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21. 发明申请

WO2015137374A1 半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：半导体激光元件
公开(公告)号：WO2015137374A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/JP2015/057094
申请日：2015-03-11
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：岩見　正之 , 石井　宏辰 , 岩井　則広 , 松田　竹善 , 粕川　秋彦 , 石川　卓哉 , 川北　泰雅 , 鍛治　栄作
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34313 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/7784 , H01L29/7787 , H01L29/868 , H01L31/03046 , H01L31/036 , H01L31/105 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/3086 , H01S5/309 , H01S5/32 , H01S5/32358 , H01S5/32366 , H01S5/3434 , H01S5/34373
摘要：　Ａｓを主成分とするＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶からなる井戸層と障壁層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方におけるＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶のＶ族サイトに、前記Ａｓ以外のＶ族元素が濃度０．０２～５％で導入され、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方におけるＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶のＩＩＩ族サイトに、Ａｌが含まれている半導体レーザ素子である。これにより、半導体結晶のバルク内における欠陥発生を抑制し、特性の変動の少ない半導体レーザ素子を提供する。
摘要翻译：该半导体激光元件设置有阱层，并且阻挡层包含具有As作为主要成分的III-V族晶体半导体，在V组中引入As以外的V族元素，浓度为0.02-5％阱层和/或阻挡层中的III-V族晶体半导体的位置，以及在阱层和/或势垒层中的III-V族晶体半导体的III族位置处包含Al。由此，提供一种半导体激光元件，其抑制在本体结晶半导体中发生的缺陷，并且其特性变化较小。

22. 发明申请

WO2015029798A1 固体撮像装置および製造方法、並びに、電子機器审中-公开
标题翻译：固态图像捕获装置，其制造方法和电子装置
公开(公告)号：WO2015029798A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/JP2014/071464
申请日：2014-08-15
申请人：ソニー株式会社
发明人：田舎中　博士
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14634 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/028 , H01L31/036 , H04N5/3594 , H04N5/367 , H04N5/3745 , H04N5/37457
摘要：　本技術は、微細な画素信号を適切に生成することができるようにする固体撮像装置および製造方法、並びに、電子機器に関する。第１の半導体基板に形成され、光電変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部と、第２の半導体基板に形成され、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を保持する電荷保持部と、前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板に形成され、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を、前記電荷保持部に転送する転送トランジスタとを備え、前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板との接合界面が、前記転送トランジスタのチャネル内に形成されている。
摘要翻译：本技术涉及能够适当地生成精细像素信号的固态图像捕获装置，用于制造所述装置的方法和电子装置。固态图像捕获装置设置有电荷存储单元，电荷保持单元和转移晶体管。电荷存储单元形成在第一半导体衬底上，并存储光电转换电荷。电荷保持单元形成在第二半导体衬底上，并且保持存储在电荷存储单元中的电荷。转移晶体管将存储在电荷存储单元中的电荷转移到电荷保持单元。第一半导体衬底和第二半导体衬底接合的界面形成在转移晶体管的沟道中。

23. 发明申请

WO2014111702A3 GRAPHENE-BASED DETECTOR 审中-公开
标题翻译：基于石墨的检测器
公开(公告)号：WO2014111702A3
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：PCT/GB2014050099
申请日：2014-01-14
申请人： UNIV EXETER
发明人： WITHERS FREDDIE , BOINTON THOMAS H , CRACIUN MONICA F , RUSSO SAVERIO , MARTINS STEVEN
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/108
CPC分类号： H01L31/028 , H01L27/305 , H01L31/0288 , H01L31/036 , H01L31/103 , H01L31/108 , H01L51/4246 , Y02E10/547
摘要： A detectoris described comprising a first graphene element (12), the first graphene element (12) comprising a few layer graphene element functionally doped with a dopant material and to which at least one electrode is connected.
摘要翻译：所描述的检测器包括第一石墨烯元件（12），所述第一石墨烯元件（12）包括功能性地掺杂有掺杂剂材料并且至少一个电极连接到其上的几层石墨烯元件。

24. 发明申请

WO2014111702A2 DETECTOR 审中-公开
标题翻译：探测器
公开(公告)号：WO2014111702A2
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/GB2014/050099
申请日：2014-01-14
申请人： UNIVERSITY OF EXETER
发明人： WITHERS, Freddie , BOINTON, Thomas H. , CRACIUN, Monica F. , RUSSO, Saverio , MARTINS, Steven
CPC分类号： H01L31/028 , H01L27/305 , H01L31/0288 , H01L31/036 , H01L31/103 , H01L31/108 , H01L51/4246 , Y02E10/547
摘要： A detectoris described comprising a first graphene element (12), the first graphene element (12) comprising a few layer graphene element functionally doped with a dopant material and to which at least one electrode is connected.
摘要翻译：描述的检测器包括第一石墨烯元件（12），所述第一石墨烯元件（12）包括在功能上掺杂有掺杂剂材料并且连接有至少一个电极的几层石墨烯元件。

