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41. 发明申请

WO2007037504A1 ３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译： 3-5族氮化物半导体的制造方法及发光元件的制造方法
公开(公告)号：WO2007037504A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319822
申请日：2006-09-27
申请人：住友化学株式会社 , 山中貞則 , 上田和正 , 土田良彦
发明人：山中貞則 , 上田和正 , 土田良彦
IPC分类号： H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/301 , C23C16/01 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0079
摘要：３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供する。３−５族窒化物半導体の製造方法は工程(i)、(ii)及び(iii)をこの順に含む。発光素子の製造方法は工程(i)、(ii)、(iii)及び(iv)をこの順に含む。(i)基板上に無機粒子を配置する工程、(ii)半導体層を成長させる工程、(iii)基板と半導体層の間に光を照射して基板と半導体層を分離する工程、(iv) 電極を形成する工程。
摘要翻译：提供制造3-5族氮化物半导体的方法和制造发光元件的方法。制造3-5族氮化物半导体的方法依次包括步骤（i），（ii）和（iii）。制造发光器件的方法是步骤（i），包括：（ⅱ），（ⅲ）和（iv）的顺序。（I）将无机粒子在基片上，（ⅱ）生长半导体层的步骤中，在衬底和半导体层分离的工序与光（ⅲ）基片和半导体层期间照射，（ⅳ）形成电极的步骤。

42. 发明申请

WO2006100897A1 III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：第III族氮化物半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006100897A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/304262
申请日：2006-03-06
申请人：住友電気工業株式会社 , 田辺達也 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
发明人：田辺達也 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003
摘要：　ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。　高電子移動度トランジスタ１１では、支持基体１３は、具体的には、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮからなる。ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層１５は、１５０ｓｅｃ以下である（０００２）面ＸＲＤの半値全幅を有する。ＧａＮエピタキシャル層１７は、窒化ガリウム支持基体とＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層（０＜Ｙ≦１）との間に設けられる。ショットキ電極１９は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。ショットキ電極１９は、高電子移動度トランジスタ１１のゲート電極である。ソース電極２１は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。ドレイン電極２３は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。
摘要翻译：公开了一种III族氮化物半导体器件，其中来自肖特基电极的漏电流减小。在高电子迁移率晶体管（11）中，支撑衬底（13）特别地由AlN，AlGaN和GaN构成。 Al（Y）Y 1 -Y N N外延层（15）的（0002）面XRD的半峰全宽不超过150秒。在氮化镓支撑衬底和Al钇Ga 1-Y N外延层（0

43. 发明申请

WO2006025793A1 NANOSTRUCTURES AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：纳米结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2006025793A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/SG2004/000274
申请日：2004-08-31
申请人： AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH , NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE , CHUA, Soo Jin , CHEN, Peng , WANG, Yadong
发明人： CHUA, Soo Jin , CHEN, Peng , WANG, Yadong
IPC分类号： H01L21/033
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L29/2003 , Y10T428/24355
摘要： A method for fabricating nano-structures comprising providing a substrate for the growth of the nano-structures; providing a template having predetermined nano-patterns; providing at least one layer of mask material between the template and the substrate; transferring the nano-patterns from the template to the layer of mask material; and growing the nano-structures on the substrate in areas exposed through the nano-patterns in the layer of mask material by a bottom-up growth process.
摘要翻译：一种制造纳米结构的方法，包括提供用于纳米结构生长的衬底; 提供具有预定纳米图案的模板; 在模板和衬底之间提供至少一层掩模材料; 将纳米图案从模板转移到掩模材料层; 以及通过自底向上生长过程在掩模材料层中通过纳米图案暴露的区域在衬底上生长纳米结构。

