专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明申请

WO2004013039A3 LOW TEMPERATURE PLASMA SI OR SIGE FOR MEMS APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：用于MEMS应用的低温等离子体SI或SIGE
公开(公告)号：WO2004013039A3
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/US0314930
申请日：2003-05-13
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
发明人： FOERSTNER JUERGEN A , SMITH STEVEN M , ROOP RAYMOND MERVIN
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01H49/00 , H01H59/00
CPC分类号： B81C1/0038 , B81B2201/018 , B81B2201/0292 , B81C1/00246 , B81C2201/0164 , B81C2203/0735 , H01G5/18
摘要： A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.
摘要翻译：提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。根据该方法，提供了具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS衬底（51）。通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在基材上形成MEMS结构，该材料选自由硅和硅 - 锗合金组成的组。伴随使用PACVD的低沉积温度允许这些材料在集成CMOS工艺的后端用于MEMS制造。

32. 发明申请

WO2004028959A2 VERFAHREN UND MIKROMECHANISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：方法和微机械装置
公开(公告)号：WO2004028959A2
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/000704
申请日：2003-03-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , METZGER, Lars , FISCHER, Frank
发明人： METZGER, Lars , FISCHER, Frank
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0735
摘要： Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung vorgeschlagen, bei der ein Hochfrequenzbauelement mit einem metallischen Leiter mittels eines Niedertemperaturverfahrens hergestellt wird.
摘要翻译：它提出了一种方法，并且其中的高频装置由低温工艺来制造具有金属导体的装置。

33. 发明申请

WO2003054938A1 METHOD OF FABRICATING MICRO-ELECTROMECHANICAL SWITCHES ON CMOS COMPATIBLE SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：在CMOS兼容基板上制作微电子开关的方法
公开(公告)号：WO2003054938A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/US2002/036088
申请日：2002-11-07
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人： VOLANT, Richard, P. , BISSON, John, C. , COTE, Donna, R. , DALTON, Timothy, J. , GROVES, Robert, A. , PETRARCA, Kevin, S. , STEIN, Kenneth, J. , SUBBANNA, Seshadri
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/016 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0122 , B81C2203/0735 , H01G5/40 , H01H59/0009
摘要： A method of fabricating micro-electromechanical switches (MEMS) using a process starting with a copper damascene interconnect layer, made of metal conductors inlaid in a dielectric (150). All, or portions, of the interconnects are recessed to a degree sufficient to provide a capacitive air gap when the switch is in the closed state, as well as provide space for a protective layer of, for example, Ta/TaN. The metal structures defined within the area specified for the switch act as actuator electrodes to pull down the movable beam (160) and provide one or more paths for the switched signal to traverse. The advantage of an air gap is that air is not subject to charge storage or trapping that can cause reliability and voltage drift problems. Instead of recessing the electrodes to provide a gap, one may just add dielectric on or around the electrode. The next layer is another dielectric layer which is deposited to the desired thickness of the gap formed between the moveable beam (160) that forms the switching device. Vias are fabricated through this dielectric to provide connections between the metal interconnect layer and the next metal layer which will also contain the switchable beam. The via layer is then patterned and etched to provide a cavity area which contains the lower activation electrodes as well as the signal paths. The cavity is then back-filled with a sacrificial release material.
摘要翻译：一种使用由铜镶嵌互连层开始的工艺来制造微机电开关（MEMS）的方法，由介于电介质（150）中的金属导体制成。当开关处于闭合状态时，互连件的全部或部分凹陷到足以提供电容气隙的程度，以及为例如Ta / TaN的保护层提供空间。在为开关指定的区域内限定的金属结构用作致动器电极以下拉可移动光束（160）并且提供用于切换信号穿过的一个或多个路径。气隙的优点是空气不会受到可能导致可靠性和电压漂移问题的电荷储存或捕集。代替使电极凹陷以提供间隙，可以仅在电极上或周围添加电介质。下一层是沉积到形成开关装置的可移动梁（160）之间形成的间隙的所需厚度的另一介电层。通过该电介质制造通孔以提供金属互连层和还包含可切换光束的下一个金属层之间的连接。然后对通孔层进行图案化和蚀刻以提供包含下部激活电极以及信号路径的空腔区域。然后用牺牲脱模材料填充空腔。

