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1. 发明申请

WO2011083159A3 SEMICONDUCTOR SENSOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：半导体传感器COMPONENT
公开(公告)号：WO2011083159A3
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/EP2011050210
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN HAVE ARND
发明人： TEN HAVE ARND
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/786
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： The semiconductor component, in particular for use as a component that is sensitive to mechanical stresses in a micro-electromechanical semiconductor component, for example a pressure or acceleration sensor, is provided with a semiconductor substrate (1, 5), in the upper face of which an active region (78a, 200) made of a material of a first conductivity type is introduced by ion implantation. A bisecting channel region having a defined length (L) and width (B) is designed within the active region (78a, 200). In the active region (78a, 200), each of the ends of the channel region located in the longitudinal extension is followed by a contacting region (79, 80) made of a semiconductor material of a second conductivity type. The channel region is covered by an ion implantation masking material (81), which comprises transverse edges defining the length (L) of the channel region and longitudinal edges defining the width (B) of the channel region and which comprises an edge recess (201, 202) at each of the opposing transverse edges aligned with the longitudinal extension ends of the channel region, the contacting regions (79, 80) that adjoin the channel region extending all the way into said edge recess.
摘要翻译：半导体部件，尤其是用于在微机电HaIbIeiterbauelement例如用作机械应力敏感部件。作为压力或加速度传感器，通过离子注入，活性区域设置有半导体衬底（1,5），在其上表面（78A，200）从第一导电类型的材料引入。内的活性区域（78A，200）平分限定的长度（L）和宽度（B）的沟道区域中形成。到躺在纵向延伸在有源区中的沟道区的端部（78A，200）包括Kontaktierungsgebiet（79,80）中的第二导电类型的半导体材料的每个连接。沟道区是限定横向边缘的沟道区域的离子注入掩模材料（81）覆盖，所述长度（L），并限定纵向边缘的沟道区域的宽度（B）的，与沟道区对准的横向边缘分别具有外周凹部的，在其相对的，并与纵向延伸的端部（20 ，1.202），其直到到其中的（在沟道区相邻Kontaktierungsgebiete 79,80）延伸。

2. 发明申请

WO2011083159A2 HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2011083159A2
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2011/050210
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN HAVE, Arnd
发明人： TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： Das Halbleiterbauteil, insbesondere zur Verwendung als für mechanische Spannungen empfindliches Bauteil in einem mikroelektromechanischen HaIbIeiterbauelement wie z. B. einem Druck- oder Beschleunigungssensor, ist mit einem Halbleitersubstrat (1,5), in dessen Oberseite durch Ionenimplantation ein Aktivgebiet (78a, 200) aus einem Material eines ersten Leitungstyps eingebracht ist, versehen. Innerhalb des Aktivgebiets (78a, 200) ist ein halbierendes Kanalgebiet einer definierten Länge (L) und Breite (B) ausgebildet. An den in Längserstreckung liegenden Enden des Kanalgebiets in dem Aktivgebiet (78a, 200) schließen sich jeweils ein Kontaktierungsgebiet (79,80) aus einem Halbleitermaterial von einem zweiten Leitungstyp an. Das Kanalgebiet ist von einem Ionenimplantationsmaskierungsmaterial (81) überdeckt, das die Länge (L) des Kanalgebiets definierende Querränder sowie die Breite (B) des Kanalgebiets definierende Längsränder aufweist und dass an seinen gegenüberliegenden und mit den Längserstreckungsenden des Kanalgebiets fluchtenden Querrändern jeweils eine Randaussparung (20,1,202) aufweist, bis in die hinein sich die an das Kanalgebiet angrenzenden Kontaktierungsgebiete (79,80) erstrecken.
摘要翻译：半导体部件，尤其是用于在微机电HaIbIeiterbauelement例如用作机械应力敏感部件。作为压力或加速度传感器，通过离子注入，活性区域设置有半导体衬底（1,5），在其上表面（78A，200）从第一导电类型的材料引入。内的活性区域（78A，200）平分限定的长度（L）和宽度（B）的沟道区域中形成。到躺在纵向延伸在有源区中的沟道区的端部（78A，200）包括Kontaktierungsgebiet（79,80）中的第二导电类型的半导体材料的每个连接。沟道区是限定横向边缘的沟道区域的离子注入掩模材料（81）覆盖，所述长度（L），并限定纵向边缘的沟道区域的宽度（B）的，与沟道区对准的横向边缘分别具有外周凹部的，在其相对的，并与纵向延伸的端部（20 ，1.202），其直到到其中的（在沟道区相邻Kontaktierungsgebiete 79,80）延伸。

