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1. 发明申请

WO2016080629A1 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치 및 웨이퍼 로딩위치 조정 방법 审中-公开
标题翻译：波浪抛光设备的加载装置和调整加载位置的方法
公开(公告)号：WO2016080629A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/KR2015/007597
申请日：2015-07-22
申请人： 주식회사 엘지실트론
发明人： 배재현
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/677 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67259 , B24B37/08 , B24B37/345 , B24B49/12 , H01L21/67219 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/681 , H01L21/6838
摘要： 실시예는 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치에 관한 것으로서, 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 홀이 형성된 연마 캐리어가 구비되며, 웨이퍼의 양면이 상정반과 하정반에 의해 연마되는 웨이퍼 연마부와, 연마 캐리어의 상부에 배치되어 웨이퍼를 이송시키는 이송 암(arm)이 구비되고, 이송 암의 일단에 웨이퍼의 형상에 대응되는 이송 플레이트가 연결되는 웨이퍼 이송부와, 이송 플레이트의 하면에 설치되어 웨이퍼 홀의 위치를 감지하는 웨이퍼 위치 감지부와, 이송 플레이트의 가장자리부에 형성되는 복수 개의 웨이퍼 탈부착 유닛과, 이송 플레이트의 상단면에 설치되어 웨이퍼를 정렬하는 웨이퍼 정렬부와, 웨이퍼 위치 감지부로부터 검출된 웨이퍼 홀의 위치에 대한 데이터가 전송되고, 웨이퍼 탈부착 유닛과 웨이퍼 정렬부에 의해 웨이퍼가 로딩될 위치를 산출하는 제어부를 포함하는 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치를 제공한다.
摘要翻译：实施例涉及晶片抛光设备的晶片装载装置。提供了一种晶片抛光设备的晶片装载装置，包括：晶片抛光单元，其包括具有形成在其中的晶片孔的抛光载体，其中晶片被加载，其中晶片的两侧由上表面板和下表面板抛光; 晶片转印单元，其包括设置在所述抛光载体上方以转移所述晶片的转印臂，其中与所述晶片的形状对应的转印板连接到所述转印臂的一端; 晶片位置检测单元，安装在转印板的底部以检测晶片孔的位置; 形成在转印板的边缘部分上的多个晶片安装/拆卸单元; 安装在转印板的顶部以对准晶片的晶片对准单元; 以及控制器，通过晶片位置检测单元检测到的晶圆孔的位置的数据被传送，并且由晶片安装/拆卸单元和晶片对准单元计算要装载晶片的位置的控制器。

2. 发明申请

WO2015015705A1 ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置审中-公开
标题翻译：波浪抛光方法和抛光抛光装置
公开(公告)号：WO2015015705A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/JP2014/003414
申请日：2014-06-26
申请人：信越半導体株式会社
发明人：佐藤　三千登 , 上野　淳一 , 石井　薫
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/34
CPC分类号： B24B27/0023 , B24B37/107 , B24B37/345
摘要：　本発明は、複数の研磨ヘッドと、研磨布が貼り付けられた複数の定盤と、ウェーハの研磨ヘッドへの装着又は研磨ヘッドからの剥離を行うためのローディング／アンローディングステージを準備し、複数の定盤とローディング／アンローディングステージを同心円上に配列し、研磨ヘッドを旋回移動させることによって、ウェーハの研磨に用いる定盤を切り替えながら複数のウェーハを同時に研磨するインデックス方式の研磨方法であって、定盤を切り替える際のウェーハの研磨中断後から研磨再開までの時間及びウェーハの研磨終了後から研磨ヘッドからの剥離動作開始までの時間を１５秒以内とすることを特徴とするウェーハの研磨方法である。これにより、インデックス方式の研磨装置特有の研磨ステップ途中及び研磨終了後から剥離動作開始までに発生するヘイズムラを効果的に防止することができる研磨方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种晶片抛光方法，即一种分级抛光方法，其中多个抛光头，与其相结合的抛光布的多个压板以及用于将晶片与抛光头相连和分离的装载/卸载阶段是：准备好的压板和加载/卸载台同心地布置，并且抛光头旋转，从而在切换用于其的压板的同时同时抛光多个晶片。所述晶片抛光方法的特征在于，在通过压板开关中断晶片的抛光之后，所述晶片的抛光在15秒内恢复，并且在晶片完成抛光之后，将晶片从抛光头分离的操作从内部开始 15秒。这导致可以有效地防止抛光步骤期间在抛光抛光装置中发生的特征雾度不均匀性和抛光完成和分离操作开始之间的特性雾度不均匀性的抛光方法。

