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1. 发明申请

WO2014004067A1 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH AIR PRESSURE SENSOR 审中-公开
标题翻译：带空气压力传感器的半导体封装
公开(公告)号：WO2014004067A1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：PCT/US2013/045026
申请日：2013-06-10
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： LIN, Kevin, L. , MA, Qing , EID, Feras , SWAN, Johanna , TEH, Weng Hong
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/065
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B7/0058 , B81B7/0077 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00246 , G01L9/0047 , G01L9/007 , G01L9/0073 , H01L24/19 , H01L29/84 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162
摘要： A semiconductor package having an air pressure sensor and methods to form a semiconductor package having an air pressure sensor are described. For example, a semiconductor package includes a plurality of build-up layers. A cavity is disposed in one or more of the build-up layers. An air pressure sensor is disposed in the plurality of build-up layers and includes the cavity and an electrode disposed above the cavity. Also described are various approaches to fabricating a semiconductor package having a hermetically sealed region.
摘要翻译：描述了具有空气压力传感器的半导体封装和形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，半导体封装包括多个堆积层。空腔设置在一个或多个堆积层中。空气压力传感器设置在多个积聚层中，并且包括空腔和设置在空腔上方的电极。还描述了制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。

2. 发明申请

WO2007118183A3 PRESSURE TRANSDUCER WITH INCREASED SENSITIVITY 审中-公开
标题翻译：压力传感器具有提高的灵敏度
公开(公告)号：WO2007118183A3
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/US2007066123
申请日：2007-04-06
申请人： HONEYWELL INT INC , STEWART CARL E , HANCOCK PETER G
发明人： STEWART CARL E , HANCOCK PETER G
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L9/0042 , G01L9/0047
摘要： Silicon piezoresistor low pressure transducers can not be made cost effectively with a full scale output large enough to interface to control electronics. The size of the diaphragm, and therefore the size of the die required to produce a sufficient span make the die cost prohibitive. Simultaneously forming transistors and composite diaphragms with a common series of semiconductor processing steps supplies sensing elements and amplifier elements in close proximity. The transistors can be configured to amplify voltages or currents produced by piezoresistors located on the composite diaphragm to produce an output large enough to interface with control electronics. As such, a smaller die results in a cost effective transducer.
摘要翻译：硅压敏电阻器低压传感器不能具有成本效益，其全尺寸输出足够大以连接到控制电子器件。隔膜的尺寸，因此产生足够跨度所需的模具的尺寸使得模具成本过高。通过一系列半导体处理步骤同时形成晶体管和复合膜片提供感应元件和放大器元件。晶体管可以被配置为放大位于复合膜片上的压敏电阻产生的电压或电流，以产生足够大的输出以与控制电子器件连接。因此，较小的管芯导致成本有效的换能器。

3. 发明申请

WO2007058010A1 半導体圧力センサおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2007058010A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2006/317053
申请日：2006-08-30
申请人：三菱電機株式会社 , 出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
发明人：出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
摘要：　半導体圧力センサは、シリコン支持基板（１）と、シリコン支持基板（１）上に形成された絶縁層（２）と、絶縁層（２）上に形成されたシリコン薄板（３）とを備えている。シリコン支持基板（１）にはその厚さ方向に延びる貫通孔（１ａ）が形成されている。貫通孔（１ａ）の延長線上に位置するシリコン薄板（３）は、外部からの圧力によって変形するダイヤフラム（２３）として機能する。絶縁層（２）は、ダイヤフラム（２３）の下面の全体にわたって残存している。絶縁層（２）の厚さは、ダイヤフラム（２３）の周縁部から中央部に向かって小さくなっている。これによれば、オフセット電圧および温度変化に起因した出力電圧の変動量の双方を低減し得る半導体圧力センサおよびその製造方法が得られる。
摘要翻译：半导体压力传感器包括硅支撑基板（1），形成在硅支撑基板（1）上的绝缘层（2）和形成在绝缘层（2）上的硅薄板（3）。在硅支撑基板（1）上形成在硅支撑基板（1）的厚度方向上延伸的通孔（1a）。位于通孔（1a）的延伸部上的硅薄板（3）用作通过外部压力变形的隔膜（23）。绝缘层（2）保持在隔膜（23）的整个下表面上。绝缘层（2）的厚度从隔膜（23）的周边部分向中心部分减小。这提供了半导体压力传感器能够降低偏移电压和由温度变化引起的输出电压的变化及其制造方法。