3. 发明申请

WO2011083158A3 MIKROELEKTROMECHANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011083158A3
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2011/050209
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN HAVE, Arnd Dr.
发明人： TEN HAVE, Arnd Dr.
IPC分类号： B81B3/00 , G01L9/00
摘要： Das mikroelektromechanisches Halbleiterbauelement ist mit einem Halbleitersubstrat (16) versehen, in dem eine Kavität (18) ausgebildet ist, welche durch Seitenwände ( 18a) und durch eine Deck- sowie eine Bodenwand (18c, 18b) begrenzt ist. Die Deck- oder Bodenwand (18c, 18b) ist zwecks deren flexibler Anbindung an den Bereich des Halbleitersubstrats ( 16) um die Kavität (18) herum mit Gräben (19) versehen, zwischen denen Biegestege (20) ausgebildet sind. Innerhalb mindestens eines dieser Biegestege (20) ist mindestens ein gegenüber mechanischen Spannungen empfindliches Messelement (22) ausgebildet. Die Deck- oder Bodenwand ( 18c,18b) weist innerhalb ihres von den Gräben (19) umgebenen zentralen Bereichs (21 ) eine Vielzahl von die Masse des zentralen Bereichs (21) reduzierenden Vertiefungen (97a) und eine Vielzahl von die Vertiefungen (97a) trennenden Versteifungsstreben (97b) auf,

4. 发明申请

WO2011083158A2 MICRO-ELECTROMECHANICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：微机电半导体部件
公开(公告)号：WO2011083158A2
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2011050209
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN HAVE ARND DR
发明人： TEN HAVE ARND DR
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a semiconductor substrate (16) in which a cavity (18) is formed, which is delimited by lateral walls (18a) and by a ceiling and a floor wall (18c, 18b). In order to form a flexible connection to the region of the semiconductor substrate (16), the ceiling or floor wall (18c, 18b) is provided with grooves (19) around the cavity (18), and flexible webs (20) are formed between said grooves. At least one measuring element (22) that is sensitive to mechanical stresses is formed inside at least one of said flexible webs (20). Inside the central region (21) surrounded by the grooves (19), the ceiling or floor wall (18c, 18b) comprises a plurality of depressions (97a) reducing the mass of the central region (21) and a plurality of stiffening braces (97b) separating the depressions (97a).
摘要翻译：微机电半导体装置具备半导体衬底（16）形成在所述一个腔体（18）由侧壁（18A）中所定义并且由甲板和一底壁（18c和18b）是有限的。顶壁或底壁（18c和18b），用于其周围的周围设置有槽形成弯曲腹板（20），其（19）之间的空腔（18）的半导体衬底（16）的柔性区域连接的目的。内弯曲腹板中的至少一个（20）的至少一个以机械应力敏感的测量元件（22）形成。顶壁或底壁（18c和18b）具有其内从沟槽包围（19）中心部分（21）的多个减少的凹部（97A）的中心部分（21）的质量和多个凹陷（97A）上分离所述加强支柱（97B），

