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11. 发明申请

WO2003050872A1 不揮発性メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：WO2003050872A1
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：PCT/JP2002/012691
申请日：2002-12-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
发明人：田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
摘要： A nonvolatile memory (1) comprising an insulation substrate (11) having first electrodes (15) penetrating through front and back faces, second electrodes (12) formed on one face of the insulation substrate (11), and recording layers (14) sandwiched by the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and changing a resistance value by impressing an electric pulse between the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and keeping the first electrodes (15) electrically connected to the recording layers (14)in a region constituting a single memory cell (MC). This nonvolatile memory (1) enables a reduction in power consumption to provide a high degree of design freedom and a high reliability.
摘要翻译：一种非易失性存储器（1），包括具有穿过前后表面的第一电极（15）的绝缘基板（11），形成在所述绝缘基板（11）的一个面上的第二电极（12）和夹在所述绝缘基板通过第一电极（15）和第二电极（12），并且通过在第一电极（15）和第二电极（12）之间施加电脉冲来改变电阻值，并且保持第一电极（15）电连接到记录层（14）在构成单个存储单元（MC）的区域中。该非易失性存储器（1）能够降低功耗以提供高度的设计自由度和高可靠性。

12. 发明申请

WO2006016656A1 ディスクドライブ装置审中-公开
标题翻译：磁盘驱动器
公开(公告)号：WO2006016656A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014765
申请日：2005-08-11
申请人：ソニー株式会社 , 大森清 , 鈴木裕次 , 大塚隆 , 實川啓司 , 武藤智 , 夏堀公士 , 相澤秀邦
发明人：大森清 , 鈴木裕次 , 大塚隆 , 實川啓司 , 武藤智 , 夏堀公士 , 相澤秀邦
IPC分类号： G11B17/04
CPC分类号： G11B17/051
摘要：　本発明は、光ディスク（２）が着脱自在に装着されるディスクドライブ装置であり、長手方向が光ディスクの径と略同一の長さとされたディスク挿脱口（１９）が設けられた前面パネル（１８）を有する筐体（３）と、光ディスクの外周を挟持する複数の回動アーム（６１）（６２）を光ディスクの搬送位置に応じて所定方向に付勢する付勢部材（７０）とを備え、ディスク挿脱位置とディスク装着位置との間で、光ディスクの搬送を行うディスク搬送機構（６０）と、光ディスクが装着されるディスク装着部（４１）と、光ディスクのディスク回転駆動機構（４２）と、光ディスクに対して情報信号の記録及び／又は再生を行う光ピックアップ（４３）と、光ピックアップを送り操作するピックアップ送り機構（４４）とを備え、ディスク挿脱口の長手方向の一端部に、ディスク挿脱口から挿脱される光ディスクの外周面と摺接される摺接片（２３）を設け、光ディスクの急峻な移動を規制する。
摘要翻译：一种光盘驱动装置，其中可拆卸地安装光盘（2），该盘驱动装置包括具有前面板（18）的外壳（3），其中纵向长度近似等于形成光盘，并且根据光盘的携带位置，向沿着指定方向保持光盘外周的多个旋转臂（61）和（62）通电的通电构件（70）。该装置还包括在光盘插入/提取位置和盘安装位置之间承载光盘的盘片传送机构（60），安装光盘的光盘安装部分（41），盘旋转驱动机构（42）），用于在光盘中记录和/或再现信息信号的光学拾取器（43）以及馈送光学拾取器的拾取器馈送机构（44）。与光盘插入/提取孔插入和拔出的光盘的外周面可滑动接触的可滑动接触片（23）装配到盘插入/提取孔的纵向端部，以限制光盘。

13. 发明申请

WO2004049346A1 不揮発性メモリセルおよびその制御方法审中-公开
标题翻译：非挥发性记忆细胞及其控制方法
公开(公告)号：WO2004049346A1
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/JP2003/014692
申请日：2003-11-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 豊田健治
发明人：大塚隆 , 豊田健治
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C14/00 , G11C11/22
摘要：第１のノード（６）と第２のノード（７）とを備え、第１のノード（６）と第２のノード（７）とに設定される相補データをラッチするラッチ回路（１）、第１のノード（６）と第１のデータ入出力線（２）とを接続する第１のスイッチング素子（４）、第２のノード（７）と第２のデータ入出力線（３）とを接続する第２のスイッチング素子（５）、第２のデータ入出力線（３）と第１のノード（６）とを接続する第１の強誘電体キャパシタ（８ａ）、および第１のデータ入出力線（２）と第２のノード（７）とを接続する第２の強誘電体キャパシタ（８ｂ）を備える不揮発性メモリセル。
摘要翻译：非易失性存储单元包括：具有第一节点（6）和用于锁存在第一节点（6）和第二节点（7）中的互补数据集的第二节点（7）的锁存电路（1）。用于将第一节点（6）连接到第一数据I / O线（2）的第一开关元件（4）; 用于将第二节点（7）连接到第二数据I / O线（3）的第二开关元件（5）; 用于将第二数据I / O线（3）连接到第一节点（6）的铁电电容器（8a）; 和用于将第一数据I / O线（2）连接到第二节点（7）的铁电电容器（8b）。

