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1. 发明申请

WO2008066829A3 ANTIBLOOMING IMAGING APPARATUS, SYSTEMS, AND METHODS 审中-公开
标题翻译：防止成像设备，系统和方法
公开(公告)号：WO2008066829A3
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/US2007024479
申请日：2007-11-28
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC , XU CHEN , AGRANOV GENNADIY , KARASEV IGOR
发明人： XU CHEN , AGRANOV GENNADIY , KARASEV IGOR
IPC分类号： H01L27/14 , H04N5/359 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3594 , H04N5/3745
摘要： Apparatus, systems and methods are described to assist in reducing dark current in an active pixel sensor. A potential barrier arrangement is configured to block the flow of charge carriers generated outside a photosensitive region. In various embodiments, a potential well-potential barrier arrangement is formed to direct charge carriers away from the photosensitive region during an integration time.
摘要翻译：描述了装置，系统和方法以帮助减少有源像素传感器中的暗电流。势垒布置被配置为阻挡在感光区域外产生的电荷载流子的流动。在各种实施例中，形成势阱势垒布置，以在积分时间期间使电荷载流子远离光敏区域。

2. 发明申请

WO2006073798A2 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING CHARGE TRANSFER IN CMOS SENSORS WITH A TRANSFER GATE WORK FUNCTION 审中-公开
标题翻译：用于控制具有转移栅格工作功能的CMOS传感器中的充电传输的方法和装置
公开(公告)号：WO2006073798A2
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/US2005/046083
申请日：2005-12-20
申请人： ESS TECHNOLOGY, INC. , TOROS, Zeynep , MANN, Richard , BENCUYA, Selim
发明人： TOROS, Zeynep , MANN, Richard , BENCUYA, Selim
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H04N5/3594 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14689 , H04N5/3575 , H04N5/3597 , H04N5/361 , H04N5/363
摘要： An improved CMOS sensor integrated circuit is disclosed, along with methods of making the circuit and computer readable descriptions of the circuit.
摘要翻译：公开了一种改进的CMOS传感器集成电路，以及制作电路的电路和计算机可读描述的方法。

3. 发明申请

WO2014131704A1 CAPTEUR D'IMAGE AVEC GRILLE D'ANTI-EBLOUISSEMENT 审中-公开
标题翻译：具有防气门的图像传感器
公开(公告)号：WO2014131704A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/EP2014/053436
申请日：2014-02-21
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： BARBIER, Frédéric , MAYER, Frédéric
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14654 , H01L27/14609 , H04N5/3592 , H04N5/3594
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image électronique à pixels actifs. Le pixel comprend une photodiode (PH) constituée dans une couche active semiconductrice (12) et maintenue à un potentiel de référence nul, et au-dessus de la couche active une grille d'anti-éblouissement (G5) adjacente d'un côté à la photodiode et d'un autre côté à un drain (22) d'évacuation. Le capteur comprend des moyens pour appliquer à la grille d'anti-éblouissement, pendant la plus grande partie de la durée d'intégration, un potentiel de blocage créant sous la grille une barrière de potentiel d'une première hauteur, et, pendant une série d'impulsions brèves au cours de la durée d'intégration, un potentiel d'anti-éblouissement créant une barrière de potentiel d'une deuxième hauteur, plus faible que la première. Le fait d'appliquer la tension d'anti-éblouissement seulement pendant des impulsions brèves réduit le bruit d'obscurité induit par effet tunnel par le champ électrique entre grille et photodiode.
摘要翻译：本发明涉及电子有源像素图像传感器。像素包括形成在有源半导体层（12）中并保持在零参考电位的光电二极管（PH），并且在有源层的上方，在一侧与光电二极管相邻的防喷花门（G5）另一侧到疏散排水管（22）。传感器包括用于在大部分积分时间期间向防晕门施加在栅极下产生第一高度的势垒的阻塞电位的装置，并且在积分时间期间的一系列短脉冲期间，抗起霜电位产生比第一高度低的第二高度的势垒。仅在短脉冲期间施加抗起霜电压可以减小由栅极和光电二极管之间的电场引起的量子隧穿引起的暗噪声。

