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1. 发明申请

WO2008149446A1 半導体製造装置および方法审中-公开
标题翻译：半导体生产设备和工艺
公开(公告)号：WO2008149446A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2007/061570
申请日：2007-06-07
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 北野尚武 , 南卓士 , 小須田求 , 渡部平司
发明人：北野尚武 , 南卓士 , 小須田求 , 渡部平司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/677 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/67207 , H01L21/28229 , H01L21/31683 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本発明の第１の側面は、ロードロック室と搬送室とプラズマを用いた処理を行う処理室1と処理室2を有し、処理室2においては、排気手段に、酸素分圧が1×10 -5 [Pa]以下にするための制御手段が取り付けられていることを特徴とする半導体製造装置である。本発明の第２の側面は、高誘電率膜と金属電極を連続で形成する方法であって、処理室1で、シリコン酸化膜または、シリコン酸窒化膜上に金属膜を堆積させるステップ1と処理室2において処理室1で形成した金属膜を用いて高誘電率膜に形成するステップ2と処理室1もしくは、増設した処理室3において処理室2で形成した高誘電膜上に金属電極材料を堆積させるステップ3を含む方法において、大気に晒すことなく、各ステップが連続的に行われることを特徴とする。
摘要翻译：在第一方面，提供了一种半导体制造装置，其特征在于包括负载锁定室，输送室和等离子体处理室（1）和处理室（2），处理室（2）具有配备有控制用于将氧分压调节至1×10 -5 Pa或更低的装置。在第二方面，提供了一种用于连续形成高介电常数的膜和金属电极的方法，包括在处理室（1）中的氧化硅膜或氧氮化硅膜上沉积金属膜的步骤（1））; 处理室（2）中的步骤（2），从处理室（1）中形成的金属膜形成高介电常数的膜; 和处理室（1）或添加处理室（3）中的步骤（3），在形成在处理室（2）中的高介电常数的膜上沉积金属电极材料，其特征在于这些步骤是连续的在不暴露于环境空气的情况下进行。

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