, i.e. sandwich construction (17) with an optimum coupling factor kr and thus an improved filter bandwidth. The optimum coupling factor kr is achieved by the arrangement that the top electrode (6, 15, 25) is thinner than the bottom electrode (4, 13, 23). The coupling factor is independent of the resonator's layout defined by the mask.
摘要翻译：膜或FBAR型（1）或固体或SBAR型（8）的电声谐振器（1,8,17），电极包括单个导电层或多个导电层，即夹层结构（17 ）具有最佳耦合因子kr，从而改善滤波器带宽。通过上电极（6,15,25）比底电极（4,13,23）薄的布置来实现最佳耦合系数kr。耦合因子与由掩模定义的谐振器布局无关。

8. 发明申请

WO2002095939A1 PIEZOELEKTRISCHE RESONATORVORRICHTUNG MIT VERSTIMMUNGSSCHICHTFOLGE 审中-公开
标题翻译：与心烦层影响的压电谐振器
公开(公告)号：WO2002095939A1
公开(公告)日：2002-11-28
申请号：PCT/EP2002/004717
申请日：2002-04-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
发明人： AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/171 , H03H3/04 , H03H9/564 , H03H2003/0428
摘要： Eine Resonatorvorrichtung umfasst einen piezoelektrischen Resonator (10) mit einer Verstimmungsschichtfolge (52), die an dem piezoelektrischen Resonator (10) angeordnet ist. Die Verstimmungsschichtfolge (52) umfasst zumindest eine erste Schicht (52A) mit einer hohen akustischen Impedanz und eine zweite Schicht (52B) mit einer niedrigen akustischen Impedanz.
摘要翻译：一种谐振器，包括具有一个失谐层序列（52），其被设置在压电谐振器（10）的压电谐振器（10）。失谐的层序列（52）包括至少一个具有高的声阻抗，并且具有低的声阻抗的第二层（52B）的第一层（52A）。

9. 发明申请

WO2015072056A1 圧電ウェハ、圧電振動片、及び圧電振動子审中-公开
标题翻译：压电陶瓷，压电振动片，压电振动片
公开(公告)号：WO2015072056A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/JP2014/004781
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社大真空
发明人：藤井　智 , 澁谷　浩三 , 石野　悟 , 森本　賢周 , 古賀　忠孝 , 大谷　和輝
IPC分类号： H03H9/19 , H03H3/02 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/0595 , H01L41/0475 , H01L41/053 , H01L41/33 , H03H3/02 , H03H9/02393 , H03H9/10 , H03H9/21 , H03H9/215 , H03H2003/026 , H03H2003/0428
摘要：　圧電ウェハは、圧電振動片と、圧電振動片を支持する枠部と、枠部と圧電振動片とを連結する連結部とを有する。圧電ウェハは連結部で水晶振動片が枠部から折取られる。連結部の表裏両面には、連結部の幅方向に沿って延びる溝状のスリットが、連結部の幅方向の一部を除いてそれぞれ形成されている。圧電振動片の表裏両面のうち少なくとも一方の面の電極が、連結部の幅方向の一部を介して、枠部側へ引出されている。
摘要翻译：该压电晶片具有：压电振动片; 支撑压电振动片的框架部分; 以及将框架部和压电振动片彼此连接的连接部。在压电晶片的连接部分，晶体振动片被破碎并从框架部分取出。在连接部分的前表面和后表面中，在连接部分的宽度方向上除了连接部分之外，分别形成在连接部分的宽度方向上延伸的槽状狭缝。压电振动片的前后表面上的电极经由连接部分在连接部分的宽度方向上引导到框架部分侧。

10. 发明申请

WO2015058541A1 一种薄膜谐振器的制作方法及装置审中-公开
公开(公告)号：WO2015058541A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/CN2014/080442
申请日：2014-06-20
申请人：中兴通讯股份有限公司
发明人：张浩 , 杜良桢 , 庞慰 , 程微 , 江源 , 孙海龙
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/172 , H03H3/04 , H03H9/171 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , H03H2003/0421 , H03H2003/0428 , H03H2003/0435 , H03H2003/0442 , H03H2003/0471
摘要：一种薄膜谐振器的制作方法及装置，制作方法包括：检测已经淀积的各膜层的厚度；当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，则选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积；所述制作方法及装置能够精确地产生所需的频率偏移，提高产品的良率。

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