34. 发明申请

WO0135433A3 CMOS-COMPATIBLE MEM SWITCHES AND METHOD OF MAKING 审中-公开
标题翻译： CMOS兼容元件开关及其制造方法
公开(公告)号：WO0135433A3
公开(公告)日：2001-12-27
申请号：PCT/US0023197
申请日：2000-08-23
申请人： HRL LAB LLC
发明人： CHOW LAP-WAI , HSU TSUNG-YUAN , HYMAN DANIEL J , LOO ROBERT Y , OUYANG PAUL , SCHAFFNER JAMES H , SCHMITZ ADELE , SCHWARTZ ROBERT N
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01H1/021 , H01H1/58 , H01H49/00 , H01H59/00 , H01H50/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/014 , B81C2201/014 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01H1/58 , H01H59/0009 , H01H2001/0057
摘要： A microelectromechanical (MEM) switch is fabricated inexpensively by using processing steps which are standard for fabricating multiple metal layer integrated circuits, such as CMOS. The exact steps may be adjusted to be compatible with the process of a particular foundry, resulting in a device which is both low cost and readily integrable with other circuits. The processing steps include making contacts for the MEM switch from metal plugs which are ordinarily used as viasto connect metal layers which are separated by a dielectric layer. Such contact vias are formed on either side of a sacrificial metallization area, and then the interconnect metallization is removed from between the contact vias, leaving them separated. Dielectric surrounding the contacts is etched back so that they protrude towards each other. Thus, when the contacts are moved towards each other by actuating the MEM switch, they connect firmly without obstruction. Tungsten is typically used to form vias in CMOS processes, and it makes an excellent contact material, but other via metals may also be employed as contacts. Interconnect metallization may be employed for other structural and interconnect needs of the MEM switch, and is preferably standard for the foundry and process used. Various metals and dielectric materials may be used to create the switches, but in a preferred embodiment the interconnect metal layers are aluminum and the dielectric material is SiO2, materials which are fully compatible with standard four-layer CMOS fabrication processes.
摘要翻译：通过使用标准制造多个金属层集成电路（如CMOS）的处理步骤，廉价地制造了微机电（MEM）开关。可以将精确的步骤调整为与特定代工厂的过程兼容，从而导致低成本且易于与其他电路集成的装置。处理步骤包括从通常用作通过电介质层分离的永久连接的金属层的金属插头形成用于MEM开关的触点。这种接触通孔形成在牺牲金属化区域的任一侧，然后从接触通孔之间移除互连金属化，使它们分开。围绕触点的介质被回蚀，使得它们彼此突出。因此，当通过致动MEM开关使触点彼此移动时，它们牢固地连接而不阻塞。钨通常用于在CMOS工艺中形成通孔，并且它制成优良的接触材料，但也可以使用其它通孔金属作为接触。互连金属化可以用于MEM开关的其他结构和互连需求，并且优选地是用于所使用的铸造和工艺的标准。可以使用各种金属和介电材料来制造开关，但是在优选实施例中，互连金属层是铝，并且介电材料是SiO 2，与标准四层CMOS制造工艺完全兼容的材料。

35. 发明申请

WO2014151525A2 COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：补充金属氧化物半导体（CMOS）超声波传感器及其形成方法
公开(公告)号：WO2014151525A2
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/US2014/025924
申请日：2014-03-13
申请人： BUTTERFLY NETWORK, INC.
发明人： ROTHBERG, Jonathan, M. , FIFE, Keith, G. , RALSTON, Tyler, S. , CHARVAT, Gregory, L. , SANCHEZ, Nevada, J.
IPC分类号： G01V1/36 , B06B1/02
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/0195 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01N29/2406 , H01L29/84 , H04R19/005
摘要： Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers (CUTs) and methods for forming CUTs are described. The CUTs may include monolithically integrated ultrasonic transducers and integrated circuits for operating in connection with the transducers. The CUTs may be used in ultrasound devices such as ultrasound imaging devices and/or high intensity focused ultrasound (HIFU) devices.
摘要翻译：描述了互补金属氧化物半导体（CMOS）超声波换能器（CUT）以及用于形成CUT的方法。 CUT可以包括用于与换能器连接的单体集成超声换能器和集成电路。 CUT可用于超声波装置，例如超声成像装置和/或高强度聚焦超声（HIFU）装置。

36. 发明申请

WO2014020388A1 METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MEMS DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS ON COMMON SIDES OF SUBSTRATES, AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：形成半导体结构的方法，其中包括MEMS器件和基片通用面的集成电路，以及相关的结构和器件
公开(公告)号：WO2014020388A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：PCT/IB2013/001488
申请日：2013-07-08
申请人： SOITEC
发明人： SADAKA, Mariam , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/0006 , B81B2201/0271 , B81B2207/015 , B81C1/00238 , B81C2203/0735 , B81C2203/0792 , H03H9/10
摘要： Methods are used to form semiconductor devices that include an integrated circuit and a microelectromechanical system (MEMS) device operatively coupled with the integrated circuit. At least a portion of an integrated circuit may be fabricated on a surface of a substrate, and a MEMS device may be formed over the at least a portion of the integrated circuit. The MEMS device may be operatively coupled with the integrated circuit. Semiconductor structures and electronic devices including such structures are formed using such methods.
摘要翻译：方法用于形成半导体器件，其包括集成电路和与集成电路可操作地耦合的微机电系统（MEMS）器件。可以在衬底的表面上制造集成电路的至少一部分，并且可以在集成电路的至少一部分上形成MEMS器件。 MEMS器件可以与集成电路可操作地耦合。使用这种方法形成包括这种结构的半导体结构和电子器件。