4. 发明申请

WO2016203106A1 MEMS CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译： MEMS电容式传感器和制造方法
公开(公告)号：WO2016203106A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/FI2016/050424
申请日：2016-06-14
申请人： TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY
发明人： ERMOLOV, Vladimir , SAARILAHTI, Jaakko
IPC分类号： G01L9/00 , G01L19/06 , B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0047 , B81B3/0051 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , G01L19/0618
摘要： According to an example aspect of the present invention, there is provided a MEMS capacitive pressure sensor (1), comprising a first electrode (17), a deformable second electrode (18) being electrically insulated from the first electrode (17) by means of a chamber (4) between the first electrode (17) and the second electrode (18), and wherein at least one of the first electrode (17) and the second electrode (18) includes at least one pedestal (5) protruding into the chamber (4). According to another example aspect of the present invention, there is also provided a method for manufacturing a MEMS capacitive pressure sensor (1).
摘要翻译：根据本发明的示例性方面，提供了一种MEMS电容式压力传感器（1），其包括第一电极（17），可变形的第二电极（18），其与第一电极（17）电绝缘，借助于在所述第一电极（17）和所述第二电极（18）之间的室（4）中，所述第一电极（17）和所述第二电极（18）中的至少一个包括突出到所述第一电极室（4）。根据本发明的另一示例性方面，还提供了一种用于制造MEMS电容式压力传感器（1）的方法。

5. 发明申请

WO2016018461A1 PRESSURE SENSOR HAVING CAP-DEFINED MEMBRANE 审中-公开
标题翻译：带有定义膜的压力传感器
公开(公告)号：WO2016018461A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/US2015/015955
申请日：2015-02-13
申请人： SILICON MICROSTRUCTURES, INC.
发明人： ABED, Omar
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0048 , B81B7/0016 , G01L9/0042 , G01L9/0047 , G01L9/0051
摘要： Structures and methods of protecting membranes on pressure sensors. One example may provide a pressure sensor having a backside cavity defining a frame and under a membrane formed in a device layer. The pressure sensor may further include a cap joined to the device layer by a bonding layer. A recess for a reference cavity may be formed in one or more of the cap, bonding layer, and membrane or other device layer portion. The recess may have a width that is narrower than a width of the backside cavity in at least one direction. In other examples, the recess may be shaped such that it has an outer edge that is within an outer edge of the backside cavity. This may reinforce a junction of the device layer and frame. The recess may define an active membrane spaced away from the device layer and backside cavity junction.
摘要翻译：在压力传感器上保护膜的结构和方法。一个示例可以提供一种压力传感器，该压力传感器具有限定框架的背侧空腔以及在器件层中形成的膜下方。压力传感器还可以包括通过结合层连接到器件层的盖。用于参考空腔的凹槽可以形成在帽，粘合层，膜或其它器件层部分中的一个或多个中。所述凹部的宽度可以在至少一个方向上比所述背侧腔的宽度窄。在其他示例中，凹部可以成形为使得其具有位于背侧空腔的外边缘内的外边缘。这可能会加强设备层和框架的连接。凹部可以限定与器件层和背面腔结的间隔开的活性膜。

6. 发明申请

WO2012164975A1 静電容量型圧力センサ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电容式压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2012164975A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/JP2012/053474
申请日：2012-02-15
申请人：アルプス電気株式会社 , 牛膓英紀 , 矢澤久幸 , 菊入勝也
发明人：牛膓　英紀 , 矢澤　久幸 , 菊入　勝也
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/005 , G01L9/0073
摘要：【課題】　特に、良好な封止性及び感度を得ることができるとともに、寄生容量を低く抑えることが可能な静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】　シリコンからなる可動電極１１及び固定電極１２と、両電極間を接合する絶縁層１３と、を有して構成される。可動電極１１は、変位可能な感圧ダイヤフラム１４と、固定電極１２と絶縁層１３を介して接合される周縁部１６と、を有する。可動電極１１は固定電極１２の外周側面１２ａよりも内側に形成されて、可動電極１１の周囲に固定電極１２の延出表面２０が広がっており、絶縁層１３は、周縁部１６と固定電極１２との間から延出表面２０の全域にかけて形成されている。
摘要翻译： [问题]提供一种电容式压力传感器，特别是其中可以实现令人满意的密封性能和灵敏度，并且可以最小化寄生电容，还提供一种制造该电容式压力传感器的方法。电解压力传感器具有可动电极（11）和由硅制成的固定电极（12）和用于将电极连接在一起的绝缘层（13）。可动电极（11）具有能够移位的压敏膜（14）和经由固定电极（12）和绝缘层（13）接合的周边部分（16）。可动电极（11）比固定电极（12）的外周面（12a）更靠内侧，固定电极（12）的突出面（20）向可动电极（11）的周围变宽，并且绝缘层（13）从外围边缘部分（16）和固定电极（12）之间形成在整个突出表面（20）上。

