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1. 发明申请

WO2006089512A1 MODUL MIT STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERKÖRPERN 审中-公开
标题翻译：与发射辐射的半导体本体MODULE
公开(公告)号：WO2006089512A1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/DE2006/000232
申请日：2006-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , SCHNABEL, Wolfgang
发明人： GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , SCHNABEL, Wolfgang
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2924/0102 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041
摘要： Es wird ein Modul mit einer regelmäßigen Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) beschrieben, die auf einer Montagefläche (6) eines Trägers (2) aufgebracht sind, wobei eine Drahtverbindung zwischen zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) auf einer der Montagefläche (6) gegenüberliegenden Oberseite der beiden strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) angebracht ist.
摘要翻译：中，描述了具有（1）安装在载体（2）的安装表面（6）单独的发射辐射的半导体体阵列的模块被施加，其中两个相邻的发射辐射的半导体体之间的导线连接（1）（在安装表面的一个 6）在两个发射辐射的半导体本体的相对顶部安装（1）。

2. 发明申请

WO2007076743A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： LED芯片MIT电流扩展层FOR和方法及其
公开(公告)号：WO2007076743A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002046
申请日：2006-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
发明人： HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。还提供了用于制造LED芯片的方法。

3. 发明申请

WO2013041465A1 WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENT UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT MIT WELLENLÄNGENKONVERSIONSELEMENT 审中-公开
标题翻译：波长变换元件和波长变换元件的光发射的半导体元件
公开(公告)号：WO2013041465A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/068156
申请日：2012-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEISS, Guido , GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , KIENER, Simone
发明人： WEISS, Guido , GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , KIENER, Simone
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H05B33/14
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Wellenlängenkonversionselement (11, 12, 13, 14) mit einer Schicht (1) aus einem Keramikmaterial angegeben, das einen keramischen Wellenlängenkonversionsstoff aufweist, und mit einer auf zumindest einer ersten Hauptoberfläche (10) der Schicht (1) aus dem Keramikmaterial angeordneten transparenten Schicht (2), die einen geringeren Brechungsindex als die Schicht (1) aus dem Keramikmaterial aufweist. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit dem Wellenlängenkonversionselement angegeben.
摘要翻译：有由具有陶瓷波长转换材料的陶瓷材料的配置在该陶瓷材料设置有层的波长变换元件（11，12，13，14）（1），和所述层的至少第一主表面（10）（1）透明层（2）具有比陶瓷材料的层（1）的折射率低。此外，发光半导体装置设置有波长转换元件。

4. 发明申请

WO2008092437A1 ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON MISCHLICHT 审中-公开
标题翻译：装置和方法生产混合光
公开(公告)号：WO2008092437A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/DE2008/000167
申请日：2008-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , PETERSEN, Kirstin
发明人： GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： Die beschriebene Anordnung bzw. Verfahren betrifft mindestens zwei, elektromagnetische Strahlung aussendende Halbleiterbauelemente, deren aussendende elektromagnetische Strahlung sich in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen befindet. Die Überlagerung dieser elektromagnetischen Strahlungen aller Halbleiterbauelemente besitzt dabei zumindest einen Anteil im sichtbaren Wellenlängenbereich. Dabei weist mindestens eines der Halbleiterbauelemente ein Lumineszenzkonversionselement im Strahlengang auf. Dieses Halbleiterbauelement besitzt einen Volumenverguss, der sowohl den Halbleiterchip als auch das Lumineszenzkonversionselement vereint. In vorteilhafter Weise ist der Halbleiterchip direkt mit einer Lumineszenzkonversionsschicht beschichtet bzw. abgedeckt. Zur Maximierung der Energieeffizienz weist das Halbleiterbauelement ein spiegelndes Element auf.
摘要翻译：所描述的装置和方法涉及至少两种，电磁辐射发射的半导体器件，其发射电磁辐射位于不同的波长范围。所有的半导体元件的这些电磁辐射的叠加具有至少同时在可见光波长范围内的比例存在。在这种情况下，在光束路径中的发光转换元件上的半导体组件中的至少一个。该半导体装置具有既包括半导体芯片和发光的Volumenverguss。有利的是，半导体芯片直接涂覆有发光转换层或覆盖。为了最大限度地提高能源效率，反射元件上的半导体装置。

5. 发明申请

WO2009106038A1 HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体发光二极管和方法用于生产半导体发光二极管
公开(公告)号：WO2009106038A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000192
申请日：2009-02-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).
摘要翻译：它是一种半导体发光二极管（10），提出一种包括至少一个p型掺杂的发光层（4），n掺杂发光层（2）和光学活性区域（3）的p型的发光层（4）和n型之间的发光层（2），具有氧化物层（8）由透明导电氧化物和至少一个反射镜层（9），其中，所述氧化物层（8）的发光层之间的（2,4）和所述至少一个反射镜层（9）和一个第一边界表面（8a）的面向所述发光层（2，4），和第二边界表面（8b）的面向所述至少一个反射镜层（9），并且其中，所述第二接口（8b）的氧化物层（8）较低的粗糙度（R2）小于第一边界表面（8a）的氧化物层（8）。

6. 发明申请

WO2009068006A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009068006A3
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001957
申请日：2008-11-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
发明人： WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf der Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitern angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine Pufferschicht (21), die nominell undotiert oder zumindest teilweise n-leitend dotiert ist, eine aktive Zone (24), die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu empfangen, sowie eine zwischen der Pufferschicht und der aktiven Zone angeordnete Kontaktschicht (22) auf, die n-leitend dotiert ist. In der Kontaktschicht ist die n-Dotierstoffkonzentration größer als in der Pufferschicht. In der Halbleiterschichtenfolge ist eine Ausnehmung (3) enthalten, die sich durch die Pufferschicht hindurch erstreckt und in der ein elektrisches Kontaktmaterial (4) angeordnet ist und an die Kontaktschicht angrenzt. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, das geeignet ist, einen derartigen Halbleiterkörper herzustellen.