37. 发明申请

WO2011117181A3 METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTROMECHANICAL DEVICE AND MICROELECTROMECHANICAL DEVICE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机电装置和微机电器件
公开(公告)号：WO2011117181A3
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011054220
申请日：2011-03-21
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN-HAVE ARND
发明人： TEN-HAVE ARND
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： G01L1/16 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C1/00626 , B81C2203/0735 , G01L9/0047 , G01L9/0054 , G01L9/0098 , H01L27/20 , H01L29/66075
摘要： The invention relates to a method for producing a microelectromechanical device in a material substrate suitable for producing integrated electronic components, in particular a semiconductor substrate, wherein a material substrate (12, 14, 16) is provided on which at least one surface structure (26) is to be formed during production of the device. An electronic component (30) is formed in the material substrate (12, 14, 16) using process steps of a conventional method for producing integrated electronic components. A device component (44) defining the position of the electronic component (30) and/or required for the function of the electronic component (30) is selectively formed on the material substrate (12, 14, 16) from an etching stop material acting as an etching stop in case of etching of the material substrate (12, 14, 16) and/or in case of etching of a material layer (52) disposed on the material substrate (12, 14, 16). When the device component (44) of the electronic component (30) is implemented, a boundary region (48) is also formed on the material substrate (12, 14, 16) along at least a partial section of an edge of the surface structure (26), wherein said boundary region bounds said partial section. The material substrate (12, 14, 16) thus implemented is selectively etched for forming the surface structure (26), in that the edge of the bounding region (48) defines the position of the surface structure (26) to be implemented on the material substrate (12, 14, 16).
摘要翻译：在一种用于在适合于生产集成电子元件材料基板的制造一个微机电装置，特别是半导体衬底的过程中，提供的材料衬底（12,14,16）的制造装置（26）的期间，在至少一个表面结构来形成。在材料衬底（12,14，16）的电子部件（30）使用常规方法的工艺步骤用于制造集成电子元件形成。在材料衬底（12,14,16）是有选择地将电子部件（30）和/或电子部件的所需的结构部件（44）的操作（30）的限定的位置由一个（在蚀刻材料基板12的情况下， 14,16）和/或布置在蚀刻（在形成在每一种情况下作为腐蚀材料衬底12,14,16）材料层（52）停止第一蚀刻停止材料的情况下。对于这种蚀刻停止材料是在形成将电子部件（30）的结构部件（44）也沿着该表面结构的边缘的至少一个局部部分的材料衬底（12,14,16）（26）上形成有该部分节边界约束区（48），由此形成的材料基板（12,14，16）被选择性地限定的边界区域（48）的表面的位置的一个边缘蚀刻以形成用于形成表面结构（26）的材料衬底（12,14,16）上的结构（26）。

38. 发明申请

WO2011117181A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROELEKTROMECHANISCHEN VORRICHTUNG UND MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机电装置和微机电器件
公开(公告)号：WO2011117181A2
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/054220
申请日：2011-03-21
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN-HAVE, Arnd
发明人： TEN-HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： G01L1/16 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C1/00626 , B81C2203/0735 , G01L9/0047 , G01L9/0054 , G01L9/0098 , H01L27/20 , H01L29/66075
摘要： Bei Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Vorrichtung in einem für die Herstellung integrierter elektronischer Bauteile geeigneten Materialsubstrat, insbesondere Halbleitersubstrat, wird ein Materialsubstrat (12,14,16) bereitgestellt, auf dem während der Herstellung der Vorrichtung mindestens eine Oberflächenstruktur (26) auszubilden ist. In dem Materialsubstrat (12,14, 16) wird unter Verwendung von Prozessschritten eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung integrierter elektronischer Bauteile ein elektronisches Bauteil (30) ausgebildet. Auf dem Materialsubstrat (12,14,16) wird selektiv eine die Lage des elektronischen Bauteils (30) definierende und/oder für die Funktion des elektronischen Bauteils (30) erforderliche Bauteilkomponente (44) aus einem im Falle eines Ätzens des Materialsubstrats (12, 14,16) und/oder im Falle eines Ätzens einer auf dem Materialsubstrat (12,14,16) angeordneten Materialschicht (52) jeweils als Ätzstopp wirkendes erstes Ätzstopp-Material ausgebildet. Aus diesem Ätzstopp-Material wird bei Ausbildung der Bauteilkomponente (44) des elektronischen Bauteils (30) auch auf dem Materialsubstrat (12,14,16) längs zumindest eines Teilabschnitts eines Randes der Oberflächenstruktur (26) ein diesen Teilabschnitt begrenzendes Begrenzungsgebiet (48) ausgebildet. Das so ausgebildete Materialsubstrat (12,14, 16) wird zur Bildung der Oberflächenstruktur (26) selektiv geätzt, indem ein Rand des Begrenzungsgebiets (48) die Position der auszubildenden Oberflächenstruktur (26) auf dem Materialsubstrat (12,14,16) definiert.
摘要翻译：在一种用于在适合于生产集成电子元件材料基板的制造一个微机电装置，特别是半导体衬底的过程中，提供的材料衬底（12,14,16）的制造装置（26）的期间，在至少一个表面结构来形成。在材料衬底（12,14，16）的电子部件（30）使用常规方法的工艺步骤用于制造集成电子元件形成。在材料衬底（12,14,16）是有选择地将电子部件（30）和/或电子部件的所需的结构部件（44）的操作（30）的限定的位置由一个（在蚀刻材料基板12的情况下， 14,16）和/或布置在蚀刻（在形成在每一种情况下作为腐蚀材料衬底12,14,16）材料层（52）停止第一蚀刻停止材料的情况下。对于这种蚀刻停止材料是在形成将电子部件（30）的结构部件（44）也沿着该表面结构的边缘的至少一个局部部分的材料衬底（12,14,16）（26）上形成有该部分节边界约束区（48），由此形成的材料基板（12,14，16）被选择性地限定的边界区域（48）的表面的位置的一个边缘蚀刻以形成用于形成表面结构（26）的材料衬底（12,14,16）上的结构（26）。

