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1. 发明申请

WO2011122570A1 半導体単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体单晶的生产方法
公开(公告)号：WO2011122570A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/JP2011/057665
申请日：2011-03-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 櫻田隆 , 川瀬智博 , 羽木良明
发明人：櫻田　隆 , 川瀬　智博 , 羽木　良明
IPC分类号： C30B11/00 , C30B27/00 , C30B29/40
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B29/40
摘要：　欠陥の発生が抑制された半導体結晶を製造する半導体結晶の製造方法に関する。当該製造方法は、底部および該底部と連続する胴部を有する成長容器（１０）の内壁に酸化ホウ素膜（３１）を形成する工程と、酸化ホウ素膜（３１）に酸化ケイ素を含む酸化ホウ素融液を接触させて、成長容器（１０）の内壁に酸化ケイ素を含む酸化ホウ素膜（３２）を形成する工程と、成長容器（１０）内であって底部に配置された種結晶（２０）上に、原料融液（３４）を形成する工程と、原料融液（３４）を種結晶（２０）側から凝固させて半導体単結晶を成長させる工程と、を備える。
摘要翻译：公开了一种半导体单晶制造方法，用于制造其中缺陷发生被抑制的半导体单晶。所述制备方法包括在具有连接到所述底部的底部和主体部分的生长容器（10）的内壁上形成氧化硼膜（31）的步骤，用于使含氧化硅氧化硼与氧化硼膜（31）熔融接触，在生长容器（10）的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜（32），形成原料熔体（34）的工序设置在生长容器（10）内的底部上的晶种（20），以及通过从晶种（20）侧固化起始材料熔融物（34）来生长半导体单晶的步骤。

2. 发明申请

WO2010001804A1 ＡｌxＧａ(1-x)Ｎ単結晶の製造方法、ＡｌxＧａ(1-x)Ｎ単結晶および光学部品审中-公开
标题翻译：生产AlXGa（1-X）N单晶，AlXGa（1-X）N单晶和光学的方法
公开(公告)号：WO2010001804A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/061612
申请日：2009-06-25
申请人：住友電気工業株式会社 , 荒川聡 , 櫻田隆 , 山本喜之 , 佐藤一成 , 谷崎圭祐 , 中幡英章 , 水原奈保 , 宮永倫正
发明人：荒川　聡 , 櫻田　隆 , 山本　喜之 , 佐藤　一成 , 谷崎　圭祐 , 中幡　英章 , 水原　奈保 , 宮永　倫正
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/06 , G02B1/02
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
摘要：　Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ（０＜ｘ≦１）単結晶（１０）の製造方法は、昇華法によりＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶を成長させる方法であって、以下の工程を備えている。Ａｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶と同一の組成比ｘを有する下地基板が準備される。高純度の原料が準備される。原料を昇華させて下地基板上にＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶が成長される。またＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶（１０）は、３００Ｋで測定された、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満の波長の光に対する吸収係数が１００ｃｍ -1 以下であり、３００ｎｍ以上３５０ｎｍ未満の波長の光に対する吸収係数が２１ｃｍ -1 以下である。
摘要翻译：一种通过升华法生产AlXGa（1-X）N单晶（10）（其中0XGa（1-X）N单晶）的方法，其包括制备具有相同组成比（x ）与AlXGa（1-X）N单晶的制备步骤，制备高纯度原料的步骤，以及使原料升华以在基板上生长AlXGa（1-X）N单晶的步骤）。对于具有波长为250nm至小于300nm的光，对于具有波长为250nm至300nm的光，吸收系数为21cm-1或更小的AlXGa（1-X）N单晶（10）的吸收系数为100cm -1以下波长为300nm至小于350nm，每个吸收系数为300K。