3. 发明申请

WO2013115126A1 化学研磨装置审中-公开
标题翻译：化学抛光装置
公开(公告)号：WO2013115126A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/JP2013/051732
申请日：2013-01-28
申请人：株式会社NSC
发明人：西山　榮
IPC分类号： C03C15/00
CPC分类号： C03C15/00 , B24B37/345 , B24B57/02
摘要：【課題】治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能な枚葉式の化学研磨装置を提供する。【解決手段】化学研磨装置１０は、複数の搬送ローラ５０、および複数の噴射パイプ３２２を備える。複数の搬送ローラ５０は、それぞれガラス基板１００を下から支持しつつ、ガラス基板１００を水平方向に搬送するように構成される。噴射パイプ３２２は、複数の搬送ローラ５０によって搬送されるガラス基板１００に対して少なくとも下側から研磨液を噴射するように構成される。また、噴射パイプ３２２は、少なくとも化学研磨処理空間内におけるすべての搬送ローラ５０の周面を研磨液にてウエットな状態にするように研磨液を噴射する。
摘要翻译： [问题]提供一种能够在不使用夹具的情况下在玻璃基板上进行化学抛光处理的单晶片型化学抛光装置。 [解决方案]化学抛光装置（10）设置有多个输送辊（50）和多个喷射管（322）。多个传送辊（50）分别构造成在水平方向上输送玻璃基板（100），同时从下方支撑玻璃基板（100）。喷射管322构成为将玻璃基板100的下侧的研磨液喷射到由多个输送辊50输送的玻璃基板100上。喷射管（322）还喷射抛光液体，使得至少化学抛光空间内的所有传送辊（50）的圆周表面被研磨液润湿。

4. 发明申请

WO2012090598A1 記録媒体用ガラス基板を製造する方法审中-公开
标题翻译：用于生产用于记录介质的玻璃基板的方法
公开(公告)号：WO2012090598A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/075966
申请日：2011-11-10
申请人：コニカミノルタオプト株式会社 , 島津典子
发明人：島津　典子
IPC分类号： G11B5/84 , B24B1/00 , B24B37/00 , C03C19/00 , C03C23/00
CPC分类号： G11B5/8404 , B24B37/042 , B24B37/345 , C03C19/00
摘要：　ガラス基板前駆体にコロイダルシリカを付着させることなくガラス基板前駆体を研磨定盤から取り出すことができる記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。本発明は、ガラス基板前駆体を用いて記録媒体用ガラス基板を製造する方法であって、ガラス基板前駆体の表裏面をコロイダルシリカを含む研磨液を用いて研磨定盤により研磨する工程と、吸着冶具を用いて研磨定盤からガラス基板前駆体を取り出す工程とを含み、該取り出す工程において、コロイダルシリカのゼータ電位をζ Si とし、吸着冶具のゼータ電位をζ jig とし、ガラス基板前駆体のゼータ電位をζ sub とすると、ζ Si およびζ sub はいずれも、０ｍＶ未満であり、かつζ Si はζ jig 未満であることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种用于制造用于记录介质的玻璃基板并且能够从没有胶体二氧化硅粘附到玻璃基板前体的抛光板上去除玻璃基板前体的方法。使用玻璃基板前体的记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于：包含利用含有胶体二氧化硅的研磨液的研磨板研磨玻璃基板前体的前后表面的工序，使用吸附夹具从抛光板除去玻璃基板前体的步骤; 并且在所述除去步骤中，当胶体二氧化硅的ζ电位为ΔSi时，吸附夹具的ζ电位为△夹具，玻璃基板前体的ζ电位为λsub，ΔSi和βsub 小于0mV，ΔSi小于φ夹具。

