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1. 发明申请

WO2005004231A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造半导体芯片
公开(公告)号：WO2005004231A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/DE2004/001329
申请日：2004-06-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUEDERL, Georg , HAHN, Berthold , HAERLE, Volker
发明人： BRUEDERL, Georg , HAHN, Berthold , HAERLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0063 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/76254 , H01L21/78 , H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips, insbesondere von strahlungsemittierenden Halbleiterchips, mit jeweils mindestens einem epitaktisch hergestellten funktionellen Halbleiterschichtstapel, das folgende Verfahrensschritte umfaßt: - Bereitstellen eines Aufwachssubstratwafers (1), der im Wesentlichen Halbleitermaterial aus einem hinsichtlich Gitterparameter gleichen oder ähnlichen Halbleitermaterialsystem umfaßt wie dasjenige, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge für die funktionellen Halbleiterschichtstapel basiert, - Ausbilden einer parallel zu einer Hauptfläche (100) des Aufwachssubstratwafers (1) liegende Trennzone (4) im Aufwachssubstratwafer (1), - Verbinden des Aufwachssubstratwafers (1) mit einem Hilfsträgerwafer (2), - Abtrennen eines aus Sicht der Trennzone (4) vom Hilfsträgerwafer (2) abgewandten Teiles (11) des Aufwachssubstratwafers (1) entlang der Trennzone (4), - Ausbilden einer Aufwachsfläche auf dem auf dem Hilfsträgerwafer (2) verbliebenen Teil (12) des Aufwachssubstratwafers für ein nachfolgendes epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge, - Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Aufwachsfläche, - Aufbringen eines Chipsubstratwafers auf die Halbleiter-schichtenfolge, - Abtrennen des Hilfsträgerwafers (2), und - Vereinzeln des Verbundes von Halbleiterschichtenfolge und Chipsubstratwafer (7) zu voneinander getrennten Halbleiterchips.
摘要翻译：制造多个半导体芯片，尤其是发射辐射的半导体芯片的方法，每个具有至少一个外延制造功能性半导体层堆叠，其包括以下步骤： - 提供在生长衬底晶片（1），其基本上半导体材料包括关于晶格参数等于或类似的半导体材料系统，例如该在其上的功能性半导体层堆叠中的半导体层序列基于， - 形成平行于生长衬底晶片的主表面（100）（1）位于分离区（4）在生长衬底（1）， - 将所述生长衬底晶片（1）与辅助载体晶片（2） - 从视图从所述载体晶片的分离区（4）的分离（2）的面向远离生长基底晶片的部分（11）（1）沿着所述分离区（4）， - 残留在基座晶片上形成在生长表面（2）烯用于半导体层序列的随后的外延生长中，生长衬底晶片的部分（12） - 外延生长半导体层序列（5）在生长表面上， - 将芯片衬底晶片的半导体层序列， - 分离所述基座晶片（2），以及 - 分离复合半导体层序列和芯片衬底晶片（7），以在半导体芯片分离。

2. 发明申请

WO2020104251A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2020104251A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/EP2019/081009
申请日：2019-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WAGNER, Jan , BERGBAUER, Werner , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , BRUEDERL, Georg , PETER, Matthias
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/02 , H01S5/32 , H01S5/40 , H01S5/20
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist, - das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y 0,05 oder einen Indiumanteil y ≥ 0,02 aufweist, und - eine Schichtspannung in dem Schichtsystem (20) zumindest bereichsweise mindestens 2 GPa beträgt.

3. 发明申请

WO2014173823A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：WO2014173823A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057942
申请日：2014-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GERHARD, Sven , MUELLER, Jens , BRUEDERL, Georg
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/22 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/02272 , H01S5/0224 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/176
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper (2) und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper (3), wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht (9) aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht (10 an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers (11,12) und/ oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers (1,14) angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht (10) mit einer Wärmesenke (1) in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht (10) und dem Grundkörper (2) und/oder dem Streifenkörper (3) größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht (9) und dem Streifenkörper (3). Die erste Kontaktschicht kann eine Metallelektrode sein und die zweite Kontaktschicht ein Goldlot und durch diese Anordnung wird die Wärmeabfuhr zur Wärmesenke verbessert.
摘要翻译：本发明涉及一种具有基体的半导体激光器（2），并且布置在所述基条体（3），其中，所述基体和所述带体是半导体材料形成，所述具有活性区（4）的半导体材料，用于产生电磁辐射，其上条主体的上表面，第一接触层（9）被施加，其中第二接触层（10至（带材本体的至少一个侧表面11,12）和/或至少一个横向布置在基体的带体上侧（1,14）是相邻的，其中具有一个散热装置（1）的第二接触层（10）与所述第二接触层（10）和所述基体之间的电接触电阻（2）接触和/或条带主体（3）比之间的电接触电阻大第一接触层（9）和所述条体。（3）第一Kontaktsch 层可以是金属电极和所述第二接触层和这种布置的金焊料，散热到热沉被改善。

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