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31. 发明申请

WO2008102603A1 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：WO2008102603A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/JP2008/051153
申请日：2008-01-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 上川裕二
发明人：上川裕二
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/67742 , H01L21/67748
摘要：　基板処理装置は、被処理基板（Ｗ）が収容されるチャンバーを内部に有する基板処理容器（３０）と、基板処理容器（３０）に対して被処理基板Ｗの受け渡しを行う第１搬送ユニット（４０）と、第１搬送ユニット（４０）への被処理基板（Ｗ）の受け渡しおよび第１搬送ユニット（４０）からの被処理基板（Ｗ）の受け取りを行う第２搬送ユニットとを備えている。第１搬送ユニット（４０）は、被処理基板（Ｗ）の上面に接触することなく当該被処理基板（Ｗ）を上方から保持する非接触式のものである。第２搬送ユニットは、被処理基板（Ｗ）に接触することにより当該被処理基板（Ｗ）を保持する接触式のものである。
摘要翻译：基板处理装置具有基板处理容器（30），该基板处理容器（30）具有内部用于存储待处理基板（W）的室; 将衬底（W）接收并传送到衬底处理容器（30）的第一传送单元（40）; 以及第二传送单元，其接收并将所述基板（W）传送到所述第一传送单元（40）并从所述第一传送单元（40）接收所述基板（W）。第一转印单元（40）是非接触型的，并且从上方保持基板（W）而不与基板（W）的上表面接触。第二转印单元是接触型的，并通过与基板（W）接触来保持基板（W）。

32. 发明申请

WO2007103887A3 SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS MODULES 审中-公开
标题翻译：半导体制造工艺模块
公开(公告)号：WO2007103887A3
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：PCT/US2007063333
申请日：2007-03-05
申请人： BLUESHIFT TECHNOLOGIES INC , VAN DER MEULEN PETER , KILEY CHRIS , PANNESE PATRICK D
发明人： VAN DER MEULEN PETER , KILEY CHRIS , PANNESE PATRICK D
IPC分类号： B65G1/133
CPC分类号： H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67253 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： A variety of process modules are described for use in semiconductor manufacturing processes.
摘要翻译：描述了用于半导体制造工艺的各种工艺模块。

33. 发明申请

WO2007103896A2 WAFER CENTER FINDING 审中-公开
标题翻译： WAFER CENTER发现
公开(公告)号：WO2007103896A2
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/US2007/063345
申请日：2007-03-05
申请人： BLUESHIFT TECHNOLOGIES, INC. , KILEY, Chris , VAN DER MEULEN, Peter , PANNESE, Patrick, D. , BUZAN, Forest , FOGEL, Paul, E. , PANNESE, Patrick, D.
发明人： KILEY, Chris , VAN DER MEULEN, Peter , PANNESE, Patrick, D. , BUZAN, Forest , FOGEL, Paul, E. , PANNESE, Patrick, D.
IPC分类号： G06F19/00
CPC分类号： H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67253 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： A number of wafer center finding methods and systems are disclosed herein that improve upon existing techniques used in semiconductor manufacturing.
摘要翻译：本文公开了一些改进在半导体制造中使用的现有技术的晶片中心发现方法和系统。

34. 发明申请

WO2007099976A1 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置，基板输送装置，基板形成装置和化学溶液处理装置
公开(公告)号：WO2007099976A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2007/053699
申请日：2007-02-21
申请人：株式会社荏原製作所 , 高橋信行 , 西田弘明 , 鳥居弘臣 , 磯部壮一 , 曽根忠一 , 小菅隆一 , 金子浩之 , 外崎宏 , 三ツ倉崇夫 , 小川貴弘 , 杉田謙一
发明人：高橋信行 , 西田弘明 , 鳥居弘臣 , 磯部壮一 , 曽根忠一 , 小菅隆一 , 金子浩之 , 外崎宏 , 三ツ倉崇夫 , 小川貴弘 , 杉田謙一
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04 , B65G49/07 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B37/345 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/67766 , H01L21/68707
摘要：本発明は、基板処理プロセスのタクトタイムを向上することができる基板処理装置に関するものである。基板処理装置としての研磨装置は、半導体ウェハ（Ｗ）に対して研磨を行う複数の研磨部（３ａ，３ｂ）と、ウェハ（Ｗ）を搬送するスイングトランスポータ（７）とを備えている。スイングトランスポータ（７）は、ウェハ（Ｗ）を把持するウェハ把持機構（１１２）と、研磨部（３ａ）の筐体のフレーム（１０２）に沿ってウェハ把持機構（１１２）を上下動させる上下動機構（１０４，１０６）と、フレーム（１０２）に隣接する軸を中心としてウェハ把持機構（１１２）を旋回させる旋回機構（１０８，１１０）とを備えている。
摘要翻译：提供了能够提高基板处理工艺的触控时间的基板处理装置。作为基板处理装置的研磨装置包括：用于研磨半导体晶片（W）的多个研磨单元（3a，3b）和用于输送晶片（W）的摆动运送器（7）。摆动运送器（7）包括用于抓握晶片（W）的晶片抓握机构（112），用于沿着壳体（102）的框架（102）垂直移动晶片抓握机构（112）的垂直运动机构（104,106）和用于使晶片抓持机构（112）围绕与框架（102）相邻的轴线旋转的旋转机构（108,110）。

