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21. 发明申请

WO2008014750A2 DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT UND BAUELEMENT-VERBUND 审中-公开
标题翻译：薄膜半导体元件和构件
公开(公告)号：WO2008014750A2
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/DE2007/001273
申请日：2007-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Dünnfilm-Halbleiterbauelemen mit einer Trägerschicht und einem auf der Trägerschicht angeordneten Schichtenstapel, der ein Halbleitermaterial enthält und zur Emission von Strahlung vorgesehen ist, wobei auf der Trägerschicht eine zur Kühlung des Halbleiterbauelements vorgesehene Wärmeableitungsschicht aufgebracht ist. Ferner beschreibt die Erfindung einen Bauelement-Verbund.
摘要翻译：
本发明描述了d导航用途nnfilm-Halbleiterbauelemen带Tr的AUML;设置lt和辐射的发射，层的载流子BEAR载体层布置堆叠在载体层和在载体BEAR包含＆AUML的半导体材料设置用于冷却半导体部件的散热层。此外，本发明描述了组件组合。

22. 发明申请

WO2007016908A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体元件和薄膜半导体元件
公开(公告)号：WO2007016908A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/DE2006/001367
申请日：2006-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wobei ein ein Halbleitermaterial enthaltender Schichtenverbund (6) auf einem Aufwachssubstrat (1) ausgebildet wird, eine flexible Trägerschicht auf den Schichtenverbund (6) aufgebracht wird, die flexible Trägerschicht zu einer selbsttragenden Trägerschicht (2) ausgehärtet wird und das Aufwachssubstrat (1) abgelöst wird. Alternativ kann die Trägerschicht (2) eine Grundschicht (2b) und eine auf dem Schichtenverbund haftende Haftschicht (2a) aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产半导体器件的方法，其中（6）的生长衬底（1），柔性支撑层到层复合材料（6）被施加上形成含有层叠体的半导体材料，所述柔性支撑层，以形成自支撑的载体层（2）被固化和生长衬底（1）被分离。替代地，载体层（2），基极层（2b）和所述层压粘附层（2A）上的粘合剂具有。

23. 发明申请

WO2006089512A1 MODUL MIT STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERKÖRPERN 审中-公开
标题翻译：与发射辐射的半导体本体MODULE
公开(公告)号：WO2006089512A1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/DE2006/000232
申请日：2006-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , SCHNABEL, Wolfgang
发明人： GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , SCHNABEL, Wolfgang
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2924/0102 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041
摘要： Es wird ein Modul mit einer regelmäßigen Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) beschrieben, die auf einer Montagefläche (6) eines Trägers (2) aufgebracht sind, wobei eine Drahtverbindung zwischen zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) auf einer der Montagefläche (6) gegenüberliegenden Oberseite der beiden strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) angebracht ist.
摘要翻译：中，描述了具有（1）安装在载体（2）的安装表面（6）单独的发射辐射的半导体体阵列的模块被施加，其中两个相邻的发射辐射的半导体体之间的导线连接（1）（在安装表面的一个 6）在两个发射辐射的半导体本体的相对顶部安装（1）。

24. 发明申请

WO2004077578A2 BELEUCHTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：照明模块与方法研究
公开(公告)号：WO2004077578A2
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/DE2004/000040
申请日：2004-01-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungsmodul mit zumindest einem auf einem elektrische Anschlussleiter aufweisenden Chipträger aufgebrachten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, der eine erste une eine zweite elektrische Anschlussseite sowie eine epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtfolge aufweist. Die Halbleiterschichtfolge weist eine n-leitende Halbleiterschicht, eine p-leitende Halbleiterschicht und einen zwischen diesen beiden Halbleiterschichten angeordneten elektromagnetische Strahlung erzeugenden Bereich auf und ist auf einem Träger angeordnet. Zudem weist sie an einer zu dem Träger hin gewandten Hauptfläche eine reflektierende Schicht auf, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert. Die Halbleiterschichtfolge weist mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer mikrostrukturierten, rauhen Fläche auf. Die Auskoppelfläche des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist im Wesentlichen durch eine von der reflektierenden Schicht abgewandten Hauptfläche definiert und ist frei von Gehäusematerial wie Verguss- oder Verkapselungsmaterial.
摘要翻译：本发明涉及一种照明模块，包括至少一个具有一种半导体芯片载体具有第一UNE的第二电端子侧和外延制造的半导体层序列淀积薄膜发光二极管芯片电连接。半导体层序列具有n型半导体层，p型半导体层和设置在这两个半导体层之间的电磁辐射产生部分和设置在载体上。此外，它有一个朝向正对支撑主表面上的反射层，其反射回在它的半导体层序列中产生的电磁辐射的至少一部分。半导体层序列具有至少一个微结构化的，粗糙的表面的至少一个半导体层。该薄膜发光芯片的输出表面基本上由面向从反射层主表面远离的一侧形成，并且自由外壳材料，如灌封或包封材料的。