39. 发明申请

WO2009125422A1 A SUB-THRESHOLD FORCED PLATE FET SENSOR FOR SENSING INERTIAL DISPLACEMENTS, A METHOD AND SYSTEM THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于感应惯性位移的亚阈板强制FET传感器，其方法和系统
公开(公告)号：WO2009125422A1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/IN2008/000386
申请日：2008-06-19
申请人： INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE , BHAT, Navakanta , PRATAP, Rudra , THEJAS, .
发明人： BHAT, Navakanta , PRATAP, Rudra , THEJAS, .
IPC分类号： G01L1/14 , G01L9/12 , G01L23/12 , H01L29/772
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0735 , G01C19/56 , G01P15/0894
摘要： The present invention relates to a Sub-threshold Field Effect Transistor (SF-FET). The invention integrates a MEMS mechanical transducer along with the sensing mechanism in a single device. Forced mass is capacitively coupled onto the FET structure. Dielectric SiO2 forms good interface with underlying silicon substrate. Air dielectric forms second dielectric wherein effective gate capacitance is the series combination of the second dielectric capacitance and fixed dielectric. Inertial displacements are sensed by observing change in drain current (I D ) of the sensor due to change in gap height (T G ap ) of the second dielectric of the sensor caused by forced mass.
摘要翻译：子阈值场效应晶体管（SF-FET）技术领域本发明涉及一种次阈值场效应晶体管（SF-FET）。本发明将MEMS机械传感器与感测机构一起集成在单个装置中。强制质量电容耦合到FET结构上。电介质SiO 2与底层硅衬底形成良好的界面。空气电介质形成第二电介质，其中有效栅极电容是第二介电电容和固定电介质的串联组合。通过观察由于强制质量引起的传感器的第二电介质的间隙高度（T间隙）的变化，传感器的漏极电流（ID）的变化来检测惯性位移。

40. 发明申请

WO2006078968A3 INTEGRATED PLANAR MICROFLUIDIC BIOANALYTICAL SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：综合平面微流化生物系统
公开(公告)号：WO2006078968A3
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：PCT/US2006002157
申请日：2006-01-20
申请人： UNIV BRIGHAM YOUNG , HAWKINS AARON R , PEENI BRIDGET , BARBER JOHN , WOOLLEY ADAM T , SCHMIDT HOLGER , LEE MILTON L
发明人： HAWKINS AARON R , PEENI BRIDGET , BARBER JOHN , WOOLLEY ADAM T , SCHMIDT HOLGER , LEE MILTON L
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G01N21/645 , B01L3/502707 , B01L3/502715 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2400/0418 , B01L2400/0421 , B81B2201/058 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , G01N21/6428 , G01N27/44791
摘要： A system and method for performing rapid, automated and high peak capacity separations of complex protein mixtures through the combination of fluidic and electrical elements on an integrated circuit, utilizing planar thin-film micromachining for both fluidic and electrical components.
摘要翻译：用于通过集成电路中的流体和电气元件的组合来执行复杂蛋白质混合物的快速，自动化和高峰值分离的系统和方法，利用用于流体和电气部件的平面薄膜微加工。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式