7. 发明申请

WO2005071763A3 DÜNNFILM-LED MIT EINER STROMAUFWEITUNGSSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2005071763A3
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/DE2005/000099
申请日：2005-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einer Dünnfilm-LED mit einer aktiven Schicht (7) aus einem Nitridverbindungshalbleiter, die elektromagnetische Strahlung (19) in einer Hauptstrahlungsrichtung (15) emittiert, einer der aktiven Schicht (7) in der Hauptstrahlungsrichtung (15) nachfolgenden Stromaufweitungsschicht (9) aus einem ersten Nitridverbindungshalbleitermaterial, einer Hauptfläche (14), durch welche die in der Hauptstrahlungsrichtung (15) emittierte Strahlung ausgekoppelt wird, und einer ersten Kontaktschicht (11, 12, 13), die auf der Hauptfläche (14) angeordnet ist, ist die Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht (9) durch Ausbildung eines zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erhöht. Die Ausbildung des zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erfolgt vorteilhaft durch das Einbetten mindestens einer Schicht (10) aus einem zweiten Nitridverbindungshalbleitermaterial in die Stromaufweitungsschicht (9).

8. 发明申请

WO2005041313A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER DÜNNSCHICHT-HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：辐射的薄膜半导体芯片
公开(公告)号：WO2005041313A1
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/DE2003/003222
申请日：2003-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/10 , H01L33/46
摘要： Die Erfindung offenbart einen strahlungsemittierenden Dünnschicht-Halbleiterchip mit einer epitaktischen Mehrschichtstruktur (12), die eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (14) enthält und eine erste Hauptfläche (16) und eine der ersten Hauptfläche abgewandte zweite Hauptfläche (18) zum Auskoppeln der in der aktiven, strahlungserzeigenden Schicht erzeugten Strahlung aufweist. Weiter ist die erste Hauptfläche (16) der Mehrschichtstruktur (12) mit einer reflektierenden Schicht bzw. Grenzfläche gekoppelt, und der an die zweite Hauptfläche (18) der Mehrschichtstruktur angrenzende Bereich (22) der Mehrschichtstruktur ist ein- oder zweidimensional mit konvexen Erhebungen (26) strukturiert ist.
摘要翻译：本发明公开了一种具有外延的多层结构（12），其包含用于在所述提取的活性的活性，产生辐射的层（14）和一第一主表面（16）和从第二主表面（18）背向所述第一主表面中的一个的发射辐射的薄膜半导体芯片具有strahlungserzeigenden产生层辐射。接着，对多层结构的第一主表面（16）（12）耦合的多层结构的多层结构邻接的区域（22）为一维或二维具有凸脊的反射层或边界表面，并且所述第二主表面（18）（26 ）的结构。

9. 发明申请

WO2003009399A1 GALLIUMNITRID-BASIERTE LED UND IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：氮化镓基于LED及其制造方法
公开(公告)号：WO2003009399A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/DE2002/002677
申请日：2002-07-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , HANGLEITER, Andreas , HÄRLE, Volker
发明人： HAHN, Berthold , HANGLEITER, Andreas , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis eines Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiters vorgeschlagen, mit einer lichtemittierenden Schicht (2) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, die aus einem Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist; einer ersten Überzugsschicht (3), die mit der ersten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem n-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet; und einer zweiten Überzugsschicht (4), die mit der zweiten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem p-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet. Zur Verbesserung der Lumineszenzausbeute der Vorrichtung (1) ist die Dicke der lichtemittierenden Schicht (2) in der Nähe von Versetzungen (10) geringer als im übrigen Be-reich ausgebildet.
摘要翻译：所以建议制造光基于一个氮化镓基化合物半导体发光器件的方法，用（2），具有第一和被氮化镓系化合物半导体形成的第二主表面上的发光层; 的第一涂层（3），其连接到所述发光层（2）的第一主表面和n型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同的形成; 并且连接到所述发光层（2）的所述第二主表面和p型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同所形成的第二涂层（4）。为了提高所述设备（1）的发光层的厚度（2）大于富处于另一位错的附近（10）少的发光效率。

10. 发明申请

WO2012089540A1 VERBUNDSUBSTRAT, HALBLEITERCHIP MIT VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON VERBUNDSUBSTRATEN UND HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：复合基材，具有产生复合衬底及半导体芯片复合基材和方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012089540A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/EP2011/073134
申请日：2011-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , C09K11/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02612 , H01L21/78 , H01L24/73 , H01L29/02 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/46 , H01L33/507 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Träger (2) und einer Nutzschicht (5) angegeben, wobei die Nutzschicht mittels einer dielektrischen Verbindungsschicht (3) an dem Träger (2) befestigt ist und der Träger (2) ein Strahlungskonversionsmaterial enthält. Weiterhin werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Verbundsubstrat, ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit einem Verbundsubstrat angegeben.
摘要翻译：有由（2）被固定在载体上的介电粘结层（3）和所述载体（2）包括一个辐射转换材料与支撑件（2）和耐磨层（5）提供一种复合衬底（1），与所述耐磨层。此外，半导体芯片（10）具有这样的复合衬底，一种制造复合基板的制造方法和用于制造半导体芯片的方法都标有一个复合基板。

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