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31. 发明申请

WO2004008532A2 HIGH POWER MCM PACKAGE 审中-公开
标题翻译：高功率MCM封装
公开(公告)号：WO2004008532A2
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/US2003/022160
申请日：2003-07-15
申请人： INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
发明人： SCHAFFER, Christopher, P.
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L25/072 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： A multi-chip module that includes a conductive element to serve as an electrical connector for electrically connecting respective electrical contacts of at least two power semiconductor devices and serving as an output connector. The conductive element improving heat transfer from the power semiconductor devices through the top of the module.
摘要翻译：一种多芯片模块（54），其包括导电元件，用作电连接器，用于电连接至少两个功率半导体器件（30,42）的各个电触头并用作输出连接器。导电元件改善了功率半导体器件通过模块顶部的热传递。

32. 发明申请

WO2003063236A1 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CO-PACKAGED DIE 审中-公开
标题翻译：具有包装袋的半导体器件
公开(公告)号：WO2003063236A1
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：PCT/US2002/032677
申请日：2002-10-09
申请人： INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
发明人： STANDING, Martin
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/047 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40225 , H01L2224/73153 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/16152 , Y10T29/49169 , Y10T29/49172 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： A co-package semiconductor device (10) including an outer clip (12) in the form of a metal can includes also two semiconductor dies (30), at least one of which uses the outer clip as an electrical connector. An inner clip (28) is used to dispose one of the dies within the outer clip. The inner clip may be insulated from the outer clip by an insulating layer.
摘要翻译：包括金属罐形式的外夹子（12）的共包封半导体器件（10）还包括两个半导体管芯（30），其中至少一个使用外夹具作为电连接器。内夹（28）用于将一个模具配置在外夹中。内夹可以通过绝缘层与外夹具绝缘。

33. 发明申请

WO1996036071A2 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE SUITABLE FOR SURFACE MOUNTING 审中-公开
标题翻译：制造适用于表面安装的半导体器件的方法
公开(公告)号：WO1996036071A2
公开(公告)日：1996-11-14
申请号：PCT/IB1996000408
申请日：1996-05-07
申请人： PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB
发明人： PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , SANDERS, Klaastinus, Hendrikus , DUINKERKEN, Geert, Johannes
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/565 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (1) suitable for surface mounting whereby a semiconductor element (2) having a connection point (3,4) on its first and on its second, opposed main surface (5,6) is provided with conductive strips (8) which make electrical contact with said connection points (3,4), after which the semiconductor element (2) is enveloped in a protective material (16) and the strips (8) are processed into connection conductors (22) of the device (1). According to the invention, the method is characterized in that semiconductor elements (2) are interconnected into a coherent row (10) of semiconductor elements (2) by means of conductive strips (8) such that a connection point (3) of a certain semiconductor element (2) is connected to a connection point (3') of a semiconductor element (2') preceding it in the row (10) by means of a strip (8), and another connection point (4) of said certain semiconductor element (2) is connected to a connection point (4") of a semiconductor element (2") following it in the row, after which the row (10) of semiconductor elements (2) is enveloped in a protective material and the semiconductor elements are mutually separated into individual semiconductor devices provided with two side faces (7), each with a portion of the strip (8), after which each strip (8) is processed into a connection conductor (22) in that an electrically conducting layer (22', 22") is provided on the side faces (7), contacting said portion of the strip (8).
摘要翻译：本发明涉及一种制造适于表面安装的半导体器件（1）的方法，其中在其第一和第二相对的主表面（5,6）上具有连接点（3,4）的半导体元件（2）设置有与所述连接点（3,4）电接触的导电条（8），之后半导体元件（2）被包封在保护材料（16）中，并且条（8）被加工成连接导体（1）的（22）。根据本发明，该方法的特征在于，半导体元件（2）通过导电条（8）互连成半导体元件（2）的相干行（10），使得某一特定的连接点（3）半导体元件（2）通过带（8）连接到在行（10）中的半导体元件（2）之前的半导体元件（2'）的连接点（3'），并且所述一定的另一个连接点（4）半导体元件（2）连接到在行中跟随它的半导体元件（2“）的连接点（4”），之后半导体元件（2）的行（10）被包围在保护材料中，并且半导体元件被相互分离成具有两个侧面（7）的各自的半导体器件，每个半导体器件具有条带（8）的一部分，之后每个条带（8）被加工成连接导体（22），因为导电层（22'，22“）设置在与sai接触的侧面（7）上（8）的部分。

34. 发明申请

WO1988002929A1 LOW RESISTANCE ELECTRICAL INTERCONNECTION FOR SYNCHRONOUS RECTIFIERS 审中-公开
标题翻译：同步整流器的低电阻电气互连
公开(公告)号：WO1988002929A1
公开(公告)日：1988-04-21
申请号：PCT/US1987002119
申请日：1987-08-31
申请人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY
发明人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY , KRUM, Alvin, L. , CONKLIN, Charles, W.
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/91 , H01L23/047 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4945 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： A technique for making the high current-carrying electrical interconnections to power FET devices (12) in a synchronous rectifier circuit with extremely low lead resistance. All such interconnections are made with solder (35, 36) and pliable copper straps (14) instead of by conventional wire bonds.

