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21. 发明申请

WO2017066449A1 MULTI-STAGE DEPOSITION SYSTEM FOR GROWTH OF INCLINED C-AXIS PIEZOELECTRIC MATERIAL STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：倾斜C轴压电材料结构生长的多级沉积系统
公开(公告)号：WO2017066449A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/US2016/056843
申请日：2016-10-13
申请人： QORVO US, INC.
发明人： MCCARRON, Kevin , BELSICK, John
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/35 , C23C14/22 , G01N29/02 , H03H9/17
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/0036 , C23C14/024 , C23C14/0617 , C23C14/086 , C23C14/226 , C23C14/3442 , C23C14/35 , C23C14/566 , C23C14/568 , C30B25/06 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01J37/32715 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/347 , H01L41/35 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/02157 , H03H9/125 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/205
摘要： Systems and methods for growing hexagonal crystal structure piezoelectric material with a c-axis that is tilted (e.g., 25 to 50 degrees) relative to normal of a face of a substrate are provided. A deposition system (100) includes a linear sputtering apparatus (154), a translatable multi-aperture collimator (170), and a translatable substrate table (148) arranged to hold multiple substrates, with the substrate table and/or the collimator being electrically biased to a nonzero potential. An enclosure (334) includes first (334A) and second (334B) deposition stations each including a linear sputtering apparatus (344A, 344B), a collimator (348A, 348B), and a deposition aperture.
摘要翻译：提供了用于生长具有相对于衬底表面的法线倾斜（例如，25至50度）的c轴的六方晶体结构压电材料的系统和方法。沉积系统（100）包括线性溅射设备（154），可平移多孔径准直仪（170）和布置成保持多个衬底的可平移衬底台（148），其中衬底台和/或准直器是电气的偏向于非零的潜力。外壳（334）包括各自包括线性溅射设备（344A，344B），准直器（348A，348B）和沉积孔的第一（334A）和第二（334B）沉积台。

22. 发明申请

WO2017066448A1 DEPOSITION SYSTEM FOR GROWTH OF INCLINED C-AXIS PIEZOELECTRIC MATERIAL STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：倾斜C轴压电材料结构的生长沉积系统
公开(公告)号：WO2017066448A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/US2016/056840
申请日：2016-10-13
申请人： QORVO US, INC.
发明人： MCCARRON, Kevin , BELSICK, John
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/35 , C23C14/22 , G01N29/02 , H03H9/17
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/0036 , C23C14/024 , C23C14/0617 , C23C14/086 , C23C14/226 , C23C14/3442 , C23C14/35 , C23C14/566 , C23C14/568 , C30B25/06 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01J37/32715 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/347 , H01L41/35 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/02157 , H03H9/125 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/205
摘要： Systems and methods for growing hexagonal crystal structure piezoelectric material with a c-axis that is tilted (e.g., 25 to 50 degrees) relative to normal of a face of a substrate are provided. A deposition system (100) includes a linear sputtering apparatus (154), a translatable multi-aperture collimator (170), and a translatable substrate table (148) arranged to hold multiple substrates, with the substrate table and/or the collimator being electrically biased to a nonzero potential. An enclosure includes first and second deposition stations each including a linear sputtering apparatus, a collimator, and a deposition aperture (150).
摘要翻译：提供了用于生长具有相对于衬底表面的法线倾斜（例如，25至50度）的c轴的六方晶体结构压电材料的系统和方法。沉积系统（100）包括线性溅射设备（154），可平移多孔径准直仪（170）和布置成保持多个衬底的可平移衬底台（148），其中衬底台和/或准直器是电气的偏向于非零的潜力。外壳包括第一和第二沉积台，每个台包括线性溅射设备，准直仪和沉积孔（150）。

