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1. 发明申请

WO2014151525A3 COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：补充金属氧化物半导体（CMOS）超声波传感器及其形成方法
公开(公告)号：WO2014151525A3
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：PCT/US2014025924
申请日：2014-03-13
申请人： BUTTERFLY NETWORK INC
发明人： ROTHBERG JONATHAN M , FIFE KEITH G , RALSTON TYLER S , CHARVAT GREGORY L , SANCHEZ NEVADA J
IPC分类号： B06B1/02 , B81C1/00 , G01N29/24
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/0195 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01N29/2406 , H01L29/84 , H04R19/005
摘要： Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers (CUTs) and methods for forming CUTs are described. The CUTs may include monolithically integrated ultrasonic transducers and integrated circuits for operating in connection with the transducers. The CUTs may be used in ultrasound devices such as ultrasound imaging devices and/or high intensity focused ultrasound (HIFU) devices.
摘要翻译：描述了互补金属氧化物半导体（CMOS）超声波换能器（CUT）以及用于形成CUT的方法。 CUT可以包括用于与换能器连接的单体集成超声换能器和集成电路。 CUT可用于超声波装置，例如超声成像装置和/或高强度聚焦超声（HIFU）装置。

2. 发明申请

WO2014136461A1 ULTRASOUND SENSOR ELEMENT, ULTRASOUND SENSOR ARRAY ASSEMBLY, ULTRASOUND TRANSMIT SENSOR ELEMENT, IMAGING DEVICE, ULTRASOUND TRANSDUCER, AND METHOD OF PERFORMING AN ULTRASOUND SCAN 审中-公开
标题翻译：超声波传感器元件，超声波传感器阵列组件，超声波传感器元件，成像装置，超声波传感器和执行超声波扫描的方法
公开(公告)号：WO2014136461A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/JP2014/001295
申请日：2014-03-07
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： BROWN, Christopher James , PRIOR-JONES, Michael Robert , HADWEN, Benjamin James
IPC分类号： A61B8/00 , G01N29/24
CPC分类号： A61B8/4477 , A61B8/14 , A61B8/4281 , A61B8/4455 , A61B8/4488 , A61B8/4494 , A61B8/462 , A61B8/58 , B06B1/0207 , B06B2201/51 , B81B2201/0292 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , G01S7/5202 , G01S7/52025 , G01S7/52079 , G01S7/5208 , G01S7/52084 , G01S15/8925 , G01S15/8927 , G01S15/8993 , G10K11/341 , G10K11/346
摘要： Methods and apparatus for ultrasound imaging using ultrasound sensor elements comprising thin film transistors. Specifically, ultrasound elements for use in a two dimensional array of ultrasound elements, two dimensional arrays of ultrasound elements, ultrasound sensor element array assemblies, ultrasound imaging devices and methods of performing an ultrasound scan using a two dimensional array of ultrasound elements. A sensor element comprises: an ultrasound transducer, a transmit circuit configured to provide an electrical signal to the transducer for output of an ultrasound signal; and a receive circuit configured to receive an electrical signal from the transducer, based on a received reflected ultrasound signal, wherein the transmit and receive circuits each comprise one or more thin film transistors.
摘要翻译：使用包括薄膜晶体管的超声波传感器元件进行超声成像的方法和装置。具体地，用于超声波元件的二维阵列的超声波元件，超声波元件的二维阵列，超声波传感器元件阵列组件，超声成像装置以及使用超声元件的二维阵列进行超声扫描的方法。传感器元件包括：超声换能器，被配置为向换能器提供电信号以用于输出超声信号的发射电路; 以及接收电路，其被配置为基于所接收的反射超声信号从所述换能器接收电信号，其中所述发射和接收电路各自包括一个或多个薄膜晶体管。

3. 发明申请

WO2012066178A3 METHODS AND SYSTEMS FOR FABRICATION OF MEMS CMOS DEVICES IN LOWER NODE DESIGNS 审中-公开
标题翻译：以较低节点设计制造MEMS CMOS器件的方法和系统
公开(公告)号：WO2012066178A3
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/ES2011070806
申请日：2011-11-21
申请人： BAOLAB MICROSYSTEMS SL , MONTANYA SILVESTRE JOSEP
发明人： MONTANYA SILVESTRE JOSEP
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2207/07 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L21/7682
摘要： A method for manufacturing an integrated circuit including producing layers that form one or more electrical and/or electronic elements on a semiconductor material substrate followed by an Inter Level Dielectric (ILD) layer. Then, producing interconnection layers comprising the steps of depositing a first layer of etch stopper material above the ILD layer, depositing a second layer of dielectric material above and in contact with the first layer, forming at least one track extending through the first and second layers, and filling the at least one track with a non-metallic material.
摘要翻译：一种用于制造集成电路的方法，所述集成电路包括制造在半导体材料衬底上形成一个或多个电气和/或电子元件的层，随后是层间电介质（ILD）层。然后，制造互连层，包括以下步骤：在ILD层上方沉积第一层蚀刻阻挡层材料，在第一层上方并与第一层接触沉积第二层介电材料，形成延伸穿过第一层和第二层的至少一个轨道以及用非金属材料填充所述至少一个轨道。