4. 发明申请

WO2009068526A1 CAPTEUR D'IMAGE A PIXEL A QUATRE OU CINQ TRANSISTORS AVEC REDUCTION DE BRUIT DE REINITIALISATION 审中-公开
标题翻译：具有复位噪声减少的四个半导体或五个半透明像素的图像传感器
公开(公告)号：WO2009068526A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/EP2008/066149
申请日：2008-11-25
申请人： E2V SEMICONDUCTORS , FEREYRE, Pierre , CARUEL, Simon
发明人： FEREYRE, Pierre , CARUEL, Simon
IPC分类号： H01L27/146 , H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H04N5/357 , H04N5/3594
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image réalisés en technologie CMOS, dont les pixels individuels, agencés en réseau de lignes et de colonnes, sont constitués chacun par une photodiode (PD1) associée à une région de stockage de charges (N2) qui reçoit les charges photogénérées avant une phase de lecture de charges. Pour éliminer le risque d'introduction d'un bruit de type kTC dans le signal, lors de la réinitialisation de la zone de stockage (N2) à la fin d'un cycle de lecture, l'invention propose de diviser la zone de stockage en deux parties dont l'une (N2b), adjacente à la grille de réinitialisation (G3), est recouverte d'une région diffusée (P2) de même type de conductivité que le substrat dans lequel est formée la photodiode, cette région étant portée au potentiel fixe du substrat, et l'autre (N2a) n'est pas recouverte par une telle région et n'est pas adjacente à la grille de réinitialisation.
摘要翻译：本发明涉及以CMOS技术制造的图像传感器，其各自的像素排列成行和列的矩阵，每个像素由与电荷存储区域（N2）相关联的光电二极管（PD1）组成，该电荷存储区域（N2）在一个电荷读取阶段。为了消除在读周期结束时复位存储区（N2）时将信号引入信号的风险，本发明提出将存储区分成两部分，其中一个（N2b），邻近复位栅极（G3）被与形成有光电二极管的基板相同类型的导电性的扩散区域（P2）覆盖，该区域升高到基板的固定电位，另一个（N2a ）不被这样的区域覆盖，并且不与复位门相邻。

5. 发明申请

WO2008010893A2 METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR CHARGE INJECTION SUPPRESSION IN ACTIVE PIXEL SENSORS 审中-公开
标题翻译：有源像素传感器中充电注入抑制方法，装置和系统
公开(公告)号：WO2008010893A2
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/US2007014730
申请日：2007-06-26
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC , ALTICE PETER PARKER , XU CHEN , LADD JOHN , LI XIANGLI
发明人： ALTICE PETER PARKER , XU CHEN , LADD JOHN , LI XIANGLI
IPC分类号： H04N5/359 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/374 , H04N5/355 , H04N5/3575 , H04N5/3594 , H04N5/3597
摘要： A method and apparatus are provided for operation of an image sensor during signal readout. During a reset operation the gate of a reset transistor coupled to the storage node receives a voltage greater than a threshold voltage to produce a reset of the storage node. During a period where photogenerated charges stored at the storage node are read out the gate of the reset transistor receives a voltage V RST_LOW greater than ground, but less than a maximum voltage which can be stored at the storage node.
摘要翻译：提供了一种在信号读出期间操作图像传感器的方法和装置。在复位操作期间，耦合到存储节点的复位晶体管的栅极接收大于阈值电压的电压，以产生存储节点的复位。在存储节点存储的光生电荷被读出的期间，重置晶体管的栅极接收比地大的电压V RST_LOW，但小于可存储在存储节点处的最大电压。

6. 发明申请

WO2014064274A1 STRUCTURE D'UN PIXEL ACTIF DE TYPE CMOS 审中-公开
标题翻译： CMOS有源像素的结构
公开(公告)号：WO2014064274A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072444
申请日：2013-10-25
申请人： NEW IMAGING TECHNOLOGIES
发明人： NI, Yang
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号： H04N5/3742 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/355 , H04N5/3592 , H04N5/3594 , H04N5/3696
摘要： L'invention concerne une structure d'un pixel actif de type CMOS, comprenant un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type, au moins une première photodiode opérant en mode photovoltaïque comprenant une zone de conversion photovoltaïque (2) définie par une zone dopée d'un second type formant une jonction PN avec le substrat, ladite première photodiode réémettant des porteurs de charge photoélectriques captées par la jonction PN lors de l'exposition de ladite première photodiode à un rayonnement, au moins une seconde photodiode opérant en mode intégration et polarisée en inverse, ladite seconde photodiode comprenant une zone d'accumulation de charge (3) définie par une zone dopée du second type formant une jonction PN avec le substrat, ladite zone d'accumulation de charge étant exposée aux porteurs de charge issus de la zone de conversion photovoltaïque (2) pour accumuler de tels porteurs de charge.
摘要翻译：本发明涉及CMOS有源像素的结构，其包括第一类型的半导体衬底（1），在光伏模式下操作的至少一个第一光电二极管，包括由第二类型的掺杂区域限定的光伏转换区域（2）类型，与所述衬底形成PN结，所述第一光电二极管在所述第一光电二极管的曝光期间重新发射由PN结收集的光电荷载体，所述第一光电二极管在积分模式下工作并反向偏置的至少一个第二光电二极管，所述第二光电二极管光电二极管包括由第二类型的掺杂区域限定的电荷累积区域（3），其形成与衬底的PN结，所述电荷积聚区域从光伏转换区域（2）暴露于电荷载流子，以便积累这种电荷载体。