23. 发明申请

WO2015134108A1 ION BEAM SPUTTER DEPOSITION ASSEMBLY, SPUTTERING SYSTEM, AND SPUTTER METHOD OF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：离子束溅射沉积装置，溅射系统和溅射方法的物理蒸气沉积
公开(公告)号：WO2015134108A1
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：PCT/US2015/000023
申请日：2015-02-09
申请人： WHITE, Nicholas, R.
发明人： WHITE, Nicholas, R.
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： C23C14/46 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J37/32055 , H01J37/32422 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3438 , H01J37/3447 , H01J37/3488
摘要： The present invention provides a superior ion beam sputtering system, assembly and methodology, with unique capabilities for film coating the exposed surface(s) of a workpiece or substrate by physical vapor deposition. The system can have far higher throughput than existing ion beam sputtering systems, while being constructed as a drop-in module, giving it a flexibility more typically found in magnetron systems. The operational system generates and initially extracts a ribbon shaped ion beam, typically of argon, whose breadth can be extended from about 150 mm to about 3 meters; then accelerates, deflects, and then decelerates the beam to form a spacecharge neutralized high current very broad ribbon ion beam; directs this resulting ion beam to strike the exposed face surface of a sputter target at a pre-chosen oblique incidence angle near 70 degrees; and consequently q: wises the formation and release of a plume of sputtered atoms from the target.
摘要翻译：本发明提供了优异的离子束溅射系统，组件和方法，具有通过物理气相沉积对工件或衬底的暴露表面进行膜涂覆的独特能力。该系统可以具有比现有的离子束溅射系统更高的吞吐量，同时被构造为一个插入式模块，使其具有在磁控管系统中更典型的灵活性。操作系统产生并且最初提取通常为氩的带状离子束，其宽度可以从约150mm延伸到约3米; 然后加速，偏转，然后使光束减速以形成空间电荷中和的大电流非常宽的带状离子束; 引导所得到的离子束以预先选择的靠近70度的倾斜入射角撞击溅射靶的暴露的表面; 因此q：使目标中的溅射原子的形成和释放成为可能。

24. 发明申请

WO2014165300A1 EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY MASK BLANK MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD OF OPERATION THEREFOR 审中-公开
标题翻译：极端超紫外线掩膜掩模制造系统及其操作方法
公开(公告)号：WO2014165300A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/US2014/025124
申请日：2014-03-12
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： HOFMANN, Ralf , BEASLEY, Cara , FOAD, Majeed A.
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/203
CPC分类号： G03F1/22 , C23C14/50 , C23C16/4583 , G03F7/16 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447
摘要： A processing system includes: a vacuum chamber; a plurality of processing systems attached around the vacuum chamber; and a wafer handling system in the vacuum chamber for moving the wafer among the plurality of processing systems without exiting from a vacuum. A physical vapor deposition system for manufacturing an extreme ultraviolet blank comprising: a target comprising molybdenum, molybdenum alloy, or a combination thereof.
摘要翻译：一种处理系统包括：真空室; 附接在真空室周围的多个处理系统; 以及真空室中的晶片处理系统，用于在多个处理系统之间移动晶片而不退出真空。一种用于制造极紫外线空白的物理气相沉积系统，包括：包含钼，钼合金或其组合的靶。

25. 发明申请

WO2014142737A1 ARRANGEMENT AND METHOD FOR HIGH POWER PULSED MAGNETRON SPUTTERING 审中-公开
标题翻译：高功率脉冲磁控溅射的装置和方法
公开(公告)号：WO2014142737A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/SE2014/050292
申请日：2014-03-11
申请人： HELMERSSON, Ulf
发明人： HELMERSSON, Ulf
IPC分类号： C23C14/35 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/351 , H01J37/32422 , H01J37/32669 , H01J37/3467
摘要： Disclosed is an arrangement (1a, 1b) for high power pulsed magnetron sputtering for deposition of a thin film onto a substrate (2) surface. The arrangement (1a, 1b) is provided with a guide (11a, 11 b) provided between the target (3a, 3b) and the substrate (2), providing a magnetic field which guides the plasma towards the substrate (2) surface, wherein all surface normals of an active surface portion of said target (3a, 3b) are directed such that negative ions travelling along such surface normals are prevented from reaching said substrate (2). The arrangement is further provided with means for preventing a substantial portion of negative ions from reaching the substrate (2) surface. Thereby, detrimental effects on the growing film on the substrate (2) surface from negative ions produced in the high power pulsed magnetron sputtering process are reduced. Disclosed is also a method of depositing a thin film onto a substrate (2) surface through high power pulsed magnetron sputtering such that detrimental effects on the growing film from negative ions produced in the method are reduced.
摘要翻译：公开了一种用于在基板（2）表面上沉积薄膜的大功率脉冲磁控溅射装置（1a，1b）。布置（1a，1b）设置有设置在目标（3a，3b）和基板（2）之间的引导件（11a，11b），提供将等离子体引向基板（2）表面的磁场，其中所述靶（3a，3b）的活性表面部分的所有表面法线被引导为使得沿着这样的表面法线行进的负离子被阻止到达所述衬底（2）。该装置还设置有用于防止大部分负离子到达衬底（2）表面的装置。因此，降低了在高功率脉冲磁控溅射工艺中产生的负离子对基板（2）表面上生长的膜的不利影响。还公开了通过高功率脉冲磁控溅射将薄膜沉积在基片（2）表面上的方法，从而降低了在该方法中产生的负离子对生长薄膜的不利影响。