4. 发明申请

WO2012066178A2 MÉTODOS Y SISTEMAS PARA LA FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS DE CMOS DE MEMS EN DISEÑOS DE NODO INFERIOR 审中-公开
标题翻译：用于在较低节点设计中制造MEMS CMOS器件的方法和系统
公开(公告)号：WO2012066178A2
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/ES2011/070806
申请日：2011-11-21
申请人： BAOLAB MICROSYSTEMS SL , MONTANYÀ SILVESTRE, Josep
发明人： MONTANYÀ SILVESTRE, Josep
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2207/07 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L21/7682
摘要： Un método para fabricar un circuito integrado que incluye producir capas que forman uno o más elementos eléctricos y/o electrónicos sobre un sustrato de material semiconductor. A continuación, la producción de capas de ILD por encima de las capas que forman uno o más elementos eléctricos y/o electrónicos incluye las etapas de depositar una primera capa de material de barrera ante el ataque químico superficial, depositar una segunda capa de material dieléctrico por encima de la primera capa y en contacto con ella, formar al menos una pista que se extiende a través de las primera y segunda capas, y llenar la al menos una pista con un material no metálico.
摘要翻译：一种用于制造集成电路的方法，包括在半导体材料衬底上形成一个或多个电和/或电子元件的层，随后是层间介电层（ILD）层。然后，产生互连层，包括以下步骤：在ILD层上方沉积第一层蚀刻停止材料层，将第二层介电材料沉积在第一层之上并与第一层接触，形成延伸穿过第一层和第二层的至少一条轨道，并且用非金属材料填充所述至少一个轨道。

5. 发明申请

WO2012012939A1 CMOS COMPATIBLE MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译： CMOS兼容MEMS麦克风及其制造方法
公开(公告)号：WO2012012939A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/CN2010/075514
申请日：2010-07-28
申请人： GOERTEK INC. , WANG, Zhe
发明人： WANG, Zhe
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00 , H04R7/00
CPC分类号： H04R31/00 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H04R19/005 , H04R19/04
摘要： The present invention relates to a CMOS compatible MEMS microphone, comprising: an SOI substrate, wherein a CMOS circuitry is accommodated on its silicon device layer; a microphone diaphragm formed with a part of the silicon device layer, wherein the microphone diaphragm is doped to become conductive; a microphone backplate including CMOS passivation layers with a metal layer sandwiched and a plurality of through holes, provided above the silicon device layer, wherein the plurality of through holes are formed in the portions thereof opposite to the microphone diaphragm, and the metal layer forms an electrode plate of the backplate; a plurality of dimples protruding from the lower surface of the microphone backplate opposite to the diaphragm; and an air gap, provided between the diaphragm and the microphone backplate, wherein a spacer forming a boundary of the air gap is provided outside of the diaphragm or on the edge of the diaphragm; wherein a back hole is formed to be open in substrate underneath the diaphragm so as to allow sound pass through, and the microphone diaphragm is used as an electrode plate to form a variable capacitive sensing element with the electrode plate of the microphone backplate.
摘要翻译：本发明涉及一种CMOS兼容MEMS麦克风，包括：SOI衬底，其中CMOS电路容纳在其硅器件层上; 形成有硅器件层的一部分的麦克风隔膜，其中所述麦克风隔膜被掺杂以变成导电; 麦克风背板，其具有夹在金属层上的CMOS钝化层和设置在硅器件层上方的多个通孔，其中多个通孔形成在与麦克风隔膜相对的部分中，并且金属层形成背板电极板; 从所述麦克风背板的与所述隔膜相对的下表面突出的多个凹坑; 以及设置在隔膜和麦克风背板之间的气隙，其中形成气隙边界的间隔件设置在隔膜的外侧或隔膜的边缘上; 其特征在于，在所述振动板的下方的基板上形成有开放的孔，以使声音通过，所述麦克风隔膜用作电极板，以形成具有所述麦克风背板的电极板的可变电容感测元件。