25. 发明申请

WO2010136251A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136251A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/054662
申请日：2010-04-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER, Nikolaus , HAHN, Berthold
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/508 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/504
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (3) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Konversionsschichten (4), wobei die Konversionsschichten (4) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung (P) wenigstens teilweise zu absorbieren und in eine gegenüber der Primärstrahlung (P) längerwellige Sekundärstrahlung (S) umzuwandeln. Weiterhin weist die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Aufrauung (5) auf, die mindestens stellenweise bis in die Konversionsschichten (4) reicht.
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，其包括半导体层序列（2）。半导体层序列（2）含有用于产生初级辐射（P）的至少一个有源层（3）。此外，半导体层序列（2）包括多个转换层（4），所述转换层（4）适合于初级辐射（P）以吸收至少部分的，并且在相对于初级辐射（P）的二次辐射（S）转换更长的波长。此外，在粗糙化（5），其至少局部地延伸到半导体层序列（2），所述转换层（4）。

26. 发明申请

WO2009149687A1 HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译：半导体本体及其制造方法的半导体主体
公开(公告)号：WO2009149687A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/DE2009/000756
申请日：2009-05-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Jürgen , GROLIER, Vincent , HAHN, Berthold , FLÖTER, Richard
发明人： STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Jürgen , GROLIER, Vincent , HAHN, Berthold , FLÖTER, Richard
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/225
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/325 , H01S5/305
摘要： Es wird ein Halbleiterkörper (2) mit einer n-leitenden Halbleiterschicht (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angegeben. Die p-leitende Halbleiterschicht (22) enthält einen p-Dotierstoff und die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen n-Dotierstoff und einen weiteren Dotierstoff. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers angegeben.
摘要翻译：有与n型半导体层（21）和p型半导体层（22）提供一个半导体主体（2）。在p型半导体层（22）含有p型掺杂物和n型半导体层（21）包括n型掺杂剂和另外的掺杂剂。此外，制造半导体主体的方法中指示。

27. 发明申请

WO2009039815A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体本体
公开(公告)号：WO2009039815A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001447
申请日：2008-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BADER, Stefan , HAHN, Berthold
发明人： ALBRECHT, Tony , BADER, Stefan , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Schicht (2) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge (λ 1 ) und einer Reemissionsschicht (3), die eine Quantentopf Struktur (4) mit einer Quantenschichtstruktur (5) und einer Barriereschichtstruktur (6) aufweist, beschrieben. Die Reemissionsschicht ist zur Erzeugung von inkohärenter Strahlung einer zweiten Wellenlänge (λ 2 ) mittels Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge in der Barriereschichtstruktur vorgesehen.
摘要翻译：它是（1）具有的活性层的发射辐射的半导体主体（2），用于产生第一波长（λ1）和Reemissionsschicht（3）具有量子阱结构的辐射（4）具有量子层结构（5）和阻挡层的结构（ 6），如下所述。该Reemissionsschicht是用于制造由在阻挡层结构的第一波长的辐射的吸收的装置提供的第二波长（λ2）的非相干辐射。

28. 发明申请

WO2005106972A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法用于产生辐射半导体芯片
公开(公告)号：WO2005106972A1
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/DE2004/000892
申请日：2004-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker
发明人： HAHN, Berthold , KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Mikrostrukturierung einer strahlungsemittierenden Fläche einer Halbleiterschichtfolge für einen Dünnschicht-Leuchtdiodenchip, mit folgenden Verfahrensschritten: a) Aufwachsen der Halbleiterschichtfolge auf einem Substrat; b) Ausbilden oder Aufbringen einer Spiegelschicht (7) auf der Halbleiterschichtfolge, die zumindest einen Teil einer in der Halbleiterschichtfolge bei deren Betrieb erzeugten und zur Spiegelschicht hin gerichteten Strahlung in die Halbleiterschichtfolge zurückreflektiert; c) Trennen der Halbleiterschichtfolge vom Substrat mittels eines Abhebe-Verfahrens, bei dem eine Trennzone in der Halbleiterschichtfolge zumindest teilweise zersetzt wird, derart, dass an der Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, von der das Substrat abgetrennt ist, anisotrop Rückstände (20) eines Bestandteils der Trennzone, insbesondere eines metallischen Bestandteils der Trennschicht verbleiben; und d) Ätzen der mit den Rückständen versehenen Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, bei dem die anisotropen Rückstände zumindest temporär als Ätzmaske verwendet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于微结构的半导体层序列的发射辐射的表面的薄膜发光二极管芯片，包括以下步骤：a）在衬底上的半导体层序列的增长; b）形成或沉积镜层（7）在半导体层序列，其至少反映在其朝向半导体层序列中的反射镜层中的操作过程中在半导体层序列产生的辐射和一部分; c）以在其中半导体层序列中的分离区被至少部分地分解，剥离方法的手段从基底分离半导体层序列，使得在从该衬底在分离区的部件的各向异性分离残基（20）中的半导体层序列的接口依然存在，特别是分离层的金属成分的; 以及d）蚀刻设置有半导体层序列的残基，其中，所述各向异性残基是至少暂时分离区域，作为蚀刻掩模。