44. 发明申请

WO2004049451A3 BORON PHOSPHIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCTION METHOD THEREOF AND LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
标题翻译：基于磷光体的化合物半导体器件，其生产方法和发光二极管
公开(公告)号：WO2004049451A3
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP0315180
申请日：2003-11-27
申请人： SHOWA DENKO KK , UDAGAWA TAKASHI
发明人： UDAGAWA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/30 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/02543 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L33/0066 , H01L33/16 , H01L33/26 , H01L33/32
摘要： A boron phosphide-based semiconductor device having a junction structure of a Group-III nitride semiconductor layer and a boron phosphide layer with excellent device properties is provided. The boron phosphide-based compound semiconductor device has a heterojunction structure comprising a Group-III nitride semiconductor layer and a boron phosphide layer, wherein the surface of the Group-III nitride semiconductor layer has (0.0.0.1.) crystal plane, and the boron phosphide layer is a {111}-boron phosphide layer having a {111} crystal plane stacked on the (0.0.0.1.) crystal plane of the Group-III nitride semiconductor layer in parallel to the (0.0.0.1.) crystal plane.
摘要翻译：提供了具有优异的器件特性的具有III族氮化物半导体层和磷化硼层的结结构的磷化硅基半导体器件。磷化硼基化合物半导体器件具有包含III族氮化物半导体层和磷化硼层的异质结结构，其中III族氮化物半导体层的表面具有（0.0.0.1）晶面，并且硼磷化物层是与（0.0.0.1。）晶面平行的在III族氮化物半导体层的（0.0.0.1。）晶面上层叠{111}晶面的{111}硼化磷
层。

45. 发明申请

WO2004112109A1 DEFECT-FREE SEMICONDUCTOR TEMPLATES FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：外源生长的无缺陷半导体模板及其制造方法
公开(公告)号：WO2004112109A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/EP2004/005957
申请日：2004-06-02
申请人： LEDENTSOV, Nikolai Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly Alexandrovich
发明人： LEDENTSOV, Nikolai Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly Alexandrovich
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , C30B25/18 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L21/3245 , H01L33/0062 , H01S5/3201 , H01S2301/173 , H01S2304/12 , Y10S438/902 , Y10S438/962
摘要： A method for fabrication of defect-free epitaxial layers on top of a surface of a first defect-containing solid state material includes the steps of selective deposition of a second material, having a high temperature stability, on defect-free regions of the first solid state material, followed by subsequent evaporation of the regions in the vicinity of the defects, and subsequent overgrowth by a third material forming a defect-free layer.
摘要翻译：在第一缺陷固态材料的表面顶部制造无缺陷外延层的方法包括以下步骤：将具有高温度稳定性的第二材料选择性沉积到第一固体的无缺陷区域上然后在缺陷附近随后蒸发区域，随后由形成无缺陷层的第三材料过度生长。

46. 发明申请

WO2004064212A1 窒化物半導体素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件，其制造方法和制造氮化物半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2004064212A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/JP2004/000201
申请日：2004-01-14
申请人：松下電器産業株式会社 , 菅原岳 , 川口靖利 , 石橋明彦 , 横川俊哉 , 松原敦
发明人：菅原岳 , 川口靖利 , 石橋明彦 , 横川俊哉 , 松原敦
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/0265 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S2304/00 , H01S2304/12
摘要：空隙からなる凹部（１０２ｂ）およびIII族窒化物からなる凸部（１０２ａ）が表面に形成されている基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成された窒化物半導体層（１０６）と、窒化物半導体層（１０６）上に形成され活性層を有する窒化物半導体積層体とを備え、基板（１０１）の格子定数は、III族窒化物（１０２ａ）の格子定数とは異なり、基板（１０１）は誘電体（１０４）からなるマスク（１０４ａ）を有しており、マスク（１０４ａ）は、凸部（１０２ａ）の側面にのみ形成され、凸部（１０２ａ）の上面は露出しており、かつ凹部（１０２ｂ）には基板（１０１）が露出しており、マスク（１０４ａ）の高さＬ１は、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）の幅Ｌ２は、５０００ｎｍ以上５００００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）のアスペクト比Ｌ１／Ｌ２は、０．００１以上１．０以下である窒化物半導体素子である。このような構成により、窒化物半導体素子の信頼性を高めることができる。
摘要翻译：氮化物半导体器件包括具有表面的衬底（101），该表面设置有由III族氮化物构成的突起部分（102a）和作为凹部（102b）的间隙，形成在衬底（101b）上的氮化物半导体层）和形成在氮化物半导体层（106）上并含有有源层的氮化物半导体多层体。基板（101）的晶格常数与III族氮化物（102a）的晶格常数不同。基板（101）具有由电介质材料（104）构成的掩模（104a）。掩模（104a）仅形成在突出部分（102a）的侧表面上并且突出部分（102a）的上表面被暴露。基板（101）在凹部（102b）中露出。掩模（104a）的高度（L1）不小于50nm且不大于5000nm，凹部（102b）的宽度（L2）不小于5000nm且不大于50,000nm，并且凹部（102b）的纵横比（L1 / L2）为0.001以上1.0以下。利用这种结构，氮化物半导体器件可以具有改进的可靠性。