6. 发明申请

WO2008067294A3 MICROFABRICATION METHODS FOR FORMING ROBUST ISOLATION AND PACKAGING 审中-公开
标题翻译：用于形成坚固的隔离和包装的微加工方法
公开(公告)号：WO2008067294A3
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/US2007085609
申请日：2007-11-27
申请人： UNIV FLORIDA , XIE HUIKAI
发明人： XIE HUIKAI
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B3/007 , B81B3/0081 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735
摘要： Provided are electrical single-crystal silicon (SCS) isolation devices and methods for manufacturing the SCS isolation devices. The isolation device can include a trench isolation structure formed using a trench having sidewall dielectrics and a follow-up filling of a metal or a polymer that is conductive or nonconductive. Metals such as a copper can be electroplated to fill the trench to provide robust mechanical support and a thermal conducting path for subsequent fabrication processes. In addition, exemplary embodiments provide a CMOS compatible process for self-packaging the disclosed isolation device or other devices from CMOS processing. In an exemplary embodiment, a backside packaging can be performed on a structured substrate prior to fabricating the active structures from the front side. Following the formation of the active structures (e.g., movable micro-sensors), a front-side packaging can be performed using bonding pads to complete the disclosed self-packaging process.
摘要翻译：提供了电单晶硅（SCS）隔离装置和用于制造SCS隔离装置的方法。隔离装置可以包括使用具有侧壁电介质的沟槽和随后填充导电或不导电的金属或聚合物的沟槽形成的沟槽隔离结构。可以电镀铜等金属以填充沟槽，从而为随后的制造工艺提供坚固的机械支撑和导热路径。另外，示例性实施例提供用于将所公开的隔离装置或其他装置自包装进CMOS处理的CMOS兼容工艺。在示例性实施例中，可以在从正面制造有源结构之前在结构化衬底上执行背面封装。在形成有源结构（例如，可移动的微型传感器）之后，可使用接合焊盘来执行正面封装以完成所公开的自封装过程。

7. 发明申请

WO2007061059A1 センサ装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：传感器装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2007061059A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/JP2006/323459
申请日：2006-11-24
申请人：松下電工株式会社 , 奥戸崇史 , 鈴木裕ニ , 竹川宜志 , 馬場徹 , 後藤浩嗣 , 宮島久和 , 片岡万士 , 西條隆司
发明人：奥戸崇史 , 鈴木裕ニ , 竹川宜志 , 馬場徹 , 後藤浩嗣 , 宮島久和 , 片岡万士 , 西條隆司
IPC分类号： H01L23/02 , G01P15/08
CPC分类号： G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/0842
摘要：　安定したセンサ特性を有する小型のセンサ装置およびその製造方法を提供する。センサ装置は、開口を有するフレームと、フレームに対して可動に開口内に保持される可動部と、可動部の位置変位に基づいて電気信号を出力する検出部を有するセンサ基板と、センサ基板の両面に接合される一対のパッケージ基板とで構成される。センサ基板のフレームと各パッケージ基板には、不活性ガスのプラズマ、イオンビームまたは原子ビームを使用して表面活性化領域が形成される。センサ基板とパッケージ基板の表面活性化領域同士を常温下で直接接合することにより、接合部の残留応力に起因する不具合を回避することができる。
摘要翻译：提供了具有稳定的传感器特性的小型传感器装置，以及制造这种传感器装置的方法。该传感器装置由设置有具有开口的框架的传感器基板，可移动地保持在开口中的框架的可移动部分和用于基于可移动部分的位置错位输出电信号的检测部分; 以及粘合在传感器基板的两个平面上的一对封装基板。在传感器基板和每个封装基板的框架上，通过使用等离子体，离子束或惰性气体的原子束形成表面活化区域。通过在室温下直接将传感器基板的表面活化区域与封装基板的表面激活区域结合，来消除由于接合部分的残余应力引起的故障。

8. 发明申请

WO2003095707A2 METHOD OF AND APPARATUS FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURES INTEGRAL WITH SEMICONDUCTOR BASED CIRCUITRY 审中-公开
标题翻译：用基于半导体的电路形成三维结构的方法和装置
公开(公告)号：WO2003095707A2
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/US2003/014661
申请日：2003-05-07
申请人： MEMGEN CORPORATION
发明人： COHEN, Adam, L. , ZHANG, Gang
IPC分类号： C25D1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/042 , B81C1/00126 , B81C2203/0735 , C23C4/01 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C23C28/00 , C23C28/048 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/36 , C25D1/003 , C25D5/022 , C25D7/123 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01P1/202 , H01P3/06 , H01P5/183 , H01P11/00 , H01P11/005 , H05K3/4647
摘要： Enhanced Electrochemical fabrication processes are provided that can form three-dimensional multi-layer structures using semiconductor based circuitry as a substrate. Electrically functional portions of the structure are formed from structural material (e.g. nickel) that adheres to contact pads of the circuit. Aluminum contact pads and silicon structures are protected from copper diffusion damage by application of appropriate barrier layers. In some embodiments, nickel is applied to the aluminum contact pads via solder bump formation techniques using electroless nickel plating. In other embodiments, selective electroless copper plating or direct metallization is used to plate sacrificial material directly onto dielectric passivation layers. In still other embodiments, structural material deposition locations are shielded, then sacrificial material is deposited, the shielding is removed, and then structural material is deposited. In still other embodiments structural material is made to attach to non-contact pad regions.
摘要翻译：提供了增强的电化学制造工艺，其可以使用基于半导体的电路作为衬底形成三维多层结构。结构的电功能部分由粘附到电路的接触垫的结构材料（例如镍）形成。铝接触焊盘和硅结构通过施加适当的阻挡层来保护铜扩散损坏。在一些实施例中，通过使用无电镀镍的焊料凸块形成技术将镍施加到铝接触焊盘。在其他实施例中，使用选择性无电镀铜或直接金属化将牺牲材料直接镀在电介质钝化层上。在其他实施例中，屏蔽结构材料沉积位置，然后沉积牺牲材料，去除屏蔽，然后沉积结构材料。在其它实施例中，使结构材料附着到非接触焊盘区域。