35. 发明申请

WO2007090900A1 VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON DÜNNEN SCHEIBENFÖRMIGEN OBJEKTEN IM DURCHLAUFVERFAHREN IN EINEM VERTIKALREAKTOR 审中-公开
标题翻译： DEVICE薄圆盘状物体连续过程的在立式反应器处理
公开(公告)号：WO2007090900A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/EP2007/051340
申请日：2007-02-12
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MOELLER, Rainer , VOELK, Hans-Peter , WANKA, Harald
发明人： MOELLER, Rainer , VOELK, Hans-Peter , WANKA, Harald
IPC分类号： F27B9/14 , F27B9/30 , H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/67115
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von Wafern (1) im Durchlauf verfahren in einem Vertikalreaktor (2) der mit einer Einrichtung zum Be- und Entladen der Wafer (1) gekoppelt ist. Mit der Vorrichtung soll ein schonender Durchlauf der Wafer (1) durch den Vertikalreaktor (2) gewährleistet werden. Erreicht wird das dadurch, dass in dem Vertikalreaktor (2) zwei fest stehende Waferträger (3, 4) zur liegenden Aufnahme einer Vielzahl von Wafern (1) derart in einem vorgegebenen Abstand nebeneinander angeordnet sind, dass eine zwischen den Waferträgern (3, 4) befindliche Hub- und Schwenkeinheit (5) zur vorübergehenden liegenden Aufnahme von Wafern (1) frei drehbar und teilweise durch die Position der Waferträger (3, 4), diese durchdringend, bewegbar ist und innerhalb des Vertikalreaktors (2) in eine freie Position (6) hinter und eine Übergabeposition (7) vor den Waferträgern (3, 4) positionierbar ist und in der Übergabeposition (7) mit der außerhalb des Vertikalreaktors (2) befindlichen externen Be- und Entladeeinheit (8) für einzelne Wafer (1) in Wirkverbindung steht und wobei die Anzahl der Aufnahmepositionen für die Wafer (1) in der Hub- und Schwenkeinheit (5) mindestens um eins größer ist, als in den Waferträgern (3, 4).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在连续过程中处理的晶片（1）在立式反应器（2）的装置与用于装载的装置和卸载（1）耦合在晶片。与该装置的晶片（1）由所述竖直反应器（2）的温和通道被确保。这是，在所述竖直反应器（2）的两个固定的晶片载体（3,4）被布置为位于（1）在由侧的规定距离侧接收多个晶片的实现的，即晶片载体之间（3，4）升降位于与枢转单元（5），用于暂时位于接收晶片（1）可自由旋转，并部分地由所述晶片载体的位置（3,4），这是很普遍的，可移动的自由位置（竖直反应器（2）6内）的后面并在所述晶片载体的前面（3的转印位置（7），4）被定位和（与转印位置7）（位于竖直反应器2）外部装载和卸载单元的外部（8），用于在可操作地连接各个晶片（1）是并且其中用于所述晶片的记录位置的数目（1）在所述提升和枢转单元（5）至少比在晶片载体大1（3，4）。

36. 发明申请

WO2007000824A1 半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：半导体制造设备和半导体制造设备的反应室
公开(公告)号：WO2007000824A1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/JP2005/011979
申请日：2005-06-29
申请人：エピクルー株式会社 , 岡部晃
发明人：岡部晃
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/67751
摘要：　パーティクルの発生を低減することができる、半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置を提供する。所定箇所に開口部が形成されていると共に、上下方向に移動可能な支持体と、前記開口部に挿通された上下方向に移動可能な持上げ部材と、前記支持体の下方の前記開口部に対応する位置に固定された規制部材と、前記支持体、前記持上げ部材及び前記規制部材を収容すると共に反応ガスが供給される反応室とを備える半導体製造装置用反応室。
摘要翻译：一种能够减少颗粒形成的半导体制造装置的反应室和半导体制造装置。用于半导体制造装置的反应室包括支撑体，该支撑体具有形成在预定位置并可在垂直方向上移动的开口部分，一个插入该开口部分并可在垂直方向上移动的升高件，支撑体的位于开口部的位置的一侧，以及反应室，其存储支撑体，升降构件和限制构件，并且供应反应气体。