47. 发明申请

WO2004061923A1 GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, HOMOEPITAXIAL GALLIUM-NITRIDE-BASED DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译：氮化钇晶体，基于氮化镓的器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2004061923A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/US2003/041255
申请日：2003-12-22
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY , D'EVELYN, Mark, Phillip , PARK, Dong-Sil , LEBOEUF, Steven, Francis , ROWLAND, Larry, Burton , NARANG, Kristi, Jean , HONG, Huicong , SANDVIK, Peter, Micah
发明人： D'EVELYN, Mark, Phillip , PARK, Dong-Sil , LEBOEUF, Steven, Francis , ROWLAND, Larry, Burton , NARANG, Kristi, Jean , HONG, Huicong , SANDVIK, Peter, Micah
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L33/32 , C30B7/105 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L29/2003 , H01L29/6631 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L29/7787
摘要： A device which includes at least one epitaxial semiconductor layer disposed on a single crystal substrate comprised of gallium nitride having a dislocation density less than about 10 4 per cm 2 , substantially no tilt boundaries, and an oxygen impurity level of less than 10 19 cm -3 . The electronic device may be in the form of lighting applications such as light emitting diode (LED) and laser diode (LD) applications and devices such as GaN based transistors, rectifiers, thyristors, and cascode switches, and the like. Also provided is a method of forming a single crystal substrate comprised of gallium nitride having a dislocation density less than about 10 4 per cm 2 , substantially no tilt boundaries, and an oxygen impurity level of less than 10 19 cm -3 , and homoepitaxially forming at least one semiconductor layer on the substrate and an. electronic device.
摘要翻译：一种器件，其包括设置在单晶衬底上的至少一个外延半导体层，该单晶衬底由位错密度小于约10 4 / cm 2的氮化镓组成，基本上不存在倾斜边界，并且氧杂质水平小于 10 19 cm -3。电子设备可以是照明应用的形式，例如发光二极管（LED）和激光二极管（LD）应用以及诸如GaN基晶体管，整流器，晶闸管和共源共栅开关等器件等。还提供了一种形成单晶衬底的方法，该单晶衬底由位错密度小于约10 4 / cm 2的氮化镓组成，基本上不具有倾斜边界，并且氧杂质水平小于10 19 cm 并且在基片上同时成形至少一个半导体层。电子设备。

48. 发明申请

WO2004019392A3 MBE GROWTH OF A SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：半导体层结构的MBE增长
公开(公告)号：WO2004019392A3
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：PCT/JP0310420
申请日：2003-08-18
申请人： SHARP KK , BOUSQUET VALERIE , HOOPER STEWART EDWARD , BARNES JENNIFER MARY , HEFFERNAN JONATHAN
发明人： BOUSQUET VALERIE , HOOPER STEWART EDWARD , BARNES JENNIFER MARY , HEFFERNAN JONATHAN
IPC分类号： C30B23/02 , H01L21/203 , H01L33/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
摘要： A method of MBE growth of a semiconductor layer structure comprises growing a first (Al,Ga)N layer (step 13) over a substrate at the first substrate temperature (T1) using ammonia as the nitrogen precursor. The substrate is then cooled (step 14) to a second substrate temperature (T2) which is lower than the first substrate temperature. An (In,Ga)N quantum well structure is then grown (step 15) over the first (Al,Ga)N layer by MBE using ammonia as the nitrogen precursor. The supply of ammonia to the substrate is maintained continuously during the first growth step, the cooling step, and the second growth step. After completion of the growth of the (In,Ga)N quantum well structure, the substrate may be heated to a third temperature (T3) which is greater than the second substrate temperature (T2). A second (Al,Ga)N layer is then grown over the (In,Ga)N quantum well structure (step 17).
摘要翻译：半导体层结构的MBE生长的方法包括使用氨作为氮前体，在第一衬底温度（T1）的衬底上生长第一（Al，Ga）N层（步骤13）。然后将衬底冷却（步骤14）至低于第一衬底温度的第二衬底温度（T2）。然后通过使用氨作为氮前体的MBE在第一（Al，Ga）N层上生长（In，Ga）N量子阱结构（步骤15）。在第一生长步骤，冷却步骤和第二生长步骤期间，向基材供应氨持续保持。在（In，Ga）N量子阱结构的生长完成之后，可以将衬底加热到大于第二衬底温度（T2）的第三温度（T3）。然后在（In，Ga）N量子阱结构上生长第二（Al，Ga）N层（步骤17）。