5. 发明申请

WO2011117181A3 METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTROMECHANICAL DEVICE AND MICROELECTROMECHANICAL DEVICE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机电装置和微机电器件
公开(公告)号：WO2011117181A3
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011054220
申请日：2011-03-21
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN-HAVE ARND
发明人： TEN-HAVE ARND
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： G01L1/16 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C1/00626 , B81C2203/0735 , G01L9/0047 , G01L9/0054 , G01L9/0098 , H01L27/20 , H01L29/66075
摘要： The invention relates to a method for producing a microelectromechanical device in a material substrate suitable for producing integrated electronic components, in particular a semiconductor substrate, wherein a material substrate (12, 14, 16) is provided on which at least one surface structure (26) is to be formed during production of the device. An electronic component (30) is formed in the material substrate (12, 14, 16) using process steps of a conventional method for producing integrated electronic components. A device component (44) defining the position of the electronic component (30) and/or required for the function of the electronic component (30) is selectively formed on the material substrate (12, 14, 16) from an etching stop material acting as an etching stop in case of etching of the material substrate (12, 14, 16) and/or in case of etching of a material layer (52) disposed on the material substrate (12, 14, 16). When the device component (44) of the electronic component (30) is implemented, a boundary region (48) is also formed on the material substrate (12, 14, 16) along at least a partial section of an edge of the surface structure (26), wherein said boundary region bounds said partial section. The material substrate (12, 14, 16) thus implemented is selectively etched for forming the surface structure (26), in that the edge of the bounding region (48) defines the position of the surface structure (26) to be implemented on the material substrate (12, 14, 16).
摘要翻译：在一种用于在适合于生产集成电子元件材料基板的制造一个微机电装置，特别是半导体衬底的过程中，提供的材料衬底（12,14,16）的制造装置（26）的期间，在至少一个表面结构来形成。在材料衬底（12,14，16）的电子部件（30）使用常规方法的工艺步骤用于制造集成电子元件形成。在材料衬底（12,14,16）是有选择地将电子部件（30）和/或电子部件的所需的结构部件（44）的操作（30）的限定的位置由一个（在蚀刻材料基板12的情况下， 14,16）和/或布置在蚀刻（在形成在每一种情况下作为腐蚀材料衬底12,14,16）材料层（52）停止第一蚀刻停止材料的情况下。对于这种蚀刻停止材料是在形成将电子部件（30）的结构部件（44）也沿着该表面结构的边缘的至少一个局部部分的材料衬底（12,14,16）（26）上形成有该部分节边界约束区（48），由此形成的材料基板（12,14，16）被选择性地限定的边界区域（48）的表面的位置的一个边缘蚀刻以形成用于形成表面结构（26）的材料衬底（12,14,16）上的结构（26）。