14. 发明申请

WO2003081667A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2003081667A1
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/JP2003/003493
申请日：2003-03-24
申请人：松下電器産業株式会社 , 西川孝司 , 大塚隆
发明人：西川孝司 , 大塚隆
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28291 , H01L21/28273 , H01L29/78391
摘要： A semiconductor device comprising a semiconductor substrate (11), a source region (12) and a drain region (13) formed on the substrate (11) with a channel region (14) therebetween, a floating gate electrode (152) formed on the channel region (14) via a gate insulation film (151), a ferroelectric film (154) formed on the floating gate electrode (152), and a control gage electrode (156) formed on the ferroelectric film (154), wherein intermediate insulation films (153, 155) are formed at at least one of a portion between the floating gate electrode (152) and the film (154) and a portion between the film (154) and the control gate electrode (156), and respective intermediate insulation films (153, 155) consist of hafnium oxide containing nitrogen atoms.
摘要翻译：一种半导体器件，包括半导体衬底（11），形成在衬底（11）上的源区（12）和漏区（13），沟道区（14）之间形成有浮栅电极（152）通过栅极绝缘膜（151），形成在浮栅电极（152）上的铁电体膜（154）和形成在铁电体膜（154）上的控制量规电极（156）的沟道区域（14）薄膜（153,155）形成在浮栅电极（152）和薄膜（154）之间的一部分和薄膜（154）与控制栅电极（156）之间的部分中的至少一个上，各中间体绝缘膜（153,155）由含有氮原子的氧化铪组成。

15. 发明申请

WO2008004459A1 車両用キーレス装置审中-公开
标题翻译：车辆无钥匙设备
公开(公告)号：WO2008004459A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/JP2007/062767
申请日：2007-06-26
申请人：カルソニックカンセイ株式会社 , 土屋信明 , 大塚隆
发明人：土屋信明 , 大塚隆
IPC分类号： E05B49/00 , B60R25/00 , B60R25/10
CPC分类号： B60R25/245 , G07C9/00309 , G07C2209/63
摘要：【課題】　返信要求を車内に送信するアンテナが故障した場合にも、車室内にある携帯機を検出することができる車両用キーレス装置を提供すること。【解決手段】　車外アンテナ４５の探索範囲Aを通常の探索範囲A1よりも狭い探索範囲A2にして、車外アンテナ４６の探索範囲Bの通常の探索範囲B1との重複部分が車内のみとなるようにした。
摘要翻译：本发明提供一种能够检测车辆室内的移动装置的车辆无钥匙装置，即使将返回请求发送到车厢内的天线发生故障。解决问题的手段将外部天线（45）的搜索范围（A）设定为小于正常搜索范围（A1）的搜索范围（A2），使得具有正常搜索范围（ B1）的外部天线（46）的搜索范围（B）仅在车室内。

16. 发明申请

WO2007026541A1 スクリーンマスク、半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：屏幕掩模和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2007026541A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/JP2006/316089
申请日：2006-08-16
申请人：日本電気株式会社 , NECエレクトロニクス株式会社 , 枦山一郎 , 大塚隆 , 小野善宏 , 百川裕希
发明人：枦山一郎 , 大塚隆 , 小野善宏 , 百川裕希
IPC分类号： B41N1/24 , B41C1/14 , B41F15/08 , B41F15/34 , H01L21/60 , H05K3/12
CPC分类号： B41F15/36 , B41N1/24 , H01L21/4867 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K3/1225 , H05K2201/09736 , H01L2924/00
摘要：　スクリーン印刷における印刷厚みを部分的に所望の値に制御することを目的とする。スクリーンマスク３０は、スクリーン紗と、マスク層２２と、調整部３１とを備える。マスク層２２は、スクリーン紗と結合するように形成され、所定の印刷パターンに対応するマスク開口部２１を有する。調整部３１は、その所定の印刷パターンの一部に対するペースト材料の透過性を変化させるように、マスク層２２に形成される。特に、調整部３１は、マスク層２２のパターン開口率を変化させるようにマスク層２２に形成される。
摘要翻译：可以在丝网印刷中将打印厚度部分地控制到期望的值。屏幕掩模（30）包括丝网，掩模层（22）和调节单元（31）。掩模层（22）形成为与丝网细丝连接并具有对应于预定印刷图案的掩模开口（21）。调整单元（31）形成在掩模层（22）上，使得对应于预定打印图案的一部分的糊料的透明度改变。特别地，调整单元（31）形成在掩模层（22）上，使得掩模层（22）的图案数值孔径改变。