5. 发明申请

WO2011033724A1 研磨方法及びその装置审中-公开
标题翻译：抛光方法和抛光装置
公开(公告)号：WO2011033724A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/JP2010/005154
申请日：2010-08-20
申请人：株式会社SUMCO , 株式会社住友金属ファインテック , 福島浩人 , 三浦友紀 , 中尾昭治 , 堀口明 , 磯部健
发明人：福島　浩人 , 三浦　友紀 , 中尾　昭治 , 堀口　明 , 磯部　健
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304 , H01L21/677
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/345 , H01L21/68 , H01L21/6838 , H01L21/68707
摘要：　従前の搬送工程においてキャリアへのワークの適切な供給を実現する方途について提案する。すなわち、研磨に供するワークを保持する少なくとも１つのキャリアを、上定盤と下定盤との間に配置し、該キャリアのホールに前記ワークを挿入し、該上定盤と下定盤との間にキャリアおよびワークを挟み、上定盤と下定盤との間に研磨液を供給しつつ上定盤および下定盤の少なくともいずれか一方を回転させて、該キャリアに保持されたワークを研磨する方法において、前記キャリアのホールにワークを挿入するに当たり、該ワークの端部を把持してワークを下定盤の上方まで運び、該下定盤上のキャリアのホールに対してワークを位置決めし、該ワ－クの把持を開放してワークを前記ホールに向けて、ガイドによる案内を介して緩やかに落下させる。
摘要翻译：提供了一种在输送过程中实现对载体的适当供给的方法，上述在常规输送过程中不能实现的适当供给。更具体地，提供了一种方法，包括：在上压板和下压板之间放置至少一个保持待抛光工件的载体; 将工件插入载体的孔中; 将托架和工件保持在上压板和下压板之间; 旋转上压板或下压板中的至少一个，其中抛光溶液供应在上压板和下压板之间; 从而研磨由载体保持的工件。在该方法中，当将工件插入托架中的孔中时，工件被运送到下压板上方的位置，工件的端部保持在相对于托架上的孔的位置下压板，然后从保持件释放，从而通过引导件的引导朝向孔缓慢地下落。

6. 发明申请

WO2009131945A2 HIGH THROUGHPUT CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：高通量化学机械抛光系统
公开(公告)号：WO2009131945A2
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/US2009/041133
申请日：2009-04-20
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , D'AMBRA, Allen, L. , YILMAZ, Alpay
发明人： D'AMBRA, Allen, L. , YILMAZ, Alpay
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/345 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B41/005
摘要： Embodiments of a system and method for polishing substrates are provided. In one embodiment, a polishing system is provided that includes a polishing module, a cleaner and a robot. The robot has a range of motion sufficient to transfer substrates between the polishing module and cleaner. The polishing module includes at least two polishing stations, at least one load cup and at least four polishing heads. The polishing heads are configured to move independently between the at least two polishing stations and the at least one load cup.
摘要翻译：提供了用于抛光基板的系统和方法的实施例。在一个实施例中，提供了包括抛光模块，清洁器和机器人的抛光系统。机器人具有足以在抛光模块和清洁器之间传送基板的运动范围。抛光模块包括至少两个抛光台，至少一个装载杯和至少四个抛光头。抛光头构造成在至少两个抛光站和至少一个装载杯之间独立地移动。

