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    • 1. 发明申请
    • FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR (FBAR) DEVICES FOR HIGH FREQUENCY RF FILTERS
    • 用于高频RF滤波器的薄膜散装声谐振器(FBAR)装置
    • WO2018063378A1
    • 2018-04-05
    • PCT/US2016/054933
    • 2016-09-30
    • INTEL CORPORATION
    • DASGUPTA, SansaptakBLOCK, Bruce A.FISCHER, Paul B.THEN, Han WuiRADOSAVLJEVIC, Marko
    • H03H9/02H03H9/25H03H9/15
    • H03H9/205H03H9/02007H03H9/02543H03H9/02574H03H9/13H03H9/15H03H9/172H03H2009/02173
    • Techniques are disclosed for forming high frequency film bulk acoustic resonator (FBAR) devices having multiple resonator thicknesses on a common substrate. A piezoelectric stack is formed in an STI trench and overgrown onto the STI material. In some cases, the piezoelectric stack can include epitaxially grown AlN. In some cases, the piezoelectric stack can include single crystal (epitaxial) AlN in combination with polycrystalline (e.g., sputtered) AlN. The piezoelectric stack thus forms a central portion having a first resonator thickness and end wings extending from the central portion having a different resonator thickness. Each wing may also have different thicknesses. Thus, multiple resonator thicknesses can be achieved on a common substrate, and hence, multiple resonant frequencies on that same substrate. The end wings can have metal electrodes formed thereon, and the central portion can have a plurality of IDT electrodes patterned thereon.
    • 公开了用于在共同衬底上形成具有多个谐振器厚度的高频薄膜体声谐振器(FBAR)器件的技术。 压电叠层形成在STI沟槽中并且过度生长在STI材料上。 在一些情况下,压电叠堆可以包括外延生长的AlN。 在一些情况下,压电堆叠可以包括单晶(外延)AlN与多晶(例如溅射)AlN的组合。 因此压电叠层形成具有第一谐振器厚度的中央部分和从具有不同谐振器厚度的中央部分延伸的端翼。 每个机翼也可以具有不同的厚度。 因此,可以在公共衬底上实现多个谐振器厚度,并因此在同一衬底上实现多个谐振频率。 端翼可以具有形成在其上的金属电极,并且中心部分可以具有在其上图案化的多个IDT电极。
    • 3. 发明申请
    • バルク弾性波共振子
    • 大容量弹性波共振器
    • WO2012073829A1
    • 2012-06-07
    • PCT/JP2011/077206
    • 2011-11-25
    • 株式会社 村田製作所川合 浩史吉田 康一矢谷 直人稲井 誠
    • 川合 浩史吉田 康一矢谷 直人稲井 誠
    • H03H9/17H01L41/09H01L41/18H01L41/22H03H9/02
    • H03H9/547H03H3/04H03H9/0547H03H9/172
    •  作製が容易であり、周波数を切り換えることができるバルク弾性波共振子を提供する。 (a)基板30と、(b)一対の電極14,16の間に圧電膜12が挟まれ、膜厚方向から見たときに電極14,16同士が重なり合う振動領域15が形成されている共振子部20と、(c)基板30と共振子部20とを接続し、弾性変形する支持部22と、(d)共振子部20と基板30の間に配置され、共振子部20の振動領域15に対向し、基板30との間に間隔を設けて基板30に固定されたメンブレン40と、(e)共振子部20及び基板30に、振動領域15及びメンブレン40に隣接して形成され、基板30に対して接離する方向に共振子部20を移動させる駆動部13,44とを備える。駆動部13,44が共振子部20を基板30に接近させたときに、共振子部20の振動領域15がメンブレン40に接する。
    • 提供容易制造且具有可变频率的体积弹性波谐振器。 本体弹性波谐振器包括:(a)基板(30); (b)具有夹在一对电极(14,16)之间的压电膜(12)的谐振器部分(20),所述谐振器部分具有振荡区域(15),其中电极(14,16)从 膜厚度方向; (c)用于连接衬底(30)和谐振器部分(20)并且弹性变形的支撑件(22); (d)设置在共振器部件(20)和基板(30)之间的面向谐振器部件(20)的振荡区域(15)的膜(40),并且被固定到基板(30)上, 膜与衬底(30)之间的空间; 和(e)用于使谐振器部件(20)朝向和远离基板(30)移动的致动器(13,44),致动器形成在谐振器部分(20)和与振荡区域相邻的基板(30) (15)和膜(40)。 当致动器(13,44)使谐振器部件(20)接近基板(30)时,谐振器部件(20)的振荡区域(15)与膜(40)接触。