49. 发明申请

WO02001608A2 METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：一种获得改进的质量外延（表面状态密度默认）衬底SELF氮化物（铝，铟，镓）（（AL，FL，GA）N）的光电器件和电子
公开(公告)号：WO02001608A2
公开(公告)日：2002-01-03
申请号：PCT/US2001/020409
申请日：2001-06-27
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C30B23/00 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32 , H01L
CPC分类号： C30B25/02 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/02636 , H01L21/02658 , H01L33/32 , H01S5/1228 , H01S5/1231 , H01S5/2095 , H01S5/32341
摘要： A III-V nitride homoepitaxial microelectronic device structure comprising a III-V nitride homoepitaxial epi layer on a III-V nitride material substrate, e.g., of freestanding character. Various processing techniques are described, including a method of forming a III-V nitride homoepitaxial layer on a corresponding III-V nitride material substrate, by depositing the III-V nitride homoepitaxial layer by a VPE process using Group III source material and nitrogen source material under process conditions including V/III ratio in a range of from about 1 to about 10 , nitrogen source material partial pressure in a range of from about 1 to about 10 torr, growth temperature in a range of from about 500 to about 1250 degrees Celsius, and growth rate in a range of from about 0.1 to about 500 microns per hour. The III-V nitride homoepitaxial microelectronic device structures are usefully employed in device applications such as UV LEDs, high electron mobility transistors, and the like.
摘要翻译：本发明涉及III-V族氮化物微电子器件的同质外延结构包括III-V族氮化物的衬底上的III-V族氮化物的同质外延外延层，例如，自支撑型。本发明规定了各种处理技术，包括根据沉积III-V族氮化物的同质外延层的III-V族氮化物相应的材料制成的衬底上形成III-V族氮化物的同质外延层的方法使用III族原料和氮原料，条件下，在约1至分压涉及在约1与约10 <5>，氮源的V / III比的VPE工艺约10 <3>托，约500至约1250℃，每小时约0.1与约500微米之间的生长速率之间的生长温度。一般在器件应用如UV LED，高电子迁移率晶体管等中采用同轴外延III-V氮化物微电子器件结构。

50. 发明申请

WO01068955A1 III-V NITRIDE SUBSTRATE BOULE AND METHOD OF MAKING AND USING THE SAME 审中-公开
标题翻译： III-V型氮化物衬底及其制造和使用方法
公开(公告)号：WO01068955A1
公开(公告)日：2001-09-20
申请号：PCT/US2001/007945
申请日：2001-03-12
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/00 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/32 , C30B1/00
CPC分类号： H01L33/32 , C30B23/00 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262
摘要： A boule formed by high rate vapor phase growth of Group III-V nitride boules (ingots) on native nitride seeds (Figure 1), from which wafers may be derived for fabrication of microelectronic structures (Figure 5). The boule is of microelectronic device quality, e.g., having a transverse dimension greater than 1 centimeter, a length greater than 1 millimeter, and a top surface defect density of less than 10 defects cm . The Group III-V nitride boule may be formed by growing a Group III-V nitride material on a corresponding native Group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 micrometers per hour.
摘要翻译：通过在天然氮化物种子（图1）上的III-V族氮化物颗粒（锭）的高速气相生长形成的毛坯，可从其中得到用于制造微电子结构的晶片（图5）。该微孔具有微电子器件质量，例如横向尺寸大于1厘米，长度大于1毫米，顶表面缺陷密度小于10 7缺陷cm -2。可以通过以20微米/小时的生长速率的气相外延在相应的天然III-V族氮化物晶种上生长III-V族氮化物材料来形成III-V族氮化物原子。

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