35. 发明申请

WO2017091152A1 WAFER LEVEL INTEGRATION OF HIGH POWER SWITCHING DEVICES ON CMOS DRIVER INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译： CMOS驱动集成电路中大功率开关器件的晶片级集成
公开(公告)号：WO2017091152A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/SG2016/050577
申请日：2016-11-23
申请人： AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人： RHEE, Daniel Minwoo , CHAI, Tai Chong
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/50 , H01L23/48 , H01L25/04 , H01L23/34
CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/34 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L24/97 , H01L25/04 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/73253 , H01L2224/96 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： A semiconductor package module and the method for its fabrication are provided. The semiconductor package module includes a substrate, a driver integrated circuit (IC), one or more power switching devices and one or more highly conductive clips. Each of the one or more switching devices is physically integrated in the semiconductor package module at a wafer level and has a gate connected to the driver IC by a gate-to-driver interconnection. Each of the one or more highly conductive clips is connected to a source of a corresponding one of the one or more power switching devices by a source-to-clip interconnection. Also, each of the one or more highly conductive clips has a first surface planarly located in the semiconductor package with a similar first surface of the driver IC for co-bonding of the source-to- clip interconnections and the gate-to-driver interconnections.
摘要翻译：提供半导体封装模块及其制造方法。该半导体封装模块包括衬底，驱动器集成电路（IC），一个或多个功率开关器件以及一个或多个高导电夹。一个或多个开关器件中的每一个以晶片级物理地集成在半导体封装模块中，并且具有通过栅极到驱动器互连连接到驱动器IC的栅极。一个或多个高导电性片段中的每一个通过源到夹互连连接到一个或多个功率开关器件中的相应一个的源极。而且，一个或多个高度导电夹具中的每一个具有平面地位于半导体封装中的第一表面，其具有驱动器IC的类似第一表面，用于共源键合源 - 夹互连和栅极 - 驱动器互连

36. 发明申请

WO2016146323A3 CHIP ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMING A CONTACT CONNECTION 审中-公开
标题翻译：芯片布置和形成接触连接的方法
公开(公告)号：WO2016146323A3
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/EP2016053169
申请日：2016-02-15
申请人： PAC TECH - PACKAGING TECH GMBH
发明人： LÜDEKE HEINRICH , GEELHAAR RICARDO
IPC分类号： H01L21/60 , B23K26/20 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/40 , B23K26/20 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/37 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/77 , H01L24/81 , H01L24/84 , H01L2224/04034 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/16225 , H01L2224/37026 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/40491 , H01L2224/40992 , H01L2224/40997 , H01L2224/4112 , H01L2224/73255 , H01L2224/77263 , H01L2224/77281 , H01L2224/77601 , H01L2224/77611 , H01L2224/77704 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/84214 , H01L2224/84424 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/84464 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/84986 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2224/13099
摘要： The invention relates to a chip arrangement (10) and a method for forming a contact connection (11) between a chip (18), in particular a power transistor or the like, and a conductor material strip (14), said conductor material strip being formed on a non-conductive substrate (12) and the chip being arranged on the substrate or on a conductor material strip (15). A silver paste (29) or copper paste is applied to a chip contact surface (25) of the chip and of the conductor material strip (28), a contact conductor (30) is dipped into the silver paste or the copper paste on the chip contact surface and into the silver paste or the copper paste on the conductor material strip, and a solvent contained in the silver paste or the copper paste is at least partially evaporated by heating. The silver paste or the copper paste is then sintered by means of laser energy, thereby forming the contact connection.
摘要翻译：本发明涉及的模具组件（10）以及用于形成管芯之间的接触连接（11）（18），特别是功率晶体管等的方法，和印刷材料幅材（14），其中形成有非导电性基板上的导体材料带（12），其中在基板上的芯片或在芯片和导体材料幅（28），将银膏（29）或铜膏施加的芯片接触面（25），每个外壳的印刷材料带（15）布置，其中，在所述接触导体（30）银膏或铜膏浸渍于芯片接触表面和在银膏或铜膏印刷材料幅，其特征在于，包含在银膏或铜膏的溶剂中，通过加热蒸发，至少部分地，其中，所述接触连接是由银膏或铜膏形成在通过激光能量烧结。