7. 发明申请

WO2006073798A3 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING CHARGE TRANSFER IN CMOS SENSORS WITH A TRANSFER GATE WORK FUNCTION 审中-公开
标题翻译：用于控制具有转移栅格工作功能的CMOS传感器中的充电传输的方法和装置
公开(公告)号：WO2006073798A3
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/US2005046083
申请日：2005-12-20
申请人： ESS TECHNOLOGY INC , TOROS ZEYNEP , MANN RICHARD , BENCUYA SELIM
发明人： TOROS ZEYNEP , MANN RICHARD , BENCUYA SELIM
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3594 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14689 , H04N5/3575 , H04N5/3597 , H04N5/361 , H04N5/363
摘要： An improved CMOS sensor integrated circuit is disclosed comprising a photodiode, a transfer gate device, a reset transistor, a source- follower transistor, and a row-select transistor. The pinned photodiode comprises a deep n-type low-dose implant and a shallow n-type ring-shaped high-dose implant. The deep implant determines the collection depth of the photodiode; whereas the ring shallow implant increases the capacity around the edges of the photodiode and reduces the time for charge transfer.
摘要翻译：公开了一种改进的CMOS传感器集成电路，其包括光电二极管，传输栅极器件，复位晶体管，源极跟随器晶体管和行选择晶体管。钉扎光电二极管包括深n型低剂量植入物和浅n型环状大剂量植入物。深度注入决定了光电二极管的采集深度; 而环浅的注入增加了光电二极管边缘周围的容量，并减少了电荷转移的时间。

8. 发明申请

WO2006073836A3 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING CHARGE TRANSFER IN CMOS SENSORS WITH A GRADED TRANSFER GATE WORK FUNCTION 审中-公开
标题翻译：用于控制具有等级转移门功能的CMOS传感器中的充电传输的方法和装置
公开(公告)号：WO2006073836A3
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/US2005046415
申请日：2005-12-20
申请人： ESS TECHNOLOGY INC , TOROS ZEYNEP , MANN RICHARD , BENCUYA SELIM
发明人： TOROS ZEYNEP , MANN RICHARD , BENCUYA SELIM
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/363 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14689 , H04N5/3575 , H04N5/3594 , H04N5/361
摘要： An improved CMOS sensor integrated circuit is disclosed, along with methods of making the circuit and computer readable descriptions of the circuit.
摘要翻译：公开了一种改进的CMOS传感器集成电路，以及制作电路的电路和计算机可读描述的方法。

9. 发明申请

WO2006073836A2 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING CHARGE TRANSFER IN CMOS SENSORS WITH A GRADED TRANSFER GATE WORK FUNCTION 审中-公开
标题翻译：用于控制具有等级转移门功能的CMOS传感器中的充电传输的方法和装置
公开(公告)号：WO2006073836A2
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/US2005/046415
申请日：2005-12-20
申请人： ESS TECHNOLOGY, INC. , TOROS, Zeynep , MANN, Richard , BENCUYA, Selim
发明人： TOROS, Zeynep , MANN, Richard , BENCUYA, Selim
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H04N5/363 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14689 , H04N5/3575 , H04N5/3594 , H04N5/361
摘要： An improved CMOS sensor integrated circuit is disclosed, along with methods of making the circuit and computer readable descriptions of the circuit.
摘要翻译：公开了一种改进的CMOS传感器集成电路，以及制作电路的电路和计算机可读描述的方法。

10. 发明申请

WO02102057A3 METHOD FOR OPERATING A CMOS IMAGE SENSOR WITH INCREASED SENSITIVITY 审中-公开
标题翻译：具有提高灵敏度的CMOS图像传感器的操作方法
公开(公告)号：WO02102057A3
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/EP0205981
申请日：2002-05-31
申请人： ASULAB SA , GRUPP JOACHIM , JACQUET ESTELLE , WUETHRICH CHRISTIAN , DOERING ELKO
发明人： GRUPP JOACHIM , JACQUET ESTELLE , WUETHRICH CHRISTIAN , DOERING ELKO
IPC分类号： H04N3/15 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/3594
摘要： There is disclosed a method for operating a CMOS image sensor including a plurality of pixels (50)each of the pixels including a photo-sensor element (PD)producing charge carriers in proportion to its illumination and storage means (C1)capable of being coupledand uncoupled from the photo-sensor element at a determined instant in order to store, on a memory node (B) of the pixel, a measuring signal representative of the charge carriers produced by saidphoto-sensor element.Each pixel includes at least first MOS transistor (M2)connected via its source and drain terminals respectively to the photo-sensor element and to the storage means. At least during the pixel exposure step, an intermediate level voltage (V )is applied to the gate terminal of the first transistor, said intermediate voltage being selected so that the charge carriers produced by the photo-sensor element are entirely transferred via the first transistor onto the storage means.
摘要翻译：公开了一种用于操作CMOS图像传感器的方法，所述CMOS图像传感器包括多个像素（50），每个像素包括光电传感器元件（PD），所述光电传感器元件（PD）与其照明能够成比例的电荷载流子和能够耦合的存储装置（C1）在确定的时刻从光传感器元件解耦，以便在像素的存储器节点（B）上存储表示由所述光电传感器元件产生的电荷载流子的测量信号。每个像素包括至少第一MOS晶体管（M2）分别经由其源极和漏极端子连接到光电传感器元件和存储装置。至少在像素曝光步骤期间，将中间电平电压（V ）施加到第一晶体管的栅极端子，选择所述中间电压，使得由光电传感器元件产生的电荷载流子完全通过第一晶体管到存储装置上。

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