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21. 发明申请

WO2011158427A1 アクティブマトリクス基板审中-公开
标题翻译：主动矩阵基板
公开(公告)号：WO2011158427A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/JP2011/002573
申请日：2011-05-09
申请人：シャープ株式会社 , 中西勇夫 , 刀根覚
发明人：中西勇夫 , 刀根覚
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC分类号： H01L33/0041 , G02F1/136204 , G02F1/136227 , G02F2001/133388 , H01L27/0296 , H01L27/12 , H01L27/124
摘要：　互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線（１４ａ）と、各ゲート線（１４ａ）と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線（１６ａ）と、各ゲート線（１４ａ）及び各ソース線（１６ａ）の交差する部分に対応して設けられ、対応する各ゲート線（１４ａ）及び各ソース線（１６ａ）にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ（５ａ）と、各ＴＦＴ（５ａ）を覆うように設けられた層間絶縁膜（１７）と、層間絶縁膜（１７）上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極（１８ａ）とを備え、複数の画素電極（１８ａ）により表示領域（Ｄ）、及び表示領域（Ｄ）の周囲に非表示領域（Ｎ）がそれぞれ規定されたアクティブマトリクス基板（２０ａ）であって、非表示領域（Ｎ）において、層間絶縁膜（１７）上には、各ゲート線（１４ａ）にそれぞれ接続された複数の導電層（１８ｂ）が設けられている。
摘要翻译：公开了一种有源矩阵基板（20a），其设置有：多个栅极线（14a），其布置成彼此平行地延伸; 多个源极线（16a），其布置成在与每条栅极线（14a）相交的方向上彼此平行地延伸; 多个TFT（5a），其设置成与栅极线（14a）和源极线（16a）相交的部分相对应，并且连接到每个相应的栅极线（14a）和源极线（16a））; 布置成覆盖每个TFT（5a）的层间绝缘膜（17）; 以及在所述层间绝缘膜（17）上以矩阵状排列的多个像素电极（18a）。围绕显示区域（D）的显示区域（D）和非显示区域（N）分别由多个像素电极（18a）提供，并且在非显示区域（N）中，多个的导电层（18b）以各自连接到各个栅极线（14a）的方式设置在层间绝缘膜（17）上。

22. 发明申请

WO2011152255A1 ＥＳＤ保護デバイス审中-公开
标题翻译： ESD保护装置
公开(公告)号：WO2011152255A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/JP2011/061926
申请日：2011-05-25
申请人：株式会社村田製作所 , 加藤登 , 佐々木純 , 山田浩輔 , 石野聡
发明人：加藤登 , 佐々木純 , 山田浩輔 , 石野聡
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/60 , H01L23/12 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/0248 , H01L27/0296 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L2224/0401 , H01L2224/05016 , H01L2224/05655 , H01L2224/06051 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
摘要：　ＥＳＤ保護デバイス（１０１）は、入出力電極（２１Ａ，２１Ｂ）を有する半導体基板（２０）とその表面に形成された再配線層（３０）とを有する。半導体基板（２０）の表層にＥＳＤ保護回路が形成されていて、入出力電極（２１Ａ，２１Ｂ）はそのＥＳＤ保護回路に接続されている。再配線層（３０）は、層間配線（２４Ａ，２４Ｂ）、面内配線（２５Ａ，２５Ｂ）およびポスト電極（２７Ａ，２７Ｂ）を含んでいる。厚み方向に設けられた層間配線（２４Ａ，２４Ｂ）の一端は、半導体基板（２０）の表面に設けられた入出力電極（２１Ａ，２１Ｂ）に接続されていて、他端は、平面方向に引き回された面内配線（２５Ａ，２５Ｂ）の一端に接続されている。面内配線（２５Ａ，２５Ｂ）の他端と端子電極（２８Ａ，２８Ｂ）との間には角柱状のポスト電極（２７Ａ，２７Ｂ）が形成されている。
摘要翻译：公开了一种ESD保护装置（101），其包括具有形成在半导体衬底（20）的表面上的输入/输出电极（21A，21B）和重新布线层（30）的半导体衬底（20）。在半导体衬底（20）的表面层上形成有ESD保护电路，输入输出电极（21A，21B）与ESD保护电路连接。再布线层（30）包括层间布线（24A，24B），面内布线（25A，25B）和柱状电极（27A，27B）。沿着厚度方向布置的层间布线（24A，24B）的一端连接到布置在半导体衬底（20）的表面上的输入/输出电极（21A，21B），另一端连接到在平面方向上拉伸的面内线路（25A，25B）的一端。在平面内布线（25A，25B）的另一端和端子电极（28A，28B）之间形成棱柱状电极（27A，27B）。