37. 发明申请

WO2016113080A1 KONTAKTANORDNUNG UND LEISTUNGSMODUL 审中-公开
标题翻译：联系安排和电源模块
公开(公告)号：WO2016113080A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/EP2015/080726
申请日：2015-12-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SCHOENKNECHT, Andreas , AYDOGMUS, Irfan , ADAM, Boris , HIRSCH, Michele , SUENNER, Thomas , KLUTHE, Christian , MESSNER, Oliver , SINN, Peter
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/34 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/48 , H01L23/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L25/072 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/37032 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48491 , H01L2224/73271 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14252 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung zumindest eines Leistungshalbleiters mit einem Schaltungsträger (10) einer Schaltung. Der zumindest eine Leistungshalbleiter (20) weist dabei eine Oberseite und eine Unterseite auf und ist mit der Unterseite mit dem Schaltungsträger (10) verbunden. Ferner ist auf der Oberseite des zumindest einen Leistungshalbleiters (20) mittelbar oder unmittelbar ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (40) angeordnet. Das elektrische und/oder elektronische Bauelement (40) ist ein Temperatursensor, welcher ausgebildet ist, eine Temperatur des Leistungshalbleiters (20) zu ermitteln und ein Temperatursignal bereitzustellen, welches als Regelgröße für einen maximalen Strom in dem zumindest einem Leistungshalbleiter dient.
摘要翻译：本发明涉及一种接触装置具有至少一个功率半导体电路的电路基板（10）。在这种情况下，至少一个功率半导体（20）具有一顶部和一底部，并连接到电路载体（10）的下侧。此外，电场和/或电子元件（40）被设置在直接或间接地至少一个功率半导体（20）的顶部。电气和/或电子元件（40）是温度传感器，其被设计成确定所述功率半导体（20）的温度，并且提供其中至少用作一个最大电流的功率半导体控制变量的温度信号。

38. 发明申请

WO2016080520A1 電子部品搭載用放熱基板审中-公开
标题翻译：用于安装电气部件的散热基板
公开(公告)号：WO2016080520A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/JP2015/082703
申请日：2015-11-20
申请人：日本精工株式会社
发明人：嶋川　茂 , 須永　崇 , 関根　孝明 , 小暮　光義 , 鈴木　良一
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49568 , B29C45/14 , B62D5/0403 , B62D5/0406 , B62D5/0409 , G01R1/203 , H01C1/14 , H01L21/4821 , H01L21/565 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L23/48 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L23/49589 , H01L23/49861 , H01L23/50 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2924/0002 , H01L2924/18301 , H02K11/33 , H05K1/18 , H05K7/2089 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：【課題】　大電流が流れるようなパワー半導体等を用いた回路であっても、大電力動作による配線抵抗の低減と放熱性の向上とを図ることが可能な電子部品搭載用放熱基板を提供する。【解決手段】　導体板により配線パターン形状に形成されたリードフレームと、前記リードフレーム１１０間に設けられた絶縁材１３０とにより構成され、前記リードフレームは少なくとも２種類以上の相互に異なる厚さを有し、厚みの厚いリードフレーム１１０Ｈは大電流信号用とし、厚みの薄いリードフレーム１１０Ｌは小電流信号用として用い、前記リードフレーム１１０の部品配置面の板面と前記絶縁材１３０の部品配置面側の板面とが連続した一つの面を形成し、前記リードフレームの前記部品配置面の裏面の板面と前記絶縁材の部品配置面側の裏面側の板面とは、前記リードフレームのうち最も厚みを有する前記リードフレームの前記部品配置面の裏面の板面に合わせて、同一面上に形成するように電子部品搭載用放熱基板１００（ｄ）を形成した。
摘要翻译：为了提供用于安装电气部件的散热基板，即使在使用大电流流过的功率半导体等的电路的情况下，也能够实现散热的改善，由于高功率操作导致的布线电阻降低。 [解决方案]用于安装电气部件的散热基板100（d）形成为：基板由从导体板形成为布线图案形状的引线框架构成，绝缘材料130设置在引线框架110; 引线框架具有彼此不同的至少两种类型的厚度，其中厚引线框架110H用于大电流信号，并且薄引线框架110L用于小电流信号; 引线框架110的部件配置表面板表面和绝缘材料130的部件布置表面侧板表面形成一个连续表面; 在元件配置面的后表面上的引线框架的板表面和元件配置表面侧的后表面侧的绝缘材料的板表面形成在同一平面上，以使板表面匹配引线框架中最厚引线框架的部件布置表面的后表面。