7. 发明申请

WO2011083162A3 MICRO-ELECTROMECHANICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT SENSOR 审中-公开
标题翻译：微机电半导体组件传感器
公开(公告)号：WO2011083162A3
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/EP2011050213
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , DOELLE MICHAEL
发明人： DOELLE MICHAEL
IPC分类号： H01L21/18 , G01L9/00 , G01L19/04
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a semiconductor substrate (4, 5), a reversibly deformable bending element (8a) made of semiconductor material, and at least one transistor that is sensitive to mechanical stresses, said transistor being designed as an integrated component in the bending element (8a). The transistor is arranged in an implanted active region pan (78a) that is made of a semiconductor material of a first conducting type and is introduced in the bending element (8a). Two mutually spaced, implanted drain and source regions (79, 80) made of a semiconductor material of a second conducting type are designed in the active region pan (78a), a channel region extending between said two regions. Implanted feed lines made of a semiconductor material of the second conducting type lead to the drain and source regions (79, 80). The upper face of the active region pan (78a) is covered by a gate oxide (81a). In the area of the channel region, a gate electrode (81) made of polysilicon is located on the gate oxide (81a), a feed line likewise made of polysilicon leading to said gate electrode.
摘要翻译：包括形成在半导体衬底（4,5），半导体材料的可逆变形的弯曲元件（8a）和至少一个是如在弯曲元件（8a）的一个集成组件对机械应力晶体管敏感rnikroelektromechanische半导体器件中，提供了。该晶体管是在由设置在第一导电类型的半导体材料的注入有源区沉（78A）的结合在弯曲元件（8A）。在托盘（78A）包括第二导电类型，在它们之间的沟道区延伸的半导体材料形成的两个间隔开的注入源极和漏极区域（79，80）的活性区域。于漏极和源极区（79，80）引线植入在第二导电类型的半导体材料的引线。有源区的顶部孔（78A）由栅极氧化物（81A）覆盖。在沟道区的面积是在栅氧化物（81A），多晶硅的栅极电极（81）中，向其中从还一个进料管线通向多晶硅。

8. 发明申请

WO2011083161A3 MICRO-ELECTROMECHANICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：微机电半导体部件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011083161A3
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：PCT/EP2011050212
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , BURCHARD BERND
发明人： BURCHARD BERND
IPC分类号： G01L9/00 , B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a first semiconductor substrate (1), which has an upper face, and a second semiconductor substrate (5), which has an upper face. Both semiconductor substrates (1, 5) are bonded resting on the upper faces thereof. A cavity (4) is introduced into the upper face of at least one of the two semiconductor substrates (1, 5). The cavity (4) is defined by lateral walls (3) and opposing ceiling and floor walls, which are formed by the two semiconductor substrates (1, 5). The ceiling or the floor wall acts as a reversibly deformable membrane and an opening (98) extending through the respective semiconductor substrate (1, 5) is arranged in the other of said two walls of the cavity (4).
摘要翻译：所述微机电HalbSeiterbaueiement设置有具有顶表面的第一半导体衬底（1），并且具有上表面的第二半导体基板（5）。两个半导体衬底（1,5）是在它们的上侧接合的静止。在两个半导体衬底中的至少一个的上侧（1,5）是（4）被引入的空腔中。由侧壁（3）和相对的甲板和由两个Haibleitersubstrate限定底壁（4）所述腔（1,5）形成。顶壁或Bodenwapd充当可逆变形的膜而在另一个腔室（4）这两个壁的通过各自的半导体衬底（1,5）被布置成延伸的开口（98）。