3. 发明申请

WO2007125914A1 窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハ审中-公开
标题翻译：制造氮化镓晶体和氮化铝膜的方法
公开(公告)号：WO2007125914A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058843
申请日：2007-04-24
申请人：住友電気工業株式会社 , 上村智喜 , 櫻田隆 , 藤原伸介 , 岡久拓司 , 上松康二 , 中幡英章
发明人：上村智喜 , 櫻田隆 , 藤原伸介 , 岡久拓司 , 上松康二 , 中幡英章
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02623 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要：転位集合領域や反転領域を含む窒化ガリウム基板を種結晶基板として用いて、窒化ガリウム結晶を成長するとき、低転位密度であると共に良好な結晶性を有し、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶を作製する方法を提供する。転位集合領域や反転領域１７ａを埋め込んで窒化ガリウム結晶７９を成長させるときにおいて、摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の範囲の成長温度で窒化ガリウム結晶７９の成長を行うことにより、転位集合領域や反転領域１７ａから引き継ぐ転位を低減でき、転位集合領域や反転領域１７ａ上での新たな転位の発生を抑制する。また、窒化ガリウム結晶７９の結晶性が良好になることに加えて、窒化ガリウム結晶７９をスライスした後の研磨の際、割れも発生し難くなる。
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造氮化镓晶体的方法，当使用包含易位聚集区域的氮化镓衬底和反转区域来生长氮化镓晶体作为晶种衬底时，可以制造氮化镓晶体，其易位密度低，同时具有良好的结晶度，另外在切片后不太可能引起研磨时的开裂。在嵌入用于氮化镓晶体（79）的生长的易位聚集区域和反转区域（17a）中，氮化镓晶体（79）在高于1100℃和1300℃以下的生长温度下生长。根据该构成，可以减少从易位聚集区域和反转区域（17a）取得的移位，能够抑制易位聚集区域和反转区域（17a）的新易位化。可以实现氮化镓晶体（79）的良好的结晶度，并且同时在氮化镓晶体（79）切割之后的抛光中也不太可能发生裂纹。

4. 发明申请

WO2006117902A1 III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：第III族氮化物半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006117902A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/JP2006/300822
申请日：2006-01-20
申请人：住友電気工業株式会社 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
发明人：三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/475
摘要：耐圧を向上できる構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。ショットキダイオード１１は、III族窒化物支持基体１３と、窒化ガリウム領域１５と、ショットキ電極１７とを備える。III族窒化物支持基体１３は、導電性を有している。ショットキ電極１７は、窒化ガリウム領域１５にショットキ接合を成す。この窒化ガリウム領域１５は、III族窒化物支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。窒化ガリウム領域１５は、１００ｓｅｃ以下の（１０-１２）面ＸＲＤ半値全幅を有する。
摘要翻译：具有能够提高压力密封性的结构的III族氮化物半导体器件。肖特基二极管（11）包括III族氮化物支撑基底材料（13），氮化镓区域（15）和肖特基电极（17）。 III族氮化物支撑基材（13）具有导电性。肖特基电极（17）在氮化镓区域（15）中形成肖特基结。氮化镓区域（15）叠加在III族氮化物支撑基材（13）的主表面（13a）上。氮化镓区域（15）具有（10-12）平面XRD半峰全宽= 100秒。

5. 发明申请

WO2006100897A1 III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：第III族氮化物半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006100897A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/304262
申请日：2006-03-06
申请人：住友電気工業株式会社 , 田辺達也 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
发明人：田辺達也 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003
摘要：　ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。　高電子移動度トランジスタ１１では、支持基体１３は、具体的には、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮからなる。ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層１５は、１５０ｓｅｃ以下である（０００２）面ＸＲＤの半値全幅を有する。ＧａＮエピタキシャル層１７は、窒化ガリウム支持基体とＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層（０＜Ｙ≦１）との間に設けられる。ショットキ電極１９は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。ショットキ電極１９は、高電子移動度トランジスタ１１のゲート電極である。ソース電極２１は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。ドレイン電極２３は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。
摘要翻译：公开了一种III族氮化物半导体器件，其中来自肖特基电极的漏电流减小。在高电子迁移率晶体管（11）中，支撑衬底（13）特别地由AlN，AlGaN和GaN构成。 Al（Y）Y 1 -Y N N外延层（15）的（0002）面XRD的半峰全宽不超过150秒。在氮化镓支撑衬底和Al钇Ga 1-Y N外延层（0