26. 发明申请

WO2013111212A1 電子部品の製造方法及び電極構造审中-公开
标题翻译：电子元器件制造方法和电极结构
公开(公告)号：WO2013111212A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/JP2012/006104
申请日：2012-09-25
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：松尾　明 , 渋谷　陽介 , 北野　尚武 , 森本　栄太郎 , 山崎　公司 , 佐藤　雄 , 清野　拓哉
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/58 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4966 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/5826 , C23C14/586 , H01J37/3402 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01L21/28088 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/823842 , H01L29/66545
摘要：　本発明は、トレンチ開口部の減少を抑制し、トレンチ部へ埋め込まれる金属膜の拡散を抑制することが可能な、電子部品の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態は、電子部品の製造方法であって、被処理体に形成された凹部（例えば、トレンチ部）内に、第１の電極構成層（例えば、ＴｉＡｌ膜）を形成し、第１の電極構成層の表面をプラズマ窒化して窒化層を形成することにより極薄バリア層（例えば、ＴｉＡｌＮ膜）を形成し、極薄バリア層上に第２の電極構成層（例えば、Ａｌ配線層）を形成する工程を有することを特徴とする。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种电子部件制造方法，由此可以抑制沟槽开口的尺寸减小，并且可以抑制嵌入在沟槽部分中的金属膜的扩散。本发明的一个实施例是一种电子部件制造方法，其特征在于具有：在形成于受试者的凹部（例如，沟槽部）中形成第一电极配置层（例如，TiAl膜）的步骤，被处理通过等离子体氮化第一电极配置层的表面形成氮化物层，形成极薄的阻挡层（例如，TiAlN膜）的步骤; 以及在极薄的阻挡层上形成第二电极配置层（例如，Al布线层）的步骤。

27. 发明申请

WO2013001714A1 成膜装置审中-公开
公开(公告)号：WO2013001714A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/JP2012/003527
申请日：2012-05-30
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 梶原雄二 , 安松保志 , 小長和也
发明人：梶原　雄二 , 安松　保志 , 小長　和也
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/04 , C23C14/3407 , C23C14/505 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3447
摘要：　ターゲット間でのコンタミネーションが生じることを低減できる成膜装置を提供する。成膜装置は、ターゲットが取り付けられる取り付け面を備える複数のターゲット電極と、前記複数のターゲット電極に対向する位置で基板を保持する基板ホルダーと、前記複数のターゲット電極と前記基板ホルダーとの間に回転可能に設けられ、前記取り付け面に対向可能な複数の開口を有する第１シャッタ部材と、前記第１シャッタ部材に隣接して配置され、前記ターゲット電極の数と等しい数の開口を有するシールド部材とを備え、前記第１シャッタ部材と前記シールド部材との隙間は、隣り合う前記ターゲット電極の最近接部から外周側に向かって広がっていることを特徴とする。
摘要翻译：提供了能够减少靶间污染的发生的成膜装置。该成膜装置的特征在于具有：多个目标电极，设置有安装有目标物的附着面; 衬底保持器，其在面对所述多个靶电极的位置处保持衬底; 第一活门构件，其可旋转地设置在所述多个靶电极和所述基板保持件之间，并且具有能够面向所述安装面的多个开口部; 以及与第一活门构件相邻并且具有与目标电极的数量相等的多个开口的屏蔽构件。成膜装置的特征还在于，第一活门构件和屏蔽构件之间的间隙从相邻目标电极之间最接近的部分朝向外周缘变宽。

28. 发明申请

WO2012147298A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2012147298A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/JP2012/002611
申请日：2012-04-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 梶原雄二 , 安松保志 , 小長和也
发明人：梶原　雄二 , 安松　保志 , 小長　和也
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/3464 , H01J37/32899 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3447
摘要：　シャッタ装置でターゲットを選択でき、ターゲット間でのコンタミネーションが生じることを防止できる成膜装置を提供する。成膜装置１０は、それぞれ回転可能な第１シャッタ板６５及び第２シャッタ板６７を有するシャッタ装置５４と、ターゲット電極Ｃの第１シャッタ板６５側に固定された上部シールド板６３を備えている。また、第１シャッタ板６５のターゲット電極Ｃ側の面には回転分離壁７２が、上部シールド板６３の第１シャッタ板６５側の面には固定分離壁７１がそれぞれ開口６５ａ，６３ａを挟むように設けられている。成膜処理の際、回転分離壁７２と固定分離壁７１との間でラビリンスが形成されるように第１シャッタ板６５を回転することでターゲットＣ間のコンタミネーションを防止することができる。
摘要翻译：提供了一种成膜设备，其中可以用快门装置选择目标，并且可以防止目标之间的污染发生。一种成膜设备（10）包括具有可旋转的第一快门板（65）和可旋转的第二快门板（67）的快门装置（54）和固定到第一快门板（65）的上屏蔽板）侧。在第一挡板（65）的目标电极（C）侧的表面和第一挡板（65）侧的表面设置有旋转分隔壁（72）和固定分隔壁（71）分别夹着开口（65a，63a）的上屏蔽板（63）。在成膜过程中，旋转第一挡板65使得在旋转分离屏障（72）和固定隔离屏障（71）之间形成迷宫，使得可以防止目标（C）之间的污染。