29. 发明申请

WO2005004231A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造半导体芯片
公开(公告)号：WO2005004231A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/DE2004/001329
申请日：2004-06-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUEDERL, Georg , HAHN, Berthold , HAERLE, Volker
发明人： BRUEDERL, Georg , HAHN, Berthold , HAERLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0063 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/76254 , H01L21/78 , H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips, insbesondere von strahlungsemittierenden Halbleiterchips, mit jeweils mindestens einem epitaktisch hergestellten funktionellen Halbleiterschichtstapel, das folgende Verfahrensschritte umfaßt: - Bereitstellen eines Aufwachssubstratwafers (1), der im Wesentlichen Halbleitermaterial aus einem hinsichtlich Gitterparameter gleichen oder ähnlichen Halbleitermaterialsystem umfaßt wie dasjenige, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge für die funktionellen Halbleiterschichtstapel basiert, - Ausbilden einer parallel zu einer Hauptfläche (100) des Aufwachssubstratwafers (1) liegende Trennzone (4) im Aufwachssubstratwafer (1), - Verbinden des Aufwachssubstratwafers (1) mit einem Hilfsträgerwafer (2), - Abtrennen eines aus Sicht der Trennzone (4) vom Hilfsträgerwafer (2) abgewandten Teiles (11) des Aufwachssubstratwafers (1) entlang der Trennzone (4), - Ausbilden einer Aufwachsfläche auf dem auf dem Hilfsträgerwafer (2) verbliebenen Teil (12) des Aufwachssubstratwafers für ein nachfolgendes epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge, - Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Aufwachsfläche, - Aufbringen eines Chipsubstratwafers auf die Halbleiter-schichtenfolge, - Abtrennen des Hilfsträgerwafers (2), und - Vereinzeln des Verbundes von Halbleiterschichtenfolge und Chipsubstratwafer (7) zu voneinander getrennten Halbleiterchips.
摘要翻译：制造多个半导体芯片，尤其是发射辐射的半导体芯片的方法，每个具有至少一个外延制造功能性半导体层堆叠，其包括以下步骤： - 提供在生长衬底晶片（1），其基本上半导体材料包括关于晶格参数等于或类似的半导体材料系统，例如该在其上的功能性半导体层堆叠中的半导体层序列基于， - 形成平行于生长衬底晶片的主表面（100）（1）位于分离区（4）在生长衬底（1）， - 将所述生长衬底晶片（1）与辅助载体晶片（2） - 从视图从所述载体晶片的分离区（4）的分离（2）的面向远离生长基底晶片的部分（11）（1）沿着所述分离区（4）， - 残留在基座晶片上形成在生长表面（2）烯用于半导体层序列的随后的外延生长中，生长衬底晶片的部分（12） - 外延生长半导体层序列（5）在生长表面上， - 将芯片衬底晶片的半导体层序列， - 分离所述基座晶片（2），以及 - 分离复合半导体层序列和芯片衬底晶片（7），以在半导体芯片分离。

30. 发明申请

WO2004068572A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2004068572A3
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/DE2004/000123
申请日：2004-01-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold
发明人： KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, bei dem eine Halbleiterschicht (2) von einem Substrat (1) durch Bestrahlen mit Laserimpulsen getrennt wird, wobei die Impulsdauer der Laserimpulse kleiner oder gleich 10 ns ist. Die Laserimpulse weisen ein räumliches Strahlprofil auf, dessen Flankensteilheit so gering gewählt ist, dass bei der Trennung von Halbleiterschicht (2) und Substrat (1) Risse in der Halbleiterschicht (2), die durch thermisch induzierte laterale Verspannungen entstehen, vermieden werden.

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