6. 发明申请

WO2011117181A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROELEKTROMECHANISCHEN VORRICHTUNG UND MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机电装置和微机电器件
公开(公告)号：WO2011117181A2
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/054220
申请日：2011-03-21
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN-HAVE, Arnd
发明人： TEN-HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： G01L1/16 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C1/00626 , B81C2203/0735 , G01L9/0047 , G01L9/0054 , G01L9/0098 , H01L27/20 , H01L29/66075
摘要： Bei Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Vorrichtung in einem für die Herstellung integrierter elektronischer Bauteile geeigneten Materialsubstrat, insbesondere Halbleitersubstrat, wird ein Materialsubstrat (12,14,16) bereitgestellt, auf dem während der Herstellung der Vorrichtung mindestens eine Oberflächenstruktur (26) auszubilden ist. In dem Materialsubstrat (12,14, 16) wird unter Verwendung von Prozessschritten eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung integrierter elektronischer Bauteile ein elektronisches Bauteil (30) ausgebildet. Auf dem Materialsubstrat (12,14,16) wird selektiv eine die Lage des elektronischen Bauteils (30) definierende und/oder für die Funktion des elektronischen Bauteils (30) erforderliche Bauteilkomponente (44) aus einem im Falle eines Ätzens des Materialsubstrats (12, 14,16) und/oder im Falle eines Ätzens einer auf dem Materialsubstrat (12,14,16) angeordneten Materialschicht (52) jeweils als Ätzstopp wirkendes erstes Ätzstopp-Material ausgebildet. Aus diesem Ätzstopp-Material wird bei Ausbildung der Bauteilkomponente (44) des elektronischen Bauteils (30) auch auf dem Materialsubstrat (12,14,16) längs zumindest eines Teilabschnitts eines Randes der Oberflächenstruktur (26) ein diesen Teilabschnitt begrenzendes Begrenzungsgebiet (48) ausgebildet. Das so ausgebildete Materialsubstrat (12,14, 16) wird zur Bildung der Oberflächenstruktur (26) selektiv geätzt, indem ein Rand des Begrenzungsgebiets (48) die Position der auszubildenden Oberflächenstruktur (26) auf dem Materialsubstrat (12,14,16) definiert.
摘要翻译：在一种用于在适合于生产集成电子元件材料基板的制造一个微机电装置，特别是半导体衬底的过程中，提供的材料衬底（12,14,16）的制造装置（26）的期间，在至少一个表面结构来形成。在材料衬底（12,14，16）的电子部件（30）使用常规方法的工艺步骤用于制造集成电子元件形成。在材料衬底（12,14,16）是有选择地将电子部件（30）和/或电子部件的所需的结构部件（44）的操作（30）的限定的位置由一个（在蚀刻材料基板12的情况下， 14,16）和/或布置在蚀刻（在形成在每一种情况下作为腐蚀材料衬底12,14,16）材料层（52）停止第一蚀刻停止材料的情况下。对于这种蚀刻停止材料是在形成将电子部件（30）的结构部件（44）也沿着该表面结构的边缘的至少一个局部部分的材料衬底（12,14,16）（26）上形成有该部分节边界约束区（48），由此形成的材料基板（12,14，16）被选择性地限定的边界区域（48）的表面的位置的一个边缘蚀刻以形成用于形成表面结构（26）的材料衬底（12,14,16）上的结构（26）。

7. 发明申请

WO2012163783A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOS-TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于生产MOS晶体管
公开(公告)号：WO2012163783A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/059675
申请日：2012-05-24
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
发明人： KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/764
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2201/0192 , G01L9/0045
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit vergrabenem Hohlraum (64), bei dem ein erstes Halbleitersubstrat (10) mit einer Oberseite (22) bereitgestellt wird und in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) eine Vertiefung ausgebildet wird. Ferner wird ein zweites Halbleitersubstrat (26) mit Kristallgitterebenen und einer Oberseite (28) bereitgestellt, die sich im Wesentlichen parallel zu den Kristallgitterebenen erstreckt, und eine der Kristallgitterebenen, die sich in einem gewünschten Abstand von der Oberseite (28) des zweiten Halbleitersubstrats (26) befindet, zur Erzeugung einer Sollbruchebene mittels Ionenimplantation geschwächt wird. Das zweite Halbleitersubstrat (26) wird mit seiner Oberseite (28) auf der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) unter Vakuumbedingungen verbondet, wobei das zweite Halbleitersubstrat (26) zur Bildung eines vergrabenen Hohlraums (60) die Vertiefung (20) in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) überdeckt. Das zweite Halbleitersubstrat wird (26) entlang der Sollbruchebene zum Verbleib einer Membranschicht (34) auf der Oberseite (22) des ersten Halbieitersubstrats (10) gespalten.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于与掩埋空腔（64），其中提供了一种具有顶部（22），在第一半导体基板（10）一种制造半导体结构和在所述第一半导体基板的上侧（22）（10）的凹部形成。此外，设置有晶格平面的第二半导体基板（26）和上侧（28），其基本上平行于晶体晶格面，并相交于从所述第二半导体基板的所述顶部（28）的期望距离的晶格面（26 ）的，用于产生通过离子注入预定的断裂强度越弱。第二半导体基板（26）结合，其上表面（28）上的真空条件下的第一个半导体衬底（10）的顶部（22），所述第二半导体基板（26），以形成在掩埋空腔（60），凹部（20）在第一半导体衬底的所述顶侧（22）（10）覆盖。在第二半导体衬底被切割（26）沿着预定断裂面保留在第一Halbieitersubstrats（10）的顶部（22）上的薄膜层（34）。

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