6. 发明申请

WO2006093174A1 縦型窒化ガリウム半導体装置およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：立式氮化镓半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006093174A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303828
申请日：2006-03-01
申请人：住友電気工業株式会社 , 橋本信 , 木山誠 , 田辺達也 , 三浦広平 , 櫻田隆
发明人：橋本信 , 木山誠 , 田辺達也 , 三浦広平 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/2003 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要：　所望の低キャリア濃度を有するｎ - 型窒化ガリウム膜をｎ型窒化ガリウム基板上に実現できる構造を有する縦型窒化ガリウム半導体装置のためのエピタキシャル基板を提供する。　窒化ガリウムエピタキシャル膜６５は、窒化ガリウム基板６３上に設けられている。層状領域６７が、窒化ガリウム基板６３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５内に設けられている。窒化ガリウム基板４３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５の界面は層状領域６７内に位置している。層状領域６７では、窒化ガリウム基板６３から窒化ガリウムエピタキシャル膜６５へ向かう軸に沿ったドナー不純物が１×１０１８ｃｍ -３以上のピーク値である。ドナー不純物は、シリコンおよびゲルマニウムの少なくともいずれかである。
摘要翻译：本发明提供了一种用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，其具有能够实现在n型氮化镓衬底上具有期望的低载流子浓度的n + 氮化镓外延膜（65）设置在氮化镓衬底（63）上。在氮化镓衬底（63）和氮化镓外延膜（65）内设置一个层区（67）。氮化镓衬底（63）和氮化镓外延膜（65）的界面位于层区（67）内。在层区域（67）中，沿着从氮化镓基板（63）到氮化镓外延膜（65）的轴的施主杂质的峰值为1×10 18 厘米^{-3 。施主杂质是硅和锗中的至少任一种。}

7. 发明申请

WO2010084878A1 導電性ＧａＡｓの結晶と基板およびそれらの作製方法审中-公开
标题翻译：电导电GAAS晶体，导电导体晶体基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2010084878A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/JP2010/050628
申请日：2010-01-20
申请人：住友電気工業株式会社 , 櫻田隆 , 川瀬智博
发明人：櫻田　隆 , 川瀬　智博
IPC分类号： C30B29/42 , C30B33/02
CPC分类号： H01B1/02 , C22F1/16 , C30B29/42 , C30B33/02 , Y10T428/24355
摘要：　導電性ＧａＡｓ結晶は１×１０ 17 ｃｍ -3 より大きいなＳｉ原子濃度を有し、結晶中に含有するサイズ３０ｎｍ以上の析出物の密度が４００個ｃｍ -2 以下であることを特徴としている。この場合に、導電性ＧａＡｓ結晶は、２×１０ 2 ｃｍ -2 以下または１×１０ 3 ｃｍ -2 以上の転位密度を有することが好ましい。
摘要翻译：公开了一种导电性GaAs晶体，其特征在于Si原子浓度大于1×1017cm-3，并且以400个析出物/ cm -2以下的密度含有尺寸为30nm以上的析出物。优选导电性GaAs晶体的位错密度为2×102cm -2以下或1×10 3 cm -2以上。

8. 发明申请

WO2010001803A1 ＡｌxＧａ(1-x)Ｎ単結晶の製造方法、ＡｌxＧａ(1-x)Ｎ単結晶および光学レンズ审中-公开
标题翻译：生产AlXGa（1-X）N单晶，AlXGa（1-X）N单晶和光学透镜的方法
公开(公告)号：WO2010001803A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/061609
申请日：2009-06-25
申请人：住友電気工業株式会社 , 荒川聡 , 櫻田隆 , 山本喜之 , 佐藤一成 , 谷崎圭祐 , 中幡英章 , 水原奈保 , 宮永倫正
发明人：荒川　聡 , 櫻田　隆 , 山本　喜之 , 佐藤　一成 , 谷崎　圭祐 , 中幡　英章 , 水原　奈保 , 宮永　倫正
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/06 , G02B1/02 , G02B3/00
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B3/00 , G02B13/143 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要：　本発明のＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ（０＜ｘ≦１）単結晶（１０）の製造方法は、昇華法によりＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶（１０）を成長させる方法であって、以下の工程を備えている。下地基板が準備される。高純度の原料が準備される。原料を昇華させて下地基板上にＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶１０が成長される。またＡｌ x Ｇａ (1-x) Ｎ単結晶１０において、３００Ｋで測定された、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長の光に対する屈折率が２．４以上で、かつ３００ｎｍを超えて３５０ｎｍ未満の波長の光に対する屈折率が２．３以上である。
摘要翻译：一种通过升华法生产Al x Ga（1-x）N单晶（10）（其中为0xGa（1-x）N单晶）的方法，其包括制备衬底的步骤，制备高纯度原料，以及使原料升华以在基板上生长Al x Ga（1-x）N单晶（10）的步骤，Al x Ga（1-x）N单晶（10）表现出对于波长超过300nm且小于350nm的光，波长为250〜300nm，折射率为2.3以上的光的折射率为300K以下，折射率为2.4以上。