17. 发明申请

WO2004059838A1 不揮発性ラッチ回路及びその駆動方法审中-公开
标题翻译：非挥发性锁闩电路及其驱动方法
公开(公告)号：WO2004059838A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/015958
申请日：2003-12-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆 , 森本廉
发明人：豊田健治 , 大塚隆 , 森本廉
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： G11C11/22 , H03K17/693
摘要：本発明に係る不揮発性ラッチ回路１０は、第１の電極１ａ、第２の電極１ｂ、及びこれら電極間に介在する強誘電体膜１ｃを有する強誘電体キャパシタ１と、第１の電極１ａに接続されるリセット端子Ｔreと、強誘電体キャパシタ１の第２の電極１ｂに接続されるＣＭＯＳインバータ素子２と、第２の電極１ｂに電圧を印加する電圧切り換え用端子Ｔplと、第２の電極１ｂと第２の入力端子Ｔplとの間に接続され、第２の電極１ｂに印加される電圧を切り換えるスイッチング素子５と、このスイッチング素子５にオン・オフを切り換えるための電圧を印加するセット端子Ｔseとを備えており、強誘電体膜１ｃに残留する分極によって第２の電極１ｂに生じる電圧が、ＣＭＯＳインバータ素子２のＮＭＩＳＦＥＴ４のしきい値電圧Ｖtnよりも高くなるように構成されている。
摘要翻译：非易失性锁存电路（10）包括具有第一电极（1a），第二电极（1b）和插入在这些电极之间的铁电体膜（1c）的铁电电容器（1），复位端子（Tre）连接到第一电极（1a），连接到第二电极（1b）的CMOS反相器（2），用于向第二电极（1b）施加电压的电压切换端子（Tpl）;连接在第二电极用于切换施加到第二电极（1b）的电压的第二电极（1b）和第二输入端子（Tpl）以及用于向切换装置（5）施加开/关切换电压的设定端子（Tse）。非易失性锁存电路（10）被设计成通过剩余在铁电体膜（1c）中的极化施加到第二电极（1b）的电压高于NMISFET（4）的阈值电压（Vtn） CMOS反相器（2）。

18. 发明申请

WO2003099590A1 二輪車用空気入りラジアルタイヤ审中-公开
标题翻译：用于摩托车的气动径向轮胎
公开(公告)号：WO2003099590A1
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：PCT/JP2003/006297
申请日：2003-05-20
申请人：株式会社ブリヂストン , 大塚隆
发明人：大塚隆
IPC分类号： B60C9/08
CPC分类号： B60C9/18 , B60C9/04 , B60C9/08 , B60C2200/10 , Y10T152/10765 , Y10T152/10855
摘要：　大きなキャンバー角を付与した高速旋回走行に際してすぐれた操縦安定性を発揮できる二輪車用空気入りラジアルタイヤを提供するものであり、扁平比が０．５０～０．８５の二輪車用空気入りラジアルタイヤにおいて、カーカスプライコードの引張破断強度を９８０ＭＰａ以上とするとともに、カーカス剛性をそれぞれのカーカスプライについて加算してなるカーカス総剛性の絶対値を３００００以上とし、ベルト層コードの引張破断強度を２３５０ＭＰａ以上とするとともに、ベルト剛性をそれぞれのベルト層について加算してなるベルト総剛性の絶対値を１７００００以上とし、かつ、トレッド部の、幅方向の面外曲げ剛性を０．４０～０．７０ｋｇ／ｍｍ、周方向の面内曲げ剛性を０．０５～０．１５ｋｇ／ｍｍとするとともに、その面内曲げ剛性に対する面外曲げ剛性の比としての曲げ剛性比を４．２０～９．１０の範囲としてなる。
摘要翻译：一种用于具有大外倾角度的摩托车的充气子午线轮胎，其能够在高速车削中显示出优异的操纵稳定性，并且具有0.50至0.85的平坦度比，其中胎体帘布层绳的拉伸断裂强度为980MPa或对于每个胎体帘布层，通过添加胎体刚性而形成的总胎体刚性的绝对值为30,000以上，带束帘线的拉伸断裂强度为2350MPa以上，由皮带刚性形成的总带刚度的绝对值由对于每个带束层，对于彼此的带刚性增加为17万以上，胎面部的侧面的表面外弯曲刚性为0.40〜0.70kg / mm，其周面的表面弯曲刚性为0.05〜0.15 kg / mm，表面外弯曲刚度与面内弯曲刚度之比的弯曲刚度比在4.20〜9.10的范围内。