37. 发明申请

WO2006041530A2 WORK-PIECE PROCESSING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：工作加工系统
公开(公告)号：WO2006041530A2
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/US2005013273
申请日：2005-04-18
申请人： AXCELIS TECH INC , FERRARA JOSEPH
发明人： FERRARA JOSEPH
IPC分类号： H01L21/00 , B24B7/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67213 , H01L21/67201 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67778 , Y10S414/139
摘要： A transfer system for use with a tool for processing a work-piece at low or vacuum pressure such as an ion implanter for implanting silicon wafers. An enclosure defines a low pressure region for processing of work-pieces placed at a work-piece processing station within the low pressure region. A two tier multiple work-piece isolation load lock transfers work-pieces from a higher pressure region to the lower pressure for processing and back to said higher pressure subsequent to said processing. A first robot transfers work-pieces within the low pressure region from the load locks to a processing station within the low pressure region. Multiple other robots positioned outside the low pressure region transfers work-pieces to and from the two tier work-piece isolation load locks from a source of said work-pieces prior to processing and to a destination of said work-pieces after said processing.
摘要翻译：一种用于在低或真空压力下处理工件的工具的转移系统，例如用于注入硅晶片的离子注入机。外壳限定用于处理放置在低压区域内的工件处理站的工件的低压区域。双层多工件隔离负载锁将工件从较高压力区域转移到较低压力以进行处理，并在所述处理之后转回所述较高压力。第一机器人将低压区域内的工件从负载锁传送到低压区域内的处理站。位于低压区域之外的多个其他机器人在处理之前将工件与来自所述工件的源传递到两层工件隔离负载锁和在所述处理之后传送到所述工件的目的地。

38. 发明申请

WO2005062336A3 PROCESSING SYSTEM WITH PROTECTIVE BARRIER AND METHOD FOR IMPREGNATING 审中-公开
标题翻译：具有保护障碍的加工系统及其印刷方法
公开(公告)号：WO2005062336A3
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/US2004037254
申请日：2004-11-09
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , LAFLAMME ARTHUR H JR , HAMELIN THOMAS , WALLCE JAY
发明人： LAFLAMME ARTHUR H JR , HAMELIN THOMAS , WALLCE JAY
IPC分类号： C25D11/02 , H01L21/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67748 , C25D11/02 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253
摘要： A chemical oxide removal (COR) processing system is presented, wherein the COR processing system includes a first treatment chamber and a second treatment chamber. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber having a protective barrier. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature-controlled chamber having a protective barrier.
摘要翻译：提出了一种化学氧化物去除（COR）处理系统，其中COR处理系统包括第一处理室和第二处理室。第一处理室包括化学处理室，其提供具有保护屏障的温度控制室。第二处理室包括提供具有保护屏障的温度控制室的热处理室。

39. 发明申请

WO2005069352A1 HEBEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ANHEBEN UND WECHSELN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：升降装置和方法提升和交换晶片
公开(公告)号：WO2005069352A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/EP2005/000553
申请日：2005-01-17
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , ICOS VISION SYSTEMS N.V. , GERHARD, Detlef
发明人： GERHARD, Detlef
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/68707 , H01L21/67748
摘要： Hebevorrichtung zum Abheben von Wafern (6) von einem Chuck (1) auf eine erhöhte Position an einer Be- und Entladeposition des Chucks (1), bestehend aus: mindestens einem im Bereich des Chuck (1) befindlichen Hubstift (4), der den Wafer (6) mit einem axialen Hub vom Chuck (1) anhebt, mindestens einer Pinzette (2) zum seitlichen Einfahren oder Einschwenken unter den Wafer (6) im angehobenen Zustand, zur Unterstützung des Wafers und zur Anhebung des Wafers auf eine vom Chuck (1) entfernte erhöhte Position.
摘要翻译：用于提升晶片的卡盘（6）（1）对卡盘（1）的装载和卸载位置升高位置的提升装置，其中包括：在卡盘的区域位于至少一（1）升降销（4）的晶片（6）与来自夹头的轴向毂开始（1），至少一对镊子（2）为横向缩回或在升起状态下的晶片（6）根据摆动，用于支撑所述晶片和用于提高晶片到的（从卡盘 1）除去升高位置。

40. 发明申请

WO2004084280A3 PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：处理系统和处理基板的方法
公开(公告)号：WO2004084280A3
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/US2004007865
申请日：2004-03-16
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , HAMELIN THOMAS , WALLACE JAY , LAFLAMME ARTHUR H JR
发明人： HAMELIN THOMAS , WALLACE JAY , LAFLAMME ARTHUR H JR
IPC分类号： C23C16/44 , C25D11/02 , H01L21/00 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/4405 , C25D11/02 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , Y10T29/41
摘要： A processing system and method for chemical oxide removal (COR), wherein the processing system comprises a first treatment chamber and a second treatment chamber, wherein the first and second treatment chambers are coupled to one another. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, and an independently temperature controlled substrate holder for supporting a substrate for chemical treatment. The substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, thermally insulated from the chemical treatment chamber. The heat treatment chamber provides a substrate holder for controlling the temperature of the substrate to thermally process the chemically treated surfaces on the substrate.
摘要翻译：一种用于化学氧化物去除（COR）的处理系统和方法，其中所述处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中所述第一和第二处理室彼此耦合。第一处理室包括提供温度控制室的化学处理室和用于支撑用于化学处理的基板的独立温度控制的基板保持器。在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基底暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。第二处理室包括热处理室，其提供与化学处理室热绝缘的温度控制室。热处理室提供用于控制基板的温度以热处理基板上化学处理的表面的基板保持器。

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