7. 发明申请

WO2008001969A1 LOADING UNIT OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD OF DETECTING PROPER POSITION OF WAFER USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光装置的装载单元及使用其的检测适当位置的方法
公开(公告)号：WO2008001969A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/KR2006/002894
申请日：2006-07-21
申请人： DOOSAN MECHATECH CO., LTD. , HEO, Young Su
发明人： HEO, Young Su
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/345
摘要： A loading unit of a chemical mechanical polishing apparatus and a method of detecting a proper position of a wafer using the same are provided. The loading unit, for loading a wafer to be chemically mechanically polished or a chemically mechanically polished wafer onto a loading plate, includes: an ejection part for ejecting a cleaning fluid supplied through a cleaning fluid supply line onto the bottom of the wafer supported on the loading plate at a plurality of locations around the wafer's circumference; a measurement part for measuring whether the cleaning fluid is normally ejected from the ejection part; and a controller for comparing a measurement value measured by the measurement part with a predetermined value to determine whether the wafer is loaded in a proper position. Therefore, it is possible to stably load and unload the wafer onto/from the chemical mechanical polishing apparatus by detecting whether the wafer is loaded in the proper position on the loading plate.
摘要翻译：提供了一种化学机械抛光装置的装载单元和使用其的晶片的适当位置检测方法。用于将待化学机械抛光的晶片或化学机械抛光的晶片装载到装载板上的装载单元包括：用于将通过清洁流体供应管线供应的清洁流体喷射到载体上的晶片的底部的喷射部件在晶片周围的多个位置装载板; 用于测量清洗流体是否正常地从喷射部件喷射的测量部件; 以及控制器，用于将由测量部分测量的测量值与预定值进行比较，以确定晶片是否被装载在适当的位置。因此，通过检测晶片是否装载在装载板上的正确位置，可以稳定地将晶片装载到化学机械抛光装置上或从其上卸载晶片。

8. 发明申请

WO2007099976A1 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置，基板输送装置，基板形成装置和化学溶液处理装置
公开(公告)号：WO2007099976A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2007/053699
申请日：2007-02-21
申请人：株式会社荏原製作所 , 高橋信行 , 西田弘明 , 鳥居弘臣 , 磯部壮一 , 曽根忠一 , 小菅隆一 , 金子浩之 , 外崎宏 , 三ツ倉崇夫 , 小川貴弘 , 杉田謙一
发明人：高橋信行 , 西田弘明 , 鳥居弘臣 , 磯部壮一 , 曽根忠一 , 小菅隆一 , 金子浩之 , 外崎宏 , 三ツ倉崇夫 , 小川貴弘 , 杉田謙一
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04 , B65G49/07 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B37/345 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/67766 , H01L21/68707
摘要：本発明は、基板処理プロセスのタクトタイムを向上することができる基板処理装置に関するものである。基板処理装置としての研磨装置は、半導体ウェハ（Ｗ）に対して研磨を行う複数の研磨部（３ａ，３ｂ）と、ウェハ（Ｗ）を搬送するスイングトランスポータ（７）とを備えている。スイングトランスポータ（７）は、ウェハ（Ｗ）を把持するウェハ把持機構（１１２）と、研磨部（３ａ）の筐体のフレーム（１０２）に沿ってウェハ把持機構（１１２）を上下動させる上下動機構（１０４，１０６）と、フレーム（１０２）に隣接する軸を中心としてウェハ把持機構（１１２）を旋回させる旋回機構（１０８，１１０）とを備えている。
摘要翻译：提供了能够提高基板处理工艺的触控时间的基板处理装置。作为基板处理装置的研磨装置包括：用于研磨半导体晶片（W）的多个研磨单元（3a，3b）和用于输送晶片（W）的摆动运送器（7）。摆动运送器（7）包括用于抓握晶片（W）的晶片抓握机构（112），用于沿着壳体（102）的框架（102）垂直移动晶片抓握机构（112）的垂直运动机构（104,106）和用于使晶片抓持机构（112）围绕与框架（102）相邻的轴线旋转的旋转机构（108,110）。