39. 发明申请

WO2016043469A1 클립 구조체를 이용한 반도체 패키지 审中-公开
标题翻译：使用夹子结构的半导体封装
公开(公告)号：WO2016043469A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/KR2015/009476
申请日：2015-09-09
申请人： 제엠제코(주)
发明人： 최윤화
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49524 , H01L21/4842 , H01L23/4093 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49555 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 리드 프레임(lead frame)의 패드 상에 실장된 반도체 칩과, 반도체 칩의 상면에 하면이 커플링(coupling)된 칩 접촉부, 리드 프레임의 리드에 커플링되는 다운셋(downset)부, 및 칩 접촉부와 다운셋부를 연결하는 연결부를 포함하는 클립(clip) 구조체, 및 리드의 표면과 다운셋부의 끝단부를 체결시키는 접착층를 포함하고, 다운셋부의 끝단부의 하나의 모서리부만 리드의 표면에 대향되도록 다운셋부가 연결부에 대해 벤딩(bending)되어, 모서리부에 인접하는 하면 부분과 리드 표면 사이 부분 및 측면 부분과 리드 표면 사이 부분에 접착층이 트랩(trap)된 반도체 패키지를 제시한다.
摘要翻译：公开了一种半导体封装，包括：安装在引线框的焊盘上的半导体芯片; 夹片结构，其包括具有联接到所述半导体芯片的上表面的下表面的芯片接触部分，联接到所述引线框架的引线的凹陷部分和连接所述芯片接触部分和所述下降部分的连接部分; 以及用于紧固所述引线的表面和所述开口部的端部的粘合剂层，其中所述开口部分相对于所述连接部分弯曲，使得所述下降部分的端部的仅一个芯部部分面向所述引线的表面因此，粘合剂层因此被捕获在与拐角部分相邻的下表面部分与引线表面之间以及侧表面部分与引线表面之间的部分上。

40. 发明申请

WO2016002803A1 パワーモジュール用基板ユニット及びパワーモジュール审中-公开
标题翻译：电源模块基板单元和电源模块
公开(公告)号：WO2016002803A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2015/068884
申请日：2015-06-30
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：大井　宗太郎 , 大開　智哉
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/562 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/568 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/051 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3735 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2924/00014 , H01L2224/84801
摘要：　パワーモジュール用基板ユニット５１は、回路層１２は複数の小回路層１２Ｓにより構成され、セラミックス基板層１１が少なくとも一枚で構成され、金属層１３が少なくとも一枚で構成されており、小回路層１２Ｓが、セラミックス基板層１１の一方の面に接合された第１アルミニウム層１５と、その第１アルミニウム層１５に固相拡散接合された第１銅層１６とを有する積層構造とされ、金属層１３が第１アルミニウム層１５と同一材料により形成され、放熱板３０が銅又は銅合金により形成され、金属層１３と放熱板３０とが固相拡散接合されており、第１銅層１６の厚さをｔ１（ｍｍ）、接合面積をＡ１（ｍｍ２）、耐力をσ１（Ｎ／ｍｍ２）とし、前記金属層との接合位置における放熱板３０の厚さをｔ２、接合面積をＡ２（ｍｍ２）、耐力をσ２（Ｎ／ｍｍ２）としたときに、比率（ｔ１×Ａ１×σ１）／（ｔ２×Ａ２×σ２）が０．８０以上１．２０以下とされる。
摘要翻译：一种用于功率模块的衬底单元（51），其中：电路层（12）由多个小电路层（12S）构成; 陶瓷基板层（11）由至少一片构成; 并且金属层（13）由至少一个片构成。每个小电路层（12S）具有多层结构，其包括与陶瓷基板层（11）的一个表面接合的第一铝层（15）和与第一铝层（16）接合的第一铜层（16）（15）通过固相扩散。金属层（13）由与第一铝层（15）相同的材料形成。散热板（30）由铜或铜合金形成，金属层（13）和散热板（30）通过固相扩散而彼此接合。如果t1（mm）是第一铜层（16）的厚度，则A1（mm2）是第一铜层（16）的接合面积，σ1（N / mm2）是第一铜层如图16所示，t2是在散热板（30）与金属层接合的位置处的散热板（30）的厚度，A2（mm2）是散热板（30）的接合面积上述位置和σ2（N / mm2）是上述位置处的散热板（30）的证明应力，比率（t1×A1×σ1）/（t2×A2×σ2）来自 0.80〜1.20（含）。

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