25. 发明申请

WO2014082703A1 WAVELENGTH CONVERSION POLYMER FILM 审中-公开
标题翻译：波长转换聚合物膜
公开(公告)号：WO2014082703A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/EP2013/003307
申请日：2013-11-04
申请人： MERCK PATENT GMBH
发明人： OKURA, Hiroshi , WAKIMOTO, Takeo , MATSUI, Katsuyuki , MATSUDA, Noriyuki , SUZUKI, Masayoshi , KISHIMOTO, Tadashi
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/06 , C09K11/82 , H01L31/055
CPC分类号： H01L31/055 , C09B67/0013 , C09K11/02 , C09K11/06 , C09K11/7794 , C09K2211/1037 , C09K2211/1088 , H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/18 , Y02E10/52
摘要： The invention relates to a polymer film comprising an inorganic fluorescent compound and an organic fluorescent compound. The invention further relates methods for preparing such a film, and to its use as wavelength conversion film in a solar cell.
摘要翻译：本发明涉及包含无机荧光化合物和有机荧光化合物的聚合物膜。本发明还涉及制备这种膜的方法及其在太阳能电池中作为波长转换膜的用途。

26. 发明申请

WO2014045333A1 太陽電池及びその製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其生产方法
公开(公告)号：WO2014045333A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/JP2012/073803
申请日：2012-09-18
申请人：富士通株式会社
发明人：河口　研一 , 中田　義昭
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/036 , H01L31/0735 , H01L31/184 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本発明に係る太陽電池は、第１導電型の半導体基板（１０）と、半導体基板上に形成された、第１導電型の半導体よりなりウルツ鉱型結晶部（１６ＷＺ）と閃亜鉛鉱型結晶部（１６ＺＢ）が交互に積層された柱状構造体（１６）と、柱状構造体の側壁部上に交互に積層された、バリア層（１８）と、バリア層よりもエネルギーバンドギャップの小さい材料よりなりウルツ鉱型結晶部と閃亜鉛鉱型結晶部とが柱状構造体の軸方向に沿って交互に配置された量子構造層（２０）と、を有する超格子層（２２）と、超格子層を囲うように形成された、第１導電型と反対導電型の第２導電型の半導体層（３０）とを有する。
摘要翻译：根据本发明的太阳能电池具有：具有第一导电类型的半导体衬底（10）; 形成在半导体衬底上的柱状结构体（16），其包括具有第一导电类型的半导体，并且交替地堆叠有纤锌矿晶体部分（16WZ）和锌掺杂晶体部分（16ZB）; 具有在柱状结构体的侧壁之上交替堆叠的阻挡层（18）的超晶格层（22）和包括具有比阻挡层更低的能带隙的材料的量子结构层（20），并且具有沿着柱状结构体的轴向方向交替地设置有菱镁矿晶体部分和闪锌矿晶体部分; 以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型并且被形成为围绕超晶格层的半导体层（30）。

27. 发明申请

WO2014045021A1 OPTOELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：WO2014045021A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/GB2013/052425
申请日：2013-09-17
申请人： ISIS INNOVATION LIMITED
发明人： SNAITH, Henry, James , CROSSLAND, Edward, James, William , HEY, Andrew , BALL, James , LEE, Michael , DOCAMPO, Pablo
IPC分类号： H01L51/42 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/036 , C23C14/06 , H01L31/022466 , H01L31/035272 , H01L31/0725 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , H01L51/0026 , H01L51/0032 , H01L51/0037 , H01L51/422 , H01L51/4226 , Y02E10/549
摘要： The invention provides an optoelectronic device comprising a photoactive region, which photoactive region comprises: an n-type region comprising at least one n-type layer; a p- type region comprising at least one p-type layer; and, disposed between the n-type region and the p-type region: a layer of a perovskite semiconductor without open porosity. The perovskite semiconductor is generally light-absorbing. In some embodiments, disposed between the n-type region and the p-type region is: (i) a first layer which comprises a scaffold material, which is typically porous, and a perovskite semiconductor, which is typically disposed in pores of the scaffold material; and (ii) a capping layer disposed on said first layer, which capping layer is said layer of a perovskite semiconductor without open porosity, wherein the perovskite semiconductor in the capping layer is in contact with the perovskite semiconductor in the first layer. The layer of the perovskite semiconductor without open porosity (which may be said capping layer) typically forms a planar heterojunction with the n-type region or the p-type region. The invention also provides processes for producing such optoelectronic devices which typically involve solution deposition or vapour deposition of the perovskite. In one embodiment, the process is a low temperature process; for instance, the entire process may be performed at a temperature or temperatures not exceeding 150 °C.
摘要翻译：本发明提供了包含光活性区的光电器件，该光活性区包括：包含至少一个n型层的n型区; 包括至少一个p型层的p-型区域; 并且设置在n型区域和p型区域之间：没有开孔率的钙钛矿半导体层。钙钛矿半导体通常是光吸收的。在一些实施方案中，设置在n型区域和p型区域之间是：（i）包含通常是多孔的支架材料的第一层和通常设置在支架孔中的钙钛矿半导体材料; 和（ii）设置在所述第一层上的覆盖层，所述覆盖层是没有开放孔隙率的所述钙钛矿半导体层，其中所述覆盖层中的钙钛矿半导体与所述第一层中的钙钛矿半导体接触。没有开放孔隙率的钙钛矿半导体层（其可以是所述覆盖层）通常与n型区域或p型区域形成平面异质结。本发明还提供了用于生产通常涉及钙钛矿的溶液沉积或气相沉积的这种光电器件的方法。在一个实施方案中，该方法是低温过程; 例如，整个过程可以在不超过150℃的温度或温度下进行。