9. 发明申请

WO2011083159A2 HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2011083159A2
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2011/050210
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , TEN HAVE, Arnd
发明人： TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： Das Halbleiterbauteil, insbesondere zur Verwendung als für mechanische Spannungen empfindliches Bauteil in einem mikroelektromechanischen HaIbIeiterbauelement wie z. B. einem Druck- oder Beschleunigungssensor, ist mit einem Halbleitersubstrat (1,5), in dessen Oberseite durch Ionenimplantation ein Aktivgebiet (78a, 200) aus einem Material eines ersten Leitungstyps eingebracht ist, versehen. Innerhalb des Aktivgebiets (78a, 200) ist ein halbierendes Kanalgebiet einer definierten Länge (L) und Breite (B) ausgebildet. An den in Längserstreckung liegenden Enden des Kanalgebiets in dem Aktivgebiet (78a, 200) schließen sich jeweils ein Kontaktierungsgebiet (79,80) aus einem Halbleitermaterial von einem zweiten Leitungstyp an. Das Kanalgebiet ist von einem Ionenimplantationsmaskierungsmaterial (81) überdeckt, das die Länge (L) des Kanalgebiets definierende Querränder sowie die Breite (B) des Kanalgebiets definierende Längsränder aufweist und dass an seinen gegenüberliegenden und mit den Längserstreckungsenden des Kanalgebiets fluchtenden Querrändern jeweils eine Randaussparung (20,1,202) aufweist, bis in die hinein sich die an das Kanalgebiet angrenzenden Kontaktierungsgebiete (79,80) erstrecken.
摘要翻译：半导体部件，尤其是用于在微机电HaIbIeiterbauelement例如用作机械应力敏感部件。作为压力或加速度传感器，通过离子注入，活性区域设置有半导体衬底（1,5），在其上表面（78A，200）从第一导电类型的材料引入。内的活性区域（78A，200）平分限定的长度（L）和宽度（B）的沟道区域中形成。到躺在纵向延伸在有源区中的沟道区的端部（78A，200）包括Kontaktierungsgebiet（79,80）中的第二导电类型的半导体材料的每个连接。沟道区是限定横向边缘的沟道区域的离子注入掩模材料（81）覆盖，所述长度（L），并限定纵向边缘的沟道区域的宽度（B）的，与沟道区对准的横向边缘分别具有外周凹部的，在其相对的，并与纵向延伸的端部（20 ，1.202），其直到到其中的（在沟道区相邻Kontaktierungsgebiete 79,80）延伸。

10. 发明申请

WO2014165483A1 SELF-CALIBRATING PRESSURE SENSOR SYSTEM WITH PRESSURE SENSOR AND REFERENCE SENSOR THAT SHARE COMMON SEALED CHAMBER 审中-公开
标题翻译：具有压力传感器的自校准压力传感器系统和分享通用密封室的参考传感器
公开(公告)号：WO2014165483A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/US2014/032484
申请日：2014-04-01
申请人： MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人： MINDLIN, Leonid , BART, Stephen F. , GU, Lei
IPC分类号： G01L7/08 , G01L27/00 , B81B7/02
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0072 , G01L27/00 , Y10T29/49826
摘要： A self-calibrating pressure sensor system may measure the pressure of a gas or liquid. The system may include a pressure sensor, a reference sensor, and a drift compensation system. The pressure sensor may include a pressure-sensing flexible diaphragm with one side exposed to the gas or liquid and another side forming a wall of a sealed chamber. The reference sensor may include a reference flexible diaphragm that has two sides that are both within or exposed to the same sealed chamber. The drift compensation system may produce information that is indicative of the pressure of the gas or liquid based on the signal from the pressure sensor, and compensate for drift in this signal based on changes in the signal from the reference sensor. The pressure-sensing flexible diaphragm and the reference flexible diaphragm may be made at substantially the same time by depositing or growing a single layer of material in a single continuous step.
摘要翻译：自校准压力传感器系统可以测量气体或液体的压力。该系统可以包括压力传感器，参考传感器和漂移补偿系统。压力传感器可以包括压力感测柔性膜片，其一侧暴露于气体或液体，另一侧形成密封室的壁。参考传感器可以包括参考柔性膜片，其具有在相同密封室内或暴露于同一密封室内的两个侧面。漂移补偿系统可以基于来自压力传感器的信号产生指示气体或液体的压力的信息，并且基于来自参考传感器的信号的变化来补偿该信号中的漂移。压力感测柔性隔膜和参考柔性隔膜可以通过在单个连续步骤中沉积或生长单层材料而在大致相同的时间进行。

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