9. 发明申请

WO2011010724A1 半導体結晶の製造方法、半導体結晶の製造装置および半導体結晶审中-公开
标题翻译：用于制造半导体晶体的方法和装置以及半导体晶体
公开(公告)号：WO2011010724A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2010/062437
申请日：2010-07-23
申请人：住友電気工業株式会社 , 櫻田隆 , 川瀬智博
发明人：櫻田　隆 , 川瀬　智博
IPC分类号： C30B11/06 , C30B29/44 , H01L21/208
CPC分类号： C30B15/02 , C30B11/06 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , Y10T117/1024
摘要：　底部（１ｂ）に種結晶（８）および不純物含有融液（９）が収容され、底部（１ｂ）に対して縦方向上方に位置する上部（１ａ）に設置された釣支部（２）に、不純物含有融液（９）の不純物濃度よりも低い不純物濃度の半導体材料からなる滴下原料ブロック（１１）が釣支された縦型容器（１）を準備する工程と、縦型容器（１）の縦方向に対して温度勾配を生じさせることによって、滴下原料ブロック（１１）を融解させ、生じた融液（１３）を不純物含有融液（９）に滴下しつつ、不純物含有融液（９）を種結晶（８）に接する側から固化させて、半導体結晶（１２）を製造する工程とを備えることを特徴とする半導体結晶の製造方法である。
摘要翻译：公开了一种制造半导体晶体的方法，其具有以下步骤：在底部（1b）上制备含有晶种（8）和含杂质熔体（9）的垂直容器（1）的步骤，以及具有由具有比含杂质的熔体（9）的杂质浓度低的杂质浓度的半导体材料形成并悬浮在设置在上部的悬挂部（2）上的材料块（11） 1a）在垂直方向上在底部（1b）上方; 以及通过在竖直方向垂直方向上产生温度梯度的过程，从与晶种（8）接触的一侧固化含杂质的熔体（9）来制造半导体晶体（12）的步骤容器（1），以使材料块（11）熔化并将获得的熔体（13）滴到含杂质的熔体（9）上。

10. 发明申请

WO2009145129A1 ＡｌxＧａ1-xＮ単結晶および電磁波透過体审中-公开
标题翻译： AlXGa1-XN单晶和电磁波传输体
公开(公告)号：WO2009145129A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/JP2009/059501
申请日：2009-05-25
申请人：住友電気工業株式会社 , 荒川聡 , 櫻田隆 , 宮永倫正 , 谷崎圭祐 , 水原奈保 , 佐藤一成 , 中幡英章
发明人：荒川　聡 , 櫻田　隆 , 宮永　倫正 , 谷崎　圭祐 , 水原　奈保 , 佐藤　一成 , 中幡　英章
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , Y10T428/24355
摘要：電磁波透過体として好適なＡｌ x Ｇａ 1-x Ｎ単結晶およびＡｌ x Ｇａ 1-x Ｎ単結晶を含む電磁波透過体を提供する。本Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ（０＜ｘ≦１）単結晶２は、２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０ -3 以下である。また、本電磁波透過体４は、一主面２ｍを有するＡｌ x Ｇａ 1-x Ｎ単結晶２を含み、Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ単結晶２は２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０ -3 以下である。
摘要翻译：公开了适合作为电磁波传播体的Al x Ga 1-x N单晶。还公开了包括Al x Ga 1-x N单晶的电磁波传播体。 Al x Ga 1-x N（0〜3，当在25℃的气氛温度下施加至少1MHz和1GHz的高频信号时，电磁波透过体4包括Al x Ga 1-x N单晶 2）具有一个主平面（2m），其中当1MHz和1GHz的至少一个高频信号为1MHz时，Al x Ga 1-x N单晶（2）的介电损耗角正切不大于5×10-3 在25℃的气氛温度下进行。

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