28. 发明申请

WO2014005726A1 WAFER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON WAFERN MIT OBERFLÄCHENSTRUKTUREN 审中-公开
标题翻译：晶片和方法制造晶片的表面结构
公开(公告)号：WO2014005726A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/EP2013/002009
申请日：2013-07-08
申请人： SILTECTRA GMBH
发明人： LICHTENSTEIGER, Lukas , AJAJ, Anas , RICHTER, Jan
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L31/036 , H01L21/02002
摘要： Es wird ein Wafer beschrieben, welcher als Ausgangsmaterials (4) einen Werkstoff mit geringer Duktilität aufweist, welches zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist, wobei mindestens eine vorgefertigte Aufbringungsschicht (1), welche frei wählbare Materialeigenschaften aufweist, an der exponierten Oberfläche des Ausgangsmaterials (4) unter Bildung einer Kompositstruktur aufgebracht wird, wobei die Kompositstruktur mit einem inneren und/oder äußeren Spannungsfeld in der Art beaufschlagt wird, so dass das Ausgangsmaterial (4) entlang einer inneren Ebene unter Bildung des Wafers gespalten wird, wobei der Waferreliefartige Oberflächenstrukturen an der sich ergebenden Spaltfläche mit im wesentlichen vorbestimmbaren Mustern aufweist, welche durch die Eigenschaften des Ausgangsmaterials variierbar sind.
摘要翻译：本发明公开了用作起始材料的晶片（4）包括具有低延展性的材料，其具有至少一个暴露的表面，其中至少一个预制应用层（1），其具有任意的材料性质，起始材料的暴露表面（4）上被施加以形成复合材料，其中所述复合物的方式进行的内部和/或外部应力场，使得（4）沿其内水平分裂的起始材料，以形成晶片，将所得的晶片浮雕状表面结构具有具有基本上预定的图案其是由起始材料的性质可变解理面。

29. 发明申请

WO2013154485A9 A METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON EPITAXIAL GROWTH. 审中-公开
标题翻译：一种基于外延生长制造半导体器件的方法。
公开(公告)号：WO2013154485A9
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：PCT/SE2013050355
申请日：2013-03-28
申请人： SUN YANTING , LOURDUDOSS SEBASTIAN
发明人： SUN YANTING , LOURDUDOSS SEBASTIAN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/036 , H01L31/06875 , H01L31/0735 , H01L31/107 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01S5/32308 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufactured thereby, comprising growing, from a seed island mesa, an abrupt hetero-junction comprising a semiconductor crystal with few crystal defects on a dissimilar substrate (50) that can be used as light emitting and photovoltaic devices.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法和由其制造的半导体器件，其特征在于，包括从籽晶岛台面生长包含半导体晶体的突变异质结，所述突变异质结在能够用作发光的异种基板（50）上具有很少的晶体缺陷，并且光电器件。

30. 发明申请

WO2013125831A1 다중 밴드갭 적층형 태양전지 및 다중 밴드갭 적층형 태양전지 형성 방법 审中-公开
标题翻译：多带隙平台太阳能电池及其形成方法
公开(公告)号：WO2013125831A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/KR2013/001288
申请日：2013-02-19
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 홍문표 , 장진녕
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/035218 , H01L31/036 , Y02E10/548
摘要： 다중 밴드갭 적층형 태양전지가 개시되며, 상기 다중 밴드갭 적층형 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 적층되는 하부 전극 전도체; 상기 하부 전극 전도체 상에 적층되는 불순물이 첨가된 p형 나노 결정질 실리콘층; 상기 불순물이 첨가된 p형 나노 결정질 실리콘층 상에 적층되는 진성 반도체층; 상기 진성 반도체층 상에 적층되는 불순물이 첨가된 n형 나노 결정질 실리콘층; 및 상기 불순물이 첨가된 n형 나노 결정질 실리콘층 상에 적층되는 반사 방지막을 포함하되, 상기 진성 반도체층은 증착 높이에 따른 결정구조 변화로 인해 광학 밴드갭이 변한다.
摘要翻译：公开了一种多带隙串联太阳能电池。多带隙串联太阳能电池包括：基板; 堆叠在基板上的下电极导体; 添加杂质的p型纳米晶硅层，其中p型纳米晶硅层层叠在下电极导体上; 堆叠在添加有杂质的p型纳米晶硅层上的本征半导体层; 添加杂质的n型纳米晶硅层，其中n型纳米晶硅层堆叠在本征半导体层上; 以及层叠在添加了杂质的n型纳米晶硅层上的防反射膜。本征半导体层具有由于层叠高度而根据其晶体结构的变化而变化的光学带隙。

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