9. 发明申请

WO2007061170A1 LOADING DEVICE OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光设备用于半导体波导的装载装置
公开(公告)号：WO2007061170A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/KR2006/002893
申请日：2006-07-21
申请人： DOOSAN DND CO., LTD. , NA, Young Min , KIM, Chang Il , HEO, Young Su
发明人： NA, Young Min , KIM, Chang Il , HEO, Young Su
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/345
摘要： A loading device of chemical mechanical polishing (CMP) equipment for semiconductor wafers is provided. The loading device includes a loading cup having a cup-like bath, a cup plate installed in the bath, and a loading plate supported on the cup plate so as to be capable of absorbing shock and seating the wafer; a driving device and a driving shaft horizontally pivoting and vertically moving the loading cup between a platen of a polishing apparatus and a spindle; and an arm connecting between the loading cup and the driving shaft. At least one through hole is formed at one or more mutually corresponding positions of the bath and cup plate and the loading plate of the loading cup. At least one probe assembly for optically detecting a polished thickness at a polished point on the wafer is inserted and installed into each through hole at the corresponding position of the loading cup. An optical thickness detection device capable of applying light onto a layer on the wafer to detect reflected spectrum wavelengths, and detecting a layer thickness of the wafer by change in a physical quantity extracted from a spectrum interference signal between the detected reflected spectrum wavelengths is provided at one side of the driving device. An optical fiber cable connecting each of the probe assemblies and the thickness detection device is disposed in the arm. Thereby, the thickness of a layer on the wafer can be measured by at least one loading device installed in the CMP equipment for a single-step or multi-step polishing process, after a polishing process is performed on a previously input wafer and just before it is performed on a subsequently input wafer, or before a subsequent polishing process is performed on the same previously input wafer, thereby more rapidly transmitting and reflecting information useful for polishing of the subsequent wafer, and improving wafer polishing precision as well as simplifying a structure of the CMP equipment.
摘要翻译：提供了一种用于半导体晶片的化学机械抛光（CMP）设备的装载装置。装载装置包括具有杯状浴的装载杯，安装在浴槽中的杯板，以及支撑在杯板上以便能够吸收冲击和安放晶片的装载板; 驱动装置和驱动轴水平地枢转并且将加载杯垂直移动在抛光装置的压板和主轴之间; 以及连接在装载杯和驱动轴之间的臂。至少一个通孔形成在浴缸和杯板以及装载杯的装载板的一个或多个相互对应的位置上。用于光学地检测晶片上抛光点处的抛光厚度的至少一个探针组件被插入并安装到装载杯的相应位置处的每个通孔中。一种光学厚度检测装置，其能够将光施加到晶片上的层上以检测反射光谱波长，并且通过从检测到的反射光谱波长之间的光谱干涉信号提取的物理量的变化来检测晶片的层厚度。驱动装置的一侧。连接每个探针组件和厚度检测装置的光纤电缆设置在臂中。因此，在对先前输入的晶片进行抛光处理之后并且刚刚在之前，可以通过安装在CMP设备中的至少一个装载装置来测量晶片上的层的厚度，以进行单步或多步抛光工艺它在随后输入的晶片上执行，或者在对相同的先前输入的晶片进行后续的抛光处理之前执行，从而更快速地传输和反映用于后续晶片的抛光的信息，并且提高晶片抛光精度以及简化结构的CMP设备。

10. 发明申请

WO2007026556A1 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム审中-公开
标题翻译：用于反射抛光半导体波长的方法和系统
公开(公告)号：WO2007026556A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/JP2006/316301
申请日：2006-08-21
申请人：信越半導体株式会社 , 橋本浩昌 , 桝村寿 , 北川幸司
发明人：橋本浩昌 , 桝村寿 , 北川幸司
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/345
摘要：　本発明は、半導体ウエーハの表面に対して複数段の研磨を施して鏡面化するための研磨システムであって、少なくとも、前記ウエーハの表面を粗研磨するための粗研磨用の研磨装置１０と、該粗研磨用の研磨装置とは別に、前記粗研磨をした後のウエーハの表面を鏡面化するための仕上げ研磨用の研磨装置２０を備えることを特徴とする半導体ウエーハの鏡面研磨システム１である。これにより、ヘイズやパーティクルが低減された高品質の鏡面ウエーハを、低コストで、かつ、高い生産性で製造することができる半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システムが提供される。　
摘要翻译：一种通过对半导体晶片的表面施加多级抛光来对半导体晶片进行镜面抛光的方法和系统。用于对半导体晶片进行镜面抛光的系统（1）的特征在于至少包括用于粗抛光晶片表面的粗抛光装置（10）和用于对所述晶片的表面进行镜面抛光的抛光装置（20）粗糙抛光后的晶片与粗抛光装置分开形成。结果，可以以低成本和高生产率制造雾度和颗粒减少的高品质镜面抛光晶片。

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