19. 发明申请

WO2006022254A1 電極用複合粒子およびその製造法、ならびに二次電池审中-公开
标题翻译：电极用复合颗粒，其制造方法和二次电池
公开(公告)号：WO2006022254A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015265
申请日：2005-08-23
申请人：松下電器産業株式会社 , 石田澄人 , 芳澤浩司 , 古結康隆 , 松田博明 , 浅利琢磨 , 大塚隆
发明人：石田澄人 , 芳澤浩司 , 古結康隆 , 松田博明 , 浅利琢磨 , 大塚隆
IPC分类号： H01M4/58 , C01B31/02 , B01J23/74 , H01M10/40 , H01G9/00
CPC分类号： D01F9/127 , B01J21/08 , B01J21/185 , B01J23/38 , B01J23/70 , B01J23/74 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/78 , B01J23/8892 , B01J35/0013 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , D01F9/1271 , D01F9/1272 , D01F9/1273 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01M4/131 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M10/052 , Y02E60/13
摘要：　活物質粒子、活物質粒子の表面に結合したカーボンナノファイバ、および、カーボンナノファイバの成長を促進する触媒元素を含み、活物質粒子が、電気化学的活性相からなる電極用複合粒子。触媒元素には、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｍｎなどが用いられる。電極用複合粒子は、例えば、少なくとも表層部にカーボンナノファイバの成長を促進する触媒元素を有する活物質粒子を調製する工程と、原料ガスを含む雰囲気中で、活物質粒子の表面にカーボンナノファイバを成長させる工程とを有する方法により製造することができる。
摘要翻译：公开了一种含有活性物质粒子的电极复合粒子，与活性物质粒子的表面结合的碳纳米纤维，以及用于促进碳纳米纤维生长的催化剂元素，其中活性物质粒子由电化学活性相组成。例如，使用Au，Ag，Pt，Ru，Ir，Cu，Fe，Co，Ni，Mo或Mn作为催化剂元素。这种电极用复合粒子可以通过以下方法制造：包括用于制备活性物质颗粒的步骤，所述活性物质颗粒含有用于促进至少表面部分中的碳纳米纤维的生长的催化剂元素，以及用于在表面上生长碳纳米纤维的步骤的活性物质颗粒在含有原料气体的气氛中。

20. 发明申请

WO2004100266A1 不揮発性メモリおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2004100266A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/JP2004/006485
申请日：2004-05-07
申请人：松下電器産業株式会社 , 森田清之 , 山田昇 , 宮本明人 , 大塚隆 , 田中英行
发明人：森田清之 , 山田昇 , 宮本明人 , 大塚隆 , 田中英行
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
摘要：第１の基板（１００）と、第２の基板（１１０）とを備え、第１の基板（１００）は、マトリクス状に配置された複数のスイッチング素子（４）と、各スイッチング素子（４）に電気的に接続された複数の第１の電極（１８）とを有し、第２の基板（１１０）は、導電膜（３２）と、電気的パルスが印加されることにより抵抗値が変化する記録層（３４）とを有しており、　複数の第１の電極（１８）は、記録層（３４）により一体的に覆われており、これによって、複数の第１の電極（１８）と導電膜（３２）との間に記録層（３４）が挟持され、第１の基板（１００）は、第２の電極（２２）をさらに備え、第２の電極（２２）は、導電膜（３２）と電気的に接続され、記録層（３４）への通電時に一定電圧に保持される不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、高集積度を低コストで実現することができる。
摘要翻译：公开了一种包括第一基板（100）和第二基板（110）的非易失性存储器。第一基板（100）包括布置成矩阵的多个开关器件（4）和电连接到各个开关器件（4）的多个第一电极（18）。第二基板（110）包括通过施加电脉冲而改变电阻的导电膜（32）和记录层（34）。第一电极（18）与记录层（34）一体地覆盖，使得记录层（34）保持在第一电极（18）和导电膜（32）之间。第一基板（100）还包括电流连接到导电膜（32）并且当电流通过记录层（34）时保持在一定电压下的第二电极（22）。利用这种非易失性存储器，可以以低成本实现高集成度。

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