23. 发明申请

WO2017166637A1 静电防护结构、阵列基板及显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2017166637A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/CN2016/096885
申请日：2016-08-26
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：李盼 , 程鸿飞 , 乔勇 , 徐健 , 马永达
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/12
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/0288 , H01L27/0296 , H01L27/12 , H01L27/124
摘要：一种静电防护结构、阵列基板及显示装置。该静电防护结构包括依次设置的第一静电防护单元(10)和第二静电防护单元(20)。第一静电防护单元(10)的一端与第一静电起始端(001)连接，另一端与静电释放端(002)连接；第二静电防护单元(20)包括第一导电结构(201)，第一导电结构(201)的一端与第二静电起始端(003)连接，另一端与静电终止端(004)连接。第二静电起始端(003)为第一静电防护单元(10)在将第一静电起始端(001)产生的静电传导至静电释放端(002)失败时静电的流出端，第一导电结构(201)用于在有静电通过时，与第二静电起始端(003)和/或静电终止端(004)断开连接。

24. 发明申请

WO2017076071A1 阵列基板及包括该阵列基板的TFT显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2017076071A1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/CN2016/090992
申请日：2016-07-22
申请人：京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
发明人：董职福 , 李红敏
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/60
CPC分类号： H01L27/1214 , G02F1/136204 , H01L23/60 , H01L27/0288 , H01L27/0296
摘要：一种阵列基板（1）和包括阵列基板（1）的显示装置，阵列基板（1）包括显示区（11）和围绕显示区（11）的非显示区（12），其中，在非显示区（12）上设置有静电引导层（127），静电引导层（127）与显示区（11）电绝缘。

25. 发明申请

WO2017035510A1 INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE COMPRISING ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION 审中-公开
标题翻译：包含静电放电（ESD）保护的集成电路（IC）封装
公开(公告)号：WO2017035510A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/US2016/049123
申请日：2016-08-26
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： GU, Shiqun , WORLEY, Eugene Robert , RADOJCIC, Ratibor , RAY, Urmi
IPC分类号： H01L23/60 , H01L23/62 , H01L23/48 , H01L27/02
CPC分类号： H02H9/046 , H01L23/48 , H01L23/60 , H01L23/62 , H01L27/0255 , H01L27/0292 , H01L27/0296 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H02H9/044 , H01L2924/00012
摘要： An integrated circuit (IC) package includes a die, a package substrate coupled to the die, and a first electrostatic discharge (ESD) protection component coupled to the package substrate, where the first electrostatic discharge (ESD) protection component is configured to provide package level electrostatic discharge (ESD) protection. In some implementations, the first electrostatic discharge (ESD) protection component is embedded in the package substrate. In some implementations, the die includes an internal electrostatic discharge (ESD) protection component configured to provide die level electrostatic discharge (ESD) protection. In some implementations, the internal electrostatic discharge (ESD) protection component and the first electrostatic discharge (ESD) protection component are configured to provide cumulative electrostatic discharge (ESD) protection for the die.
摘要翻译：集成电路（IC）封装包括管芯，耦合到管芯的封装衬底和耦合到封装衬底的第一静电放电（ESD）保护部件，其中第一静电放电（ESD）保护部件被配置为提供封装级静电放电（ESD）保护。在一些实施方案中，第一静电放电（ESD）保护组件嵌入在封装衬底中。在一些实施方案中，管芯包括配置成提供管芯级静电放电（ESD）保护的内部静电放电（ESD）保护部件。在一些实施方案中，内部静电放电（ESD）保护部件和第一静电放电（ESD）保护部件被配置为为管芯提供累积静电放电（ESD）保护。

26. 发明申请

WO2016203648A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2016203648A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/JP2015/067766
申请日：2015-06-19
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：前田　敏 , 森下　泰之 , 田中　正徳
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0296 , H01L21/822 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L27/0266 , H01L27/0288 , H01L27/04
摘要：半導体装置は、第１のパッドに接続される第１の入出力回路と、第１の入出力回路に対しチップ端部が構成する１つの辺に沿う方向に配置され、第２のパッドに接続される第２の入出力回路と、第１および第２の入出力回路の外側のチップ端部の近傍に配置されるＥＳＤ保護回路と、を備える。ＥＳＤ保護回路は、抵抗と、容量と、インバータと、Ｎチャネル型トランジスタと、を備える。
摘要翻译：一种半导体器件，具有：连接到第一焊盘的第一输入/输出电路; 沿与所述第一输入/输出电路相关的芯片边缘所构成的一侧的方向上设置的第二输入/输出电路，所述第二输入/输出电路连接到第二焊盘; 以及设置在第一和第二输入/输出电路的外侧芯片边缘附近的ESD保护电路。 ESD保护电路设置有电阻器，电容器，反相器和N沟道型晶体管。