9. 发明申请

WO2003023849A1 MICROELECTRONIC MECHANICAL SYSTEM AND METHODS 审中-公开
标题翻译：微电子机械系统与方法
公开(公告)号：WO2003023849A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/US2002/027822
申请日：2002-08-29
申请人： SILICON LIGHT MACHINES
发明人： BRUNER, Mike
IPC分类号： H01L23/02
CPC分类号： B81C1/00484 , B81B2201/0271 , B81B2203/0136 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , B81C2201/0109 , B81C2201/014 , B81C2203/0136 , B81C2203/0735
摘要： The current invention provides for encapsulated release structures, intermediates thereof and methods for their fabrication. The multi-layer structure has a capping layer (211) that preferably comprises silicon oxide and/or silicon nitride and which is formed over an etch resistant substrate (203). A patterned device layer (206), preferably comprising silicon nitride, is embedded in a sacrificial material (205, 209), preferably comprising polysilicon, and is disposed between the etch resistant substrate (203) and the capping layer (211). Access trenches or holes (219) are formed into the capping layer (211) and the sacrificial material (205, 209) is selectively etched through the access trenches (219) such that portions of the device layer (206) are released from the sacrificial material (205, 209). The etchant preferably comprises a noble gas fluoride N g F 2x (wherein Ng = Xe, Kr or Ar: and where x = 1, 2 or 3). After etching that sacrificial material (205, 209), the access trenches (219) are sealed to encapsulate (241) released portions the device layer (206) between the etch resistant substrate (203) and the capping layer (211). The current invention is particularly useful for fabricating MEMs devices, multiple cavity devices and devices with multiple release features.
摘要翻译：本发明提供了包封的释放结构，其中间体及其制备方法。多层结构具有优选包括氧化硅和/或氮化硅并且形成在耐蚀刻衬底（203）上的覆盖层（211）。优选地包括氮化硅的图案化器件层（206）嵌入在牺牲材料（205,209）中，优选地包括多晶硅，并且设置在耐蚀刻衬底（203）和覆盖层（211）之间。进入沟槽或孔（219）形成为覆盖层（211），并且牺牲材料（205,209）通过通路沟槽（219）被选择性蚀刻，使得器件层（206）的部分从牺牲层材料（205,209）。蚀刻剂优选包含惰性气体氟化物NgF2x（其中Ng = Xe，Kr或Ar：其中x = 1,2或3）。在蚀刻该牺牲材料（205,209）之后，密封接入沟槽（219）以将该器件层（206）的封装（241）释放部分封装在耐蚀刻衬底（203）和覆盖层（211）之间。本发明对于制造具有多个释放特征的MEM器件，多腔器件和器件特别有用。

10. 发明申请

WO01077008A1 MICROMECHANICAL COMPONENT AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：微机械结构及相应方法
公开(公告)号：WO01077008A1
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：PCT/DE2001/001116
申请日：2001-03-22
IPC分类号： G01P15/08 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/20 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0735
摘要： The invention relates to a micromechanical component with a substrate (1), a micromechanical functional plane surface (100) provided on the substrate, a covering plane surface (200), provided on the micromechanical plane surface (100) and a conductor path plane surface (300) provided on the cover plane surface (200). The cover plane surface (200) comprises a monocrystalline region (14), grown epitactically on an underlying monocrystalline region (7, 24) and the cover plane surface (200) comprises a polycrystalline region (15), grown epitactically and simultaneously on an underlying polycrystalline seed layer (13).
摘要翻译：本发明提供了一种具有衬底（1）的微机械部件; 设置在基板的微机械的功能（100）面的开口; 一个在微机械功能平面提供（100）覆盖平面（200）; 和一个在覆盖平面（200）提供了一种用于带状导体平面（300）。覆盖平面（200）包括一个单晶区域（14）在其上外延生长在下层单晶区域（7; 24）被升高，和覆盖平面（200）包括一个多晶区域（15），其在同一时间上的外延底层多晶开始层（13）生长。

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