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1. 发明申请

WO2009057395A1 酸化膜除去のための基板洗浄処理方法审中-公开
标题翻译：用于去除氧化膜的基板清洁方法
公开(公告)号：WO2009057395A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/067016
申请日：2008-09-19
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 清野拓哉 , 池本学 , 真下公子
发明人：清野拓哉 , 池本学 , 真下公子
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02049 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/67196 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/66651
摘要：プラズマによって生成したラジカルを、プラズマ生成室（１０８）と処理室を分離する隔壁板に設けられた複数の孔（１１１）から処理室に導入し、別途処理室に導入した処理ガスとこのラジカルを混合することで、上記ラジカルの励起エネルギーを抑制し、これによりSiと高い選択性を持った基板表面処理が可能となるため、基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となることが見出された。プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。
摘要翻译：由等离子体产生的自由基通过多个孔（111）引入处理室，该多个孔（111）被布置在用于将等离子体发生室（108）和处理室之间分离的分隔板上，分离地引入混合处理室和自由基以抑制自由基的激发能，并且可以进行从Si具有高选择性的衬底表面处理。因此，可以进行表面处理，以去除天然氧化物膜和有机材料，而不会降低基板表面的平坦度。等离子体中的自由基通过用于分离等离子体的等离子体限制电极板（110）上的自由基通过孔（111）引入到处理室中，处理气体被引入处理室中以在处理中与基团混合（121），通过基体和处理气体的混合气氛清洗基板表面。

2. 发明申请

WO2008139621A1 半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体器件的工艺
公开(公告)号：WO2008139621A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2007/059931
申请日：2007-05-15
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 清野拓哉 , 池本学 , 伊達大樹
发明人：清野拓哉 , 池本学 , 伊達大樹
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/304 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28229 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/5853 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/31645 , H01L29/517 , Y10S438/906
摘要：フッ素ラジカルを半導体基板の表面に露出して基板表面を洗浄後に、フッ素ラジカル又は水素化合物（SiH 4 等）で水素終端処理をして、Hf等をスパッタした後、酸化・窒化しHfO等の誘電体絶縁膜を形成する。これらの工程中、基板は大気に晒されることなく行われ、ヒステリシスの小さいＣ－Ｖ曲線が得られ、ＭＯＳ－ＦＥＴにあって良好なデバイス特性が実現される。
摘要翻译：通过包括在半导体衬底的表面上暴露氟自由基，清洗衬底表面，用氟自由基或氢化合物进行氢终止处理的方法制备HfO等的介电绝缘膜（SiH 4+ SUB>等），Hf等溅射，进行氧化/氮化。该工艺在不将基板暴露于大气中的情况下进行，从而可以获得低滞后的C-V曲线，并且相对于MOS-FET实现了优异的器件特性。

3. 发明申请

WO2009144810A1 シリサイド形成方法とその装置审中-公开
标题翻译：形成硅氧烷的方法和形成硅氧烷的装置
公开(公告)号：WO2009144810A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/JP2008/060000
申请日：2008-05-30
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 清野拓哉 , 池本学 , 真下公子
发明人：清野拓哉 , 池本学 , 真下公子
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/304
CPC分类号： H01L29/665 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/28518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：プラズマ生成室で発生したＨＦ由来のラジカルを導入孔を通して処理室に供給し、ラジカル導入孔付近から処理ガスとしてＨＦガス分子を供給することにより励起エネルギーを抑制し、これによりSiに対して選択性を高めてＢ又はＰ又はＡｓの不純物をドーパントしたIV族半導体の基板表面の自然酸化膜除去をする、ドライ処理にもかかわらず、高温での処理の必要なWet洗浄と同等の良好な表面平坦性を有する表面処理を行うことができ、さらに表面処理後の基板に金属材料を成膜し、熱処理による金属シリサイド化を行ない、これらの工程中、基板は大気に晒されることなく行われ、ウェット処理と同等以上の良好なコンタクト抵抗が得られた。また、界面の不純物吸着が抑制される。ＭＯＳ－ＦＥＴにあって良好なデバイス特性が実現される。
摘要翻译：本发明提供了一种形成硅化物的方法，其包括通过引入孔将等离子体发生室中产生的HF衍生的自由基提供到处理室中，并且从自由基引入孔周围提供HF气体分子作为处理气体，以抑制激发能，因此为了提高Si的选择性，可以除去掺杂有B，P或As杂质的IV族半导体的基板的表面上的自然氧化膜。在该方法中，尽管进行了干法处理，但是可以实现能够实现与通过需要高温处理的湿洗所达到的良好的表面平整度的表面处理。在表面处理之后，在基板上形成金属材料膜，并且对金属硅化物形成进行热处理。这些步骤在不将基材暴露于空气的情况下进行，并且可以提供与通过湿处理获得的良好接触电阻相当的良好接触电阻。此外，可以抑制杂质在界面上的吸附。对于MOS-FET，可以实现良好的器件特性。

4. 发明申请

WO2009057223A1 表面処理装置およびその基板処理方法审中-公开
标题翻译：表面处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：WO2009057223A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2007/071393
申请日：2007-11-02
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 清野拓哉 , 池本学 , 真下公子
发明人：清野拓哉 , 池本学 , 真下公子
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02049 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/67196 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/66651
摘要：プラズマ生成室で発生したＨＦ由来のラジカルを導入孔を通して処理室に供給し、ラジカル導入孔付近から処理ガスとしてＨＦガス分子を供給することにより励起エネルギーを抑制し、これによりSiに対して選択性を高めて自然酸化膜除去をする、ドライ処理にもかかわらず、高温での処理の必要なWet洗浄と同等の良好な表面平坦性を有する表面処理を行うことができ、さらに表面処理後の基板にSi単結晶膜を成長することが可能となる。Si単結晶膜成膜後の表面には酸素や炭素等の不純物が少ない。Si単結晶膜成長表面にHf等をスパッタした後、酸化・窒化しHfO等の誘電体絶縁膜を形成し、金属電極膜を形成する。これらの工程中、基板は大気に晒されることなく行われ、界面の不純物吸着が抑制され、ヒステリシスの小さいＣ－Ｖ曲線が得られるので、ＭＯＳ－ＦＥＴにあって良好なデバイス特性が実現される。
摘要翻译：本发明提供了一种表面处理装置，尽管干法处理其中在等离子体生成室中产生的HF衍生的自由基通过引入孔供给到处理室中，并且HF气体分子作为处理气体供应到自由基引入孔周围，抑制激发能，从而提高Si的去除天然氧化膜的选择性，可以实现能够实现与需要高温处理的湿洗相当的良好的表面平坦度的表面处理，并且可以在表面处理的基板上生长Si单晶膜。在Si单晶膜形成之后，衬底表面上的杂质如氧和碳的量小。 Hf等溅射在Si单晶膜生长表面上，然后进行氧化和氮化，以形成诸如HfO绝缘膜的介电绝缘膜。然后形成金属电极膜。这些步骤在不将基板暴露于空气的情况下进行，可以抑制界面上的杂质吸附，并且可以提供具有小滞后的C-V曲线。因此，在MOS-FET中，可以实现良好的器件特性。

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