29. 发明申请

WO2012033198A1 スパッタ装置审中-公开
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：WO2012033198A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/JP2011/070608
申请日：2011-09-09
申请人：株式会社アルバック , 難波隆宏 , 中島孝一
发明人：難波　隆宏 , 中島　孝一
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/548 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447
摘要：成膜空間（２Ｓ）に配置された基板（Ｓ）に薄膜を形成するスパッタ装置（１）は、複数のターゲット（１３Ａ～１３Ｃ）と、それらターゲット（１３Ａ～１３Ｃ）と成膜空間（２Ｓ）との間に、選択ターゲットを成膜空間（２Ｓ）に露出させる開口部（２２）を有するシャッター機構（Ｍ）を備える。シャッター機構（Ｍ）は、選択ターゲットから放出されて基板外周部（Ｓ２）へ向かうスパッタ粒子数を制御する入射制御部（３０Ａ～３０Ｃ）を備える。複数の入射制御部はスパッタ粒子に対する複数の遮蔽度を有している。成膜空間（２Ｓ）に露出される選択ターゲットを単体でスパッタした際の膜厚分布に応じて、複数の入射制御部の中から該選択ターゲットに適した入射制御部を適用する。
摘要翻译：在设置在成膜空间（2S）中的基板（S）上形成薄膜的溅射装置（1）具有多个靶（13A〜13C）。以及设置在靶（13A〜13C）和成膜空间（2S）之间并且具有将选择的靶暴露于成膜空间（2S）的开口（22）的闸门机构（M）。闸门机构（M）设置有控制从所选择的目标物朝向基板外周部分释放的溅射粒子的数量的喷射控制单元（30A〜30C）（S2）。多个喷射控制单元相对于溅射颗粒具有多个屏蔽水平。当暴露于成膜空间（2S）的所选择的靶单独溅射时，根据膜厚度分布，从多个喷射控制单元中使用适合于所选择的目标的喷射控制单元。

30. 发明申请

WO2011019566A2 PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译： RF物理蒸气沉积工艺套件
公开(公告)号：WO2011019566A2
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/US2010/044420
申请日：2010-08-04
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , HAWRYLCHAK, Lara , SAVANDAIAH, Kirankumar , RASHEED, Muhammad, M. , WANG, Rongjun , ALLEN, Adolph, Miller , XIE, Zhigang
发明人： HAWRYLCHAK, Lara , SAVANDAIAH, Kirankumar , RASHEED, Muhammad, M. , WANG, Rongjun , ALLEN, Adolph, Miller , XIE, Zhigang
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要： Embodiments of the invention generally relate to a process kit for a semiconductor processing chamber, and a semiconductor processing chamber having a kit. More specifically, embodiments described herein relate to a process kit including a cover ring, a shield, and an isolator for use in a physical deposition chamber. The components of the process kit work alone and in combination to significantly reduce particle generation and stray plasmas. In comparison with existing multiple part shields, which provide an extended RF return path contributing to RF harmonics causing stray plasma outside the process cavity, the components of the process kit reduce the RF return path thus providing improved plasma containment in the interior processing region.
摘要翻译：本发明的实施例一般涉及用于半导体处理室的处理套件和具有套件的半导体处理室。更具体地，本文所述的实施例涉及包括用于物理沉积室中的盖环，屏蔽和隔离器的处理套件。过程组件的组件单独工作并组合起来，以显着减少颗粒产生和杂散等离子体。与现有的多部分屏蔽相比，其提供了有助于RF谐波的扩展的RF返回路径，从而在处理空腔之外引起杂散等离子体，处理套件的部件降低了RF返回路径，从而在内部处理区域中提供了改进的等离子体容纳物。

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