27. 发明申请

WO2016063459A1 半導体集積回路装置审中-公开
标题翻译：半导体集成电路设备
公开(公告)号：WO2016063459A1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/JP2015/004955
申请日：2015-09-29
申请人：株式会社ソシオネクスト
发明人：松井　徹
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/5286 , H01L24/06 , H01L27/0207 , H01L27/0296 , H01L2224/06131 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H02H9/046 , H01L2924/00
摘要：　半導体集積回路装置について、回路面積の増加を招くことなく、コア電源についてＥＳＤ保護能力を確保可能な構成を提供する。コア領域（２）にある第１パッド列（２０Ａ）は、コア電源配線と接続されており、電源電位または接地電位が外部から与えられる第１コア電源用パッド（２２）を含む。パッド列（２０Ａ）の外側にあるパッド列（２０Ｃ）は、第１コア電源用パッド（２２）と共通の電源電位または接地電位が外部から与えられ、かつ、コア電源用Ｉ／Ｏセル（１４）と接続された第２コア電源用パッド（２６）を含む。
摘要翻译：本发明的目的是为半导体集成电路器件提供能够确保核心电源的ESD保护能力而不会增加电路面积的结构。芯区域（2）中的第一焊盘列（20A）包括连接到核心电源线并从外部提供电源电位或接地电位的第一核心电源焊盘（22）。在垫柱（20A）的外侧的垫柱（20C）包括第二芯电源焊盘（26），其外部提供有第一芯电源焊盘（22）公共的电源电位或接地电位，以及其连接到核心电源I / O单元（14）。

28. 发明申请

WO2015100882A1 一种静电放电保护电路及其制造方法、显示装置及电子产品审中-公开
公开(公告)号：WO2015100882A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/CN2014/075686
申请日：2014-04-18
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：张保侠 , 曹昆 , 宋丹娜
IPC分类号： H02H9/04
CPC分类号： H01L27/0288 , G02F1/1345 , G02F1/136204 , H01L27/0296
摘要：一种静电放电保护电路，包括薄膜晶体管，其第一电极与待保护的第一信号传输线电连接，其第二电极的末端与提供保护的第二信号传输线之间间隔一保护距离。该保护距离使得由于第一信号传输线上积累的静电荷导致第二电极上的电压超出第一信号传输线上传输的电信号所处的电压区间时，第二电极能够通过静电击穿方式形成与第二信号传输线的电连接，从而通过处于导通状态的薄膜晶体管将第一信号传输线上的静电荷释放到第二信号传输线。

29. 发明申请

WO2014188514A1 半導体集積回路装置审中-公开
标题翻译：半导体集成电路设备
公开(公告)号：WO2014188514A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/JP2013/064089
申请日：2013-05-21
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：成田　幸輝
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H03K17/08104 , H01L27/0255 , H01L27/0292 , H01L27/0296 , H01L27/0629 , H01L27/0814 , H02H9/046 , H03K5/08
摘要：　半導体集積回路装置は、互いに異なる電圧により動作する第１および第２の領域と、第１の領域から第２の領域へ信号を供給する信号配線とを含む。第２の領域は、選択的に電圧が供給される第１配線と電圧が供給される第３端子との間に接続され、第１配線における電圧と第３端子に供給される電圧との差電圧により動作する回路と、第１配線における電荷を放電する放電回路とを含む。放電回路により、信号配線と第１配線との間の電位差が広がるのが抑制され、第２の領域に含まれる回路が破壊されるのを低減することが可能となる。
摘要翻译：该半导体集成电路器件包括：分别通过彼此不同的电压工作的第一和第二区域; 以及将信号从第一区域提供给第二区域的信号布线。第二区域包括：电路，其连接在选择供给电压的第一布线和供给电压的第三端之间，并且通过第一和第二布线之间的差电压进行操作接线和提供给第三端子的电压; 以及放电电路，其对第一布线的电荷进行放电。通过放电电路来抑制信号布线和第一布线之间的电位差的增加，并且可以减少包括在第二区中的电路的断裂。

30. 发明申请

WO2013187187A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2013187187A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/JP2013/063999
申请日：2013-05-21
申请人：セイコーインスツル株式会社
发明人：理崎　智光 , 中西　章滋 , 桜井　ひと美 , 島崎　洸一
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/45 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/60 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L27/0296 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05011 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05085 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/45144 , H01L2224/48451 , H01L2224/48463 , H01L2224/78301 , H01L2224/78303 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/35 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2924/00015
摘要：　パッド開口部の下のクラックを抑制しつつチップサイズを大きくしないために、保護膜６は、一部の最上層金属膜３を露出するパッド開口部９を有する。このパッド開口部９は矩形で正方形であり、開口幅はｄ０である。第二金属膜２は、パッド開口部９の下において開口部を有する。この開口部は矩形で正方形であり、開口幅はｄ４である。保護膜６の開口端と第二金属膜２の開口端との距離はｄ３である。第二金属膜２は、矩形のリング形状であり、パッド開口部９の内側に、距離ｄ３だけはみ出している。
摘要翻译：为了防止芯片尺寸的增加，在抑制焊盘开口下方的裂纹的同时，保护膜（6）具有暴露最顶层金属膜（3）的一部分的焊盘开口（9）。垫片开口（9）是正方形的，开口的宽度为d0。第二金属膜（2）在焊盘开口（9）的下方具有开口。开口是正方形，开口宽度为d4。保护膜（6）的开口端与第二金属膜（2）的开口端之间的距离为d3。第二金属膜（2）具有矩形环状，并且在焊盘开口（9）的内侧突出距离d3。

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